KR20020021978A - 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자 - Google Patents

광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20020021978A
KR20020021978A KR1020010029409A KR20010029409A KR20020021978A KR 20020021978 A KR20020021978 A KR 20020021978A KR 1020010029409 A KR1020010029409 A KR 1020010029409A KR 20010029409 A KR20010029409 A KR 20010029409A KR 20020021978 A KR20020021978 A KR 20020021978A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
composition
acid generator
composition according
component
Prior art date
Application number
KR1020010029409A
Other languages
English (en)
Inventor
유이찌 다께하나
마사시게 다까또리
나쯔끼 야마자끼
요시따까 야마다
Original Assignee
마쯔모또 에이찌
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마쯔모또 에이찌, 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 마쯔모또 에이찌
Publication of KR20020021978A publication Critical patent/KR20020021978A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C09D4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09D159/00 - C09D187/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
    • B05D3/0254—After-treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
    • B05D7/50—Multilayers
    • B05D7/52—Two layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0268—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the fabrication or manufacturing method

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

본 발명은 광 확산 반사판에 사용하기 위한 조면을 가지며, 기판과의 밀착성 및 내열성, 투명성이 우수하고, 반사형 또는 반투과형의 액정 표시 소자의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막을 쉽게 형성할 수 있는 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 우수한 확산 특성을 갖는 광 확산 반사판, 그것을 갖는 우수한 액정 표시 소자가 제공한다.

Description

광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광 확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자 {Film Forming Compositions Used For A Light Scattering Layer For Reflection, The Light Scattering Layer For Reflection, Method For Production Thereof, and The Liquid Crystal Display Element}
본 발명은 액정 디스플레이 등에 사용하는 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 막을 갖는 광 확산 반사판 및 그 광 확산 반사판을 갖는 액정 표시 소자에 관한 것이다.
액정 디스플레이는 균일하고 정면 휘도가 높은 면 조명이 필요하기 때문에 종래부터 백 라이트 유닛을 구비한 것이 주류였다. 그러나, 최근 휴대용 단말기 보급 등의 영향으로 전력 절약이라는 관점에서 반투과형 및 반사형의 액정 디스플레이의 채용이 증가되어 왔다.
반투과형 및 반사형의 액정 디스플레이는 액정 패널 하측에 알루미늄판 등의 반사판을 설치하여 패널 상부로부터의 광을 반사시킴으로써 휘도를 얻고 있다. 그러나, 이 방법에 따르면 반사판이 평면이기 때문에 패널 상부로부터의 입사광의 입사 방향이 비스듬할 경우, 반사광의 방향은 패널 정면 방향에서 벗어나 충분한 정면 휘도를 얻지 못했다.
반투과형 및 반사형 액정 디스플레이에서의 상기와 같은 결점을 개량하기 위해 이른바 광 확산판을 이용하는 기술이 제안되어 있다. 이 방법은 반사판 표면에 미세한 요철 형상을 갖게 함으로써 반사광의 방향을 확산시켜 정면 휘도를 얻는 것이다.
예를 들면, 일본 특허 공개 제(평) 2000-111886호 공보에서는 유리 기판을 화학적으로 에칭함으로써 조면화한 후에 금속막을 형성하고, 반사판 표면에 요철형상을 갖게 하는 기술이 개시되어 있다. 이 방법에 따르면 유리 기판의 뒷면을 에칭액으로부터 보호할 필요가 있기 때문에 공정이 번잡해질 뿐만 아니라 부식성의 에칭액을 사용하기 때문에 장치 및, 공정 상의 비용면에서 문제가 있었다.
또한, 일본 특허 공개 제(평) 2000-193807호 공보에는 불소 화합물과 알콕시실란의 가수 분해물을 함유하는 용액형 조성물을 기판 상에 도포하고, 도포막으로 했을 때의 상분리를 이용하여 요철 형상을 갖는 막을 제조하며, 그 위에 금속막을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 이 방법에서는 요철 형상을 제어하는 것이 곤란하여 효율적인 확산 광을 얻지 못하며, 또한 기판과의 밀착성이 떨어질 뿐만 아니라 투명성이 충분하지 않기 때문에 반투과형 액정 표시 소자에 사용할 수 없었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 광 확산 반사판에 사용하기 위한 조면을 가지며, 기판과의 밀착성, 내열성, 투명성이 우수하고, 반사형 또는 반투과형의 액정 표시 소자의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막을 쉽게 형성할 수 있는 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기한 조성물로부터 형성된 막을 갖는 광 확산 기능이 우수한 광 확산 반사판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 광 확산 반사판을 가지며, 충분한 정면 휘도를 갖는 반투과형 및 반사형의 액정 표시 소자를 제공하는 것이다.
도 1은 액정 표시 소자의 구조를 나타낸 개략도.
도 2는 액정 표시 소자의 구조를 나타낸 개략도.
도 3은 액정 표시 소자의 구조를 나타낸 개략도.
도 4는 액정 표시 소자의 구조를 나타낸 개략도.
도 5는 30°입사시의 산란 특성을 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막
3; 금속층 23: 광 확산 반사판
4: 컬러 필터층 5: 전극
6: 액정층 7: 대향 전극
8: 대향 기판
본 발명에 따르면, 상기 과제는 하기 중 어느 하나에 의해 달성된다.
[1] [A] (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, (a3) 상기 단량체 (a1) 및 (a2) 이외의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체 및 [B] 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물;
[2] 상기 [1]에 있어서, [B] 입자가 무기 산화물 입자, 유기 입자 또는 광물 입자인 것을 특징으로 하는 조성물;
[3] 상기 [1]에 있어서, 다관능 단량체 [C] 및 중합 개시제 [D]를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물;
[4] 상기 [3]에 있어서, 중합 개시제 [D]가 감방사선성 라디칼 중합 개시제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[5] 상기 [3]에 있어서, 중합 개시제 [D]가 감열 라디칼 중합 개시제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[6] 상기 [1]에 있어서, [A] 성분 이외의 에폭시 화합물 [E] 및 산발생제 [F]를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물;
[7] 상기 [6]에 있어서, 산발생제 [F]가 감방사선성 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[8] 상기 [6]에 있어서, 산발생제 [F]가 감열 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[9] 상기 [1]에 있어서, 산발생제 [F]를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물;
[10] 상기 [9]에 있어서, 산발생제 [F]가 감방사선성 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[11] 상기 [9]에 있어서, 산발생제 [F]가 감열 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물;
[12] 하기의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판의 제조 방법;
(1) 기체 표면에 [4], [7] 및 [10] 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 도포막을 형성하는 공정,
(2) 상기 도포막 표면의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 상기에서 형성된 막 표면에 금속막을 형성하는 공정;
[13] 하기의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판의 제조 방법;
(1) 기체 표면에 [5], [8] 및 [11] 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 도포막을 형성하는 공정;
(2) 상기 도포막을 가열하는 공정,
(3) 상기에서 형성된 막 표면에 금속막을 형성하는 공정;
[14] [1]에 기재된 조성물로부터 형성된 막을 갖는 광 확산 반사판;
[15] [14]에 기재된 광 확산 반사판을 갖는 액정 표시 소자.
