KR20020060694A - 가스센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 가스 센서는 리세스를 구비하는 실리콘, 절연층, 제 1 및 제 2 도전 패턴 층, 및 이를 가로질러 통과하는 가스를 센싱하기 위한 감지부를 포함한다. 상기 가스 센서에서, 상기 절연층은 상기 리세스를 형성하지 않는 실리콘 기판 상에 형성된다. 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴 층은 리세스를 가로지르며, 이로써 상기 실리콘 기판과는 물리적으로 분리되어 있다. 상기 감지부는 제 1 및 제 2 도전 패턴 층의 소정 부분 상에 형성된다.
Description
일반적으로 세라믹 가스센서는 특정의 가스를 검출하기 위한 것이다. 가스센서가 특정 가스에 노출될 때에 가스센서의 감지물질인 세라믹의 전도도가 변화하거나 또는 기전력이 발생하는 데, 이러한 세라믹의 전도도 변화 또는 발생하는 기전력을 측정함으로써 특정 가스를 검출할 수 있다. 이러한 세라믹 가스센서에 있어서, 특정 가스에 대한 감지도 및 분별도를 향상시키기 위하여 세라믹에 촉매 물질을 도핑할 뿐만 아니라 300℃ 이상의 고온을 유지시켜 주어야 하기 때문에, 세라믹 가스센서는 다른 센서에 비하여 소모 전력이 매우 크다. 따라서, 세라믹 가스센서의 활용범위를 확대하기 위해서는 작은 에너지로도 고온을 유지시켜 줄 수 있는 저전력형 세라믹 가스센서를 제공하는 것은 매우 중요한 일이다. 도 1은 가스 센서 라는 제목의 미국 특허 제 5,759,367 호에 개시된 종래의 가스 센서(100)를 보여주는 단면도이다. 가스 센서(100)는 실리콘 기판 상에 형성된 절연 유리(4), 절연 유리(4) 상에 형성되며 금(Au)으로 이루어진 히터 필름(8, 10)을 구비하는 히터 필름(6), 절연층(14), 절연층(14) 상에 형성된 검출 전극(18, 20) 및 검출 전극(18, 20)을 둘러싸고 있는 가스 감지막(16)을 포함한다. 가스 센서(100)에서, 히터 필름(6)은 가스 감지막(16)을 가열하고 유입되는 가스의 변화에 따라서 가스 감지막(16)의 변화량을 검출 전극(18, 20)을 이용하여 검출한다.
전술한 가스 센서(100)의 문제점은 가스 감지막(16)이 히터 필름(6)의 위에 배치되도록 되어서 공정이 복잡하게 된다. 즉, Au로 이루어진 히터 필름(8, 10)을 패터닝하기 위한 마스크와 검출 전극(18, 20)을 패터닝하기 위한 마스크가 각각 필요하게 된다. 또한, 히터 필름(6)의 상부에 가스 감지막(16)이 접촉하도록 형성되어 있으며, 히터 필름(6)이 절연 유리(4)에 직접적으로 접촉되어 있기 때문에 실리콘 기판으로 소실되는 열이 상당히 많아지게 된다.
본 발명은 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는, 반도체 공정을 이용하여 열선과 감지선을 공중에 떠 있는 구조로 형성하고, 감지물질인 세라믹을 벌크 형태로 열선과 감지선에 걸쳐서 형성함으로써 열용량 및 열손실이 작고 감지특성이 우수한 저전력형 세라믹 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 가스 센서를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 가스 센서를 도시한 사시도.
도 3a 내지 도 3e는 도 1의 선분 I-I을 따라서 절개하여 가스센서의 제조과정을 보여주는 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 가스센서의 감지부의 다양한 예를 도시한 예시도.
