KR20020057240A - 프린지필드구동 액정표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 프린지필드구동 액정표시장치로서, 제1화소전극과 제2화소전극, 상기 제1 및 제2화소전극 사이에 절연막이 형성된 것을 포함하여 구성된 하부 어레이기판에 있어서, 상기 제2화소전극 상부에 저유전막이 형성된 구조로 구성되며, 제2화소전극 상부에 제1화소전극과 동일한 형태의 저유전막을 형성하여, 제1화소전극과 제2화소전극의 커패시턴스를 동일하게하고, 잔상을 제거하여 액정화면의 품위를 향상시킨 것이다.

Description

프린지필드구동 액정표시장치{Apparatus for fringe field switching liquid crystal display display device}

본 발명은 프린지필드구동 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제2화소전극 상부에 제2화소전극과 동일한 형태의 저유전막을 형성함으로써, 제1화소전극과 제2화소전극이 동일한 커패시턴스를 가지게 하여, 잔상을 제거하여 화면의 품위를 향상시킬 수 있는 프린지필드구동 액정표시장치에 관한 것이다.

일반적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 경량, 박형, 및 저소비 전력등의 특성을 갖기 때문에 음극선관(Cathode Ray Tube)을 대신하여 각종 정보기기의 단말기 또는 비디오기기등에 사용되고 있다. 특히, 박막트랜지스(Thin Film Transister)가 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)는 응답특성이 우수하고 고화소수에 적합하기 때문에 고화질 및 대형표시장치를 실현할 수 있다.

특히, 프린지필드구동 액정표시장치는 제1화소전극과 그 사이에 절연막을 두고 제2화소전극간에 포물선형태의 프린지필드가 형성되도록하여 상부 및 하부 양 기판사이에 개재하는 음의 유전율 이방성 특성을 갖는 액정 분자들이 모두 동작되도록 하여 편광판을 통과하여 온 빛이 진행하게끔 하여 고휘도 및 광시야각을 실현하도록 만든 구조이다.

이러한, 프린지필드구동 액정표시장치의 하부 어레이기판을 형성하는데는 통상 6회의 마스크공정이 필요하다. 이는 일반적인 5마스크공정의 백채널에치형의 액정표시장치구조에서 프린지필드를 형성키 위한 제1화소전극을 형성하기 위하여 1마스크공정이 부가된 것이다.

그러나. 상기한 바와 같은 종래의 프린지필드구동 액정표시장치에 있어서, 제1화소전극 상부에는 절연막과 보호층이 형성되어 있음에 비하여, 제2화소전극 상부에는 아무런 층도 형성되어 있지 않다. 따라서, 상기한 제 1 및 2화소전극 상부에의 비대칭 구조에 의하여 전위가 걸리는 방향에 따라 전기장의 경로가 달라지는 문제점이 있다.

한편, 이를 해결하기위하여 제안된 것은, 제 1 및 2화소전극을 동일한 층에 형성하여 화소전극 상붕의 절연막환경을 동일하게하므로써 잔상을 제거하는 것이다. 그러나, 상기와 같은 프린지필드구동 액정표시장치에 있어서도 투과율이 떨어진다는 문제점이 있다.

이에 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 제2화소전극 상부에 제1화소전극상에 형성된 동일한 형태의 저유전막을 형성하여 제 1 및 2화소전극이 동일한 커패시턴스를 가질 수 있는 프린지필드구동 액정표시장치를 제공함에 있다.

도 1은 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 구조을 도시한 도면.

도 2는 본 발명에 따른 잔상방지막의 두께, 전극두께의 비 및 유전율을 나타내는 표.

도 3은 도2를 나타내는 그래프.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1: 하부 유리기판3: 제1화소전극

5: 절연층7: 제2화소전극

9: 잔상방지막

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 프린지필드구동 액정표시장치는, 제1화소전극과 제2화소전극, 상기 제1 및 제2화소전극 사이에 절연막이 형성된 것을 포함하여 구성된 하부 어레이기판에 있어서, 상기 제2화소전극 상부에 저유전막이 형성된 구조로 구성되는 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치의 구조를 도시한 도면이다.