또한, 본 발명에 있어서 "방사선"이란 자외선, 원자외선, X선, 전자선, 분자선, γ선, 싱크로트론 방사선, 프로톤 빔선 등을 포함하는 개념으로 사용된다.
이하, 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물에 대하여 상술한다.
본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물은,
[A] (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, (a3) 상기 단량체 (a1) 및 (a2) 이외의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체 및
[B] 광 산란성 물질을 함유하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물의 각 성분에 대하여 설명한다.
공중합체 [A]
공중합체 [A]는 화합물 (a1), (a2) 및 (a3)을 공중합함으로써 얻을 수 있다.
상기 화합물 (a1)로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 불포화 모노카르복실산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카르복실산; 및 이들 불포화 디카르복실산의 무수물을 들 수 있다. 이들 중 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 무수물 등이 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성 등의 점에서 바람직하게 사용된다. 이들 (a1) 성분은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
공중합체 [A]는 화합물 (a1)로부터 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 특히 바람직하게는 5 내지 40 중량% 함유한다. 이 범위의 사용으로 공중합체 [A]는 밀착성, 도포성 및 내열성에 있어서 최적의 성능을 나타내게 된다.
상기 화합물 (a2)로서는,
(메트)아크릴산 글리시딜, (메트)아크릴산 2-메틸글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜 등의 (메트)아크릴산 글리시딜에스테르 및 그의 유도체류;
(메트)아크릴산-3,4-에폭시부틸, (메트)아크릴산-4,5-에폭시펜틸, (메트)아크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸 등의 불포화 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
이들 중 (메트)아크릴산 글리시딜, (메트)아크릴산 2-메틸글리시딜이 공중합 반응성, 평탄화성 등의 면에서 바람직하게 사용된다. 이들 (a2) 성분은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
공중합체 [A]는 화합물 (a2)로부터 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 5 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 7 내지 70 중량% 함유한다. 이 범위의 사용으로 공중합체 [A]는 내열성 및 밀착성에 있어서 최적의 성능을 나타낸다.
상기 화합물(a3)으로서는 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 부틸, (메트)아크릴산-2-에틸헥실, (메트)아크릴산 페닐, (메트)아크릴산 시클로헥실, (메트)아크릴산 트리시클로[5.2.1.O2,6]데칸-8-일 (해당 기술 분야에서 (메트)아크릴산 디시클로펜타닐이라는 관용명으로 통용됨), (메트)아크릴산 디시클로펜타닐옥시에틸, (메트)아크릴산 이소보로닐 등의 (메트)아크릴산 에스테르류;
스티렌, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐나프탈렌 등의 비닐 방향족계 화합물;
인덴, 1-메틸인덴 등의 인덴 유도체;
페닐말레이미드, 벤질말레이미드, 시클로헥실말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부틸레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리딜)말레이미드 등의 디카르보닐이미드 유도체;
부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류 등을 들 수 있다.
이들 중 (메트)아크릴산 에스테르류, 디카르보닐이미드 유도체 등이 밀착성, 평탄화성 등의 점에서 바람직하게 사용된다. 이들 (a3) 성분은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
공중합체 [A]는 화합물 (a3)으로부터 유도되는 구성 단위를 바람직하게는 1 내지 40 중량%, 특히 바람직하게는 2 내지 35 중량% 함유한다. 이 범위의 사용으로 공중합체 [A]는 밀착성, 내열성 등에 있어서 최적의 성능을 나타낸다.
공중합체 [A]의 바람직한 예로서는,
(메트)아크릴산/(메트)아크릴산 글리시딜/스티렌/페닐말레이미드 공중합체,
(메트)아크릴산/(메트)아크릴산 글리시딜/스티렌/시클로헥실말레이미드 공중 합체,
(메트)아크릴산/(메트)아크릴산 글리시딜/스티렌/(메트)아크릴산 트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일 공중합체,
(메트)아크릴산/(메트)아크릴산 글리시딜/스티렌/부타디엔 공중합체,
(메트)아크릴산/(메트)아크릴산 2-메틸글리시딜/스티렌/페닐말레이미드 공중 합체 등을 들 수 있다.
공중합체 [A]의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw)은 통상 3,000 내지 300,000, 바람직하게는 3,000 내지 100,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 50,000 의 범위이다.
공중합체 [A]에 이 범위의 Mw를 채용함으로써 투명성, 보존 안정성, 밀착성 등의 여러 성능이 우수한 균형적인 막을 제공할 수 있으며, 동시에 보존 안정성이 우수한 조성물을 얻을 수 있다.
[B] 입자
[B] 입자는 광 확산 반사판에 사용하는 막으로서 적당한 조면을 형성하게 하는 작용을 가진 물질이다.
[B] 입자로서는, 예를 들면
실리카, 티타니아, 알루미나 등의 무기 산화물 입자;
폴리메타크릴산 메틸, 폴리메타크릴산 부틸, 폴리스티렌, 벤조구아나민, 스티렌/디비닐벤젠 공중합체, 셀룰로오스 등의 유기 입자;
운모 등의 광물류;
알루미늄, 주석, 금 등의 금속분 등을 들 수 있다.
[B] 입자의 형상은 조면을 형성할 수 있는 것이면 어떠한 것이든 사용할 수 있지만, 구형 및 대략 구형이 바람직하다. 입경으로서는 1 내지 20 ㎛가 바람직하고, 1 내지 1O ㎛가 특히 바람직하다. 이러한 형상, 크기의 입자를 사용함으로써 패널 정면 휘도를 유효하게 향상시킬 수 있다.
목적으로 하는 액정 표시 소자가 반사형인 경우에는, 상기한 바와 같은 효율적인 조면을 형성할 수 있는 입자 형상을 선택하는 관점에서 [B] 입자로서는 금속 산화물 입자, 유기 입자, 광물 입자가 바람직하게 사용된다.
또한, 목적으로 하는 액정 표시 소자가 반투과형인 경우에는, 조면에 의한 광 확산 기능에 추가로 입자 자체에 산란 기능을 갖게 함으로써 보다 효율적으로 입사광을 이용할 수 있게 된다. 이 관점에서는 투명성이 높고, 굴절율이 [A] 성분과 크게 다르며 광 산란 효과가 큰 점에서 금속 산화물 입자가 바람직하고, 실리카가 특히 바람직하게 사용된다.