발명의 개시
따라서, 본 발명의 목적은 열선과 감지선을 공중에 떠 있는 구조로 형성하고 감지물질을 열선과 감지선에 걸쳐서 형성함으로써 감지특성이 우수하면서도 열선 및 감지물질 등의 열용량 및 열손실을 최소화하는 가스 센서를 제공하는 것이다.또한, 본 발명의 목적은 감지특성이 우수하면서도 열선 및 감지물질 등의 열용량 및 열손실을 최소화하는 가스센서를 용이하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적은 본 발명의 가스 센서 및 그 제조 방법에 의하여 달성된다. 본 발명의 가스센서는 소정 깊이로 식각하여 형성된 리세스를 구비하는 실리콘 기판과, 상기 리세스를 제외한 상기 실리콘 기판 상에 형성된 절연층과, 상기 리세스를 가로질러 상기 절연체에 고정되며 상기 실리콘 기판과는 전기적으로 아이솔레이션(isolation)되는 제 1 도전 패턴과, 상기 리세스를 가로질어 상기 절연층에 고정되며 상기 실리콘 기판 및 상기 제 1 도전 패턴돠는 전기적으로 아이솔레이션되는 제 2 도전 패턴과, 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴의 소정 부분에 형성된 가스 감지부를 포함한다.
이러한 본 발명의 가스센서는 다음과 같이 제조된다. 실리콘 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층의 일부를 식각하여 윈도우를 형성하는 단계와, 상기 절연층과 윈도우에 의하여 노출된 실리콘 기판에 제 1 및 제 2 금속 패턴을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판을 알칼리 수용액에 담그어 상기 윈도우에 노출된 실리콘 기판을 식각하여 상기 윈도우 형태의 리세스를 형성함으로써, 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴을 상기 실리콘 기판으로부터 공간적으로 분리시키는 단계와, 상기 리세스 위에 형성된 부분의 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴의 소정 부분에 가스 감지부를 형성하는 단계를 포함한다.
이하에서는, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위하여 제시되는 예이며, 본 발명의 범위가 이러한 실시예에 의하여 한정하기 위한 것은 아니다.
먼저, 도 2는 본 발명의 가스센서(200)의 사시도를 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 실리콘 기판(210) 상에 절연층(212)이 형성되어 있다. 예를 들면, 절연층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 탄화막과 같은 재료를 사용할 수 있다. 절연층(212)은 0.1~10 미크론 정도, 특히 2 미크론의 두께로 형성된다. 또한, 실리콘 기판(210)은 <100> 방향을 갖는 것이 바람직하다. 실리콘 기판(210)의 중앙 부분에 형성되어 있는 일부의 절연층(212)이 제거되고, 소정 깊이의 사각형 리세스(recess)(220)가 형성되어 있다. 이 사각형 리세스(220)는 제조의 용이성 측면에서 바람직하지만, 원형이나 다른 다형상의 리세스로 대체될 수 있다. 이 사각형 리세스(220)의 상부에는 열선(216) 및 감지선(218)이 평행하게 설치되어 있다. 이 열선(216) 및 감지선(218)은 사각형 리세스(220)의 상부에 떠 있는 상태이다. 이러한 열선(216) 및 감지선(218)은 도 2에 도시된 바와 같이, 절연층(212) 상에 설치된 금속 패드(214a, 214b, 214c, 214d)에 각각 연결되어 있다. 