KR20020060781A - 스위칭가능 파장 레이저에 기초하는 에칭된 회로 보드처리 시스템 - Google Patents

스위칭가능 파장 레이저에 기초하는 에칭된 회로 보드처리 시스템 Download PDF

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레인하트 죠셉 엘.
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Abstract

본 발명의 파장 스위칭가능 레이저(10)는 고체-상태 레이저 소스(12)에 기초하는데, 상기 고체-상태 레이저 소스(12)에서, 제 4 고조파 UV 레이저 빔(26)은 일반적으로 처리를 위해 사용되고, 제 2 고조파인 "녹색" 레이저 빔(28)은 덤핑되어 버려진다. 그러나, 본 발명은 ECB(30)의 전도체 층(32, 36)을 처리하기 위해 일반적으로 버려지는 레이저 빔을 사용하는데, 이는 UV 에너지의 전력 보다 더 높은 녹색 에너지의 전력으로 인해서 처리 작업량을 향상시킨다. 폭켓 셀(16)은 녹색 빔이나 UV 빔 중 어느 하나가 상이한 물질을 처리하기 위해서 ECB로 향하도록 야기하는 레이저 빔 편광 스위칭을 실행한다. 본 발명은 단일 레일 레이저 소스만을 필요로 하고, 따라서 단순하고 비용 효율적이고, 효율적이며 본래부터 배열되며, 높은 작업 처리량을 갖는다.

Description

스위칭가능 파장 레이저에 기초하는 에칭된 회로 보드 처리 시스템{SWITCHABLE WAVELENGTH LASER-BASED ETCHED CIRCUIT BOARD PROCESSING SYSTEM}
에칭된 회로 보드("ECB")의 전도체 및 유전체 층을 절단하기 위해 상이한 레이저 에너지 파장을 사용하는 기술이 이전에 알려져 있다. 일예로, 이전의 작업자들은 단일 ECB 처리 시스템에서 적외선("IR") Nd:YAG 레이저 및 CO2레이저를 사용하고 있다. YAG 레이저 빔은 용인할 수 있는 품질로 구리 층을 처리하고, CO2레이저는 더 높은 작업 처리량으로 유전체 층을 처리한다.
또 다른 예로서, 본 출원의 양수인에게 양도되어진 미국 특허 제 5,847,960호("MULTI-TOOL POSITIONING SYSTEM")에서는 ECB에 있는 블라인드 바이어 홀(blindvia hole)을 절단하는 다중-비율의 다중-툴 포지셔너(multi-tool positioner)를 설명하고 있다. 툴의 절반은 자외선("UV") 레이저인데, 상기 자외선 레이저는 전도체 및 유전체 층을 쉽게 절단하고, 툴의 다른 절반은 IR 레이저인데, 상기 IR 레이저는 유전체 층만을 절단한다. UV 레이저는 상부 전도체 층과 하부 유전체 층의 일부분을 절단하도록 제어되고, IR 레이저는 제 2 하부 전도체 층을 통해 절단하거나 또는 그것은 손상시키지 않으면서 나머지 유전체 층을 절단하도록 제어된다. 결합된 레이저 처리 단계는 ECB에 있는 블라인드 바이어 홀을 절단하기 위해서 넓은 처리 윈도우를 구비한다.
ECB 처리 작업자들 사이에는, UV 레이저 파장이 넓은 처리 윈도우, 작은 스폿 크기, 및 깨끗한 홀과 같은 우수한 폴리 물질 처리 품질을 나타낸다는 것이 잘 알려져 있다. 그러나, UV 레이저는 이용가능한 UV 전력이 제한되어 있기 때문에, 처리 작업량이 많은 애플리케이션에 있어서 제한된다. 또한, 두 개의 레이저를 사용함으로서 과도하게 복잡해지고 비용이 많이 들며, 전형적으로 별도의 광학적이고 지루한 배열을 필요로 한다.