이러한 [B] 입자의 시판품으로서는, 실리카 등의 무기 산화물 입자로서는 니프실 SS-10, SS-15, SS-10A, SS-20, SS-30, SS-30P, SS-30A, SS-40, SS-50, SS-70, SS-72F, SS-115, SS-170X, E-75, E-150, E-200A, E-220A, K-300 (이상, 닛본 실리카 고교(주) 제조), 사이실리아 250, 250N, 256, 256N, 310, 320, 350, 358, 430, 431, 440, 450, 470, 435, 445, 436, 446, 456, 530, 540, 550, 730, 740, 770 ( 이상, 후지 실리시아 가가꾸(주) 제조), 미크로펄 (세끼스이 가가꾸(주) 제조), 토스펄 105, 120, 130, 145, 3120, 240 (이상, 도시바 실리콘(주) 제조), AEROSIL 130, 200, 200V, 200CF, 200FAD, 300, 300CF, 380, R972, R974, RX200, RY200,R202, R805, R812, OX50, TT600, MOX170, COK84 (이상, 닛본 아에로질(주) 제조);
유기 입자로서는 에포컬러, EP 시리즈, MA 시리즈, 에포스타 L15, MS, M30, S12, S6, S, 에포스타 MA1001, 1002, 1004, 1006, 1010, 1013, 에포스타 GP-H 시리즈, 시포스타 KE-E 시리즈, KE-P (이상, 닛본 쇼꾸바이(주) 제조), 테크폴리머 MB 시리즈, EMA 시리즈, MBX 시리즈, SBX 시리즈, BMX 시리즈, MBP 시리즈, SBP 시리즈 (이상, 세끼스이 가세이힝 고교(주) 제조), MP 시리즈, MR 시리즈, SGP 시리즈 (이상, 소껭 가가꾸(주) 제조), PB 시리즈 (이상, 가오(주) 제조), 미크로펄 시리즈 (이상, 세끼스이 파인 케미컬(주) 제조), 셀플로우 시리즈 (이상, 칫소(주) 제조);
운모 등의 광물류로서는 천연 운모 및 합성 운모 펄 안료, 알테미카 SA-100, SB-100, YB-100, BB-100 (이상, 닛본 고껭 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
[B] 입자의 첨가량은 공중합체 [A] 100 중량부 당, 통상 60 중량부 초과 300 중량부 이하이며, 바람직하게는 80 중량부 초과 200 중량부 이하이다. 이 범위의 사용으로 광 확산 반사에 효율적인 조면을 형성할 수 있다.
또한, [B] 입자를 공중합체 [A] 중에 유효하게 분산시키기 위해 분산제를 병용할 수 있다. 이러한 분산제로서는 실란 커플링제, 우레탄계 분산제, 폴리에틸렌이민계 분산제, 폴리옥시에틸렌의 에테르류, 폴리에틸렌글리콜의 에스테르류 등을 들 수 있는데, 이 중에서도 실란 커플링제, 우레탄계 분산제가 바람직하게 사용된다.
상기 실란 커플링제로서는, 예를 들면 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제를 들 수 있으며, 구체적으로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리스(2-메톡시에톡시)실란, N-(2-아미노에틸) 3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸) 3-아미노프로필메틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필메틸디메톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
우레탄계 분산제로서는 방향족 디이소시아네이토류와 편말단에 수산기를 갖는 폴리락톤류 및(또는) 양말단에 수산기를 갖는 폴리락톤류와의 반응 생성물이 바람직하며, 특히 톨릴렌디이소시아네이토와 편말단에 수산기를 갖는 폴리카프로락톤 및(또는) 양말단에 수산기를 갖는 폴리카프로락톤과의 반응 생성물이 바람직하다. 이들 우레탄계 분산제의 구체예로서는 상품명으로 EFKA (에프카 케미컬즈 비 브이 (EFKA)사 제조), Disperbyk (빅 케미(BYK)사 제조), 디스패론 (구스모또 가세이(주) 제조) 등을 들 수 있다.
상기 분산제를 사용하는 경우의 사용량은 [B] 입자 100 중량부에 대하여 통상 100 중량부 이하, 바람직하게는 0.01 내지 70 중량부이다.
이 범위의 사용량에서 [B] 입자를 [A] 성분 중에 유효하게 분산시키며, 나아가 형성 후의 광 확산 반사판에 사용하는 막의 밀착성, 내열성 등의 여러 물성을 손상시키지 않는다.
본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물 중에는 [A] 성분 및 [B] 성분 외에 추가로 [C] 다관능 단량체 및 [D] 중합 개시제를 함유시킬 수 있다. 이러한 조성물을 사용함으로써 후술하는 막 형성 공정에 있어서 다관능 단량체의 라디칼에 의한 경화 반응을 이용하는 방법에 적합한 조성물로 할 수 있다.
이하, [C] 성분과 [D] 성분에 대하여 상술한다.
상기 [C] 성분인 다관능성 단량체는, 중합 가능한 에틸렌성 불포화 결합을 2개 이상 가지며 후술하는 [D] 중합 개시제에 방사선 조사 및(또는) 가열했을 때 발생하는 라디칼종에 의해 중합할 수 있는 단량체로 이루어진다.
본 발명에서 사용되는 [C] 다관능성 단량체로서는 2관능 또는 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트가 바람직하게 사용되며, 그 중 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.
상기 2관능 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀에탄올플루오렌 디아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 시판품으로서는 예를 들면 알로닉스 M-210, M-240, M-6200 (이상, 도아 고세(주) 제조), KAYARAD HDDA, HX-220, R-604 (이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 260, 312, 335HP ( 이상, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
상기 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 트리((메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 시판품으로서는, 예를 들면 알로닉스 M-309, M-400, M-402, M-405, M-450, M-7100, M-8030, M-8060, M-1310, TO-1450, M-1600, M-1960, M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, TO-1450 (이상, 도아 고세(주) 제조), KAYARAD TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120, MAX-3510 (이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), 비스코트 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400 (이상, 오사까 유끼 가가꾸 고교(주) 제조) 등을 들 수 있다.
이들 2관능 또는 3관능 이상의 (메트)아크릴레이트는 단독으로 또는 조합하여 사용할 수 있다.
[C] 성분의 사용량은 [A] 성분 100 중량부 당, 통상 10 내지 200 중량부, 바람직하게는 20 내지 150 중량부이다. 이 범위의 사용량에서 고내열성, 밀착성 및 내약품성이 우수한 막을 제공한다.
본 발명에서 사용되는 [D] 성분은 열에 의해 라디칼을 발생하며 상기 [C] 성분의 중합을 개시하는 능력을 갖는 감열 라디칼 중합 개시제, 또는 방사선에 의해 라디칼을 발생하며 상기 [C] 성분의 중합을 개시하는 능력을 갖는 감방사선성 라디칼 중합 개시제이다.
이러한 화합물 중, 감열 라디칼 중합 개시제로서는 예를 들면 비이미다졸계화합물, 벤조인계 화합물, 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, α-디케톤계 화합물, 다핵 퀴논계 화합물, 크산톤계 화합물, 아조계 화합물 등을 들 수 있는데, 이들 중에서도 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, 아세토페논계 화합물, 아조계 화합물이 바람직하다.
상기 비이미다졸 화합물로서는
2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2' -비이미다졸,
2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2' -비이미다졸,
2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2-브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4-디브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4,6-트리브로모페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다.
이들 비이미다졸계 화합물 중, 바람직한 화합물은
2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸,
2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이며, 특히 바람직한 화합물은
2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이다.
또한, 상기 트리아진계 화합물의 구체예로서는,
2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진,
2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로메틸기를 갖는 트리아진계 화합물을 들 수 있다.
이들 트리아진계 화합물 중,
2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진이 바람직하다.
이들 트리아진계 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아세토페논계 화합물의 구체예로서는,
2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온,
2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로파논-1,
2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1,
1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤,
2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등을 들 수 있다.