금속 패드(214a, 214b, 214c, 214d)는 절연층(212)상에 설치되어 실리콘 기판(210)과 전기적으로 절연되어 있으며, 외부의 전원이나 다른 외부회로에 연결하기 위한 것이다. 금속 패드(214a, 214b, 214c, 214d), 열선(216) 및 감지선(218)으로 구성된 금속 패턴은 일체형으로 형성하는 것이 제조상의 용이성 측면에서 바람직하다. 즉, 금속 패드(214a, 214b)와 열선(216)이 일체형으로 형성되며, 금속 패드(214c, 214d)와 감지선(218)이 일체형으로 형성된다. 이러한 금속 패턴은 백금으로 형성하거나 금 또는 팔라듐 등의 귀금속이 코팅된 니켈 또는 붕소가 도핑된 다결정 실리콘 막으로 형성하는 것이 바람직하다. 그 두께는 0.1~20 미크론 정도 특히, 5 미크론 정도가 바람직하다. 또한, 평행하게 설치된 열선(216) 및 감지선(218)에 걸쳐서 세라믹 덩어리(222)가 형성되어 있다. 여기에서, 세라믹 덩어리(222)는 감지물질로서 에탄올, 메탄, LPG 등의 가연성 가스 및 일산화탄소를 감지할 수 있는 SnO2, ZnO, Fe2O 등의 반도성 물질이 사용될 수 있으며, 감지물질의 감지도를 향상시키기 위하여 촉매가 도핑될 수 있다. 사용할 수 있는 촉매로는 Pt, Pd 등의 귀금속을 사용할 수 있으며, 보통 0.5~1% 정도의 양으로 세라믹 덩어리에 도핑하여 사용한다.상기와 같은 세라믹 가스센서의 동작을 설명하면 다음과 같다. 열선에 전류를 공급하면 열선(216)에 분포된 저항 성분에 의하여 열이 발생한다. 열의 발생에 따라 열선의 온도가 상승하게 되며, 이어서, 세라믹 덩어리의 온도도 상승하게 된다. 이 때, 세라믹 덩어리로 유입된, 감지하고자 하는 가스를 포함하는 공기가 세라믹 덩어리의 저항률을 변하게 한다. 이러한 세라믹 덩어리의 저항률은 열선과 감지선 간의 저항을 측정함으로써 측정할 수 있다.
세라믹 덩어리의 저항률을 측정하는 방법의 한 예를 설명하면 다음과 같다. 먼저, 열선(216)의 양단을 히터전원에 연결한다. 그리고, 감지선(218)의 양단(A, A') 중 하나에 기지의 외부저항(R1)을 연결하고 이 외부저항의 말단에 전압(Vcc)을 연결하여 회로를 구성한다. 이 때, 히터전원에 의하여 히터전압(VH)이 공급되어, 앞에서 설명한 바와 같이, 열선(216)에 분포된 저항 성분에 의한 열 발생에 의하여 세라믹 덩어리의 온도가 검출온도까지 상승하게 되면, 그 온도에서 외부저항(R1)의 말단에서의 전압(Vcc)을 측정함으로써 세라믹 덩어리의 저항(Rs)을 평가할 수 있다. 일반적으로, 히터저항(RH)은 수~수십 Ω이고, 세라믹 덩어리의 저항(Rs)은 수십 ㏀ 이상이며, VH가 Vcc에 비하여 충분히 작다고 가정하면,Vout≒ [Rs/ (R1+ Rs)] x Vcc
가 성립한다. 따라서, 상기 식에 의하면, Vout을 측정함으로써 세라믹 덩어리의 저항(Rs)을 평가할 수 있게 된다. 여기에서는, 설명의 편이성을 위하여 몇 가지 가정을 하여 세라믹 덩어리의 저항(Rs)의 근사값을 간단하게 구하였으나, 보다 정밀한 세라믹 덩어리의 저항을 구하고자 하는 경우에는 상기의 가정들을 전제하지 않는 보다 복잡한 식에 의하여 세라믹 덩어리의 저항을 보다 정밀하게 구할 수 있을 것이다.따라서, 세라믹 덩어리의 저항률의 변화는 공기중에 함유된 특정 가스 농도에 따라 일정한 관계를 가지므로, 측정된 저항으로부터 유입된 공기중에 함유된 가스의 농도를 산출할 수 있게 된다.
다음으로, 도 3a 내지 3e는 도 2의 선분 I-I를 따라서 절개하며 본 발명의 가스센서를 제조하는 과정을 보여주는 단면도를 나타낸 것으로서, 이것들을 참조하여 본 발명의 가스센서의 제조방법을 설명한다.
