KR20020045493A - 탄성 표면파 필터 - Google Patents

탄성 표면파 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR20020045493A
KR20020045493A KR1020010035290A KR20010035290A KR20020045493A KR 20020045493 A KR20020045493 A KR 20020045493A KR 1020010035290 A KR1020010035290 A KR 1020010035290A KR 20010035290 A KR20010035290 A KR 20010035290A KR 20020045493 A KR20020045493 A KR 20020045493A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
interdigital
surface acoustic
acoustic wave
electrode width
Prior art date
Application number
KR1020010035290A
Other languages
English (en)
Inventor
가네다야스후미
우에다마사노리
가와치오사무
아베다쿠야
Original Assignee
사라가와 다쓰오
후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사라가와 다쓰오, 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 filed Critical 사라가와 다쓰오
Publication of KR20020045493A publication Critical patent/KR20020045493A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

인터디지털 변환기(interdigital transducer) 및 반사기 전극의 전극폭에 대하여 광대역 및 저손실을 실현하는 최적값을 찾아냄으로써 임피던스 부정합(impedance mismatching)에 의한 어떠한 손실도 없는 탄성 표면파 필터가 제공된다. 탄성 표면파 필터는 인터디지털 변환기 및 이 변환기의 양측에 배치된 반사기를 포함한다. 압전 기판은, 전극 두께(h)와 탄성 표면파 파장(λ)의 비(h/λ)가 0.05 ≤h/λ≤0.15의 범위에 있고, 반사기 전극폭(wr)과 전극 피치(pr)의 전극폭 비(wr/pr)가 0.5 ≤wr/pr ≤0.6의 범위에 있고, 인터디지털 변환기의 인터디지털 전극폭(wi)과 피치(pi)의 전극폭 비(wi/pi)가 0.6 ≤wi/pi ≤0.9의 범위에 있다.

Description

탄성 표면파 필터{SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER}
1. 발명의 분야
본 발명은 일반적으로 탄성 표면파 필터에 관한 것으로, 특히, 무선 장치의 고주파 회로에 적용하여 유리한 광대역 및 저 삽입 손실을 갖는 탄성 표면파 필터에 관한 것이다.
2. 관련 기술의 설명
무선 장치의 고주파 회로에는 필터가 사용된다. 그 필터의 중요한 키 디바이스(key device)인 SAW(탄성 표면파) 디바이스에 관하여 광대역의 필터 특성이 요구되고 있다.
이러한 SAW(탄성 표면파) 디바이스로 구성되는 탄성 표면파 필터는 인터디지털 전극을 갖는 인터디지털 변환기(interdigital transducer; IDT) 및 격자(grating) 전극을 갖는 반사기가 형성된 압전 기판을 포함한다. 탄성 표면파 필터의 광대역을 실현하는데는 전극의 두께를 증가시킴으로써 가능하다는 것이 알려져 있다. 그렇지만, 전극의 두께가 증가함으로써 필터의 중요한 특성인 삽입 손실을 손상시킬 수 있다.
이와 같이, 지금까지 광대역을 실현하기 위해 전극 두께를 증가시켜 왔지만 삽입 손실의 악화 및 임피던스 부정합(impedance mismatching)에 의한 통과대역의 악화가 발생했다.
따라서, 탄성 표면파 필터의 광대역 및 저 삽입 손실을 실현하는 것이 중요한 과제였다.
상기의 문제점에 비추어, 본 발명의 목적은, 광대역화가 가능한 전극 두께를 이용하고 압전 기판의 최적의 절삭 방위를 이용하는 것을 전제로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은, 인터디지털 변환기 전극 및 반사기 전극의 전극폭에 대한 광대역 및 저 손실을 실현하는 최적의 값을 찾아내어 임피던스 미스매칭에 의한 손실이 없는 탄성 표면파 필터를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시태양에 따라, 상기 목적을 달성하기 위해, 압전 기판 상에 형성된 인터디지털 전극을 갖는 탄성 표면파 필터로서, 인터디지털 전극을 갖는 인터디지털 변환기 및 이 변환기의 양측에 배치된 반사기를 포함하고, 전극 두께(h)와 탄성 표면파의 파장(λ)의 비(h/λ)가 0.05 ≤h/λ≤0.15의 범위에 있고, 압전 기판이 0.5 ≤wr/pr ≤0.6의 범위에 있는 반사기 전극폭(wr)과 반사기 전극 피치(pr)의 전극폭 비(wr/pr)를 갖고, 압전 기판이 0.6 ≤wi/pi ≤0.9의 범위에 있는 인터디지털 변환기의 전극폭(wi)과 인터디지털 변환기의 전극 피치(pi)의 전극폭 비(wi/pi)를 갖는다.