이들 아세토페논계 화합물 중, 특히 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부타논-1이 바람직하다.
상기 아세토페논계 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 아조계 화합물의 구체예로서는 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 4,4'-아조비스(4-시아노발레르산), 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄) 등을 들 수 있다.
이들 아조계 화합물 중, 특히 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) , 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기와 같이 감열 라디칼 중합 개시제의 사용량은 [C] 다관능성 단량체 100 중량부에 대하여 통상 0.01 내지 40 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 30 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다.
또한 [D] 중합 개시제 중, 감방사선성 라디칼 중합 개시제로서는 예를 들면 벤질, 디아세틸 등의 α-디케톤류; 벤조인 등의 아실로인류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 아실로인에테르류; 티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 티오크산톤-4-술폰산, 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 등의 벤조페논류; 아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, α,α'-디메톡시아세톡시벤조페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논, p-메톡시아세토페논, 2-메틸[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 아세토페논류; 안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논 등의 퀴논류; 페나실클로라이드, 트리브로모메틸페닐술폰, 트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등의 할로겐 화합물; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드; 및 디-t-부틸퍼옥시드 등의 과산화물을 들 수 있다.
이들 감방사선 라디칼 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 IRGACURE-184, 369, 500, 651, 907, 1700, 819, 124, 1000, 2959, 149, 1800, 1850, Darocur-1173, 1116, 2959, 1664, 4043 (이상, 시바·스페셜티·케미컬즈사 제조), KAYACURE-DETX, MBP, DMBI, EPA, OA (이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), LUCIRIN TPO (BASF Co.LTD 제조), VICURE-10, 55 (이상, STAUFFER Co. LTD 제조), TRIGONALP1 (AKZO Co. LTD 제조), SANDORAY 1000 (SANDOZ Co. LTD 제조), DEAP (APJOHN Co.LTD 제조), QUANTACURE-PDO, ITX, EPD (이상, WARD BLEKINSOP Co. LTD 제조) 등을 들 수 있다.
또한, 이들 감방사선성 라디칼 중합 개시제와 감방사선성 증감제를 병용함으로써 산소에 의한 불활성화가 적은 고감도의 감방사선성 조성물을 얻을 수도 있다.
감방사선성 라디칼 중합 개시제의 사용량은, [C] 다관능성 단량체 100 중량부에 대하여 통상 0.01 내지 60 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 1 내지 40 중량부이다.
본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물은, 상기 [A] 성분 및 [B] 성분 외에 추가로 [A] 성분 이외의 에폭시 화합물 [E] 및 산발생제 [F]를 함유할 수 있다.
또한, 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물은, 상기 [A] 성분 및 [B] 성분 외에 산발생제 [F]를 더 함유할 수 있다.
이러한 조성물로 함으로써 후술하는 막 형성 공정에 있어서 에폭시 화합물의 반응을 이용하는 방법에 적합한 조성물로 할 수 있다.
이하에 본 발명에서 사용할 수 있는 [E] 성분 및 [F] 성분에 대하여 상술한다.
[E] [A] 성분 이외의 에폭시 화합물은 [A] 성분 중의 카르복실기 및(또는) 후술하는 [F] 산발생제로부터 발생하는 산에 의해 중합 또는 가교 반응을 일으키고, 조성물 도포막의 경화 반응을 행하는 작용을 갖는 성분이다.
상기 [E] 성분의 에폭시 화합물로서는,
비스페놀 A계 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 A계 에폭시 수지, 비스페놀 F계 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 F계 에폭시 수지, 비스페놀 S계 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 S계 에폭시 수지, 비스페놀 AD계 에폭시 수지, 수소화 비스페놀 AD계 에폭시 수지, 비블록형 에폭시 수지, 환식 지방족계 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르계 수지, 글리시딜아민계 수지, 에폭시화 오일, 에폭시비블록 수지 등의 에폭시 수지 및 그의 브롬화물;
비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 비스페놀 AD 디글리시딜에테르, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소화 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소화 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 수소화 비스페놀 AD 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 브롬화 비스페놀 AD 디글리시딜에테르 등의 방향족계 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.
이들 에폭시 화합물 중, 경화 후의 막 경도가 높고 다른 막 물성에 대한 악영향이 적은 점에서 에폭시 수지가 바람직하며, 특히 비스페놀 A계 에폭시 수지, 비블록형 에폭시 수지, 환식 지방족계 에폭시 수지 등의 에폭시기를 2 내지 100개 갖는 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다.
이들 에폭시 수지의 시판품으로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지로서 에피코트 828, 834, 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, 157SS65, 1032H60 (이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등을, 비스페놀 F형 에폭시 수지로서 에피코트 806, 806L, 807 (이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조), 비블록형 에폭시 수지로서 에피코트152, 154 (이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조), EPPN201, 202 (이상, 닛본 가야꾸(주) 제조), EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025, EOCN-1027 (이상, 닛본 가야꾸 (주) 제조), 에피코트 180S75 (유까 쉘 에폭시(주) 제조) 등을, 다관능 에폭시 수지로서 에피코트 1032H60 (유까 쉘 에폭시(주) 제조), 환식 지방족 에폭시 수지로서 CY175, CY177, CY179 (이상, CIBA-GEIGY A.G 제조), ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206 (이상, U.C.C.사 제조), 쇼다인 509 (쇼와덴꼬(주) 제조), 아랄다이트 CY-182, CY-192, CY-184 (이상, CIBA-GEIGY A.G 제조), 에피크론 200, 400 (이상, 다이닛본 잉크 고교(주) 제조), 에피코트 871, 872 (이상, 유까 쉘 에폭시(주) 제조), ED-5661, ED-5662 (이상, 세라니즈 코팅(주) 제조) 등을 들 수 있다.
[E] 성분의 첨가량은 [A] 성분 100 중량부 당, 통상 1 내지 250 중량부이고, 바람직하게는 3 내지 200 중량부이다. 이 범위의 사용량으로 밀착성, 도포성 및 내열성이 우수한 광 확산 반사판에 사용하는 막을 얻을 수 있다.
또한, 공중합체 [A]도 "에폭시 화합물"이라고 할 수 있지만, 공중합체 [A]는 분자 내에 카르복실기를 동시에 함유하고 있는 점에서 [E] 성분과는 상이하다.
상기 [F] 성분은 방사선 조사 또는 열에 의해 산을 발생하는 감방사선성 산발생제 또는 감열 산발생제이며, 상기 [A] 성분 및(또는) [E] 성분의 가교·경화 반응을 행하는 화합물이다. 감방사선성 산발생제로서는 디아릴요오드늄염류, 트리아릴술포늄염류 등을 들 수 있으며, 이들을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 감열 산발생제로서는 술포늄염 (상술한 트리아릴술포늄염을 제외), 벤조티아조늄염,암모늄염, 포스포늄염 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 술포늄염 (상술한 트리아릴술포늄염을 제외), 벤조티아조늄염류 등이 바람직하게 사용된다.