먼저, 도 3a를 참조하면, <100> 방향의 실리콘 기판(210)의 양면에 전체적으로 0.1~10 미크론, 특히, 2 미크론의 절연층(211, 212)을 형성한다. 이 때, 절연층(211, 213)으로는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 탄화막과 같은 재료를 사용할 수 있다.
다음으로, 도3b를 참조하면, 실리콘 기판(210)의 한면에 형성되어 있는 절연층(212)의 중앙 부분을 국부적으로 식각하여 윈도우(219)와 패터닝된 절연막(213)을 얻게된다. 이 때, 윈도우(219)를 통하여 실리콘 기판(210)의 일부분이 노출된다. 절연층(212)을 국부적으로 식각하는 방법은 통상적으로 반도체 제조 공정에서 사용되는 포토리소그래피 및 식각 방법을 사용할 수 있다.
이어서, 도 3c를 참조하면, 윈도우(219) 및 패터닝된 절연막(213) 상에 걸쳐서 금속 패턴을 형성한다. 이 금속 패턴은 윈도우(219) 상에 형성되는 열선(216) 및 감지선(218) 그리고 패터닝된 절연막(213) 상에 형성되는 금속 패드(214a, 214b, 214c, 214d)로 구성된다. 여기에서, 열선(216)은 앞에서도 설명한 바와 같이, 본 발명에서 사용하는 세라믹 덩어리(222)에 열을 공급하기 위한 저항선을 형성하며, 감지선(218)은 세라믹 덩어리(222)의 저항의 변화를 측정하기 위하여 형성되는 것이다. 그리고, 금속 패드(214a, 214b, 214c, 214d)는 패터닝된 절연막(213) 상에 형성되어 실리콘 기판(210)과 전기적으로 절연되어 있으며, 열선(216) 및 감지선(218)을 지지할 뿐만 아니라 열선(216) 및 감지선(218)을 외부의 전원 및 다른 외부회로에 연결하기 위한 수단을 제공한다. 이러한 금속 패턴은 두 개의 금속 패드(214a, 214b)와 열선(216) 및 두 개의 금속 패드(214c, 214d)와 감지선(218)이 일체로 형성된 것이 제조의 용이성 측면에서 바람직하며, 0.1~20 미크론, 특히 5 미크론의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 금속 패턴의 재료로는 백금을 사용하거나 니켈 또는 붕소가 도핑된 다결정 실리콘을 사용할 수 있다. 또한, 금속 패턴과 패터닝된 절연막(213)의 접착성을 향상시키기 위하여 크롬을 백금 아래에 부착하여 사용할 수 있다. 이 때, 크롬의 두께는 0.02 미크론 정도로 하는 것이 바람직하다.다음으로, 도 3d를 참조하면, 실리콘 기판(210) 전체를 알칼리 수용액에 침지시켜 윈도우(219)를 통하여 노출되어 있는 실리콘 기판(210)을 소정의 깊이가 되도록 식각한다. 이 때, 실리콘 산화막과 같은 부도체 막과 백금과 같은 금속 패턴은 알칼리 수용액의 식각용액에 의하여 식각되지 않음으로써, 실리콘 기판(210)에 소정의 깊이의 리세스(220)가 형성되게 된다. 따라서, 도 3d 및 도 2에 도시된 바와 같이, 열선(216) 및 감지선(218)은 리세스(220)에 의하여 실리콘 기판(210)과 공간을 두고 공중에 떠 있는 상태가 된다. 사용되는 알칼리 수용액으로는 수산화칼륨 또는 에틸렌다이아민/파이로카테콜의 혼합 수용액을 사용할 수 있다. 예를 들어, 80℃의 수산화 칼륨의 식각용액에 상기의 실리콘 기판(210)을 2시간 동안 침지시킴으로써 약 150 미크론 깊이의 리세스(220)를 얻게된다.