이러한 문제로 인해서, 일부 이전의 작업자들은 스위칭가능한 파장을 갖는 단일 레이저를 사용할 것을 제안하였다. 특히, 본 출원의 양수인에게 양도되어진 미국 특허 제 5,361,268호("SWITCHABLE TWO-WAVELENGTH FREQUENCY-CONVERTING LASER SYSTEM AND POWER CONTROL THEREFORE")에서는 그러한 레이저 및 반도체 바이어 절단에서 그러한 레이저를 사용하는 것을 설명하고 있다. 그러나, 그것은 또한 매우 비능률적이고 ECB 처리하기에는 충분하지 않은 UV 출력 전력을 갖는다.
그러므로, ECB 바이어 홀을 처리하는 단순하고 효율적이며 비용 효율적이고 높은 작업량을 갖는 방식이 요구된다.
본 발명은 1999년 12월 7일에 출원된 미국 가특허 출원 제 60/253,120호를 우선권으로 청구한다.
본 발명은 레이저에 기초한 미세-기계 가공(micro-machining)에 관한 것으로, 더 상세히는, 에칭된 회로 보드의 전도체 및 유전체 층에서 바이어 홀(via hole)을 절단하기 위한 파장 스위칭가능 레이저에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 스위칭가능 파장 레이저 미세--기계 가공 시스템의 간단한 블록도.
도 2a 내지 2c는 도 1의 스위칭가능 파장 레이저에 의해서 처리되고 있는 ECB의 전도체 및 유전체 층에 대한 단면도.
따라서, 본 발명의 목적은 스위칭가능 파장 레이저 장치 및 ECB를 처리하는데 있어 사용하기에 적합한 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 높은 작업처리량을 갖는 ECB 바이어 홀 형성 장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 파장 스위칭가능 레이저는, 제 4 고조파 UV 레이저 에너지가 처리를 위해 일반적으로 사용되고 제 2 고조파 "녹색" 레이저 에너지는 덤핑되어(dumped) 버려지는 타입의 고체-상태 주파수 변환 레이저 소스에 기초한다. 그러나, 본 발명의 바람직한 실시예는 ECB 구리 층을 처리하기 위해 일반적으로 버려지는 녹색 레이저 에너지를 사용하고, 이는 UV 에너지의 전력 보다 더 높은 녹색 에너지의 전력으로 인해 처리 작업량을 향상시킨다. 본 발명은 폭켈 셀(Pockel cell)에 기초한 파장 선택 기술을 사용함으로써, 녹색 레이저 에너지나 UV 레이저 에너지 중 어느 하나가 다른 물질을 처리하기 위해서 워크피스(workpiece)로 스위칭되게 한다.
녹색 레이저 에너지의 구리 바이어 홀에 대한 처리 품질은 구리가 녹색 에너지를 더 많이 흡수하기 때문에 IR 레이저 에너지 보다 우수한 것으로 믿어진다. UV 에너지의 우수한 유전체에 대한 처리 품질이 유지된다. 본 발명은 단일의 레일 레이저 소스(single rail laser source)만을 필요로 하기 때문에, 단순하고 비용 효율적이면서 효율적이고 본래부터 배열되어 있으며, 높은 처리 작업량을 갖는다.
본 발명의 추가적인 목적 및 장점이 첨부 도면과 관련하여 시작되는 바람직한 실시예에 대한 아래의 설명으로부터 자명해질 것이다.
도 1은 레이저 에너지의 제 2 고조파 녹색 파장을 생성하는 레이저 소스(12)를 사용하고 있는 파장 스위칭가능 레이저(10)를 도시하고 있다. 제 4 고조파 생성 비-선형 크리스털("NLC")(14)은 녹색 에너지를 수신하고, 그 녹색 에너지 중 일부를 UV 에너지로 변환한다.
레이저 소스(12)는, 일예로, 1,064 나노미터("㎚")의 Nd:YAG 또는 Nd:YVO4레이저이거나, 1,053 ㎚ 또는 1,047 ㎚의 Nd:YLF 레이저일 수 있다. Q-스위치, 제 2 고조파 생성 NLC, 및 공진기 미러가 레이저 소스(12)의 모든 부분이다. 레이저 소스(12)는 532 ㎚의 녹색 레이저 빔(15)을 생성하는 1,064 ㎚ Nd:YAG인 것이 바람직하지만, 대략 355 ㎚ 보다 작은 파장도 적합하다. 본 발명의 NLC는 BBO, LBO, 또는 CLBO 크리스털 중 임의의 것으로 형성될 수 있거나, 임의의 다른 적합한 UV 생성 NLC 물질로 형성될 수 있다.