상기 디아릴요오드늄염류로서는, 예를 들면 디페닐요오드늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄 헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오드늄 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오드늄 트리플루오로메탄술포네이토, 디페닐요오드늄 트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이토, 4-메톡시페닐페닐요오드늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄 트리플루오로메탄술포네이토, 4-메톡시페닐페닐요오드늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이토, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 트리플루오로메탄술포네이토, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄 트리플루오로아세테이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄-p-톨루엔술포네이토 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 디페닐요오드늄 헥사플루오로포스포네이트가 바람직하게 사용된다.
상기 트리아릴술포늄염류로서는, 예를 들면 트리페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이토, 트리페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이토, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이토, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄-p-톨루엔술포네이토, 4-페닐티오페닐디페닐 테트라플루오로보레이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로포스포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로아르세네이트, 4-페닐티오페닐 디페닐트리플루오로메탄술포네이토, 4-페닐티오페닐 디페닐트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐-p-톨루엔술포네이토 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄술포네이토가 바람직하게 사용된다.
상기 술포늄염 (상기한 트리아릴술포늄염을 제외)의 구체예로서는, 4-아세토페닐디메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-4-(벤질옥시카르보닐옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디메틸-4-(벤조일옥시)페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디메틸-3-클로로-4-아세톡시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트 등의 알킬술포늄염;
벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-2-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트 등의 벤질술포늄염;
디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트, 4-아세톡시페닐디벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-메톡시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-3-클로로-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 디벤질-3-메틸-4-히드록시-5-tert-부틸페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 벤질-4-메톡시벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로포스페이트 등의 디벤질술포늄염;
p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-니트로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, p-클로로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로포스페이트, p-니트로벤질-3-메틸-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 3,5-디클롤로벤질-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, o-클로로벤질-3-클로로-4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트 등의 치환 벤질술포늄염 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 4-아세톡시페닐디메틸술포늄 헥사플루오로아르세네이트, 벤질 -4-히드록시페닐메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질메틸술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 디벤질-4-히드록시페닐술포늄 헥사플루오로안티모네이트, 4-아세톡시페닐벤질술포늄 헥사플루오로안티모네이트 등이 바람직하게 사용된다.
상기 벤조티아조늄염류로서는 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로포스페이트, 3-벤질벤조티아조늄 테트라플루오로보레이트, 3-(p-메톡시벤질)벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-2-메틸티오벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트, 3-벤질-5-클로로벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트 등의 벤질벤조티아조늄염을 들 수 있다.
이들 중 3-벤질벤조티아조늄 헥사플루오로안티모네이트 등이 바람직하게 사용된다.
이들 [F] 성분의 사용량은 조성물이 [E] 성분을 함유하지 않는 경우에는 [A] 성분 100 중량부 당, 통상 0.05 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이고, 조성물이 [E] 성분을 함유하는 경우에는 [A] 성분과 [E] 성분의 합계 100 중량부 당, 통상 0.05 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량부이다.
이 범위의 사용에서 양호한 경화 특성을 얻을 수 있으며, 경화 후 막의 여러 물성을 손상시키지 않는다.
그 밖의 첨가제
본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물 중에는 필요에 따라 상기 이외의 첨가제를 함유시킬 수 있다.
예를 들면, 조성물의 도포성 등을 개선하기 위해 계면 활성제를 배합할 수도 있다. 계면 활성제로서는 예를 들면 불소계 계면 활성제 및 실리콘계 계면 활성제를 바람직하게 사용할 수 있다.
불소계 계면 활성제로서는 1개 이상의 플루오로알킬 또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물을 사용할 수 있으며, 그 구체예로서는 1,2,2,2-테트라플루오로옥틸 (1,1,2,2-테트라플루오로프로필)에테르, 1,2,2,2-테트라플루오로헥실에테르, 옥타에틸렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사에틸렌글리콜 디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜 디(1,1,2,2-테트라플루오로부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜 디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로펜틸)에테르, 퍼플루오로도데실술폰산 나트륨, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로도데칸, 1,1,2,2,3, 3-헥사플루오로데칸 등을 들 수 있다.
그 외에도 플루오로알킬벤젠술폰산 나트륨류, 플루오로알킬옥시에틸렌에테르류, 디글리세린테트라키스 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르류, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올류, 퍼플루오로알킬알콕실레이트류, 불소계 알킬에스테르류도 바람직하게 사용할 수 있다.
이들 불소계 계면 활성제의 시판품으로서는 BM-1000, BM-1100 (이상, BM Chemie사 제조), 에프톱 EF301, 303, 352 (이상, 신아끼다 가세이(주) 제조), 메가팩 F142D, F171, 172, 173, F183, F178, F191, F471 (이상, 다이닛본 잉크(주) 제조), 플로우라이드 FC430, 431, 170C, FC171, FC430, FC431 (이상, 스미또모 스리엠(주) 제조), 아사히가드 AG710, 서프론 S-382, SC-101, 102, 103, 104, 105, 106 (이상, 아사히 가라스(주) 제조) 등을 들 수 있다.
또한, 실리콘계 계면 활성제로서는 오르가노실록산 중합체 KP341 (신에쯔 가가꾸 고교(주) 제조), 아크릴산계 또는 메타크릴산계 (공)중합체 폴리플로우 No. 57, 95 (이상, 교에 유시 가가꾸 고교(주) 제조), 도레이 실리콘 DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, FS-1265-300 (이상, 도레이 실리콘(주) 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452 (이상, 도시바 실리콘(주) 제조) 등의 시판품을 들 수 있다.
또한, 상기한 불소계 계면 활성제 및 실리콘계 계면 활성제 외에 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 폴리에틸렌글리콜디라우레이트, 폴리에틸렌글리콜디스테아레이트 등의 폴리에틸렌글리콜디알킬에스테르류 등도 바람직하게 사용할 수 있다.
이들 계면 활성제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 계면 활성제의 사용 비율은 그 종류 및 경화제 조성물을 구성하는 각 성분의 종류 및 비율에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 성분 [A] 100 부에 대하여 0 내지 10 중량부, 보다 바람직하게는 0.0001 내지 5 중량부의 범위에서 사용된다.
또한, 본 발명의 조성물에는 기판 또는 하층과의 밀착성을 개량하기 위한 접착 조제를 배합할 수도 있다. 또한, 본 발명의 조성물에는 필요에 따라 보존 안정제, 소포제 등도 배합할 수 있다.
용제
본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물은 고형분 농도가 바람직하게는 10 내지 50 중량%가 되도록 용매에 균일하게 분산한 상태로 제조된다.
이 때 사용되는 용제로서는 디아세톤알콜, 프로필렌글리콜 등의 알콜류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 글리콜에테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 디에틸렌글리콜알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류, 2-히드록시프로피온산 메틸, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 옥시아세트산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산 메틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부틸레이트, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시프로피온산 부틸 등의 에스테르류를 사용할 수 있다. 이들 용제는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 필요에 따라 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 아세토닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알콜, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 고비점 용제를 첨가할 수도 있다.
광 확산 반사판의 형성 방법
이어서, 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물을 이용하여 본 발명의 광 확산 반사판을 형성하는 방법에 대하여 상술한다.
기판 상에 본 발명의 조성물로부터 조면을 갖는 막을 형성하고, 그 위에 금속 증착을 행함으로써 본 발명의 광 확산 반사판이 된다.