바람직하게는, 상기 목적을 달성하기 위해, 변환기의 인터디지털 전극의 전극폭(wi)과 피치(pi)의 비(wi/pi)가 0.62 ≤wi/pi ≤0.9의 범위에 있는 경우, 인터디지털 전극의 전극폭(wi)과 반사기의 전극폭(wr) 간의 관계는 wi > wr로 주어지고 인터디지털 전극의 전극 피치(pi)와 반사기의 전극 피치(pr) 간의 관계는 pi < pr로 주어진다.
바람직하게는, 상기 목적을 달성하기 위해, 인터디지털 전극과 반사기 전극의 서로 이웃하는 전극 핑거(electrode finger)의 중심간의 거리가 (1/2 + HD1) x λi - 식 중 λ는 인터디지털 전극에서의 파장 - 로 주어지는 경우, 계수(HD1)는 0 > HD1 ≥-0.04의 범위로 설정된다.
바람직하게는, 상기 목적을 달성하기 위해, 압전 기판은 X축을 중심으로 Y축을 Z축 방향으로 40°∼ 44°회전시켜 얻어지는 LiTaO3의 회전 Y판으로 형성되고, 변환기의 인터디지털 전극과 반사기의 전극은 Al을 주성분으로 하는 전극 재료로 형성된다.
도 1은 본 발명이 적용되는 일례로서 다중 모드 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 나타내는 도면.
도 2는 반사기(4, 5)의 전극폭(wr)과 전극 피치(pr)의 전극폭 비(wr/pr)에 대한 반사 계수의 전극 두께에 대한 의존성을 나타내는 그래프.
도 3은 반사기 전극폭 비(wr/pr)에 대한 비 대역폭 변동을 나타내는 그래프.
도 4는 인터디지털 변환기의 전극폭(wi)과 전극 피치(pi)의 전극폭 비(wi/pi)에 의존하는 비 대역폭과 최소 손실 특성의 측정 결과를 나타내는 그래프.
도 5는 전극폭 비(wr/pr, wi/pi)의 각 변화에 대응하는 탄성 표면파의 비 속도를 나타내는 그래프.
도 6은 인터디지털 전극폭 비(wi/pi)의 크기에 의존하는 임피던스 변동을 나타내는 스미스(Smith) 차트.
도 7은 인터디지털 전극의 개구 길이(AP)에 기초하여 도 6의 임피던스 변동의 보정을 설명하는 스미스 차트.
도 8은 계수(HD1)와 통과대역 리플(passband ripple)의 관계를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명에 따른 조건 설정에 의해 얻어지는 탄성 표면파 특성을 종래 필터와 비교하는 도면.
도 10은 본 발명의 일 실시예에서 반사기의 전극폭 비(wr/pr)를 변경한 경우의 삽입 손실 변화를 나타내는 주파수 특성도.
도 11은 본 발명의 일 실시예에서 인터디지털 변환기의 전극폭 비(wi/pi)를 변경한 경우의 삽입 손실의 변화를 나타내는 주파수 특성도.
도 12는 계수(HD1)를 변화시킨 경우의 삽입 손실 변화를 나타내는 주파수 특성도.
도 13은 계수(HD1)를 변화시킨 경우의 임피던스 변화를 나타내는 스미스 차트.
본 발명의 상기 및 기타 목적, 실시태양, 특징 및 장점들은 첨부된 도면과 연관지어 볼 때 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.
이하, 본 발명은 비제한적으로 바람직한 실시예를 나타내는 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 도면에 나타낸 실시예들이 본 발명을 이해할 목적으로만 의도되고 본 발명의 적용이 이러한 예에 국한되지 않음을 유의해야 한다.
도 1은 본 발명이 적용되는 일례로서 다중 모드 탄성 표면파 필터의 전극 구조를 나타내는 도면이다. 도시된 구조는 압전 기판 상에 박막 전극으로 형성된 3개의 인터디지털 전극 형태의 인터디지털 변환기(IDT; 1, 2, 3)와, 변환기의 외측에 배치된 2개의 격자 반사기(4, 5)(이하, 간단히 반사기라 함)를 포함한다.