본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부기판용 투명성 절연기판, 예를 들어, 유리기판(1)상에 제1화소전극(3)이 형성되어 있다. 상기 제1화소전극(3)은 후술하는 제2화소전극(7)과 전기적 작용을 하여 액정층내에 포물선형태의 전계, 즉 프린지필드를 형성하여 상기 제2화소전극(7) 상부에 있는 액정분자(도시되지 않음) 모두를 움직이게 하여 고휘도, 광시야각을 구현하는 작용을 한다.

이때, 상기 제1화소전극(3)은 10 내지 2,000 옹스트롱의 두께로 하여 빛이 통과할 수 있는 투명체, 예를들어, ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어져 있으므로 고개구율을 얻는다.

상기 제1화소전극(3) 상부에는 절연층(5)이 형성되어 있는 바, 상기 절연층(5)은 게이트절연만으로 구성되어 있거나, 또는 게이트절연막과 보호막으로 구성된다. 상기 절연층(5)으로 사용되는 재질로는 유전율이 7.2인 실리콘질화물(SiNx)이 있는데, 이를 상기 제1화소전극(3) 상부에 대략적으로 5,500 내지 6,500 옹스트롱으로 형성한다.

한편, 상기 제1화소전극(3)은 상기 하부 유리기판(1)상에 플레이트형태 또는 다수의 가지모양을 가진 빗(comb)형태로 형성할 수 있는데 본 발명의 실시예에선 빗 형태, 즉 상기 하부 유리기판(1)상에 스트라이프(stripe)형태로 하기로 한다.

상기 절연층(5)상에는 다수개의 제2화소전극(7)이 소정의 간격으로 이격형성되어 있다. 상기 제2화소전극(7)의 재질은 제1화소전극(3)의 재질, 즉 ITO로 구성되며, 빛 투과율이 약 60 퍼센트정도이다.

여기서, 상기 제2화소전극(7)은 상기 제1화소전극(3)의 두께과 같이 10 내지 2,000 옹스트롱으로 되어있고, 그 폭은 제1화소전극(3)의 폭과 동일하거나 그 보다 작다. 구체적으로는, 제1화소전극(3)의 폭을 A1이라 하고 제2화소전극(7)의 폭을 A2라 할 때 상기 양 전극 폭의 비 A1/A2는 1 내지 10이다.

그 다음, 상기 제2화소전극(7) 상부에는 잔상방지막(9)으로서 저유전물질이소정의 두께로 형성되어 있다. 상기 잔상방지막(9)을 형성하는데는 별도의 포토공정과 에칭공정없이 형성할 수 있다.

즉, 상기 잔상방지막(9) 형성에 필요한 마스크는 제2화소전극(7) 형성시 사용하던 마스크를 그대로 이용한다. 한편, 상기 잔상방지막(9)에 대한 식각공정을 제2화소전극(7) 형성시의 식각공정과 비교하여 보면, 양자 모두 건식식각공정을 수행하는 방법과, 잔상방지막(9)과 제2화소전극(7) 각각에 대해서 건식식각공정과 식각공정 또는 식각공정과 건식식각공정을 각각 수행하는 방법이 있을 수 있다. 이때, 식각액에 대해서도 양자(7)(9) 모두 같은 식각액을 사용할 수 있고, 또한 각각 다른 식각액을 사용할 수 있다.

이때, 상기 잔상방지막(9)의 재질로 고분자를 이용할 때는 그 고분자 자체를 포토레지스트로 하여 하부의 제2화소전극(7)을 식각한다.

여기서, 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치는 상기 제1화소전극(3) 과 제2화소전극(7)위 환경은 상호 유사하다. 다만, 상기 제1화소전극(3) 상부의 유전체의 두께는 약 5,500 내지 6,500 옹스트롱이기 때문에 제2화소전극(7) 상부에도 이와같은 두께로 유전체, 즉 잔상방지막(9)을 형성하면 장시간의 식각공정시간이 소요된다.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방법은 종래의 게이트절연막과 보호막으로 주로 쓰이는 유전율이 7.2인 실리콘질화물 SiNx보다 유전율이 낮은 저유전막을 사용하는 것이다.