본 발명의 광 확산 반사판을 형성하기 위해서는, 우선 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하는 막 형성용 조성물을 기체 표면에 도포하고, 예비 소성을 행함으로써 용제를 제거하여 경화성 조성물의 도포막을 형성한다.
도포 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다.
예비 소성의 조건은 조성물 용액의 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 60 내지 120 ℃에서 30 초 내지 20 분간 정도이다.
도포막의 두께로서는 용매 제거 후의 막 두께로서 바람직하게는 1 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 1 내지 1O ㎛이다.
여기에서 막 형성용 조성물이 [D] 성분으로서 감방사선성 라디칼 중합 개시제를 함유하는 경우, 또는 [F] 성분으로서 감방사선성 산발생제를 함유하는 경우에는 그 후 방사선을 조사함으로써 도포막 표면을 경화시킨다.
이 때 조사하는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 전자선, 분자선, γ선, 싱크로트론 방사선, 프로톤 빔선 등을 사용할 수 있다.
방사선 조사시, 소정의 패턴 마스크를 통해 방사선을 조사하고 이어서 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거할 수도 있다.
현상액으로서는 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메트규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 2급 아민류; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, N-메틸피롤리돈 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜아민류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린 등의 4급 암모늄염; 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노난 등의 환상 아민류의 알칼리류로 이루어지는 알칼리 수용액을 사용할 수 있다.
또한 상기 알칼리 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매, 계면 활성제 등을 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.
현상 시간은 바람직하게는 30 내지 180 초이다. 또한, 현상 방법은 액 담굼법, 침지법 등 중 어느 하나일 수 있다. 현상 후, 유수 세정을 30 내지 90 초간 행하고, 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써 기판 상의 수분을 제거하여 패턴형 피막이 형성된다.
그 후, 바람직하게는 본 소성을 행함으로써 광 확산 반사판에 사용하는 조면을 가진 막이 형성되는데, 이 때의 본 소성의 조건은 통상 150 내지 250 ℃에서 30 분 내지 2 시간 정도가 채용된다.
이어서, 금속 증착 등의 방법에 의해 조면 표면에 금속막을 형성함으로써, 본 발명의 광 확산 반사판으로 할 수 있다. 이 때 사용하는 금속으로서는 특히 한정되지 않지만, 가시광 영역에서 높은 반사율을 갖는 금속이 바람직하게 사용된다.이 관점에서 알루미늄, 은 및 이들 중 1종 이상을 함유하는 합금이 바람직하다.
또한, 여기에서 막 형성용 조성물이 [D] 성분으로서 감열성 라디칼 중합 개시제를 함유하는 경우, 또는 [F] 성분으로서 감열성 산발생제를 함유하는 경우에는 상기한 예비 소성 후, 방사선 조사 공정을 행하지 않고 본 소성을 행하며, 그 후 금속 증착 공정을 실시함으로써 본 발명의 광 확산 반사판으로 할 수 있다.
이 때 각각의 예비 소성 및 본 소성은 1 단계로 또는 2 단계 이상의 공정의 조합으로서 행할 수 있다.
이어서, 본 발명의 액정 표시 소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 액정 표시 소자는 상기한 바와 같이 하여 형성한 광 확산 반사판을 갖는다.
액정 소자의 구조로서는 적절한 구조가 가능한데, 예를 들면 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 기판(1) 상에 본 발명의 광 확산 반사판(23)과 컬러 필터층(4)를 형성하고, 액정층(6)을 통해 대향 전극(7)과 대향 기판(8)을 갖는 구조를 들 수 있다. 이 경우, 도 1과 같이 광 확산 반사판(23)을 구성하는 금속층 (3)에 전극 기능을 갖게 할 수도 있고, 도 2와 같이 컬러 필터층(4) 상에 전극 (5)를 형성할 수도 있다. 또한, 필요에 따라 컬러 필터층(4) 상에 보호막을 형성할 수도 있다.
다른 구조예로서는 도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이 기판(1) 상에 본 발명의 광 확산 반사판(23)을 형성하고, 액정층(5)를 통해 컬러 필터층(4), 대향 전극(7) 및 대향 기판(8)을 갖는 구조를 들 수 있다. 이 경우, 도 3와 같이 컬러 필터(4)의 윗쪽에 대향 전극(7)을 갖는 구조일 수도 있고, 도 4와 같이 컬러필터(4)의 아래쪽에 대향 전극(7)을 갖는 구조일 수도 있다. 또한, 필요에 따라 컬러 필터층(4)의 아래쪽에 보호막을 형성할 수도 있다. 도 3 및 도 4의 구조에서는 광 확산 반사판(23)을 구성하는 금속층(3)이 전극 기능을 담당한다.
또한, 본 발명의 광 확산 반사판에 사용하는 막을 형성하기 위한 조성물은, 이하의 실시예로부터 명확한 바와 같이 광 확산 반사판에 사용하는 막을 간편하게 형성할 수 있으며, 그 막은 밀착성, 내열성이 우수하고 막 상에 금속 증착한 광 확산 반사판은 우수한 광 확산 특성을 나타내는 것이다.
<실시예>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
합성예 1 (공중합체 [A1]의 합성)
(a1) 성분으로서 메타크릴산 20 중량부, (a2) 성분으로서 메타크릴산 글리시딜 45 중량부, (a3) 성분으로서 스티렌 20 중량부와 시클로헥실말레이미드 15 중량부를 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르아세테이트 250 중량부 중에 첨가 혼합하고, 아조비스발레로니트릴(ADVN) 6 중량부를 첨가한 후, 70 ℃에서 6 시간 중합하여 공중 합체 [Al] 농도가 28 중량%인 중합체 용액을 얻었다.
공중합체 [A1]의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 6,000이었다.
합성예 2 (공중합체 [A2]의 합성)
(a1) 성분으로서 메타크릴산 20 중량부, (a2) 성분으로서 메타크릴산 글리시딜 45 중량부, (a3) 성분으로서 스티렌 20 중량부와 페닐말레이미드 15 중량부를디에틸렌글리콜메틸에틸에테르아세테이트 250 중량부 중에 첨가 혼합하고, 아조비스발레로니트릴(ADVN) 6 중량부를 첨가한 후, 70 ℃에서 6 시간 중합하여 공중합체 [A2] 농도가 28.2 중량%인 중합체 용액을 얻었다.
공중합체 [A2]의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 6,500이었다.
합성예 3 (공중합체 [A3]의 합성)
(a1) 성분으로서 메타크릴산 20 중량부, (a2) 성분으로서 메타크릴산 글리시딜 45 중량부, (a3) 성분으로서 스티렌 20 중량부와 메타크릴산 트리시클로 [5.2.1.02,6]데칸-8-일 15 중량부를 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르아세테이트 250 중량부 중에 첨가 혼합하고, 아조비스발레로니트릴(ADVN) 6 중량부를 첨가한 후, 70 ℃에서 6 시간 중합하여 공중합체 [A3] 농도가 29.1 중량%인 중합체 용액을 얻었다.
공중합체 [A3]의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 7,000이었다.