파장을 선택할 때에는 레이저 소스(12)와 NLC(14) 사이에 삽입된 폭켈 셀(Pockel cell)(16)을 사용한다. 폭켓 셀(16)은 폭켓 셀 구동기(18)에 의해서 작동된다. 폭켓 셀 구동기(18)가 폭켓 셀(16)에 어떠한 구동 전압도 인가하지 않을 때, 레이저 소스(12)로부터의 녹색 레이저 빔(15)의 일부는 NLC(14)에 의해서 UV 에너지로 변환되며, 그 나머지는 녹색 에너지가 된다. UV 에너지 편광은 NLC(14)에 의해서 녹색 레이저 빔(15)에 대해 90°회전된다. 타우어 미러(tower mirror)(20)는 UV 에너지와 동일한 편광을 갖는 인입 레이저 빔 에너지의 거의 100%를 반사시키도록 설계된다. 따라서, 나머지 녹색 에너지는 타우어 미러(20)를 통해서 녹색 덤프 터미네이션(22)으로 전달되는 한편, UV 에너지의 대부분은 처리를 위해 ECB와 같은 워크피스(workpiece)(24)로 반사된다. 반사된 UV 에너지는 이후로는 UV 빔(26)으로 지칭되는데, 상기 UV 빔(26)은 대략 266 ㎚ 보다 더 작은 파장을 갖는다.
폭켓 셀 구동기(18)가 미리 결정된 전압을 폭켓 셀(16)에 인가하였을 때, 녹색 레이저 빔(15)의 편광은 90°만큼 회전된다. 이것은, 녹색 에너지 편광이 이제 주파수 변환에 있어 부적합하기 때문에 NLC(14)가 임의의 UV 에너지를 생성하지 못하게 한다. 그러나, 녹색 에너지 편광은 타우어 미러(20)에 의한 반사에 적절하게 되고, 따라서, 실질적으로 모든 녹색 에너지는 처리를 위한 워크피스(24)로 반사된다. 반사된 녹색 에너지는 이후로는 녹색 빔(28)으로 지칭되는데, 상기 녹색 빔(28)은 대략 532 ㎚ 보다 더 작은 파장을 갖는다.
본 발명의 전형적인 애플리케이션은 단일 또는 다중-층, 단일면 또는 이중면의 ECB에서 바이어 홀을 절단하는 것과 같이 워크피스(24)에서 홀을 처리한다. 다중 층 ECB는 전형적으로 0.05 내지 0.08 ㎜(0.002 내지 0.003 인치) 두께의 회로 보드 층을 정합(registering), 적재(stacking together), 적층(laminating), 및 압착(pressing)함으로서 제작된다. 각각의 층은 전형적으로 상이한 상호연결 패드 및 전도체 패턴을 포함하는데, 그것들은 처리 이후에는 복잡한 전기 소자 장착 및 상호연결 어셈블리를 구성한다. ECB의 상기 소자 및 전도체 밀도 경향은 집적 회로의 밀도와 함께 증가한다. 그러므로, ECB에서 홀의 위치지정의 정확도 및 크기 허용오차는 그에 비례하여 증가한다.
바이어 홀을 처리하는 것은, 수반되는 깊이, 직경, 및 위치지정의 엄격한 허용오차로 인해서 임의의 홀 처리 툴에 대해 까다로운 요구사항을 제공한다. 이것은, 바이어 홀이 전형적으로 제 1 전도체 층(일예로, 구리, 알루미늄, 금, 니켈, 은, 팔라듐, 주석, 및 납)을 관통하고, 하나 이상의 유전체 층(일예로, 폴리이미드, FR-4 수지, 벤조시클로부틴, 비스메일이미드 트리아진, 시안산염 에스테르에 기초한 수지, 세라믹)을 관통하며, 제 2 전도 층까지 이르도록 처리되지만 제 2 전도층을 관통하지 않게 처리되기 때문이다. 최종적으로 바이어 홀은 전형적으로 제 1 및 제 2 전도체 층을 전기적으로 연결하기 위해서 전도성 물질로 도금된다.
