JP2000271774A - レーザ穴あけ加工装置用のデスミア方法及びデスミア装置 - Google Patents
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア方法及びデスミア装置Info
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- JP2000271774A JP2000271774A JP11078017A JP7801799A JP2000271774A JP 2000271774 A JP2000271774 A JP 2000271774A JP 11078017 A JP11078017 A JP 11078017A JP 7801799 A JP7801799 A JP 7801799A JP 2000271774 A JP2000271774 A JP 2000271774A
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Abstract
るエネルギー効率の高いデスミア方法を提供すること。 【解決手段】 基本波長ωの第2高調波2ωの成分を持
つレーザ光を発生するレーザ発振器30を用い、前記第
2高調波2ωのレーザ光から該第2高調波2ωの成分と
第3高調波3ωの成分とを生成し、前記第2高調波2ω
の成分と前記第3高調波3ωの成分とを含むレーザ光を
前記バイアホールに照射することによりデスミアを行
う。
Description
プリント配線基板、特に多層プリント配線基板にバイア
ホールを形成するレーザ穴あけ加工装置に内蔵あるいは
組み合わされて、バイアホールに残留する残渣成分を除
去するためのデスミア方法及びデスミア装置に関する。
う、プリント配線基板の高密度化の要求に応えて、近
年、複数のプリント配線基板を積層した多層プリント配
線基板が登場してきた。このような多層プリント配線基
板では、上下に積層されたプリント配線基板間で導電層
(銅基板)同士を電気的に接続する必要がある。このよ
うな接続は、プリント配線基板の樹脂層(ポリイミド、
エポキシ系樹脂等のポリマー)に、下層の導電層に達す
るバイアホールと呼ばれる穴を形成し、その穴の内部に
メッキを施すことによって実現される。
は、機械的な微細ドリルが用いられていた。しかし、プ
リント配線基板の高密度化に伴うバイアホールの径の縮
小に伴い、最近では微細ドリルに代えてレーザ光を利用
したレーザ穴あけ加工装置が採用されるようになってき
た。
用いてバイアホールを形成するレーザ穴あけ加工装置は
良く知られており、安価で高速加工が可能であるという
利点がある。しかしながら、このようなレーザ穴あけ加
工装置で形成されたバイアホールは、樹脂層に形成した
穴の底面、すなわち露出させようとする導電層の表面の
一部または全面に薄い(ポリイミド、エポキシ系樹脂で
は厚さ1μm以下)残渣成分(スミアと呼ばれる)が残
ってしまうという問題点がある。
光を照射しても完全に除去することはできない。これ
は、レーザ光をさらに照射して残渣成分を蒸発させよう
としても、このとき周囲の樹脂が溶出して(導電層は銅
であることが多く、熱の拡散が速いため)新たな残渣成
分を形成してしまうためと思われる。
発振器とは別に、残査成分除去(以下、デスミアと呼
ぶ)用のレーザ発振器を用意し、穴あけ加工後のバイア
ホールにデスミア用のレーザ光を照射してデスミアを行
うデスミア装置が本発明者らにより提案されている。こ
れを図6を参照して説明する。
め定められた波長ωを持つレーザ光を発生するレーザ発
振器51と、レーザ発振器51で発生されたレーザ光か
ら波長ωの成分と第2高調波2ωの成分とを生成し、同
一のレーザ光として出射するSHG(Second H
armonic Generator)素子52と、S
HG素子52から出射されたレーザ光を波長ωのレーザ
光と第2高調波2ωのレーザ光とに分離する波長分離器
53とを備えている。本装置では、第2高調波2ωのレ
ーザ光のみがデスミアに使用される。このため、波長分
離器53からの第2高調波2ωのレーザ光は反射ミラー
54を経由して出射光学系(図示省略)に導かれる。
YAGあるいはYLFパルスレーザ発振器が用いられ
る。また、波長分離器53は、例えば波長ωのレーザ光
を透過し、第2高調波2ωのレーザ光を反射するミラー
が使用される。更に、出射光学系には通常、レーザ光を
所望の位置に振らせるためのスキャン手段、例えばガル
バノスキャナが含まれる。
の提案によるデスミア装置では、第2高調波2ωのレー
ザ光のみを使用しているので、エネルギーロスが大きい
という問題がある。すなわち、レーザ発振器51から出
射されるレーザ光の持つエネルギーを100とすると、
SHG素子52でのエネルギーロスを考慮して、波長分