다음으로, 도 3e를 참조하면, 페이스트 형태의 세라믹 전구체 방울을 열선(216) 및 감지선(218)의 소정 부분에 걸쳐서 떨어뜨린 후, 열처리하여 세라믹 덩어리(222)를 형성한다. 여기에서, 상기의 세라믹 전구체로는 예를 들어, 감지물질로서 SnO290중량%, 바인더로서 소수성 실리카졸 9중량% 및 촉매로서 PdCl21중량%로 이루어진 혼합물을 사용할 수 있다. 이러한 세라믹 전구체를 예를 들어, 에틸셀룰로즈가 5% 함유된 α-터피네올을 적당량 가하여 대략 수백 cps 정도의 점도로 조정하여 페이스트 형태로 만들고 이것을 열선(216) 및 감지선(218)에 걸쳐서 떨어뜨린다. 세라믹 전구체 방울을 떨어뜨린 후 시행하는 열처리의 조건은 상기의 세라믹 페이스트에 포함되어 있는 용매를 휘발시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 세라믹 가스센서는 세라믹 덩어리를 제외하고는 모든 구조가 반도체 기술에 기초한 마이크로머시닝 기술에 의하여 형성된다. 따라서, 본 발명의 가스센서(200)에서 열선(216) 및 감지선(218) 그리고 세라믹 덩어리(222)의 체적은 매우 작다. 게다가, 열선(216), 감지선(218) 및 세라믹 덩어리(222)가 공중에 떠 있는 구조로 되어 있다. 따라서, 본 발명의 가스센서(200)는 이러한 구조에 의하여 열용량이 작고 열손실이 작다. 또한, 본 발명의 세라믹 가스센서(200)에서는 세라믹 덩어리(222)를 감지물질로서 사용하므로 아직 기술적으로 실용화 단계에 이르지 못한 박막 세라믹을 이용하는 다른 센서들에 비하여 감지특성 및 다른 물리적 특성이 우수하다. 또한, 본 발명의 가스센서(200)의 제조방법은 윈도우(219)의 형성(도 3b) 및 금속 패턴의 형성(도 3c)을 위한 패터닝에 사용되는 2 매의 마스크만이 필요하고, 반도체 가공 기술의 장점인 배치(Batch) 공정에 따른 양산성이 그대로 적용되므로 매우 저가로 가스센서를 제조할 수 있다는 장점을 가진다.한편, 도 4a에서 도 4f는 본 발명의 가스센서의 감지부, 즉 열선(216), 감지선(218) 및 세라믹 덩어리(222)로 이루어진 부분의 다양한 또 다른 실시예를 도시하고 있다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 열선(216) 및 감지선(218)이 평행한 직선으로 형성되어 있고, 그 위에 세라믹 덩어리(222)가 위치할 경우에는 저항이 열선(216) 전체에 고르게 분포되므로 발생된 열의 일부만이 세라믹 덩어리(222)를 가열하는 데 사용되며, 세라믹 덩어리(222)의 온도 분포도 균일하지 않게 된다. 이러한 문제점은 도 4a에서 도 4f에 나타낸 감지부의 구조로 개선할 수 있다.
도 4a에는 열선(316)이 ㄷ자 형태로 휘어 있고 그 사이에 감지선(318)의 분지선(318a)이 삽입되어 있다. 이러한 구조에 의하면, 세라믹 덩어리(322) 부분에서 저항이 집중될 뿐만 아니라 열이 세라믹 덩어리(322)에 고르게 퍼지게 되므로 상기의 문제점이 개선되어 가스센서의 감지특성이 더욱 개선되고 열손실이 더욱 감소하게 된다. 또한, 이러한 세라믹 덩어리(322)의 저항 집중과 세라믹 덩어리(322)에서의 열의 균일한 분포를 더욱 개선하기 위해서, 도 4b와 같이 열선(416)을 지그재그 형태로 휘게 설치하고 감지선(418)의 분지선(418a)을 한 쪽방향에서 그 사이에 삽입하거나, 도 4c와 같이 열선(516)을 지그재그 형태로 휘게 설치하고 두 개의 감지선(518)의 분지선(518a)들을 각각 양쪽 방향에서 그 사이에 삽입할 수도 있다.
