KR20020034981A - 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 단일 이온 전도체(single-ion conductor)를 전자 또는 정공주입층(electron- or hole- injecting layer)으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자(organic/polymer electroluminescent device)에 관한 것이다. 본 발명의 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자는, 투명기판(transparent substrate); 투명기판위에 증착된 반투명 전극(semitransparent electrode); 반투명 전극위에 구비된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질(organic luminescent materials)로 구성된 전기발광층(electroluminescent layer); 전기발광층위에 구비된 전자주입층; 및 전자주입층위에 증착된 금속전극(metal electrode)을 포함하는 전기발광소자(electroluminescent device)에 있어서, 정공주입층과 전자주입층이 단일 이온 전도체로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 유기/고분자 전기발광소자는 우수한 발광효율(luminescent efficiency)을 나타내고, 켜짐전압(turn-on voltage)이 낮으므로, 고효율 유기/고분자 전기 발광 소자의 개발에 널리 활용될 수 있을 것이다.
Description
전기에 의하여 발광하는 발광소자는 ITO 기판(ITO substrate), 발광소재 및 전극(electroluminescent material and electrode)으로 구성되며, 발광효율을 증진시키기 위하여, ITO 기판과 발광소재 사이에 정공주입층(hole-injecting layer)을 구비하거나, 발광소재와 전극사이에 전자주입층(electron-injecting layer)을 구비하거나 또는 둘 다 구비할 수 있다. 이 중, 발광소자의 핵심부분인 발광소재로는 전하 수송을 도와주는 역할을 하는 SiO2, TiO2등의 절연체형 무기물을 이용하는 유기 고분자/무기물 복합체를 사용하는 고분자 발광소자가 개발되어 실용화되고있다(참조: S. A. Carter, Applied Physics Letters, 71:1145, 1997; L. Gozano, Applied Physics Letters, 73:3911, 1998).
한편, 발광효율을 향상시키기 위한 정공주입층 또는 전자주입층에 대한 연구도 활발히 진행되고 있는데, 주로 정공주입층 또는 전자주입층에 이오노머를 삽입하여 발광효율을 향상시키는 방향으로 연구가 진행되고 있다(참조: Hyang-Mok Lee et al., Applied Physics Letters, 72, 2382, 1998). 그러나, 이오노머(ionomer)는 이온의 자유로운 이동이 제한되므로, 전자주입에 한계가 있어서 발광효율을 향상시키기 위한 근본적인 해결방안이 될 수 없었다. 또한, 전자를 잘 주입하는 방법으로는 전자주입층 말고도 전자수송층(electron-transporting layer)이라는 것이 있는데, 잘 전자를 수송하고 전자에 대한 친화도가 높은 물질을 사용하는 것이다. 지금까지 무기나노입자, 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD), 금속 착화합물(chelate metal complex)을 사용하는 방법이 제시되었으나(참조: USP 5,537,000; USP 5,817,431; USP 5,994,835), 박막 증착 공정의 어려움과 이에 비해서 낮은 발광효율로 인해서 실용화하는데는 어려움이 있었다.
따라서, 박막 증착 공정이 용이하면서 정공주입층 또는 전자주입층으로 사용하여 발광효율을 향상시킬 수 있는 물질을 개발하여야 할 필요성이 끊임없이 대두되었다.
발명의 요약
이에, 본 발명자들은 박막 증착 공정이 용이하면서 발광효율을 향상시킬 수있는 물질을 개발하고자 예의 연구 노력한 결과, 단일 이온 전도체를 전자 또는 정공주입층으로 이용한 전기발광소자가 향상된 발광효율을 나타냄을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
결국, 본 발명의 주된 목적은 단일 이온 전도체를 전자 또는 정공주입층으로 이용한 전기발광소자를 제공하는 것이다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명의 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.