인터디지털 변환기(1, 2, 3) 각각은 복수의 인터디지털 전극을 갖고 반사기(4, 5) 각각은 소정 간격으로 병렬로 형성된 복수의 전극을 갖는다.
여기서, 우수한 통과대역 특성을 갖는 탄성 표면파 필터를 얻기 위해, 본 발명의 출원인은 42°YX(X축을 중심으로 Y축을 Z축 방향으로 42°회전)로 형성되는 압전 기판으로서 LiTaO3를 사용하는 것과, 또한 압전 기판 상에 박막 전극으로 형성되는 인터디지털 변환기와 변환기의 양측에 배치되는 반사기의 전극 두께(h)와 탄성 표면파의 파장(λ)의 비(h/λ)를 0.05 ≤h/λ≤0.15의 범위로 설정하는 것을 제안하고 있다.
따라서, 이러한 설정 요건이 이용되는 전제로, 본 발명은, 인터디지털 변환기 및 반사기의 전극폭에 대한 광대역 및 저 손실을 실현하는 최적값을 찾아낼 수 있고 임피던스 부정합에 의한 어떠한 손실도 없는 탄성 표면파 필터를 얻는 것이다.
도 1에서 다중 모드 탄성 표면파 필터의 사용 형태로서, 예를 들면 인터디지털 변환기(1, 3)를 입력용으로 하면, 인터디지털 변환기(1, 3) 각각의 한쪽 전극은 입력단에 접속되고, 다른 쪽의 인터디지털 전극은 접지된다. 출력용 인터디지털 변환기(2)의 한쪽 인터디지털 전극은 출력단에 접속되고, 다른 쪽의 인터디지털 전극은 접지된다.
인터디지털 변환기(1, 2, 3)에 의해 여진(勵振)되는 복수의 탄성 표면파가 반사기(4, 5) 사이에 제한되고, 인터디지털 변환기(1, 2, 3) 사이에서 결합하는 결과, 복수의 공진 모드가 강하게 여진되어, 공진 모드의 종단은 다중 모드의 탄성 표면파 필터로서 기능하게 한다.
탄성 표면파 필터의 주파수 대역 특성은 반사기(4, 5)에 의해 감금되는 임의의 대역과 인터디지털 변환기(1, 2, 3)의 통과대역 특성의 중첩에 의해 결정된다.
도 1에서, λi는 인터디지털 변환기(1, 2, 3)의 탄성 표면파의 파장을 나타내고, wi는 인터디지털 변환기(1, 2, 3)의 전극폭을 나타내고, pi는 이들 전극간 피치를 나타낸다.
마찬가지로, wr은 반사기(4, 5)의 전극폭을 나타내고, pr은 이들의 전극간 피치를 나타낸다.
도 2는 반사기(4, 5)의 전극폭(wr)과 전극간 피치(pr)의 전극폭 비(wr/pr)에 대한 반사 계수의 전극 두께 의존성을 나타내는 그래프이다. 도 2에서, 곡선(I)은 전극 두께(h)로 할 때 h/λi = 4.9%에 대한 반사 계수 특성을 나타내고, 곡선(II)은 h/λi = 8.5%에 대한 반사 계수 특성을 나타낸다. 횡축은 전극폭 비(wr/pr)를 나타내고 종축은 반사 계수의 값을 나타낸다.
이 도면으로부터, 전극 두께(h)를 크게 하면 반사기(4, 5)의 반사 계수의 피크(최대) 값이 커지는 것을 이해할 수 있다. 또한, 피크 값을 주는 반사기(4, 5)의 전극폭도 큰 값 쪽으로 이동하는 것을 알 수 있다. 이것에 의해 광대역화가 실현 가능하다.
도 3은 반사기(4, 5)의 전극폭(wr)과 전극간 피치(pr)의 전극폭 비(wr/pr)에 대한 비 대역폭을 나타내는 그래프이다. 도 3의 그래프로부터, 필터에 필요한 비 대역폭 4.47% 이상을 실현하기 위해서, 반사기(4, 5)의 전극폭 비(wr/pr)를 0.5 내지 0.6의 범위로 설정해야 하는 것을 알 수 있다. 이 전극폭 비(wr/pr)를 0.5 내지 0.6으로 하는 범위는 도 2에서도 반사기(4, 5)의 반사 계수가 커지는 영역인 것을 이해할 것이다.
도 4는 반사기(4, 5)의 전극폭 비(wr/pr)가 0.5 내지 0.6의 범위로 설정되는 경우 최소 손실 특성과 비 대역폭을 측정한 결과로서 얻어지는 그래프로서, 전극폭 비(wr/pr)는 인터디지털 변환기(1, 2, 3)의 전극폭(wi)과 전극간 피치(pi)의 전극폭 비(wi/pi)에 의존한다.
도 4로부터, 인터디지털 변환기(1, 2, 3)의 전극폭(wi)을 증가시킴으로써 손실을 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.
따라서, 전극폭 비(wi/pi)를 0.6 이상의 값으로 설정함으로써, 필터의 중요한 파라미터인 최소 손실(Min. Loss)이 37% 이하인 2dB 이하로 할 수 있다. 이 경우, 필터의 비 대역폭은 거의 일정하다. 보다 바람직하게는, 전극폭 비(wi/pi)를 0.62 이상으로 하면, 최소 손실(Min. Loss)이 약 36% 이하의 1.97dB 이하로 되어 필터의 비 대역폭은 거의 일정해진다.
여기서, 상기 범위로 전극폭 비(wr/pr, wi/pi)를 설정하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 전극폭 비(wr/pr, wi/pi)의 변화에 대응하여 탄성 표면파의 속도가 변동된다.
따라서, 이것에 의한 인터디지털 변환기 및 반사기의 중심 주파수를 적절한 주파수로 설정하기 위해, 전극폭의 관계가 wi > wr인 경우 주기의 관계는 pi < pr로 설정하는 것이 필요하다. 도 5에서, 0.9의 전극폭 비(wr/pr, wi/pi)는 전극의 제조 한계치를 나타낸다.
인터디지털 전극(1, 2, 3)을 위와 같이 설정하는 경우, 인터디지털 전극(1, 2, 3)의 폭은 임피던스 부정합을 재촉할 수 있다. 도 6은 이를 설명하는 도면이다.
도 6은 스미스 차트로서, 전극폭 비(wi/pi)를 증가하면, 임피던스는 화살표로 표시된 방향으로 이동하여 부정합을 초래한다. 따라서, 이를 보정할 필요가 있다.
도 1의 인터디지털 전극의 중첩된 폭(AP)을 변화시킴으로써, 도 7에 도시된 바와 같이 도 6과 반대 방향으로 임피던스 보정을 실현하는 것이 가능하다. 그렇지만, 도 7에 도시된 바와 같이, 임피던스 주파수에서의 오프셋 증가로 인해 광대역폭을 갖는 필터에 대한 충분한 보정을 행하는 것이 어려웠다.
따라서, 본 발명자는, 인접하는 반사기(4, 5)와 인터디지털 변환기(1, 3)의 가장 근접한 인터디지털 전극 핑거의 중심선과 반사기 전극 핑거의 중심선 간의 거리가
(1/2 + HD1) x λi (식 중, HD1은 계수)
로 주어지는 경우, 적절한 보정을 위해 계수(HD1)를 변화시켜 임피던스 정합을 얻는 것이 가능하다는 것을 밝혀냈다.
이는, 계수(HD1)를 임의의 값으로 설정함으로써 광대역 및 저손실의 실현이 가능하다는 것을 의미한다.
도 8은 HD1과 통과대역 리플간의 관계를 나타내는 도면이다. 여기서 사용된 바와 같이, 통과대역내 리플(intra-passband ripple)이란 통과대역 내의 최소 손실과 리플에 의한 최대 손실의 차의 크기를 의미한다.
고주파(RF) 필터의 경우, 필터 출력의 주파수 편차가 커져 후단의 증폭기에서의 보정량이 커지기 때문에, 이 통과대역내 리플이 큰 값을 갖는 것은 바람직하지 않다.
중간 주파수(IF) 필터의 경우, 통과대역을 통과하는 변조 신호의 주파수 편차가 커져, 그 결과 복조 신호는 왜곡이 커지게 되는 바람직하지 않은 경향이 있다.
도 8로 돌아가 설명하면, HD1 = 0에서의 리플과 비교하여, 0 > HD1 ≥-0.04의 범위에서 리플이 작아진다.
도 9는 상기 본 발명에 따른 조건 설정에 의해 얻어지는 탄성 표면파 특성을종래의 필터와 비교한 결과를 나타내는 도면이다. 도 9는, 0.9dB의 저손실과 함께 약 12%의 광대역화가 비 대역폭에서 실현될 수 있다는 것을 나타냈다.
[실시예 1]
도 10은 본 발명의 실시예의 특성을 나타내는 도면이다. 도 10은, 두께(h/λi = 8.5%)와 인터디지털 전극폭 비(wi/pi = 0.6)가 일정한 상태에서 반사기 전극폭 비(wr/pr)가 0.4, 0.55 및 0.7로 변화되는 경우에 얻어지는 특성 변화를 나타낸다. 이 도면으로부터, 필터의 상대 2.6dB 비 대역폭(specific bandwidth)이 반사기 전극폭 비(wr/pr)를 변화시킴으로써 변화된다는 것을 알 수 있다.
도 3으로 돌아가 확인하면, 반사기 전극폭 비(wr/pr)의 변화에 대하여, 필터의 상대 2.6dB 비 대역폭은 0.5 ≤wr/pr ≤0.6의 범위에서 시스템에 필요한 4.47%이상으로 된다.
[실시예 2]
도 11은, 두께(h/λi = 8.5%)와 반사기 전극폭 비(wr/pr = 0.6)가 일정한 상태에서 인터디지털 전극의 전극폭 비(wi/pi)가 0.4, 0.6 및 0.7로 변화되는 경우에 얻어지는 특성의 변화를 나타낸다. 이 도면으로부터, 필터 손실이 인터디지털 전극폭 비(wi/pi)를 변화시킴으로써 변화된다는 것을 알 수 있다.
도 4로 돌아가 확인하면, 인터디지털 전극의 전극폭 비(wi/pi)의 변화에 대하여, 필터의 최소 삽입 손실은 0.62 ≤wi/pi의 범위에서 36% 이하인 약 2dB 미만이다.
인터디지털 전극폭 비(wi/pi)의 상한치는 제조 한계인 wi/pi ≤0.9로 된다.
[실시예 3]
도 12 및 도 13은, 두께(h/λi = 8.5%), 인터디지털 전극폭 비(wi/pi = 0.7), 반사기 전극폭 비(wr/pr = 0.55) 및 전극의 중첩폭(AP) = 55λ에서, 반사기(4, 5)에 가장 근접한 인터디지털 전극의 중심선과 이 인터디지털 전극에 근접한 반사기 전극의 중심선 간의 거리가 (1/2 + HD1) x λi로 주어지는 경우, 계수(HD1)를 0으로부터 -0.04까지 변화시킴으로써 얻어지는 특성의 변화를 나타낸다.
도 12로부터, 필터의 절대 2.5dB 비 대역폭이 계수(HD1)를 변화시킴으로써 변화된다는 것을 알 수 있다. 도 8로 돌아가 확인하면, 필터의 통과대역내 리플은 0 > HD1 ≥-0.04의 범위에서 HD1 = 0의 경우보다 더 작아져, 결과적으로 사용 가능 대역은 넓어진다.
[실시예 4]
도 9에서, 두께(h/λi = 8.3%)에 있어서, 필터(A)는 인터디지털 전극폭 비(wi/pi = 0.4), 반사기 전극폭 비(wr/pr = 0.45), 전극의 개구 길이(AP = 75λ, HD1 = 0)인 경우의 필터 통과 특성을 나타내는 반면, 필터(B)는 인터디지털 전극폭 비(wi/pi = 0.7), 반사기 전극폭 비(wr/pr = 0.55), 전극의 개구 길이(AP = 55λ, HD1 = -0.03)인 경우의 필터 통과 특성을 나타낸다.
이들 2개의 필터를 비교한 결과, 절대 4.5dB 비 대역폭에서 약 12%의 광대역화 및 약 0.9dB의 저손실화가 실현되었다.
[압전 기판]
상기 실시예에 사용된 압전 기판은 LiTaO3단결정으로 X축을 중심으로 Y축으로부터 Z축 방향으로 40°∼ 44°회전시킨 방위로부터 형성되었다. 본 발명의 적용에 있어서, 이러한 탄성 표면파 압전 기판의 재료는 LiTaO3로 한정되지 않고, 유사한 효과를 얻는데 기타 고결합 계수 기판도 사용될 수 있다.
