KR20020023141A - 산화막 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 진공으로 유지 가능한 처리 챔버 내에, 표면에 산화막이 형성된 피처리체를 유지시킴과 동시에, 처리 챔버 내에 도입된 에칭 가스에 의한 분위기 중에 플라즈마를 생성시켜, 그 플라즈마 중에 상기 피처리체의 산화막을 에칭하는 방법에 있어서,상기 에칭 가스는 C4F6가스와 O2가스를 포함하고, C4F6가스와 O2가스의 비 C4F6/O2의 값이 0.7 내지 1.5인 것을 특징으로 하는산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 에칭 가스는 상기 C4F6가스와 상기 O2가스 외에 불활성 가스를 더 포함하는산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,에칭시의 상기 처리 챔버 내의 가스 압력을 1.3 내지 26㎩(10 내지 200mTorr) 범위 내에서 설정하는산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,에칭시에 처리 챔버 내에 도입하는 상기 C4F6가스 및 상기 O2가스의 총 유량을 0.01 내지 0.lL/min으로 하는산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 C4F6가스와 상기 O2가스의 잔류 시간이 0.69 내지 26.3msec인산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,에칭시의 플라즈마 밀도가 3×1010/㎤ 이상 2×1011/㎤ 미만인산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,에칭시의 상기 피처리체의 온도가 50℃ 이상인산화막 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마를 생성시키는 기구는 서로 대향하는 한 쌍의 전극간에 고주파 전계를 형성하여 플라즈마를 생성하는 용량 결합형 타입인산화막 에칭 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 플라즈마를 생성하는 기구는 피처리체가 유지되는 한쪽 전극에 플라즈마 생성용의 고주파의 전력이 인가되는 RIE(Reactive Ion Etching) 타입인산화막 에칭 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 플라즈마를 생성하는 기구는 양쪽 상기 전극에 플라즈마 생성용의 다른고주파 전력이 인가되는 타입인산화막 에칭 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 전극간에 전계와 직교하는 자장을 형성하면서 에칭을 실행하는산화막 에칭 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 자장은 복수의 이방성 세그먼트 자석을 상기 처리 챔버 외주에 링 형상으로 배치하고, 상기 각 이방성 세그먼트 자석의 자화의 방향이 상기 전극간에 같은 한 방향 자장이 형성되도록 설정된 다이폴링 자석을 갖는 자장 형성 수단에 의해 형성되는산화막 에칭 방법.
- 제 7 항에 기재된 상기 산화막 에칭 방법에 있어서,레지스트막의 마스크 패턴의 쇼울더 부분에 대한 산화막의 에칭 선택비가 5 이상인산화막 에칭 방법.
- 진공으로 유지 가능한 처리 챔버 내에 서로 대향하는 한 쌍의 전극간에 고주파 전계를 형성하고, 피처리체가 유지되는 한쪽 전극에 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 인가되는 RIE(Reactive Ion Etching) 타입의 기구를 이용하며, 표면에 산화막이 형성된 피처리체를 유지시킴과 동시에, 처리 챔버 내에 도입된 에칭 가스에 의한 대기 중에 플라즈마를 생성시켜, 그 플라즈마 중에서 상기 피처리체의 산화막을 에칭하는 방법에 있어서,그 RIE 에칭에 있어서의 에칭 조건은,C4F6가스 및 O2가스의 합계 유량이 0.01 내지 0.04L/min의 범위 내이고, C4F6가스와 O2가스의 비 C4F6/O2의 값이 1.0 내지 1.5의 범위 내이며, 에칭시의 상기 처리 챔버 내의 가스 압력을 1.3 내지 26㎩(10 내지 200 mTorr)의 범위 내이고,에칭시의 플라즈마 밀도가 3×1010/㎤ 이상 1×1011/㎤ 미만인산화막 에칭 방법.