도 4d-4f에 도시한 바에 따르면, 본 발명에 따르면 세라믹 덩어리(622, 722, 822)의 저항률 변화가 세라믹 덩어리(622, 722, 822)를 균일하게 가열해주는 것에 주로 의존하기 때문에, 세라믹 덩어리(622, 722, 822) 내에서의 열선(616, 716, 816)의 두께를 감지선(618, 718, 818) 보다 넓게 형성하였다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따르면, 감지선(618, 718, 818)의 폭은 약 10 ㎛이고 두께는 약 5 ㎛로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 감지선(618, 718, 818)의 폭은 약 10 ㎛이고 두께는 약 5 ㎛인 경우에는 열선(616, 716, 816)의 폭은 약 20 ㎛이고 두께는 약 5 ㎛인 것이 바람직하다. 이상에서 본 바와 같이, 본 발명은 반도체 공정 기술을 이용하여 가스센서의 감지부 및 감지부를 가열하기 위한 히터부가 실리콘 기판 위에 떠 있는 구조로 형성하고 감지물질인 세라믹을 벌크 형태로 형성함으로써 히터 및 감지물질 등의 열용량 및 열손실을 최소화하면서 감지특성이 우수한 저전력형 가스센서를 저가로 제공할 수 있다는 잇점이 있다. 따라서, 본 발명의 가스센서는 에너지원이 제한되는 휴대용 가스감지 장치 등에 광범위하게 적용될 수 있다. 또한, 종래 기술과 비교하여, 본 발명의 가스센서의 제조방법은 윈도우의 형성(도 3b) 및 금속 패턴의 형성(도 3c)을 위한 패터닝에 사용되는 2 매의 마스크만이 필요하고, 반도체 가공 기술의 장점인 배치(Batch) 공정에 따른 양산성이 그대로 적용되므로 매우 저가로 가스센서를 제조할 수 있다는 장점을 가진다.
본 발명의 기술 사상을 상기 바람직한 실시예에 따라 기술하였으나, 이어지는 청구항에서 한정한 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않도록 다양한 변화 및 변경이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 명백하다.
Claims (15)
- 소정 깊이로 식각하여 형성된 리세스를 구비하는 실리콘 기판과,상기 리세스를 제외한 상기 실리콘 기판 상에 형성된 절연층과,상기 리세스를 가로질러 상기 절연체에 고정되며 상기 실리콘 기판과는 전기적으로 아이솔레이션(isolation)되는 제 1 도전 패턴과,상기 리세스를 가로질어 상기 절연층에 고정되며 상기 실리콘 기판 및 상기 제 1 도전 패턴과는 전기적으로 아이솔레이션되는 제 2 도전 패턴과,상기 제 1 및 제 2 도전 패턴의 소정 부분에 형성된 가스 감지부를 포함하는 가스센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전 패턴은 상기 가스 감지부에 열을 공급하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 2 도전 패턴은 가스의 상태에 따라 가스 감지부의 변화를 감지하기위한 감지선으로 사용되는 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 도전 패턴은 상기 제 2 도전 패턴을 감싸는 형태로 구성된 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 <100> 방향인 것을 특징으로 하는가스센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전 패턴 각각은 외부 회로와 전기적인 연결을 하기 위하여 한쌍의 금속 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전 패턴은 백금으로 형성하거나, 금 또는 팔라듐 등의 귀금속이 코팅된 니켈 또는 붕소가 도핑된 다결정실리콘인 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전 패턴의 구조는 평행한 두 직선 형태, ㄷ자 형태의 제 1 도전 패턴 사이에 제 2 도전 패턴이 삽입된 형태이거나, 지그재그 형태의 제 1 도전 패턴 사이에 제 2 도전 패턴이 한 쪽 또는 양 쪽에서 삽입된 형태인 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연층이 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 실리콘 탄화막인 것을 특징으로 하는가스 센서.
- 실리콘 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와,상기 절연층의 일부를 식각하여 윈도우를 형성하는 단계와,상기 절연층과 윈도우에 의하여 노출된 실리콘 기판에 제 1 및 제 2 금속 패턴을 형성하는 단계와,상기 실리콘 기판을 알칼리 수용액에 담그어 상기 윈도우에 노출된 실리콘 기판을 식각하여 상기 윈도우 형태의 리세스를 형성함으로써, 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴을 상기 실리콘 기판으로부터 공간적으로 분리시키는 단계와,상기 리세스 위에 형성된 부분의 상기 제 1 및 제 2 도전 패턴의 소정 부분에 가스 감지부를 형성하는 단계를 포함하는 가스센서 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 실리콘 기판은 <100> 방향인 것을 특징으로 하는가스센서 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 절연층이 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 실리콘 탄화막인 것을특징으로 하는가스센서 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 도전 패턴이 백금, 니켈 또는 이들 재료에 붕소가 도핑된 다결정실리콘인 것을 특징으로 하는가스센서 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제 1 도전 패턴은 상기 제 2 도전 패턴과 전기적으로 격리되어 있는 것을 특징으로 하는가스센서 제조방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 알칼리 수용액은 수산화칼륨 수용액 또는 에틸렌다이아민/파이로카테콜의 혼합 수용액인 것을 특징으로 하는가스센서 제조방법.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773025B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2007-11-05 | 이엠씨마이크로시스템 주식회사 | 반도체식 가스센서, 그 구동방법 및 제조방법 |
| WO2009084871A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Korea Electronics Technology Institute | Fabricating method for micro gas sensor and the same |
| KR101119756B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2012-03-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자 |
| WO2016085179A1 (ko) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센서 패키지 |
| KR20180025090A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
| KR20180032278A (ko) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈 및 이를 포함하는 가스 센싱 장치 |
| KR20220018887A (ko) * | 2020-08-07 | 2022-02-15 | 울산과학기술원 | 나노 물질이 선택적으로 증착된 나노 구조물 및 나노 구조물 위의 나노 물질 선택적 증착 방법 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10144343A1 (de) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Perkinelmer Optoelectronics | Sensor zum berührugslosen Messen einer Temperatur |
| JP4620687B2 (ja) * | 2004-01-27 | 2011-01-26 | エイチツースキャン コーポレイション | ガスセンサの熱的分離のための方法と装置 |
| JP4662951B2 (ja) | 2004-01-27 | 2011-03-30 | エイチツースキャン コーポレイション | 隔離されたガスセンサの配置 |
| KR20050081691A (ko) * | 2004-02-16 | 2005-08-19 | 세주엔지니어링주식회사 | 접촉연소식 소형 가스센서 제조방법 및 접촉연소식 소형가스센서를 이용한 가스센서 |
| JP5144090B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-02-13 | シチズンホールディングス株式会社 | 接触燃焼式ガスセンサ及び接触燃焼式ガスセンサの製造方法 |
| JP5202007B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-06-05 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流体流量センサ |
| TWI434037B (zh) | 2010-12-03 | 2014-04-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體感測器及其製造方法 |
| KR101774757B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2017-09-07 | 한국전자통신연구원 | 가스 센서, 그의 제조 및 사용 방법 |
| KR101431471B1 (ko) * | 2013-05-10 | 2014-08-21 | 한국과학기술원 | 저 소비 전력형 가스 센서 |
| KR101532557B1 (ko) | 2014-05-09 | 2015-06-30 | 부경대학교 산학협력단 | 하이브리드 센서를 가지는 ＬＥＤ ｃｈｉｐ과 그 제작방법 |
| KR101666572B1 (ko) * | 2014-11-03 | 2016-10-17 | 한국과학기술원 | 고온 센서 패키지 |
| CA3034248A1 (en) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Carrier Corporation | Isolated sensor and method of isolating a sensor |
| CN107782767B (zh) * | 2016-08-26 | 2022-01-07 | 深迪半导体(绍兴)有限公司 | 一种气体传感器加热盘及加工方法 |
| CN107089638A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-25 | 广东美的制冷设备有限公司 | 微型加热器及其加工方法 |