도면과 결부지어 위에서 설명된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따라, 저 손실 및 광대역 탄성 표면파 필터가 얻어질 수 있다. 임피던스 부정합에 의한 어떠한 손실도 없는 탄성 표면파 필터가 제공된다.
본 발명의 예시적이고 바람직한 실시예가 상세히 설명되었지만, 본 발명의 개념들이 달리 다양하게 구현 및 이용될 수 있고 종래 기술에 의해 제한되는 범위이외에 이러한 변형체를 포함하는 것으로 다음의 청구항들이 해석된다는 것을 이해해야 할 것이다.

Claims (4)

  1. 압전 기판 상에 형성된 인터디지털 전극을 갖는 탄성 표면파 필터로서,
    인터디지털 전극을 갖는 인터디지털 변환기와,
    상기 변환기의 외측에 배치된 반사기를 갖고,
    상기 인터디지털 전극의 두께(h)와 파장(λ)의 비(h/λ)가 0.05 ≤h/λ≤0.15의 범위에 있고,
    상기 반사기의 전극폭(wr)과 전극 피치(pr)의 비(wr/pr)가 0.5 ≤wr/pr ≤0.6의 범위에 있고,
    상기 인터디지털의 전극폭(wi)과 피치(pi)의 비(wi/pi)가 0.6 ≤wi/pi ≤0.9의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 인터디지털 변환기의 인터디지털 전극의 전극폭(wi)과 피치(pi)의 전극폭 비(wi/pi)가 0.62 ≤wi/pi ≤0.9의 범위에 있는 경우, 상기 인터디지털 전극의 전극폭(wi)과 상기 반사기의 전극폭(wr) 간의 관계가 wi > wr이고, 상기 인터디지털 전극의 전극 피치(pi)와 상기 반사기의 전극 피치(pr) 간의 관계가 pi < pr인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 인터디지털 전극과 상기 반사기 전극이 인접하는 전극의 중심간의 거리가
    (1/2 + HD1) x λi (식 중, λi는 상기 인터디지털 전극에서의 파장)
    로 주어지는 경우, 상기 계수(HD1)가
    0 > HD1 ≥-0.04의 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 압전 기판이, X축을 중심으로 Y축을 Z축 방향으로 40°∼ 44°회전시켜 절삭된 LiTaO3의 회전 Y판으로 형성되고, 상기 인터디지털 전극과 반사기 전극이 Al을 주성분으로 하는 전극 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
KR1020010035290A 2000-12-07 2001-06-21 탄성 표면파 필터 KR20020045493A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000372999A JP2002176333A (ja) 2000-12-07 2000-12-07 弾性表面波フィルタ
JP2000-372999 2000-12-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020045493A true KR20020045493A (ko) 2002-06-19

Family

ID=18842457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010035290A KR20020045493A (ko) 2000-12-07 2001-06-21 탄성 표면파 필터

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6498548B2 (ko)
EP (1) EP1215818B1 (ko)
JP (1) JP2002176333A (ko)
KR (1) KR20020045493A (ko)
CN (1) CN1153345C (ko)
DE (1) DE60115371T2 (ko)
SG (1) SG96230A1 (ko)
TW (1) TWI222784B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037467A (ja) 2001-07-24 2003-02-07 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3724575B2 (ja) * 2001-08-09 2005-12-07 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波装置
US20030042998A1 (en) * 2001-08-24 2003-03-06 Edmonson Peter J. Leaky surface acoustic wave resonators
US6882250B2 (en) * 2002-04-15 2005-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency device and communication apparatus
JP2004048675A (ja) * 2002-05-15 2004-02-12 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びそれを有する通信装置
JP3929415B2 (ja) * 2003-04-23 2007-06-13 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス
DE102004037819B4 (de) * 2004-08-04 2021-12-16 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
CN1825759B (zh) * 2005-02-24 2011-11-16 京瓷株式会社 声表面波元件、分波器和通信设备
JP6441590B2 (ja) * 2014-05-23 2018-12-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
EP3176948B1 (en) * 2014-07-30 2021-03-17 Kyocera Corporation Elastic wave element, filter element, and communication device
EP3068049B1 (en) * 2015-03-12 2018-06-13 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Accoustic wave elements, antenna duplexers and electronic devices
US10727741B2 (en) * 2016-06-29 2020-07-28 Win Semiconductors Corp. Thermal sensing acoustic wave resonator and acoustic wave filter having thermal sensing acoustic wave resonator