離器53を出た波長ωのレーザ光の持つエネルギーは約
50、第2高調波2ωのレーザ光の持つエネルギーは約
30である。これは、レーザ発振器51におけるレーザ
出力の約30(%)しかデスミアに利用できないことを
意味する。
レーザ出力を有効に利用できるエネルギー効率の高いデ
スミア方法を提供することにある。
に適したデスミア装置を提供することにある。
のレーザ光を、ワークにおける金属膜上に形成された樹
脂層に照射することにより形成されたバイアホールに残
留する残査成分を除去するためのデスミア方法におい
て、あらかじめ定められた波長ωを持つレーザ光を発生
するレーザ発振器からのレーザ光から、前記波長ωの第
1の成分と第2高調波2ωの第2の成分とを生成し、前
記生成された波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの第
2の成分とを光学経路において分離し、分離された前記
第2高調波2ωの第2の成分から該第2高調波2ωの第
3の成分と第3高調波3ωの第4の成分とを生成し、分
離された前記波長ωの第1の成分から前記波長ωの第5
の成分と前記第2高調波2ωの第6の成分とを生成し、
前記生成された波長ωの第5の成分と前記第2高調波2
ωの第6の成分とを光学経路において分離し、分離され
た前記第2高調波2ωの第6の成分から該第2高調波2
ωの第7の成分と前記第3高調波3ωの第8の成分とを
生成し、分離された前記波長ωの第5の成分から前記波
長ωの第9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分
とを生成し、前記生成された波長ωの第9の成分と前記
第2高調波2ωの第10の成分とを光学経路において分
離し、分離された前記第2高調波2ωの第10の成分か
ら該第2高調波2ωの第11の成分と前記第3高調波3
ωの第12の成分とを生成し、生成された第2高調波2
ωの前記第3の成分、前記第7の成分、前記第11の成
分と生成された第3高調波3ωの前記第4の成分、前記
第8の成分、前記第12の成分とを含むレーザ光を前記
バイアホールに照射することによりデスミアを行うこと
を特徴とする。
ザ光を、ワークにおける金属膜上に形成された樹脂層に
照射することにより形成されたバイアホールに残留する
残査成分を除去するためのデスミア方法において、デス
ミア用のレーザ発振器として、基本波長ωの第2高調波
2ωの成分を持つレーザ光を発生するレーザ発振器を用
い、前記第2高調波2ωのレーザ光から該第2高調波2
ωの成分と第3高調波3ωの成分とを生成し、前記第2
高調波2ωの成分と前記第3高調波3ωの成分とを含む
レーザ光を前記バイアホールに照射することによりデス
ミアを行うことを特徴とするレーザ穴あけ加工装置用の
デスミア方法が提供される。
ザ光を、ワークにおける金属膜上に形成された樹脂層に
照射することにより形成されたバイアホールに残留する
残査成分を除去するためのデスミア装置において、あら
かじめ定められた波長ωを持つレーザ光を発生するレー
ザ発振器からのレーザ光から、前記波長ωの第1の成分
と第2高調波2ωの第2の成分とを生成する第1の光学
系と、前記生成された波長ωの第1の成分と第2高調波
2ωの第2の成分とを光学経路において分離する第1の
波長分離系と、分離された前記第2高調波2ωの第2の
成分から該第2高調波2ωの第3の成分と第3高調波3
ωの第4の成分とを生成する第2の光学系と、分離され
た前記波長ωの第1の成分から前記波長ωの第5の成分
と前記第2高調波2ωの第6の成分とを生成する第3の
光学系と、前記生成された波長ωの第5の成分と前記第
2高調波2ωの第6の成分とを光学経路において分離す
る第2の波長分離系と、分離された前記第2高調波2ω
の第6の成分から該第2高調波2ωの第7の成分と前記
第3高調波3ωの第8の成分とを生成する第4の光学系
と、分離された前記波長ωの第5の成分から前記波長ω
の第9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを
生成する第5の光学系と、前記生成された波長ωの第9
の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを光学経
路において分離する第3の波長分離系と、分離された前
記第2高調波2ωの第10の成分から該第2高調波2ω
の第11の成分と前記第3高調波3ωの第12の成分と
を生成する第6の光学系と、生成された第2高調波2ω
の前記第3の成分、前記第7の成分、前記第11の成分
と生成された第3高調波3ωの前記第4の成分、前記第
8の成分、前記第12の成分とを合成する合成光学系
と、前記合成光学系から出射されたレーザ光を前記バイ
アホールに照射する照射系とを備えたことを特徴とする