<실시예 1>
상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 [A1]을 포함하는 용액 (공중합체 [A1] 10 중량부(고형분)에 상당)을 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르아세테이트에 첨가하여 총량 450 중량부의 용액으로 한 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 7 중량부, 성분 [B]로서 토스펄 145 (닛본 실리카 고교(주) 제조) 150 중량부, 성분 [C]로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (도아 고세(주) 제조) 60 중량부, 성분 [D]로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴) (열라디칼 발생제,와꼬 쥰야꾸(주) 제조) 2 중량부, SH28PA (도레이 실리콘(주) 제조) 0.05 중량부를 첨가하여 충분히 교반한 후, 공경 10 ㎛의 폴리푸론제 필터를 사용하여 여과하고, 막 형성용 조성물 [S1]을 얻었다.
조면을 갖는 막의 형성
유리 기판 상에 상기한 막 형성용 조성물 [S1]을 스핀 코터를 이용하여 입자의 요철이 생기도록 도포하고, 핫 플레이트에서 80 ℃로 5 분간 예비 소성을 행하여 도포막을 형성하였다. 그 후, 도포막이 형성된 기판을 클린 오븐 중에서 23 ℃, 30 분의 조건으로 본 소성하여 조면을 갖는 막을 얻었다.
조면을 갖는 막의 평가
투명성;
상기에서 형성한 조면을 갖는 막에 대하여 헤이즈 가드 플라스 (Haze gard plas) 장치 <제품 번호 Cat. No4725> (BYK 가드너 (Gardner) (주) 제조)로 투명성 (적산 투과율)을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
내열성;
상기에서 투명성 (적산 투과율)을 측정한 후, 클린 오븐에서 250 ℃, 60 분의 추가 베이킹을 실시하였다. 추가 베이킹 후, 다시 투명성을 측정하여 추가 베이킹 전후의 변화 비율을 계산하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
광 확산 반사판의 형성;
상기와 동일하게 형성한 조면을 갖는 막 상에 진공 증착 장치에 의해 약 1,500 Å의 알루미늄막을 막 형성하고, 광 확산 반사판을 얻었다.
밀착성;
JIS K-5400(1900) 8.5의 부착성 시험 중, 8.5·2의 크로스 커팅 테이프법에 따라 상기에서 형성한 광 확산 반사판에 100개의 크로스 커팅을 커터 나이프로 형성하여 부착성 시험을 행하였다. 이 때, 남은 크로스 커팅의 수를 표 1에 나타내었다.
<실시예 2>
상기 합성예 1에서 합성한 공중합체 [A2]를 포함하는 용액 (공중합체 [A1] 100 중량부(고형분)에 상당)을 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르아세테이트에 첨가하여 총량 450 중량부의 용액으로 한 후, 실란 커플링제로서 γ-글리시독시프로필디에톡시실란 7 중량부, 성분 [B]로서 토스펄 145 (닛본 실리카 고교(주) 제조) 150 중량부, 성분 [E]로서 에피코트 1032H60 (비스페놀 A형 에폭시 수지, 유까 쉘 에폭시(주) 제조) 40 중량부, 성분 [F]로서 썬에이드 10OL (술포늄염형 산발생제, 산신 가가꾸(주) 제조) 5 중량부, SH28PA (도레이 실리콘(주) 제조) 0.05 중량부를 첨가하여 충분히 교반한 후, 공경 10 ㎛의 폴리프론제 필터를 사용하여 여과하고, 막 형성용 조성물 [S2]를 얻었다.
[S1] 대신에 [S2]를 사용하여 실시예 1과 동일하게 조면을 갖는 막, 및 광 확산 반사판을 형성하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 3>
실시예 1에 있어서, 공중합체 [A-1]을 포함하는 용액 대신에 상기 합성예 3에서 합성한 공중합체 [A-3]을 포함하는 용액 (공중합체 [A-3] 100 중량부(고형분)에 상당)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 막 형성용 조성물 [S3]을 얻었다.
[S1] 대신에 [S3]을 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 조면을 갖는 막, 및 광 확산 반사판을 형성하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 4>
실시예 1에 있어서, 성분 [B]의 무기 입자 토스펄 145 (닛본 실리카 고교(주) 제조) 대신에 성분 [B]로서 아크릴계 입자 테크폴리머 MB20X-5 (세끼스이 가세이힝 고교(주) 제조) 150 중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 막 형성용 조성물 [S4]를 얻었다.
[S1] 대신에 [S4]를 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 조면을 갖는 막, 및 광 확산 반사판을 형성하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 5>
실시예 1에 있어서, 성분 [D]로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴) (열라디칼 발생제, 와꼬 쥰야꾸(주) 제조) 대신에 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐] -2-모르폴리노프로판-1-온 (열라디칼 발생제, 이루가큐어 907; 시바·스페셜티·케미컬즈사 제조) 30 중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 막 형성용 조성물 [S5]를 얻었다.
[S1] 대신에 [S5]를 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 예비 소성을 행하고 도포막을 형성하였다. 얻어진 도포막에 소정의 패턴 마스크를 사용하여 365 nm에서의 강도가 10 mW/㎠인 자외선을 30 초간 조사하였다. 이 때의 자외선 조사는 산소 분위기하(공기 중)에서 행하였다. 이어서, 테트라메틸암모늄히드록시드 0.14 중량% 수용액으로 25 ℃에서 1 분간 현상한 후, 순수한 물로 1 분간 세정하였다. 이러한 조작에 의해 불필요한 부분을 제거하였다. 그 후, 도포막이 형성된 기판을 클린 오븐 중에서 230 ℃, 30 분의 조건으로 본 소성하여 조면을 갖는 막을 얻었다. 또한, 얻어진 조면을 갖는 막을 사용하여 동일하게 알루미늄 증착을 행하여 광 확산 반사판을 형성하고 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 6>
실시예 5에 있어서 성분 [B]의 무기 입자 토스펄 145 (닛본 실리카 고교(주) 제조) 대신에 성분 [B]로서 아크릴계 입자 테크폴리머 MB20X-5 (세끼스이 가세이힝 고교(주) 제조) 150 중량부를 사용한 것 이외는 실시예 5와 동일하게 실시하여 막 형성용 조성물 [S6]을 얻었다.
[S5] 대신에 [S6]을 사용하여 실시예 5와 동일하게 하여 조면을 갖는 막, 및 광 확산 반사판을 형성하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<실시예 7>
실시예 1에 있어서, 성분 [B]의 사용량을 90 중량부로 한 것 이외는 실시예 1과 동일하게 실시하여 막 형성용 조성물 [S7]을 얻었다.
[S1] 대신에 [S7]을 사용하여 실시예 1과 동일하게 하여 조면을 갖는 막, 및 광 확산 반사판을 형성하여 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
투명성 내열성 밀착성
실시예 1 94.0% 99.2% 100/100
실시예 2 93.5% 98.8% 100/100
실시예 3 93.8% 97.5% 100/100
실시예 4 94.2% 98.5% 100/100
실시예 5 93.1% 98.5% 100/100
실시예 6 93.4% 98.0% 100/100
실시예 7 94.0% 98.7% 100/100
<실시예 8>
광 확산 특성;
실시예 1 및 7에서 형성한 광 확산 반사판에 대하여 3차원 변각 광도계 ((주) 무라까미 색채 기술 연구소 제조)를 사용하여 30°입사시의 산란 특성을 -10°에서 70°까지 변각시켜 각각 측정하였다. 결과를 도 5에 나타내었다.
