KR20020042422A - 다위치 마이크로 전자기계식 스위치 - Google Patents

다위치 마이크로 전자기계식 스위치 Download PDF

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KR20020042422A
KR20020042422A KR1020010071214A KR20010071214A KR20020042422A KR 20020042422 A KR20020042422 A KR 20020042422A KR 1020010071214 A KR1020010071214 A KR 1020010071214A KR 20010071214 A KR20010071214 A KR 20010071214A KR 20020042422 A KR20020042422 A KR 20020042422A
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포만 제프리 엘
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Abstract

본 발명의 마이크로 전자기계식 스위치(a micro electromechanical switch)는 기판 상에 형성된 가이드포스트(a guidepost)를 가진다. 신호 전송 라인이 기판 상에 형성되며, 신호 전송 라인은 간격(a gap)을 가져서 개방 회로를 형성한다. 스위치는 그 안에 형성된 비아 개구부(a via opening)를 가지는 스위치 본체를 더 포함하며, 스위치 본체는 가이드포스트에 의해서 규정된 길이를 따라 이동가능하게 배치된다. 가이드포스트는 비아 개구부에 의해서 부분적으로 둘러싸인다.

Description

다위치 마이크로 전자기계식 스위치{MULTIPOSITION MICRO ELECTROMECHANICAL SWITCH}
본 발명은 마이크로 전자기계식(micro electromechanical)(MEM) 스위치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다위치 MEM 스위치(a multiposition MEM switch)에관한 것이다.
최근의 집적 회로 기술의 진보는 마이크로 전자기계식 시스템(MEMS)의 발전을 가져왔는데, 이는 기계적, 정전기적, 전자기적, 유체적 및 열적 방법을 이용하여 작동되고 제어될 수 있는 마이크로미터 치수(micrometer dimensions)의 디바이스들을 특징으로 한다. MEM 제조 기술은 반도체 마이크로 제조 기술과 새로운 마이크로머시닝(micromachining)에서의 발전된 기술의 결합이다.
MEM 디바이스의 한 예는 한 단부가 실리콘과 같은 기판 물질에 고정된 캔틸레버 빔 스위치(a cantilevered beam switch)이다. 빔(beam)의 자유 단부는 전압원이 인가되는 경우에 빔 및 필드 평판상의 정적기력의 결과로서 편향하고, 이것에 의해 고정된 전극과 컨택트를 이루는 편향 전극의 역할을 한다. 전압원이 제거되는 경우에는, 그 안의 복원력에 기인하여 빔은 "고정된(rigid)" 상태로 돌아와서 스위치 컨택트는 개방된다.
비록, MEM 기술은 최근에 상당한 진보를 이루었지만, 이러한 기술은 단점을 가진다. 예를 들면, MEMS 디바이스의 제조자들이 직면하는 가장 나쁜 문제점 중 하나는 (캔틸레버 빔과 같은)마이크로머시닝된 부분이 인접하는 기판의 표면에 녹거나 접합되는 경우에 발생하는 스틱션(stiction)이다. 스틱션은 종종 제조 프로세스 동안의 표면 거칠기(surface roughness), 습도, 인가된 전압 및 모세관력(capillary forces)과 같은 조건으로부터 발생할 수 있다. 보다 많은 수의 스틱션이 디바이스 내에서 발생할수록, 디바이스의 전체 생산량에 보다 많은 영향을 미친다. 추가적으로, 물리적 구성 요소의 기하 구조 자체 또한 스틱션에의 민감도에 영향을 가질 수 있는데, 예를 들면, 캔틸레버 빔 타입의 스위치는 빔상에서의 반복되는 기계적 스트레스에 기인하여 뒤틀림을 겪을 수 있다. 이처럼, 스틱션에 대한 민감도를 최소화하는 스위치 설계를 제공하는 것이 바람직하다.
빔 스위치(beam switch)와 관련된 다른 어려움은 물질 피로(material fatigue), 공간 제한(고정 지점에 대한 요구), 기생 인덕턴스의 생성 및 공진 주파수 문제를 포함할 수 있다. 따라서, 앞서 기술한 문제점들을 해결하는 MEM 스위치를 제공하는 것 또한 바람직하다.