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置が提供される。
記レーザ発振器として、Nd:YAGまたはNd:YL
FあるいはNd:YAPもしくはNd:YVO4 パルス
レーザ発振器を用いることが好ましい。
ザ光を、ワークにおける金属膜上に形成された樹脂層に
照射することにより形成されたバイアホールに残留する
残査成分を除去するためのデスミア装置において、デス
ミア用のレーザ発振器として、基本波長ωの第2高調波
2ωの成分を持つレーザ光を発生するレーザ発振器を備
え、前記第2高調波2ωのレーザ光から該第2高調波2
ωの成分と第3高調波3ωの成分とを生成する光学系
と、前記光学系から出射されたレーザ光を前記バイアホ
ールに照射する照射系とを更に備えたことを特徴とする
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置が提供される。
ても、前記レーザ発振器からのレーザ光は、約50(n
sec)以下のパルス幅を持つことが好ましい。
明に入る前に、本発明によるデスミア装置が内蔵あるい
は組み合わされるレーザ穴あけ加工装置について図5を
参照して説明する。図5において、CO2 (炭酸ガス)
レーザによるレーザ発振器40で発生されたパルス状の
レーザ光は、反射ミラー41により90°角度を変えて
マスク43に導かれる。マスク43では、ビアホール径
を規定する穴を通過することによって、レーザ光のビー
ム径が絞り込まれてX−Yスキャナ(ガルバノスキャナ
とも呼ばれる)44に導かれる。X−Yスキャナ44は
レーザ光を振らせるためのものであり、振られたレーザ
光は焦点合わせ用レンズとして作用しfθレンズとも呼
ばれる加工レンズ45を通してX−Yステージ46上に
おかれたワーク(プリント配線基板)47に照射され
る。X−Yステージ46はX軸方向の駆動機構とY軸方
向の駆動機構とを有して、ワーク47をX−Y平面上で
移動させて位置調整することができる。
合、1つのバイアホール当たりパルス状のレーザ光を数
回(通常2〜3回)照射することで直径約100(μ
m)前後の穴あけが行われる。また、通常、X−Yスキ
ャナ44による走査範囲は数cm四方の領域であるが、
ワーク47の大きさは、通常、50(cm)×60(c
m)程度の大きさを持つ。このため、ワーク47にはX
−Yスキャナ44の走査範囲により決まる領域が加工領
域としてマトリクス状に設定される。そして、レーザ穴
あけ加工装置は、加工領域に複数の穴あけ加工を行い、
ある加工領域の穴あけ加工が終了したら、次の加工領域
に移動して同じパターンの穴あけ加工を行う。次の加工
領域への移動は、通常、X−Yステージ46により行わ
れる。
なレーザ穴あけ加工装置に内蔵あるいは組み合わされる
が、特にレーザ発振器のタイプによる制約を受けること
は無い。
態について説明する。このデスミア装置は、図5で説明
したレーザ穴あけ加工装置により形成されたワーク47
のバイアホールに残留する残渣成分を除去するためのも
のであり、残渣成分を除去するために必要なあらかじめ
定められた波長ωを持つレーザ光を発生するためのレー
ザ発振器10を有する。
ザ発振器10からのレーザ光から、波長ωの第1の成分
と第2高調波2ωの第2の成分とを生成して出射する。
生成された波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの第2
の成分とを光学経路において分離する。
Generator)素子13(第2の光学系)は、波
長分離器12で分離された第2高調波2ωの第2の成分
を反射ミラー14を介して受け、この第2高調波2ωの
第2の成分から第2高調波2ωの第3の成分と第3高調
波3ωの第4の成分とを生成して出射する。
された波長ωの第1の成分から波長ωの第5の成分と第
2高調波2ωの第6の成分とを生成して出射する。
生成された波長ωの第5の成分と第2高調波2ωの第6
の成分とを光学経路において分離する。
分離器16で分離された第2高調波2ωの第2の成分を
反射ミラー18を介して受け、分離された第2高調波2
ωの第6の成分から第2高調波2ωの第7の成分と第3
高調波3ωの第8の成分とを生成して出射する。
された波長ωの第5の成分から波長ωの第9の成分と第
2高調波2ωの第10の成分とを生成して出射する。
生成された波長ωの第9の成分と第2高調波2ωの第1
0の成分とを光学経路において分離する。
された第2高調波2ωの第10の成分から第2高調波2
ωの第11の成分と第3高調波3ωの第12の成分とを
生成して出射する。
2ωの前記第3の成分、前記第7の成分、前記第11の
成分と、生成された第3高調波3ωの前記第4の成分、
前記第8の成分、前記第12の成分とを合成して出射す