- 진공으로 유지 가능한 처리 챔버 내에 서로 대향하는 한 쌍의 전극간에 고주파 전계를 형성하고, 양쪽 전극에 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 인가되는 타입의 기구를 이용하며, 표면에 산화막이 형성된 피처리체를 유지시킴과 동시에, 처리 챔버 내에 도입된 에칭 가스에 의한 대기 중에 플라즈마를 생성시켜, 그 플라즈마 중에서 상기 피처리체의 산화막을 에칭하는 방법에 있어서,그 에칭에 있어서의 에칭 조건은,C4F6가스 및 O2가스의 합계 유량이 0.03 내지 0.lL/min의 범위 내이고, C4F6가스와 O2가스의 비 C4F6/O2의 값이 0.7 내지 1.1의 범위 내이며, 에칭시의 상기 처리 챔버 내의 가스 압력을 1.33 내지 9.97㎩(10 내지 75mTorr)의 범위 내이고,에칭시의 플라즈마 밀도가 5×1010/㎤ 이상 2×1011/㎤ 미만인산화막 에칭 방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100734770B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2007-07-04 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리 장치 |
KR100867174B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2008-11-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 장치, 제어프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 |
KR20180103022A (ko) * | 2017-03-08 | 2018-09-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 산화막 제거 방법 및 제거 장치, 그리고 컨택트 형성 방법 및 컨택트 형성 시스템 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4153708B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2008-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
KR100542740B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 가스 플라즈마 생성 방법 및 장치, 플라즈마 생성용 가스조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US20070286964A1 (en) * | 2004-09-16 | 2007-12-13 | Kolektor Group D.O.O. | Method for Improving the Electrical Connection Properties of the Surface of a Product Made From a Polymer-Matrix Composite |
CN102969265A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 浅沟槽隔离结构制造方法 |
US9269544B2 (en) | 2013-02-11 | 2016-02-23 | Colorado State University Research Foundation | System and method for treatment of biofilms |
TWI766014B (zh) * | 2017-05-11 | 2022-06-01 | 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 | 在溝槽的側壁或平坦表面上選擇性地形成氮化矽膜之方法 |
KR102250895B1 (ko) * | 2019-12-23 | 2021-05-12 | 주식회사 현대케피코 | 반도체 소자의 제조방법 |
CN114479776B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-03-26 | 安徽三宝棉纺针织投资有限公司 | 一种具有抗结垢能力的防冻液 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4216922B2 (ja) * | 1998-05-08 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化膜のエッチング方法 |
US4786361A (en) * | 1986-03-05 | 1988-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching process |
US4753709A (en) * | 1987-02-05 | 1988-06-28 | Texas Instuments Incorporated | Method for etching contact vias in a semiconductor device |
US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
US5877032A (en) * | 1995-10-12 | 1999-03-02 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission |
JP3208596B2 (ja) * | 1992-04-01 | 2001-09-17 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
KR100324792B1 (ko) * | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
US5522957A (en) * | 1993-12-22 | 1996-06-04 | Vlsi Technology, Inc. | Method for leak detection in etching chambers |
US5683538A (en) * | 1994-12-23 | 1997-11-04 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
US5534751A (en) * | 1995-07-10 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement |
US5756400A (en) * | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
JPH09191002A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Sony Corp | プラズマエッチング方法 |
TW335517B (en) * | 1996-03-01 | 1998-07-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for processing plasma |
US5970373A (en) * | 1996-05-10 | 1999-10-19 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for preventing oxidation in the formation of a via in an integrated circuit |
JP3283477B2 (ja) * | 1997-10-27 | 2002-05-20 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP3905232B2 (ja) * | 1997-12-27 | 2007-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US6387287B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window |
US6174451B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-01-16 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch process using hexafluorobutadiene and related unsaturated hydrofluorocarbons |
JP2001110784A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および処理方法 |
US6432833B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-08-13 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a self aligned contact opening |
US6478924B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber support having dual electrodes |
US6451703B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas |
EP1263999B1 (en) * | 2000-03-15 | 2005-07-13 | Huntington Alloys Corporation | Corrosion resistant austenitic alloy |
-
2000
- 2000-09-21 JP JP2000287259A patent/JP4566373B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-20 TW TW090123240A patent/TW504771B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2004
- 2004-03-24 US US10/807,119 patent/US20040173573A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100734770B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2007-07-04 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리 장치 |
KR100867174B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2008-11-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 장치, 제어프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 |
KR20180103022A (ko) * | 2017-03-08 | 2018-09-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 산화막 제거 방법 및 제거 장치, 그리고 컨택트 형성 방법 및 컨택트 형성 시스템 |
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