본 발명의 예시적인 실시예에서는 마이크로 전자기계식 스위치(a micro electromechanical switch)가 기판 상에 형성된 가이드포스트(guidepost)를 가진다. 신호 전송 라인이 기판 상에 형성되며, 신호 전송 라인은 간격(gap)을 가져서 개방 회로를 형성한다. 스위치는 그 안에 비아 개구부(via openings)를 가지는 스위치 본체를 더 포함하며, 스위치 본체는 가이드포스트에 의해서 규정된 길이를 따라서 이동가능하게 배치된다. 가이드포스트는 비아 개구부에 의해서 부분적으로 둘러싸인다. 바람직한 실시예에서, 필드 평판(a field plate)은 기판 상에 형성되며, 스위치 본체로부터 떨어져서 정전기적으로 부착할 수 있다. 필드 평판과 스위치 본체 사이의 정전기적 인력이 스위치 본체가 신호 전송 라인내의 간격을 폐쇄하도록 한다.
도 1은 종래 기술의 캔틸레버 빔 마이크로스위치(cantilever beam microswitch)의 측입면도(a side elevational view),
도 2는 주 스위치 본체를 나타내기 위하여 상부 및 하부 기판 레벨이 옆으로 펼쳐진 마이크로 전자기계식 스위치(a micro electromechanical switch)의 실시예의 평면도,
도 3은 절단 라인 3-3을 따라 취해진 도 2의 스위치의 단면도,
도 4는 도 3에 도시된 스위치의 다른 실시예,
도 5는 본 발명의 마이크로 전자기계식 스위치의 다른 실시예의 평면도,
도 6은 본 발명의 마이크로 전자기계식 스위치의 다른 실시예의 상면 절단도,
도 7 내지 도 9는 도 3 및 도 4에 도시된 스위치의 한 부분을 제조하는 단계의 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
20 : MEMS22, 52 : 기판
24 : 고정 포스트26 : 캔틸레버 빔
28, 30, 76 : 컨택트32 : 접지 평판
34 : 필드 평판54 : 가이드포스트
56 : 비아 개구부58 : 스위치 본체
62 : 기판 상부층64 : 기판 하부층
66 : 제 1 필드 평판68 : 제 2 필드 평판
70 : 스위치 본체 밑면72 : 스위치 본체 상부면
74 : 제 1 신호 전송 라인78 : 간격(gap)
80 : 제 2 신호 전송 라인90 : 힌지(hinge)
91 : 도전성 표면92 : 레버 암(lever arm)
200, 208 : 희생층202 : 라이너(liner)
204 : 전기도금된 구리206 : 캡
도 1은 공지된 마이크로 전자기계식 스위치(micro electromechanical switch(MEMS))를 도시한다. 도시된 바와 같이, 전반적으로 참조 부호 20에 의해서 식별되는 MEMS는 한 단부에 고정 포스트(a fixed post)(24)를 가진 채 기판(22)상에 형성된다. 유연한 캔틸레버 빔(cantilever beam)(26)이 포스트(post)의 한 단부에 접속된다. 캔틸레버 빔(26)은 정렬된 한 단부 상의 전기적 컨택트(28)를 운반하며 기판(22)상의 상응하는 컨택트(30)와 결합된다. 스위치(20)는 정전기적으로(electrostatically) 활성화된다. 접지 평판(a grounding plate)(32)은 기판(22)상에 형성되고, 필드 평판(a field plate)(34)은 캔틸레버 빔(26)상에 형성된다. 접지 평판(32)은 접지에 접속되며, 필드 평판(34)은 DC 전압원(도시되지 않음)에 선택적으로 결합된다. 필드 평판(34)에 전압이 인가되지 않는 경우에는, 컨택트(28)는 컨택트(30)로부터 격리되어 개방 회로 상태를 규정한다. 적절한 DC 전압이 필드 평판(34)에 인가되는 경우에는, 캔틸레버 빔(26)은 정전기력에 의해서 평판(34)과 접지 평판(32) 사이에서 편향하여, 전기적 컨택트(28)가 컨택트(30)와 결합하도록 하여 폐쇄 회로 상태를 규정한다. 이어서 인가된 전압이 필드 평판(34)으로부터 제거되는 경우에는. 캔틸레버 빔(26)은 빔(beam)내의 복원력(restoring forces)에 기인하여 자신의 고정 위치로 돌아온다.
이제 도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예의 스위치(50)는 실리콘 이산화물(SiO2)과 같은 기판(52)상에 제조되며, 그 위에 다수의가이드포스트(guidepost)가 형성되어 그 위에 위치된다. 가이드포스트(54)는 스위치(50)의 이동가능한 본체(a moveable body)(58)내에 형성된 비아 개구부(via openings)에 의해서 둘러싸인다. 본체(58)는 통상적으로 구리와 같은 도전성 물질의 직각 블록(60)으로 구성된다. 산화를 방지하기 위하여, 블록(60)은 절연층 내에 에워싸여서(encapsulate) 덮여지는데, 이는 이후에 보다 상세히 설명될 것이다. 도 3 및 도 4에 잘 나타난 바와 같이, 본체(58)는 가이드포스트(54)의 길이를 따라 이동가능하게 배치되는데, 이는 스위치(50)의 본체(58)가 가이드포스트를 따라 수직으로 움직임에 따라 올바른 측면 정렬(lateral alignment)을 가지도록 하는 데에 기여한다. 이러한 방식으로 구성되어, 스위치(50)는 회전하거나 굽는 고정 장치(anchor) 또는 고정 지점(fixed point)을 요구하지 않는다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본체(58)는 통상적으로 기판(52)의 상부층(62)과 기판(52)의 하부층(64) 사이의 수평 정렬(horizontal alignment)내에 배치된다. 기판(52)의 하부층(64)내에는 제어 전압이 인가되는 제 1 필드 평판(66)이 형성된다. 제 2 필드 평판(68)은 유사하게 기판(52)의 상부층(62)내에 배치되며, 제어 전압 공급(도시되지 않음)에 또한 접속된다. 제 1 필드 평판(66)은 스위치 본체(58)의 밑면으로부터 정전기적으로 떨어져 위치하고 스위치 본체의 밑면에 부착가능하며, 반면에, 제 2 필드 평판(68)은 스위치 본체(58)의 윗면(72)으로부터 떨어져 위치하고 스위치 본체의 윗면에 부착가능하다.
제 1 신호 전송 라인(74)은 기판(52)의 하부층(64)을 통하여 그 사이의 간격(a gap)(78)에 의해서 격리되는 컨택트(76)를 통해 확립되어, 제 1 신호 전송라인(74)내에 개방 회로를 규정한다. 제 2 신호 전송 라인(80)은 기판(52)의 상부층(66)을 통하여 간격(84)에 의해서 격리되는 컨택트(82)를 통해 유사하게 확립되어 제 2 신호 전송 라인(80)내에 개방 회로를 규정한다.
예시된 실시예의 스위치(50)의 구성은 쌍극(a double pole), 쌍투 스위치(double throw switch)를 도시하지만, 본 발명의 원리는 다른 스위치 구성에도 이용할 수 있다. 본 실시예에서, 스위치(50)는 2 위치 스위치(a two position switch) 또는 3 위치 스위치(a three position switch)로 실시될 수 있다. 제 3 스위치 위치를 유지하기 위하여, 스위치의 본체(58)는 신호 전송 라인(74,80)으로부터 전기적으로 차단된 위치 내에, 상부 및 하부 기판층(62,64)사이에 유지된다. 도 3에 도시된 실시예는, 예를 들면 스위치(50)를 중립 또는 "오프(off)" 위치에 바이어싱하는 데에 이용되는 한 쌍의 힌지(a pair of hinges)(90)를 특징으로 한다. 힌지(90)는 도전성 물질에 집적될 수 있다.
이와 달리, 도 4에 도시된 바와 같이 힌지가 없는 "자유 부동(free floating)" 스위치 설계가 이용될 수 있다. 그러나, 스위치(50)를 중립의 제 3의 위치에 유지하기 위하여, 제 1 및 제 2 필드 평판(66,68)은 적절한 평형 전하(a balancing charge) 가지고 바이어싱되어 결과적인 반대 정전기력이 스위치 본체(58)상에 가해져서 서로 상쇄되도록 하여 스위치 본체(58)가 자유 부동 위치에 부유(suspend)하도록 유지한다. 바이어싱 정전기력(biasing electrostatic forces)이 없는 경우에, 스위치(50)는 2 위치 구성 또는 동작의 이진 모드(a binary 0mode of operation)에도 이용될 수 있다. 이러한 구성의 예로서,디폴트(default) 또는 "오프(off)" 위치에서, 제 1 전송 라인 간격(78)은 폐쇄되며, 제 2 전송 라인 간격은 개방된다. 전압이 가해진(energized) 또는 "온(on)" 위치에서, 제 1 세트 전송 라인 간격(78)은 개방되며, 제 2 전송 라인 간격(84)은 폐쇄된다.