る。
は、均一光学系23により均一なエネルギー密度分布を
持つビームに変換される。
照射系により前記のワークにおけるバイアホールに照射
される。照射系は、図5で説明したようなX−Yスキャ
ナを含んでいる。
けるものと同じで周知である。THG素子13、17、
21は、SHG素子とは生成する波長が異なるのみで機
能的には同じである。また、波長分離器12、16、2
0も、図6において説明したような波長分離器53と同
様である。合成光学系22も、周知の光合成手段を利用
することができる。例えば、図2に示すように、上下あ
るいは左右方向から2つのレーザ光を受け、これらのレ
ーザ光を同じ方向に反射するミラー22−1を2段構成
にすれば良い。これとは別に、特願平10−31784
8号にて提案されているような光合成方法を使用しても
良い。
3(a)を参照して、ここではビームエキスパンダとし
て作用する凹レンズ23−1及び凸レンズ22−2と、
レーザビームのエネルギー密度分布を照射面全域にわた
って均一にするレンズ22−3とを含んでいる。レンズ
22−3は、断面円形の上下方向の部分をカットするた
めのレンズ22−3aと左右方向の部分をカットするた
めのレンズ22−3bとから成る。図3(b)は、図3
(a)のレンズ22−3を上方向から見た図である。こ
のような均一光学系23によれば、出射されたレーザビ
ームの断面形状が正方形に拡大され、しかもその断面に
おけるビームプロファイルは、図3(c)に示されるよ
うに、ほぼ全域にピーク値を持つエネルギー密度分布と
なる。このようなレーザビームを使用してワークに対し
て全面スキャニングあるいは部分スキャニングを行うこ
とにより、前述した約100(μm)前後の径の穴が多
数隣接して形成されている場合には、複数個の穴を一括
してデスミア処理することができる。
成分のみならず、第3高調波3ω成分をも含むレーザ光
でデスミアを行うことにより、レーザ発振器10のレー
ザ出力の約42(%)を利用することができる。これ
は、レーザ発振器10のレーザ出力を100とした場
合、各SHG素子における損失を図6において説明した
ように、約20(%)とし、波長ω成分が約50
(%)、波長2ω成分が約30(%)の割合で生成され
るものとし、各THG素子においても損失を約20
(%)とし、波長2ω成分が約50(%)、波長3ω成
分が約30(%)の割合で生成されることを前提として
いる。その結果、生成された第2高調波2ωの第3の成
分の出力は15(%)、第7の成分は7.5(%)、第
11の成分は3.75(%)であり、生成された第3高
調波3ωの第4の成分は9(%)、第8の成分は4.5
(%)、第12の成分は2.25(%)となるからであ
る。
波2ω成分のみでデスミアを行う場合に比べて、エネル
ギー効率は約(4.2/3)倍となり、大面積の照射も
可能となるので、タクトタイムも約(4.2/3)倍に
向上する。
YAG、Nd:YLF、Nd:YAP、Nd:YVO4
の固体パルスレーザ発振器のいずれを使用しても良い。
また、これらのレーザ発振器からのパルス状のレーザ光
から波長532(nm)の第2高調波、波長266(n
m)の第3高調波を得ることができる。更に言えば、レ
ーザ発振器についてはQスイッチ付き固体レーザがあげ
られる。また、照射面でのエネルギー密度は、0.05
〜2(J/cm2 )程度で良い。更に、今回のデスミ装
置では、レーザ光として30(nsec)のパルス幅の
ものを用いた結果、200(nsec)幅のレーザ光の
場合よりもデスミア効果が優れていることが確認されて
いる。パルス幅の好ましい範囲は、約50〜1(nse
c)である。
態について説明する。図4において、このデスミア装置
は、基本波長ωの第2高調波2ωの成分を持つレーザ光
を発生するレーザ発振器30と、レーザ発振器30から
の第2高調波2ωのレーザ光から第2高調波2ωの成分
と第3高調波3ωの成分とを生成して出射するTHG素
子31と、THG素子31から出射されたレーザ光を均
一なエネルギー密度分布を持つビームに変換する均一光
学系32と、図示しない照射系とを含む。
生するレーザ発振器30は、最近、米国のカントロ社か
ら提供されている。THG素子31は、図1で説明した
ものと同じであり、均一光学系32も図3で説明したも
のと同じである。
ザ発振器30のレーザ出力を100とすると、THG素
子31から出射される波長2ω、3ωのレーザ光の持つ
エネルギーはそれぞれ約50、約30である。その結
果、本形態においては、第2高調波2ω成分のみなら
ず、第3高調波3ω成分をも含むレーザ光でデスミアを
行うことにより、レーザ発振器30のレーザ出力の約8
0(%)を利用することができる。その結果、図6で説
明したような第2高調波2ω成分のみでデスミアを行う