| CN108918599B (zh) * | 2018-05-08 | 2022-01-11 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种气敏传感器及其形成方法 |
| WO2020235118A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガスセンサ |
| US11353381B1 (en) * | 2020-06-09 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Portable disc to measure chemical gas contaminants within semiconductor equipment and clean room |
| DE102020122923A1 (de) | 2020-09-02 | 2022-03-03 | Tdk Electronics Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1216330A (en) * | 1983-02-07 | 1987-01-06 | Junji Manaka | Low power gas detector |
| US4688015A (en) * | 1983-10-28 | 1987-08-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor with ceramics substrate having surface-carried ceramics particles |
| JPS63259459A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Toshiba Corp | 限界電流式ガスセンサ |
| JPH01299452A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-04 | Ricoh Co Ltd | ４端子検出型ガス検出装置 |
| JPH01313751A (ja) * | 1988-06-13 | 1989-12-19 | Figaro Eng Inc | ガスセンサ |
| US4953387A (en) * | 1989-07-31 | 1990-09-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultrathin-film gas detector |
| US5763782A (en) * | 1992-03-16 | 1998-06-09 | British Technology Group Limited | Micromechanical sensor |
| US5387329A (en) | 1993-04-09 | 1995-02-07 | Ciba Corning Diagnostics Corp. | Extended use planar sensors |
| JP3201881B2 (ja) * | 1993-06-04 | 2001-08-27 | 株式会社トクヤマ | ガスセンサ |
| CA2173612A1 (en) * | 1993-10-08 | 1995-04-20 | James Edward Van De Vyver | A catalytic gas sensor |
| DE4423289C1 (de) * | 1994-07-02 | 1995-11-02 | Karlsruhe Forschzent | Gassensor für reduzierende oder oxidierende Gase |
| US5565084A (en) | 1994-10-11 | 1996-10-15 | Qnix Computer Co., Ltd. | Electropolishing methods for etching substrate in self alignment |
| FR2736205B1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-09-19 | Motorola Semiconducteurs | Dispositif detecteur a semiconducteur et son procede de formation |
| JP3570644B2 (ja) | 1995-11-14 | 2004-09-29 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサ |
| JPH11166942A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-06-22 | Honda Motor Co Ltd | ガスレートセンサ |
| JP3472865B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2003-12-02 | 本田技研工業株式会社 | ガスレートセンサの製造方法 |
-
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773025B1 (ko) * | 2004-02-27 | 2007-11-05 | 이엠씨마이크로시스템 주식회사 | 반도체식 가스센서, 그 구동방법 및 제조방법 |
| KR101119756B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2012-03-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체소자 |
| WO2009084871A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Korea Electronics Technology Institute | Fabricating method for micro gas sensor and the same |
| KR100942439B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-02-17 | 전자부품연구원 | 마이크로 가스센서 및 제조방법 |
| WO2016085179A1 (ko) * | 2014-11-24 | 2016-06-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센서 패키지 |
| US10126258B2 (en) | 2014-11-24 | 2018-11-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Gas sensor package |
| KR20180025090A (ko) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈 및 이를 포함하는 센싱 장치 |
| KR20180032278A (ko) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 가스 센싱 모듈 및 이를 포함하는 가스 센싱 장치 |
| KR20220018887A (ko) * | 2020-08-07 | 2022-02-15 | 울산과학기술원 | 나노 물질이 선택적으로 증착된 나노 구조물 및 나노 구조물 위의 나노 물질 선택적 증착 방법 |
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