스위치(50)는 원하는 필드 평판 중 하나에 선택적으로 인가되는 제어 전압에 의해서 작동된다. 선택된 필드 평판과 스위치 본체(58) 사이의 결과적인 정전기력은 어느 필드 평판에 전압이 가해지는가 따라 본체를 상승시키거나, 그렇지 않고서 본체를 하강시킨다. 예를 들면, 제 1 필드 평판(66)에 전압이 가해지고, 스위치(50)가 초기에 중립 위치에 놓여 있다고 가정한다면, 스위치 본체(58)의 반대 측 상의 도전성 표면(91)이 하부 기판층(64)상의 상응하는 컨택트(76)와 결합할 때까지 스위치 본체(58)는 아래로 움직일 것이며, 이것에 의하여 제 1 전송 라인 간격(78)을 폐쇄하여 폐쇄 회로를 규정할 것이다. 이어서, 제 1 필드 평판(66)에 전압이 가해지지 않는 경우에는, 스위치 본체(58)는 힌지(90)의 바이어싱 또는 제 1 및 제 2 필드 평판(66,68)상에의 평형 전하의 인가에 의해서 중립 위치로 되돌아 갈 것이다. 어떤 경우든 간에, 제 1 신호 전송 간격은 스위칭 본체(58)상의 도전성 표면과 컨택트(76)의 격리 시에 재개방된다.
제 2 신호 전송 라인(80)내의 간격은 동일한 방식으로 제 2 필드 평판(68)에 전압을 가함으로써 폐쇄된다. 이 경우에, 생성된 정전기력은 도전성 표면(91)이 상부 기판층(62)상의 컨택트(82)와 결합할 때까지 스위치 본체(58)가 위쪽 방향으로 움직이도록 한다. 제 2 신호 전송 라인(80)은 제 2 필드 평판(68)에 전압이 가해지지 않아서 스위치 본체(58)가 중립 위치로 되돌아올 때까지 폐쇄 회로 상태에 놓인다. 필드 평판 중 하나에 인가되는 전하의 극성이 역전되고, 이것에 의해서 스위치 본체(58)상에 반발력을 생성할 수도 있음에 주의하여야 한다. 한 필드 평판에 의해서 제공되는 반발력은 다른 필드 평판에 의해서 제공되는 인력과 결합하여 이용될 수도 있으며, 이것에 의해서 푸쉬풀 작동 메카니즘(a push-pull actuation mechanism)을 생성할 수도 있다.
다시, 다른 3 위치 실시예로서, 스위치(50)는 하나의 필드 평판에 전압이 가해지고 다른 평판에는 전압이 가해지지 않도록, 혹은 그 역이 되도록 2 위치 모드에서 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 제 1 신호 전송 라인 간격 또는 제 2 신호 전송 라인 간격 중 하나는 소정의 시간에서 지속적으로 개방되지만, 양 간격이 동시에 개방되지는 않는다. 즉, 스위치 본체(58)는 정적으로 중립 위치에 유지되지 않는다.
도 5는 또 다른 스위칭 구성의 실시예를 도시하는데, 이는 캔틸레버 빔(a cantilever beam)의 이용에 적용할 수 있다. 이 실시예에서, 주 스위치 본체(58)는 레버 암(lever arm)(92)의 단부 상에 총체적으로 형성되며, 차례로, 레버 암(92)은 기판 내에 형성된 정지 포스트(a stationary post)(94)에 부착된다. 힌지(90)가 이러한 구성에서도 이용되므로, 레버 암(92)은 스위치 본체의 무게를 전적으로 지지하지 않는다.