도 2는 단일 음이온 전도체를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자, 이오노머를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자 및 전자주입층을 사용하지 않은 유기/고분자 전기발광소자의 발광효율을 나타내는 그래프이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
1: 투명기판(transparent substrate)
2: 반투명 전극(semitransparent electrode)
3: 정공주입층
4: 전기발광층(electroluminescent layer)
5: 전자주입층
6: 금속전극(metal electrode)
본 발명은 단일 이온 전도체(single-ion conductor)를 이용한 유기/고분자 전기발광소자(organic/polymer electroluminescent device)에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 단일 이온 전도체를 전자 또는 정공주입층(electron- or hole- injecting layer) 으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자는, 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자에 있어서, 정공주입층과 전자주입층이 단일 이온 전도체로 구성된 것을 특징으로 한다: 이때, 투명기판은 유리, 석영(quartz) 또는 PET(polyethylene terephtalate)판을 사용함이 바람직하고, 반투명 전극은 ITO(indium tine oxide), PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 사용함이 바람직하며, 유기 발광물질은 폴리(파라-페닐렌비닐렌)계의 유도체, 폴리(티오펜)계의 유도체, 폴리(파라-페닐렌)계의 유도체 또는 폴리(플로렌)계 유도체인 발광형 공액 고분자; 곁사슬(side chain)이 안트라센(anthracene) 등의 발광 관능기로 치환된 고분자인 발광형 비공액 고분자; 발광성 알루미나 퀴논(Alq3)과 같은 리간드 구조의 금속 착화합물, 루브렌(rubrene), 안트라센(anthracene), 페릴렌(perylene), 쿠마린(coumarin 6), 나일 레드(Nile Red), 방향족 다이아민(aromatic diamine), TPD(N, N'-diphenyl-N, N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TAZ(terbium tris(1-phenyl-3-methyl-4-(tertiarybutyryl)pyrazol-5-one) triphenylphosphine oxide [(tb-PMP)(3)Tb(Ph3PO)]/3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tert- butylphenyl)-1,2,4-triazole) 레이저 염료(dye)인 DCM(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) 또는 전기 물질의 유도체인 발광 단분자 물질; 폴리(메타-메틸아크릴산); 폴리스티렌 또는 폴리(9-비닐카바졸)을 사용함이 바람직하고, 금속전극으로는 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 또는 전기 금속의 합금을 사용함이 바람직하다.
또한, 단일 이온 전도체로는 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드 등의 에테르(ether) 사슬((-CH2-)nO)을 포함하고, 주사슬은 SO3 -, COO-, I-, (NH3)4 +, (-CH2-)nO+등의 이온기를 포함하며, 대이온(counter ion)으로 Na+, Li+, Zn2+, Mg2+, Eu3+, COO-, SO3 -, I-, (NH3)4 +, (-CH2-)nO+등을 사용하여 이온결합을 형성하는 물질을 사용함이 바람직하다.
일반적으로, 전기 단일 이온 전도체는 단일 양이온 전도체(single cationic conductor)(참조: 일반식(I), 일반식(II))와 단일 음이온 전도체(single anionic conductor)(참조: 일반식(III), 일반식(IV))로 분류된다.
상기 식에서,
EO는 에틸렌 옥사이드(ethyleneoxide)이고;
NonEO는 넌 에틸렌 옥사이드(non-ethyleneoxide)이며;
PO는 프로필렌 옥사이드(propyleneoxide)이고;
NonPO는 넌 프로필렌 옥사이드(non-propyleneoxide)이며;
A-는 음이온이고;
C+는 양이온이며;
m+n=1 이고; 및,
n은 0 보다 크고 1 보다 작은 실수이다.
상기 일반식(I)과 일반식(II)에서 보듯이, 단일 양이온 전도체는 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드 등의 에테르 사슬들을 함유하고, 주사슬에 SO3 -, COO-, I-등의 음이온을 함유하며, 대이온(C+)으로 양이온인 Na+, Li+, Zn2+, Mg2+,Eu3+등의 금속이온 또는 (NH3)4 +,(-CH2-)nO+등의 유기이온을 사용하여 이온결합을 형성한다.
상기 식에서,
EO는 에틸렌 옥사이드(ethyleneoxide)이고;
NonEO는 넌 에틸렌 옥사이드(non-ethyleneoxide)이며;
PO는 프로필렌 옥사이드(propyleneoxide)이고;
NonPO는 넌 프로필렌 옥사이드(non-propyleneoxide)이며;
A-는 음이온이고;
C+는 양이온이며;
M+n=1 이고; 및,
n은 0 보다 크고 1 보다 작은 실수이다.
상기 일반식(III)과 일반식(IV)에서 보듯이, 단일 음이온 전도체는 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리프로필렌 옥사이드 등의 에테르 사슬들을 함유하고, 주사슬에 (NH3)4 +, (-CH2-)nO+등의 양이온을 함유하며, 대이온(A-)으로 음이온인 COO-, SO3 -, I-등의 이온을 사용하여 이온결합을 형성한다.