CN106877838B (zh) * 2017-01-16 2020-06-09 深圳华远微电科技有限公司 声表面波滤波器
CN108418566A (zh) * 2018-03-16 2018-08-17 无锡市好达电子有限公司 一种声表面波滤波器
CN108512525B (zh) * 2018-04-18 2022-02-11 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种声表面横波谐振滤波器
US11646714B2 (en) * 2018-07-10 2023-05-09 Texas Instruments Incorporated Laterally vibrating bulk acoustic wave resonator
US11431319B2 (en) 2019-08-22 2022-08-30 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with varying electrode pitch
CN110572136B (zh) * 2019-09-09 2022-11-01 杭州左蓝微电子技术有限公司 一种叉指换能器
CN110995293B (zh) * 2019-11-04 2022-06-07 三维通信股份有限公司 带内波动抑制装置和射频系统
CN112653417A (zh) * 2020-12-18 2021-04-13 广东广纳芯科技有限公司 声表面波谐振器及该声表面波谐振器的制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02260908A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JP3255249B2 (ja) * 1993-03-08 2002-02-12 ティーディーケイ株式会社 弾性表面波フィルタ
JPH07283682A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波共振子フィルタ
JPH08125489A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 多重モード弾性表面波フィルター
JPH09167936A (ja) * 1995-10-13 1997-06-24 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
JPH09148879A (ja) * 1995-11-22 1997-06-06 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP3204112B2 (ja) * 1996-08-28 2001-09-04 株式会社村田製作所 弾性表面波共振子フィルタ
JPH10335973A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードｓａｗフィルタ
JP3280617B2 (ja) * 1998-02-27 2002-05-13 東洋通信機株式会社 広帯域表面波フィルタ
JP3353742B2 (ja) * 1999-05-07 2002-12-03 株式会社村田製作所 表面波共振子、表面波装置、通信機装置
JP3321443B2 (ja) * 1999-10-26 2002-09-03 東洋通信機株式会社 １次−３次縦結合二重モードｓａｗフィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
DE60115371T2 (de) 2006-06-14
EP1215818A3 (en) 2003-05-28
US6498548B2 (en) 2002-12-24
CN1357970A (zh) 2002-07-10
US20020070822A1 (en) 2002-06-13
EP1215818A2 (en) 2002-06-19
TWI222784B (en) 2004-10-21
CN1153345C (zh) 2004-06-09
SG96230A1 (en) 2003-05-23
JP2002176333A (ja) 2002-06-21
EP1215818B1 (en) 2005-11-30
DE60115371D1 (de) 2006-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020045493A (ko) 탄성 표면파 필터
KR100349558B1 (ko) 탄성표면파장치
US7378923B2 (en) Balanced SAW filter
US7795999B2 (en) Filter having multiple surface acoustic wave filters connected in parallel
KR100376906B1 (ko) 탄성 표면파 장치 및 통신 장치
KR100383876B1 (ko) 탄성 표면파 필터, 듀플렉서 및 통신 장치
JPH07283682A (ja) 弾性表面波共振子フィルタ
GB2337886A (en) Surface acoustic wave filter
WO2000076067A1 (fr) Filtre a ondes de surface
US6504454B2 (en) Longitudinally coupled surface acoustic wave filter
KR20000004902A (ko) 고주파 표면 음향파(saw) 장치
US20030111931A1 (en) Surface acoustic wave device and duplexer using it
KR100588450B1 (ko) 탄성표면파소자및이를이용한휴대전화기
US6504453B2 (en) Transversal surface acoustic wave filter
US6710683B2 (en) Surface acoustic wave filter and communications apparatus using the same
US20020089258A1 (en) Surface acoustic wave device and communication apparatus
US20020113668A1 (en) Longitudinal coupled multiple mode surface acoustic wave filter
EP0763889B1 (en) Surface acoustic wave filter
US6369674B1 (en) Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period
KR20010050053A (ko) 탄성 표면파 필터, 듀플렉서 및 통신기 장치
JPH1070436A (ja) 弾性表面波共振子フィルタ
KR100599244B1 (ko) 단면반사형 탄성표면파 필터
KR20010051135A (ko) 표면 탄성파 장치
JP2002185284A (ja) 弾性表面波フィルタ
US6291923B1 (en) Surface acoustic wave device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application