場合に比べて、エネルギー効率は約(8/3)倍とな
り、大面積の照射も可能となるので、タクトタイムも約
(8/3)倍に向上する。特に、第3高調波3ω成分を
も含むレーザ光でデスミアを行うことにより、第2高調
波2ω成分のみでデスミアを行う場合に比べて、デスミ
アの効果も向上することが確認されている。
除去を必要とするすべてのレーザ穴あけ加工装置に適用
可能であり、更には本発明者により提案されている特願
平9−125422号に示されているような複数軸ガル
バノスキャナを用いたレーザ加工装置にも適用され得
る。
ば、エネルギー効率が高く、タクトタイムも大幅に向上
したデスミア装置を提供することが可能となり、デスミ
ア処理をも含めた穴あけ加工に要する時間を大幅に短縮
することができる。また、本発明によるデスミア装置
は、既設のレーザ穴あけ加工装置にも容易に組み付ける
ことができ、この場合には省スペース化が可能となる。
の構成を示した図である。
図である。
(b))及びこれにより得られるレーザビームの断面に
おけるエネルギー密度分布(図(c))を示した図であ
る。
の構成を示した図である。
一例の構成を示す図である。
の構成を示した図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 穴あけ加工用のレーザ光を、ワークにお
ける金属膜上に形成された樹脂層に照射することにより
形成されたバイアホールに残留する残査成分を除去する
ためのデスミア方法において、 あらかじめ定められた波長ωを持つレーザ光を発生する
レーザ発振器からのレーザ光から、前記波長ωの第1の
成分と第2高調波2ωの第2の成分とを生成し、 前記生成された波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの
第2の成分とを光学経路において分離し、 分離された前記第2高調波2ωの第2の成分から該第2
高調波2ωの第3の成分と第3高調波3ωの第4の成分
とを生成し、 分離された前記波長ωの第1の成分から前記波長ωの第
5の成分と前記第2高調波2ωの第6の成分とを生成
し、 前記生成された波長ωの第5の成分と前記第2高調波2
ωの第6の成分とを光学経路において分離し、 分離された前記第2高調波2ωの第6の成分から該第2
高調波2ωの第7の成分と前記第3高調波3ωの第8の
成分とを生成し、 分離された前記波長ωの第5の成分から前記波長ωの第
9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを生成
し、 前記生成された波長ωの第9の成分と前記第2高調波2
ωの第10の成分とを光学経路において分離し、 分離された前記第2高調波2ωの第10の成分から該第
2高調波2ωの第11の成分と前記第3高調波3ωの第
12の成分とを生成し、 生成された第2高調波2ωの前記第3の成分、前記第7
の成分、前記第11の成分と生成された第3高調波3ω
の前記第4の成分、前記第8の成分、前記第12の成分
とを含むレーザ光を前記バイアホールに照射することに
よりデスミアを行うことを特徴とするレーザ穴あけ加工
装置用のデスミア方法。 - 【請求項2】 穴あけ加工用のレーザ光を、ワークにお
ける金属膜上に形成された樹脂層に照射することにより
形成されたバイアホールに残留する残査成分を除去する
ためのデスミア方法において、 デスミア用のレーザ発振器として、基本波長ωの第2高
調波2ωの成分を持つレーザ光を発生するレーザ発振器
を用い、 前記第2高調波2ωのレーザ光から該第2高調波2ωの
成分と第3高調波3ωの成分とを生成し、 前記第2高調波2ωの成分と前記第3高調波3ωの成分
とを含むレーザ光を前記バイアホールに照射することに
よりデスミアを行うことを特徴とするレーザ穴あけ加工
装置用のデスミア方法。 - 【請求項3】 請求項1あるいは2記載のデスミア方法
において、前記レーザ発振器からのレーザ光は、約50
(nsec)以下のパルス幅を持つことを特徴とするレ
ーザ穴あけ加工装置用のデスミア方法。 - 【請求項4】 穴あけ加工用のレーザ光を、ワークにお
ける金属膜上に形成された樹脂層に照射することにより
形成されたバイアホールに残留する残査成分を除去する
ためのデスミア装置において、 あらかじめ定められた波長ωを持つレーザ光を発生する
レーザ発振器からのレーザ光から、前記波長ωの第1の
成分と第2高調波2ωの第2の成分とを生成する第1の
光学系と、 前記生成された波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの
第2の成分とを光学経路において分離する第1の波長分
離系と、 分離された前記第2高調波2ωの第2の成分から該第2
高調波2ωの第3の成分と第3高調波3ωの第4の成分