이를 설명하는 것이 하기의 식이다.

C(커패시턴스)= 유전율×(면적/두께)

만일 유전율이 상기 실리콘질화물 SiNx의 유전율의 절반인 3.5라면, 상기의 식에서 상기 제2화소전극(7)의 면적이 동일하다고 가정할 때 절연층(5)의 두께는 유전율과 반비례하기 때문에, 그 두께를 절반으로 낮출 수가 있게된다.

본 발명의 실시예에서는, 상기 잔상방지막(9)은 그 두께를 100 내지 3,000 옹스트롱, 바람직하게는 500 내지 1,000 옹스트롱이고, 유전율은 1 내지 7.2범위내, 바람직하게는 2.0 내지 4.0범위내이다. 한편, 상기 잔상방지막(9)의 투과율은 상기 제2화소전극(7)과 마찬가지로 60 퍼센트이다.

한편, 상기 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서도 제1화소전극(3)의 커패시턴스와 제2화소전극(7)의 커패시터스를 동일하게 조절할 수 없기 때문에 상기 제1화소전극(3)의 면적을 조절하여 양 커패시턴스와 오차가 ±10퍼센트 범위내에 있게끔 한다.

도 2는 상기 제1 및 제2화소전극(3)(7)에 인가되는 커패시터스가 동일하도록 조정했을때의 잔상방지막(9)의 두께와 제1 및 제2화소전극(3)(7)의 크기비 A1/A2, 적용 유전체(9)의 유전율값의 실시예이며, 도 3은 이것을 그래프로 표현한 것이다.

본원에 개시된 본 발명에 따른 실시예는 본 발명의 일관점의 일형태을 예시한 것이며, 본 발명을 이에 제한하려는 의도는 아니다. 기타, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 실시할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 프린지필드구동 액정표시장치는다음과 같은 효과가 있다.

본 발명에 있어서는 잔상방지막을 별도의 마스크공정의 필요없이 형성할 수 있으며, 또한 제1화소전극과 제2화소전극을 동일한 커패시턴스를 가지게 되어 잔상이 제거되고 액정화면의 품위가 향상된다.

Claims (11)

1. 제1화소전극과 제2화소전극, 상기 제1 및 제2화소전극 사이에 절연막이 형성된 것을 포함하여 구성된 하부 어레이기판에 있어서, 상기 제2화소전극 상부에 저유전막이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 제2화소전극은 제1화소전극과 동일한 물질로 구성되고, 그 투과율이 60 퍼센트 이상인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 제2화소전극은 제1화소전극의 두께와 동일하며, 바람직하게는 10 내지 2,000 옹스트롱인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 제2화소전극은 제1화소전극의 폭과 동일 또는 작으며, 바람직하게는 상기 제2화소전극과 제1화소전극의 폭 비율이 1 내지 10 범위내인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 유전막은 실리콘질화물 SiNx 또는 고분자를 사용하여 구성되고, 그 투과율이 60 퍼센트 이상인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 고분자 유전막은 상기 고분자를 포토레지스트로 사용하여 제2화소전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 유전막은 100 내지 3,000 옹스트롱, 바람직하게는 500 내지 1,000 옹스트롱의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 유전막은 유전율이 1.0 내지 7.2 범위내이며, 바람직하게는 2.0 내지 4.0 범위내인 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 유전막은 제2화소전극 형성시 사용하는 동일한 마스크와 동일한 식각액, 또는 동일한 마스크와 상이한 식각액을 이용하여 제조되는 프린지필드구동 액정표시장치.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 유전막은 건식식각, 상기 제2화소전극은 습식식각, 또는 이와 반대되거나, 상기 유전막 및 제2화소전극 모두 건식식각하는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.
11. 제 1항에 있어서,

    상기 절연막은 게이트절연막 단독, 또는 게이트절연막 및 보호막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 프린지필드구동 액정표시장치.