일부 애플리케이션은 대략 200 ㎛ 이하의 비교적 큰 홀 직경을 절단하는 것을 필요로 한다. UV 레이저 빔 에너지는 전형적으로 대략 20 ㎛뿐인 빔 직경을 갖기 때문에, UV 에너지는 홀을 절단하기 위해서 나선 또는 원형 경로를 따라야 한다. 그러나, 녹색 에너지는 더 큰 빔 직경을 갖고, 따라서 비교적 큰 직경을 갖는 홀을 절단할 것이다.
ECB의 두께 변동치는 파장 스위칭가능 레이저(10)의 필드의 ±0.13 ㎜(±0.005 인치) 깊이 만큼은 쉽게 수용된다.
스위칭가능 파장 레이저(10)에 의해서 생성된 UV 빔(26) 및 녹색 빔(28)은 본래부터 배열되어 있으며, 구리 전도체 층 및 폴리아미드 유전체 층과 같이 다른 물질로 형성된 ECB를 처리하는데 있어 적합하다. 녹색 빔(28)은 구리 층을 처리하는데 적합하고, UV 빔(26)은 폴리아미드나 다른 폴리 물질로 형성된 유전체 층을 처리하는데 적합하다. 일반적으로, 본 발명은 UV 에너지 보다 더 큰 녹색 에너지를 제공한다. 구리를 처리하기 위해 녹색 빔(28)을 사용함으로써, 더 높은 작업 처리량이 실현되고, 유전체 물질을 처리하기 위해 UV 빔(26)을 사용함으로써, 우수한 처리 품질이 유지된다.
도 2a 내지 2c는 각각의 제 1 및 제 2 유전체 층(38 및 40)에 의해서 분리되는 제 1, 제 2, 및 제 3 전도체 층(32, 34 및 36)을 각각 구비하는 예시적인 다중-층 ECB(30)를 도시하고 있다. 이러한 전형적인 예에서, 제 1 및 제 2 전도체 층(32 및 34)은 제 1 및 제 2 유전체 층(38 및 40)의 적층에 앞서 미리 결정된 패턴으로 에칭되었다. 본 예에서, 제 3 전도체 층(36)은 전도성 평면인 "지반면(ground plane)" 층이다. ECB(30)는 스위칭가능 파장 레이저(10)에 의해서 다음과 같이 바람직하게 처리되는데, 상기 스위칭가능 파장 레이저(10)는 녹색 빔(28)을 생성하기 위해서 초기에 스위칭된다.
도 2a는 제 1 전도체 층(32) 상에 가해지는 녹색 빔(28)을 도시하고 있다.
도 2b는 제 1 전도체 층(32)을 관통하는 홀(42)을 처리하고 제 1 유전체 층(38)에 가해져서 그것을 부분적으로 처리하는 녹색 빔(28)을 도시하고 있다. 이점에 있어서, 파장 스위칭가능 레이저(10)는 녹색 빔(28)을 생성하는 것에서 UV 빔(26)을 생성하는 것으로 스위칭된다.
도 2c는 제 1 유전체 층(38)을 관통하는 홀(44)을 처리하고 제 2 전도체 층(34)에 가해지는 UV 빔(26)을 도시하고 있다. 위에서 설명된 바와 같이, UV 빔(26)은 바람직하게도 제 1 유전체 층(38)에서 홀(44)을 처리하기 위해 나선형 또는 원형 경로를 따른다. 비교적 낮은 UV 빔(26)의 전력과 전도체 층의 반사성으로 인해서, 홀(44)은 제 2 전도체 층(34)에서 자체적으로 종료하고, 넓은 처리 윈도우를 초래한다.
도 2c는 제 3 전도체 층(36)과 제 2 유전체 층(40)을 각각 관통하여 확장하는 홀(46 및 48)을 또한 도시하고 있다. 홀(46 및 48)은 바람직하게도 홀(42 및 44)과 동일한 방식으로 처리되지만 ECB(30)가 뒤집힘으로써, 녹색 빔(28) 및 UV 빔(26)이 제 3 전도체 층(36) 및 제 2 유전체 층(40)을 각각 처리한다.
당업자라면, 본 발명의 부분들이 바람직한 실시예에 대해 위에서 설명된 구현과 다르게 구현될 수 있다는 것을 알게 될 것이다. 일예로, 상이한 레이저, 고조파, 파장 및 전력 레벨이 ECB 및 다른 미세 기계가공 애플리케이션에서 다양한 물질의 조합을 처리하는데 사용될 수 있다. 레이저 소스(12)는 전형적으로 레이징 매체{아크 램프(arc lamp), 레이저 다이오드, 등}를 위한 광 펌프 소스, 광 펌프 소스를 위한 냉각 시스템, 및 제어 전자 장치를 필요로 한다. 레이저 다이오드 펌프 소스는 바람직하다. IR 레이저 소스(12)의 기본 주파수를 주파수 배가시키는 것은 제 2 고조파 녹색 에너지를 생성하고, 이어서 그 주파수를 다시금 주파수 배가시키는 것(4 배로 하는 것)은 제 4 고조파 UV 에너지를 생성한다. 선택적으로, IR 및 녹색 에너지를 주파수 혼합하는 것(3 배로 하는 것)은 제 3 고조파 UV 에너지를 생성한다.
많은 다른 변경이 본 발명의 근본적인 원리로부터 벗어나지 않으면서 본 발명에 대해 위의 설명되어진 실시예의 상세한 설명에 대해서 이루어질 수 있다는 것이 당업자들에게 명백해질 것이다. 따라서, 본 발명은 에칭된 회로 보드를 제작하는데 있어 수행되는 애플리케이션 이외에도 레이저에 기초한 기계 가공 애플리케이션에도 적용가능하다는 것이 인지될 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 다음의 청구범위에 의해서만 결정되어야 한다.
상술된 바와 같이, 본 발명은 레이저에 기초한 미세-기계 가공에 관한 것으로, 더 상세히는, 에칭된 회로 보드의 전도체 및 유전체에서 바이어 홀(via hole)을 절단하기 위한 파장 스위칭가능 레이저에 이용가능하다.

Claims (16)

  1. 유전체 층에 의해서 분리되는 제 1 및 제 2 전도체 층을 적어도 구비하는 에칭된 회로 보드("ECB")에서 홀을 처리하기 위한 장치로서,
    녹색 파장 빔과 UV 파장 빔을 선택적으로 생성하는 단일 레일 레이저 시스템(single rail laser system)을 포함하는데,
    상기 녹색 파장 빔은 상기 제 1 전도체 층 및 상기 유전체 층의 일부분을 관통하는 홀을 처리하고;
    상기 UV 파장 빔은 상기 유전체 층의 나머지 부분을 관통하는 상기 홀을 처리하는 것을 완료하며;
    상기 UV 파장 빔은 상기 제 2 전도체 층을 처리하는 것을 종료하는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 단일 레일 레이저 시스템은 상기 녹색 파장 빔을 생성하기 위해서 적외선("IR") 레이저 및 주파수 배가용 비-선형 크리스털을 포함하는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 비-선형 크리스털은 BBO, LBO, 또는 CLBO 크리스털 중 임의의 것으로 형성되는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 단일 레일 레이저 시스템은,
    상기 녹색 파장 빔을 제 1 및 제 2 편광 상태 사이에서 스위칭시키기 위한 편광 스위칭 셀과;
    상기 제 1 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 수신하였을 때에는, 상기 제 2 편광 상태인 상기 UV 파장 빔을 생성하고 상기 제 1 편광 상태인 나머지 녹색 파장 빔을 전달하며, 상기 제 2 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 수신하였을 때에는, 상기 제 2 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 전달하는, 고조파 생성용 비-선형 크리스털과;
    상기 제 2 편광 상태인 빔을 반사시킴으로써, 상기 UV 및 녹색 파장 빔이 상기 ECB에 반사되도록 하고, 상기 나머지 녹색 파장 빔은 상기 미러를 관통하여 ECB로부터 멀어지는 쪽으로 전달되는, 편광 선택성 미러를 더 포함하는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 비-선형 크리스털은 BBO, LBO, 또는 CLBO 크리스털 중 임의의 것으로 형성되는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 단일 레일 레이저 시스템은 Nd:YAG, Nd:YVO4, 또는 Nd:YLF 레이저를 포함하는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 녹색 파장 빔은 대략 532 ㎚ 보다 더 작은 파장을 갖는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전도체 층은 구리, 알루미늄, 금, 니켈, 은, 팔라듐, 주석, 및 납 중에서 적어도 하나로 형성되는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 유전체 층은 폴리이미드(polyimide), FR-4 수지(FR-4 resin), 벤조시클로부틴(benzocyclobutene), 비스메일이미드 트리아진(bismaleimide triazine), 시안산염 에스테르에 기초한 수지(cyanate ester-based resin), 세라믹(ceramic) 중 적어도 하나로 형성되는, 홀을 처리하기 위한 장치.