도 6은 주 스위치 본체(58)의 다른 실시예를 도시한다. 도시된 바와 같이, 스위치 본체(58)는 통상적으로 원형(100)으로 제조될 수 있다. 이렇게 구성되어,스위치 본체(58)는 기판 내에 형성된 공동(cavity)내에서 수직 상향 및 수직 하향으로 움직이며, 단지 스위치 본체(58)상의 4개의 접선 방향의 표면(102)에서만 마찰적으로 기판 벽에 관여된다. 비록 가이드포스트(도시되지 않음)가 스위치 본체(58)를 공동 내에서 비교적 수평 방향으로 유지하지만, 비아 개구부(도시되지 않음)는 동작동안에 스위치 본체(58)의 약간의 측면 쉬프팅(lateral shifting)을 가능하게 한다. 따라서, 원형 설계에 있어서는, 스위치 본체(58)와 공동(96)을 규정하는 기판 벽 사이에 최소의 양의 표면 접촉이 존재한다.
이제 도 7을 참조하면, 스위치의 제조에 있어서의 세부사항이 아래에 기술된다. 가이드포스트(54)가 공지된 마스킹(masking), 증착 및 에칭(etching) 기술에 의해서 실리콘 이산화물(SiO2) 기판(52)으로부터 형성된다. 다이아몬드형 탄소(diamond-like carbon(DLC)) 또는 다른 부합적 유기 폴리머(conformal organic polymer)와 같은 희생층(200)이 가이드포스트(54)의 측면 및 상부면을 포함하는 기판(52) 상에 증착된다. 그 후에, 이어서 라이너(202)상에 증착되는 전기도금된 구리(204)의 확산을 방지하기 위하여 라이너(a liner)(202)가 희생층(200)상에 증착된다. 라이너(202)는 바람직하게 티타늄(titanium), 티타늄 질화물(titanium nitride), 탄탈 질화물(tantalum nitride) 또는 텅스텐(tungsten)과 같은 금속으로 구성된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 구리(204)의 불량한 내식성에 기인하여 코발트-텅스텐-인화물(cobalt-tungsten-phosphide(CoWP))이 구리층의 상부면상에 무전해 방식으로(electrolessly) 형성된다. 그러나, 캡(cap)(206)에 탄탈 질화물 또는니켈을 포함하는 다른 물질들이 이용될 수 있음에 주의하여야 한다. 캡의 상부(206)는 화학 기계적 폴리싱(chemical-mechanical polishing)의 결과로서 가이드포스트(54)의 상부면과 함께 평탄화된다. 그런 다음, DLC의 제 2 희생층(208)이 캡(206) 및 가이드포스트(54)상에 증착된다. 다음으로, 바람직하게 실리콘 질화물인 절연 물질의 상부 캡(210)이 DLC의 제 2 층(208)상에 증착된다.
마지막으로, 도 9는 DLC의 희생층(200,208)제거 후의 스위치를 도시한다. 상부 캡(210)내에 많은 천공을 형성한 후에, 스위치(50)는 산화 환경(an oxygenated environment)에서 가열되며, 이것에 의해서 희생층(200,208)을 제거하고 폐기 가스로서 이산화탄소 및 일산화탄소를 생성한다. 따라서, DLC의 제거는 스위치 본체(58)내에 비아 개구부(56)를 생성하는데, 이를 통하여 가이드포스트(54)는 스위치 본체(58)의 수직 이동을 이끈다.
본 발명은 바람직한 실시예를 참조하여 기술되었지만, 본 기술 분야의 당업자는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고서 많은 변형이 이루어 질 수 있으며, 바람직한 실시예의 많은 소자들이 등가물들로 대체될 수 있음을 이해할 것이다. 추가적으로, 본 발명의 본질적인 범주를 벗어나지 않고서 특정한 상황 또는 물질을 본 발명의 기술에 대해 이용이 가능하도록 하는 많은 변형이 이루어질 수 있다. 그러므로, 본 발명은 본 발명의 실시하는 데에 최적의 모드로 여겨지는 상기 기술된 특정 실시예에 한정되지 않으며 첨부된 청구의 범위에 속하는 모든 실시예를 포함할 것이다.
본 발명에서는 필드 평판이 기판 상에 형성되며, 스위치 본체로부터 떨어져서 정전기적으로 부착할 수 있는 마이크로 전자기계식 스위치를 제공하여, 스틱션(stiction), 물질 피로(material fatigue), 공간 제한, 기생 인덕턴스의 생성 및 공진 주파수 문제 등 종래 스위치에서의 문제점들을 해결한다.