전기 단일 이온 전도체의 에테르 사슬은 대이온을 주사슬에 함유된 이온과 해리시키는 역할을 하여, 이온에게 이동성을 부여한다. 특히, 소자에 정방향(forward bias)으로 전압이 인가될 시에는 정공주입층으로는 단일 음이온 전도체를 사용하고, 전자주입층으로는 단일 양이온 전도체를 사용하거나 또는 소자에 역방향(reverse bias)으로 전압이 인가될 시에는 정공주입층으로는 단일 양이온 전도체를 사용하고 전자주입층으로는 단일 음이온 전도체를 사용할 경우 발광세기와 발광효율을 향상시킬 수 있다. 그러나, 경우에 따라 정공주입층 또는 전자주입층 중의 한가지만을 포함하도록 유기/고분자 전기발광소자를 제조할 수도 있다.
본 발명의 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 일 실시예를 도 1에 도시하였다. 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자는 투명기판(1)위에 양극(2)이 증착된 ITO 기판위에 단일 음이온 전도체를 스핀코팅시킨 정공주입층(3); 정공주입층(3) 위에 발광고분자를 스핀코팅시킨 전기발광층(4); 전기발광층(4) 위에 단일 음이온 전도체를 스핀코팅시킨 전자주입층(5); 및, 전자주입층(5) 위에 금속전극을 열증착 방법으로 증착시킨 금속전극을 포함한다.
이와 같이 단일 이온 전도체를 전기발광 소자에 다중구조로 사용하였을 때, 전도성(conductivity)은 상온에서 1×10-8S/cm이상이고, 전기발광소자의 발광효율은 주로 양자 효율(% photons/electrons)로 표시되는데 주입된 전자당 나온 광자의 수를 % 확률로 나타낸 것이다. 본 발명에 의해 얻어진 전기발광 외부 양자효율(external quantum efficiency= externally emitted photons/injected electrons*100(%))은 0.5 내지 2% photons/electrons이며, 발광을 위한 켜짐전압(turn-on voltage)은 1.8V로 아주 낮게 나타났다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 1: 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 제작
ITO 기판위에 발광물질로 폴리(파라-페닐렌비닐렌)계의 유도체인 MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylene vinylene])을 60nm의 두께로 스핀코팅하고, 그 위에 하기 구조식(I)에 나타난 Na가 대이온으로 이온결합된 단일 양이온 전도체를 15nm의 두께로 스핀코팅한 후, 열증착 방법(thermal evaporation method)으로 100nm 두께의 알루미늄 전극을 증착하여, 유기/고분자 전기발광소자를 제작하였다. 그 후, 정방향의 전기장을 사용하여 발광 세기를 광세기 측정기(optical powermeter, Newport 1830-C)에 연결된 광다이오드(photo diode, Newport 818-UV)를 통하여 측정하고, Keithley 236 Source measurement unit를 사용하여, 전압을 가하면서 전류를 측정하여, 유기/고분자 전기발광소자의 전류밀도(current density)에 따른 전기발광효율(EL efficiency)을 계산하였는데, 이때, 유기/고분자 전기발광소자의 발광을 위한 켜짐전압은 1.8V이었다
[구조식 1]
비교실시예 1: 전자주입층이 없는 유기/고분자 전기발광소자의 제작
단일 양이온 전도체를 스핀코팅하는 공정을 누락시키는 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기/고분자 전기발광소자를 제작하고, 이의 전류밀도에따른 전기발광효율을 계산하였다.
비교실시예 2: 이오노머를 전자주입층으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 제작
단일 양이온 전도체 대신에 공지된 전자 주입물질인 SSPS 이오노머(sodium sulfonated polystyrene)를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기/고분자 전기발광소자를 제작하고, 이의 이의 전류밀도에 따른 전기발광효율을 계산하였으며, 실시예 1 및 비교실시예1의 발광효율과 비교하였다(참조: 도 2). 도 2는 실시예 1, 비교실시예 1 및 비교실시예 2의 유기/고분자 전기발광소자의 전류밀도에 따른 전기발광효율을 비교한 그래프로서, (▲)는 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 사용한 경우를 나타내고, (●)는 이오노머를 전자주입층으로 사용한 경우를 나타내며, (■)는 전자주입층을 사용하지 않은 경우를 나타낸다. 도 2에서 보듯이, 본 발명의 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자의 발광효율은 전자주입층을 사용하지 않은 유기/고분자 전기발광소자의 발광효율 보다 약 600배가 향상됨을 알 수 있고, 이오노머를 전자주입층으로 사용할 때보다도 약 6배가 향상됨을 알 수 있었다. 또한, 전기 자료로서 외부 양자효율을 계산할 경우, 본 발명의 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자의 외부 양자효율은 약 1%(photons/electrons)이고, 이오노머를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자의 외부 양자효율은 약0.2%(photons/electrons)이며, 전자주입층을 사용하지 않은 유기/고분자 전기발광소자의 외부 양자효율은 약 0.004%(photons/electrons)로 계산되어, 본 발명의 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 사용한 유기/고분자 전기발광소자의 발광효율이 우수함을 확인할 수 있었다.
실시예 2: 단일 음이온 전도체를 정공주입층으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 제작
ITO 기판위에 하기 구조식(II)에 나타난 단일 음이온 전도체를 15nm의 두께로 스핀코팅하고, 그 위에 발광물질인 MEH-PPV를 100nm의 두께로 스핀코팅한 후, 열증착 방법으로 100nm 두께의 알루미늄 전극을 증착하여, 유기/고분자 전기발광소자를 제작하고, 정방향의 전기장을 사용하여 유기/고분자 전기발광소자를 구동시켰다. 이때, 유기/고분자 전기발광소자의 발광을 위한 켜짐전압은 1.8V였다.
[구조식 2]
실시예 3: 단일 음이온 전도체를 전자주입층으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 제작
ITO 기판 위에 발광물질인 MEH-PPV을 100nm의 두께로 스핀코팅하고, 그 위에 구조식(II)의 단일 음이온 전도체를 15nm의 두께로 스핀코팅한 후, 열증착 방법으로 100nm 두께의 알루미늄 전극을 증착하여, 유기/고분자 전기발광소자를 제작하고, 역방향의 전기장을 사용하여 유기/고분자 전기발광소자를 구동시켰다. 이때, 유기/고분자 전기발광소자의 발광을 위한 켜짐전압은 1.8V였다.
실시예 4: 단일 음이온 전도체를 정공주입층으로 이용하고, 단일 양이온 전도체를 전자주입층으로 동시에 이용한 유기/고분자 전기발광소자의 제작
구조식(II)의 단일 음이온 전도체를 ITO 기판 위에 15nm의 두께로 스핀코팅하고, 그 위에 발광고분자인 MEH-PPV를 60nm의 두께로 스핀코팅하며, 그 위에 구조식(I)의 단일 양이온 전도체를 15nm의 두께로 스핀코팅한 후, 열증착 방법으로 100nm 두께의 알루미늄 전극을 증착하여, 유기/고분자 전기발광소자를 제작하였다. 그 후, 정방향의 전기장을 사용하여 유기/고분자 전기발광소자를 구동하여 발광효율을 측정하였는데, 이때 유기/고분자 전기발광소자의 발광을 위한 켜짐전압은 1.8V였다.