  10. 유전체 층에 의해서 분리되는 제 1 및 제 2 전도체 층을 적어도 구비하는 에칭된 회로 보드("ECB")에서 홀을 처리하기 위한 방법으로서,
    녹색 파장 빔과 UV 파장 빔을 선택적으로 생성하는 단일 레일 레이저 시스템을 제공하는 단계와;
    상기 녹색 파장 빔을 생성하기 위해서 상기 단일 레일 레이저 시스템을 스위칭시키는 단계와;
    상기 녹색 파장 빔을 통해서, 상기 제 1 전도체 층 및 상기 유전체 층의 일부분을 관통하는 홀을 처리하는 단계와;
    상기 UV 파장 빔을 생성하기 위해서 상기 단일 레일 레이저 시스템을 스위칭시키는 단계와;
    상기 UV 파장 빔을 통해서, 상기 유전체 층의 나머지 부분을 관통하는 상기 홀을 처리하는 단계를
    포함하는, 홀을 처리하기 위한 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 단일 레일 레이저 시스템을 제공하는 단계는,
    상기 녹색 파장 빔을 제 1 및 제 2 편광 상태 사이에서 스위칭시키기 위해 편광 스위칭 셀을 제공하는 단계와;
    상기 제 1 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 수신하였을 때에는, 상기 제 2 편광 상태인 상기 UV 파장 빔을 생성하고 상기 제 1 편광 상태인 나머지 녹색 파장 빔을 전달하며, 상기 제 2 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 수신하였을 때에는, 상기 제 2 편광 상태인 상기 녹색 파장 빔을 전달하는, 고조파 생성용 비-선형 크리스털을 제공하는 단계와;
    상기 제 2 편광 상태인 빔을 반사시킴으로써, 상기 UV 및 녹색 파장 빔이 상기 ECB에 반사되도록 하고, 상기 나머지 녹색 파장 빔은 상기 미러를 관통해서 ECB로부터 멀어지는 쪽으로 전달되도록 하는, 편광 선택성 미러를 제공하는 단계를 더 포함하는, 홀을 처리하기 위한 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 유전체 층의 상기 나머지 부분에서 홀을 처리하기 위해 나선형 또는 원형 경로를 따라 상기 UV 파장 빔을 편향시키는 단계를 더 포함하는, 홀을 처리하기 위한 방법.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 제 2 전도체 층 상에서의 상기 홀 처리를 종료하는 단계를 더 포함하는, 홀을 처리하기 위한 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 처리 종료 단계는 상기 제 2 전도체 층을 처리하기에는 충분하지 않은 상기 UV 파장 빔의 전력 레벨에 의해서 야기되는 자체-종료 단계인, 홀을 처리하기 위한 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 처리 종료 단계는 상기 UV 파장 빔을 상기 제 2 전도체 층 밖으로 반사시킴으로써 야기되는 자체-종료 단계인, 홀을 처리하기 위한 방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 처리 종료 단계는 상기 제 2 전도체 층을 처리하기에는 충분하지 않은 상기 UV 파장 빔의 전력 레벨과 상기 UV 파장 빔을 상기 제 2 전도체 층 밖으로 반사시키는 것 중 적어도 하나에 의해서 야기되는 자체-종료 단계인, 홀을 처리하기 위한 방법.
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