Claims (16)

  1. 마이크로 전자기계식 스위치(a micro electromechanical switch)에 있어서,
    기판 상에 형성되는 가이드포스트(a guidepost)와,
    상기 기판 상에 형성되는 신호 전송 라인(a signal transmission line)- 상기 신호 전송 라인은 간격(gap)을 가지며, 개방 회로를 형성함 -과,
    내부에 형성되는 비아 개구부(a via opening)를 가지는 스위치 본체- 상기 스위치 본체는 상기 가이드포스트에 의해서 규정되는 길이를 따라 이동가능하게 배치되며, 상기 가이드포스트는 상기 비아 개구부에 의해서 부분적으로 더 둘러싸임 -와,
    상기 기판 상에 형성되는 필드 평판(a field plate)- 상기 필드 평판은 상기 스위치 본체로부터 떨어져서 부착가능하게 정전기적으로 배열됨 -
    을 포함하는 마이크로 전자기계식 스위치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 필드 평판과 상기 스위치 본체 사이의 정전기적 인력은 상기 스위치 본체가 상기 신호 전송 라인내의 상기 간격을 폐쇄하도록 하는 마이크로 전자기계식 스위치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 SiO2를 포함하는 마이크로 전자기계식 스위치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 형성되는 다수의 가이드포스트를 더 포함하며, 상기 스위치 본체는 상응하는 다수의 비아 개구부를 내부에 가지며, 상기 스위치 본체는 상기 가이드포스트를 따라 이동가능하게 배치되는 마이크로 전자기계식 스위치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 전기도금된 구리를 포함하는 마이크로 전자기계식 스위치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 코발트-텅스텐-인화물(CoWP) 절연 캡(a cobalt-tungsten-phosphide insulating cap)을 더 포함하는 마이크로 전자기계식 스위치.
  7. 다위치(multi-position) 마이크로 전자기계식 스위치에 있어서,
    상기 기판 상에 형성되는 다수의 가이드포스트와,
    상기 기판의 하부층 상에 형성되는 제 1 신호 전송 라인- 상기 제 1 신호 전송 라인은 관련된 개방 회로를 규정하는 제 1 간격을 가짐 -과,
    상기 기판의 상부층 상에 형성되는 제 2 신호 전송 라인- 상기 제 2 전송 라인은 관련된 개방 회로를 규정하는 제 2 간격을 가짐 -과,
    내부에 형성되는 다수의 비아 개구부를 가지는 스위치 본체- 상기 스위치 본체는 상기 비아 개구부를 통하여 상기 가이드포스트를 따라 이동가능하게 배치됨 -
    를 포함하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판의 상기 하부층 상에 형성되는 제 1 필드 평판- 상기 제 1 필드 평판은 상기 스위치 본체의 밑면으로부터 떨어져서 정전기적으로 부착가능하게 정렬됨 -과,
    상기 기판의 상기 상부층 상에 형성되는 제 2 필드 평판- 상기 제 2 필드 평판은 상기 스위치 본체 상에 위치된 상부면으로부터 떨어져서 정전기적으로 부착가능하게 정렬됨 -
    을 포함하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 필드 평판과 상기 스위치 본체의 상기 밑면 사이의 정전기적 인력은 상기 스위치 본체가 상기 신호 전송 라인내의 상기 제 1 간격을 폐쇄하도록 하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 필드 평판과 상기 스위치 본체의 상기 상부면 사이의 정전기적 인력은 상기 스위치 본체가 상기 제 2 신호 전송 라인내의 상기 제 2 간격을 폐쇄하도록 하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 스위치 본체에 대향하는 측 상에 배치된 한 쌍의 지지 힌지(a pair of supporting hinges)를 더 포함하되, 상기 지지 힌지는 상기 스위치를 중립 위치 내에 바이어싱(biasing)하며, 상기 제 1 및 상기 제 2 전송 라인내의 상기 간격들은 개방 상태로 남는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 및 상기 제 2 필드 평판에 인가되는 평형 전하(a balancing charge)를 더 포함하되, 상기 평형 전하는 상기 제 2 필드 평판과 상기 스위치 본체의 상부면 사이의 정전기적 인력에 의해서 상기 제 1 필드 평판과 상기 스위치 본체의 상기 밑면 사이의 정전기적 인력이 상쇄되도록 하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 전기도금된 구리를 포함하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 코발트-텅스텐-인화물(CoWP) 절연 캡을 더 포함하는 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 통상적으로 직사각형의 형태인 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 스위치 본체는 통상적으로 원형의 형태인 다위치 마이크로 전자기계식 스위치.
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