이상에서 상세히 설명하고 입증하였듯이, 본 발명은 단일 이온 전도체를 전자 또는 정공주입층으로 이용한 유기/고분자 전기발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 단일 이온 전도체를 이용한 유기/고분자 전기발광소자는, 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비된 전자주입층; 및 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 전기발광소자에 있어서, 정공주입층과 전자주입층이 단일 이온 전도체로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 유기/고분자 전기발광소자는 우수한 발광효율을 나타내고, 켜짐전압이 낮으므로, 고효율 유기/고분자 전기 발광 소자의 개발에 널리 활용될 수 있을 것이다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시태양일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (17)
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자에 있어서, 정공주입층과 전자주입층이 단일 이온 전도체로 구성된 것을 특징으로 하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 제 1항에 있어서,투명기판은 유리, 석영(quartz) 또는 PET(polyethylene terephtalate)판인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 1항에 있어서,반투명 전극은 ITO(indium tine oxide), PEDOT(polyethylenedioxythiophene) 또는 폴리아닐린(polyaniline)인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 1항에 있어서,유기 발광물질은 발광형 공액 고분자, 발광형 비공액 고분자,발광 단분자 물질, 폴리(메타-메틸아크릴산), 폴리스티렌 또는폴리(9-비닐카바졸)인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 4항에 있어서,발광형 공액고분자는 폴리(파라-페닐렌비닐렌)계의 유도체, 폴리(티오펜)계의 유도체, 폴리(파라-페닐렌)계의 유도체 또는 폴리(플로렌)계 유도체인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 4항에 있어서,발광형 비공액고분자는 곁사슬(side chain)이 발광 관능기로 치환된고분자인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 4항에 있어서,발광 단분자 물질은 알루미나 퀴논(Alq3), 루브렌 (rubrene),안트라센(anthracene), 페릴렌(perylene), 쿠마린(coumarin 6),나일 레드(Nile Red), 방향족 다이아민(aromatic diamine),TPD(N, N'-diphenyl-N, N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TAZ(terbium tris(1-phenyl-3-methyl-4-(tertiarybutyryl)pyrazol-5-one) triphenylphosphine oxide [(tb-PMP)(3)Tb(Ph3PO)]/3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tert- butylphenyl)-1,2,4-triazole),레이저 염료(dye)인 DCM(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) 또는 전기 물질의 유도체인 것을특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 1항에 있어서,금속 전극은 알루미늄, 마그네슘, 리튬, 칼슘, 구리, 은, 금, 또는전기 금속의 합금인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 1항에 있어서,단일 이온 전도체는 단일 양이온 전도체 또는 단일 음이온 전도체인것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자.
- 제 9항에 있어서,단일 양이온 전도체는 하기 일반식(I) 또는 일반식(II)의 구조를가지고, 폴리에틸렌 옥사이드 또는 폴리프로필렌 옥사이드의에테르 사슬들을 함유하며, 주사슬에 SO3 -, COO-또는 I-의 음이온을함유하고, 대이온(C+)으로 Na+, Li+, Zn2+, Mg2+, Eu3+, (NH3)4 +또는(-CH2-)nO+의 양이온을 사용하여 이온결합을 형성하는 물질인 것을특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자:상기 식에서,EO는 에틸렌 옥사이드(ethyleneoxide)이고;NonEO는 넌 에틸렌 옥사이드(non-ethyleneoxide)이며;PO는 프로필렌 옥사이드(propyleneoxide)이고;NonPO는 넌 프로필렌 옥사이드(non-propyleneoxide)이며;A-는 음이온이고;C+는 양이온이며;M+n=1 이고; 및,n은 0 보다 크고 1 보다 작은 실수이다.
- 제 9항에 있어서,일 음이온 전도체는 하기 일반식(III) 또는 일반식 (IV)의 구조를가지고, 폴리에틸렌 옥사이드 또는 폴리프로필렌 옥사이드의 에테르사슬들을 함유하며, 주사슬에 (NH3)4 +또는 (-CH2-)nO+의 양이온을 함유하고, 대이온(A-)으로 COO-, SO3 -또는 I-의 음이온을 사용하여이온결합을 형성하는 물질인 것을 특징으로 하는유기/고분자 전기발광소자:상기 식에서,EO는 에틸렌 옥사이드(ethyleneoxide)이고;NonEO는 넌 에틸렌 옥사이드(non-ethyleneoxide)이며;PO는 프로필렌 옥사이드(propyleneoxide)이고;NonPO는 넌 프로필렌 옥사이드(non-propyleneoxide)이며;A-는 음이온이고;C+는 양이온이며;M+n=1 이고; 및,n은 0 보다 크고 1 보다 작은 실수이다.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 단일 음이온 전도체로 구성된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비되고, 단일 양이온 전도체로 구성된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속 전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 단일 양이온 전도체로 구성된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비되고, 단일 음이온 전도체로 구성된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 단일 음이온 전도체로 구성된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 및, 전기발광층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 단일 양이온 전도체로 구성된 정공주입층; 정공주입층위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 및, 전기발광층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비되고, 단일 양이온 전도체로 구성된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
- 투명기판; 투명기판위에 증착된 반투명 전극; 반투명 전극위에 구비되고, 유기 발광물질로 구성된 전기발광층; 전기발광층위에 구비되고, 단일 음이온 전도체로 구성된 전자주입층; 및, 전자주입층위에 증착된 금속전극을 포함하는 유기/고분자 전기발광소자.
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