とを生成する第2の光学系と、 分離された前記波長ωの第1の成分から前記波長ωの第
5の成分と前記第2高調波2ωの第6の成分とを生成す
る第3の光学系と、 前記生成された波長ωの第5の成分と前記第2高調波2
ωの第6の成分とを光学経路において分離する第2の波
長分離系と、 分離された前記第2高調波2ωの第6の成分から該第2
高調波2ωの第7の成分と前記第3高調波3ωの第8の
成分とを生成する第4の光学系と、 分離された前記波長ωの第5の成分から前記波長ωの第
9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを生成
する第5の光学系と、 前記生成された波長ωの第9の成分と前記第2高調波2
ωの第10の成分とを光学経路において分離する第3の
波長分離系と、 分離された前記第2高調波2ωの第10の成分から該第
2高調波2ωの第11の成分と前記第3高調波3ωの第
12の成分とを生成する第6の光学系と、 生成された第2高調波2ωの前記第3の成分、前記第7
の成分、前記第11の成分と生成された第3高調波3ω
の前記第4の成分、前記第8の成分、前記第12の成分
とを合成する合成光学系と、 前記合成光学系から出射されたレーザ光を前記バイアホ
ールに照射する照射系とを備えたことを特徴とするレー
ザ穴あけ加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項5】 請求項4記載のデスミア装置において、
前記レーザ発振器として、YAGまたはYLFあるいは
YAPもしくはYVO4 パルスレーザ発振器を用いるこ
とを特徴とするレーザ穴あけ加工装置用のデスミア装
置。 - 【請求項6】 穴あけ加工用のレーザ光を、ワークにお
ける金属膜上に形成された樹脂層に照射することにより
形成されたバイアホールに残留する残査成分を除去する
ためのデスミア装置において、 デスミア用のレーザ発振器として、基本波長ωの第2高
調波2ωの成分を持つレーザ光を発生するレーザ発振器
を備え、 前記第2高調波2ωのレーザ光から該第2高調波2ωの
成分と第3高調波3ωの成分とを生成する光学系と、 前記光学系から出射されたレーザ光を前記バイアホール
に照射する照射系とを更に備えたことを特徴とするレー
ザ穴あけ加工装置用のデスミア装置。 - 【請求項7】 請求項4あるいは6記載のデスミア装置
において、前記レーザ発振器からのレーザ光は、約50
(nsec)以下のパルス幅を持つことを特徴とするレ
ーザ穴あけ加工装置用のデスミア装置。
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KR20100120297A (ko) * | 2008-03-07 | 2010-11-15 | 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. | 초단파 펄스 레이저에 의한 투명 재료 프로세싱 |
CN104741797A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 比亚迪股份有限公司 | 狭缝的激光加工方法 |
-
1999
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9138913B2 (en) | 2005-09-08 | 2015-09-22 | Imra America, Inc. | Transparent material processing with an ultrashort pulse laser |
KR20100120297A (ko) * | 2008-03-07 | 2010-11-15 | 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. | 초단파 펄스 레이저에 의한 투명 재료 프로세싱 |
JP2011517299A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-06-02 | イムラ アメリカ インコーポレイテッド | 超短パルスレーザによる透明材料処理 |
KR101690335B1 (ko) * | 2008-03-07 | 2016-12-27 | 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. | 초단파 펄스 레이저에 의한 투명 재료 프로세싱 |
CN104741797A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 比亚迪股份有限公司 | 狭缝的激光加工方法 |
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