상기 실시예로부터 명확한 바와 같이 본 발명의 조성물로부터 얻어진 막은 기판과의 밀착성, 내열성, 투명성이 양호하며, 금속 증착을 행한 광 확산 반사판은 우수한 확산 특성을 갖는 것을 알 수 있었다.
본 발명에 따르면 광 확산 반사판에 사용하기 위한 조면을 가지며, 기판과의 밀착성 및 내열성, 투명성이 우수하고, 반사형 또는 반투과형의 액정 표시 소자의 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막을 쉽게 형성할 수 있는 조성물이 제공된다.
또한, 본 발명에 의해 우수한 확산 특성을 갖는 광 확산 반사판, 그것을 갖는 우수한 액정 표시 소자가 제공된다.

Claims (15)

  1. [A] (a1) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, (a2) 에폭시기 함유 불포화 화합물, (a3) 상기 단량체 (a1) 및 (a2) 이외의 올레핀계 불포화 화합물의 공중합체, 및 [B] 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, [B] 입자가 무기 산화물 입자, 유기 입자 또는 광물 입자인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 다관능 단량체 [C] 및 중합 개시제 [D]를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 중합 개시제 [D]가 감방사선성 라디칼 중합 개시제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 중합 개시제 [D]가 감열 라디칼 중합 개시제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서, [A] 성분 이외의 에폭시 화합물 [E] 및 산발생제 [F]를 더함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 산발생제 [F]가 감방사선성 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 산발생제 [F]가 감열 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 산발생제 [F]를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 산발생제 [F]가 감방사선성 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 산발생제 [F]가 감열 산발생제인 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. (1) 기체 표면에 제4항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 도포막을 형성하는 공정,
    (2) 상기 도포막 표면의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, 및
    (3) 상기에서 형성된 막 표면에 금속막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판의 제조 방법.
  13. (1) 기체 표면에 제5항, 제8항 및 제11항 중 어느 한 항에 기재된 조성물의 도포막을 형성하는 공정,
    (2) 상기 도포막을 가열하는 공정, 및
    (3) 상기에서 형성된 막 표면에 금속막을 형성하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 확산 반사판의 제조 방법.
  14. 제1항에 기재된 조성물로부터 형성된 막을 갖는 광 확산 반사판.
  15. 제14항에 기재된 광 확산 반사판을 갖는 액정 표시 소자.
KR1020010029409A 2000-09-18 2001-05-28 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자 KR20020021978A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000281859A JP2002090507A (ja) 2000-09-18 2000-09-18 光拡散反射板に用いるための膜形成用組成物、光拡散反射板および液晶表示素子
JP2000-281859 2000-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020021978A true KR20020021978A (ko) 2002-03-23

Family

ID=18766457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010029409A KR20020021978A (ko) 2000-09-18 2001-05-28 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2002090507A (ko)
KR (1) KR20020021978A (ko)
TW (1) TW576851B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066713B1 (ko) * 2003-05-28 2011-09-21 소니 주식회사 미립자 분산 조성물, 광학 부품, 광학막 적층체, 편광분리 소자 및 광학 부품의 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4687027B2 (ja) * 2004-01-30 2011-05-25 Ｄｉｃ株式会社 硬化性樹脂組成物、転写材及び保護層の形成方法
TW200827763A (en) 2006-12-25 2008-07-01 Eternal Chemical Co Ltd Scratch-resistant optical film

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0862836A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Konica Corp 画像形成材料及び画像形成方法
JPH10333324A (ja) * 1997-04-03 1998-12-18 Toray Ind Inc 感光性ペースト
JP3993691B2 (ja) * 1997-09-24 2007-10-17 関西ペイント株式会社 レジストパターン形成方法
JP2000029212A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Taiyo Ink Mfg Ltd 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物及び樹脂絶縁パターン形成方法
JP2000121813A (ja) * 1998-10-21 2000-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 反射板
JP3640008B2 (ja) * 1999-02-23 2005-04-20 シャープ株式会社 液晶表示装置用反射板、該反射板の製造方法及び反射型液晶表示装置
JP3310234B2 (ja) * 1999-02-25 2002-08-05 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置用反射板の製造方法
JP2000250026A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101066713B1 (ko) * 2003-05-28 2011-09-21 소니 주식회사 미립자 분산 조성물, 광학 부품, 광학막 적층체, 편광분리 소자 및 광학 부품의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW576851B (en) 2004-02-21
JP2002090507A (ja) 2002-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101084384B1 (ko) 감방사선성 수지 조성물, 스페이서 및 그의 형성 방법
JP2961722B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP5083540B2 (ja) 感放射線性保護膜形成用樹脂組成物およびその組成物から保護膜を形成する方法、ならびに液晶表示素子および固体撮像素子
KR100232372B1 (ko) 감방사선성 수지 조성물
JPH10332929A (ja) カラーフィルタ用感放射線性組成物
JP2001154206A (ja) スペーサー用感放射線性樹脂組成物、スペーサーおよび液晶表示素子
KR100856992B1 (ko) 스페이서 형성용 감방사선성 수지 조성물, 스페이서와그의 형성 방법 및 액정 표시 소자
JP2007128062A (ja) 感放射線性樹脂組成物、スペーサーの形成方法およびスペーサー
JP2000119472A (ja) 熱硬化性樹脂組成物
JP3981968B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3101986B2 (ja) 耐熱性感放射線性樹脂組成物
JP2008266570A (ja) 熱硬化性樹脂組成物、保護膜および保護膜の形成方法
JP2001059904A (ja) 光散乱性膜形成用組成物および光散乱性膜
JP2001316408A (ja) 光散乱性膜形成用感放射線性組成物および光散乱性膜
JP3575095B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物およびそれから形成された光デバイス用保護膜
KR20030034009A (ko) 보호막 형성용 경화성 조성물, 보호막의 형성 방법, 및보호막
KR20020021978A (ko) 광 확산 반사판에 사용하기 위한 막 형성용 조성물, 광확산 반사판과 그의 제조 방법 및 액정 표시 소자
JP2001172339A (ja) 光散乱性膜形成用組成物および光散乱性膜
KR20010070042A (ko) 경화성 조성물 및 컬러 필터 보호막
KR20060131644A (ko) 감광성 수지 조성물, 표시 패널용 스페이서 및 표시 패널
KR20040107392A (ko) 표시 패널용 스페이서, 감방사선성 수지 조성물 및 액정표시 소자
KR20010066841A (ko) 광 산란성 막 형성용 조성물 및 광 산란성 막
JP4019404B2 (ja) 保護膜および液晶表示素子
KR20030026210A (ko) 광 확산 반사막 형성용 조성물, 광 확산 반사막의 형성방법 및 광 확산 반사막, 및 액정 표시 소자
JP2001151829A (ja) 感放射線性樹脂組成物およびスペーサー

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination