KR20020013068A - 반도체 소자의 노광방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 노광방법에 관한 것으로, 웨이퍼 가장자리의 필드를 구성하고 있는 다이(die) 중 노광공정 시 웨이퍼의 가장자리에서 발생되는 비정상적인 형상을 방지하기 위하여 하나의 필드를 구성하고 있는 마스크 프레임(mask frame)의 빈 공간에 동일한 다이 크기의 블랭크 다이(blank die)를 삽입하여 웨이퍼 가장자리에서 다이가 웨이퍼 내에 존재하지 않을 경우 해당 다이에 대해서 블랭크 다이로 노광함으로써 유효 다이를 최대한 확보하고, 그에 따른 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

반도체 소자의 노광방법{A method for exposure of semiconductor device}

본 발명은 반도체 소자의 노광방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 가장자리의 필드(field)를 구성하는 다이(die) 중에서 유효 다이를 증가시키는 반도체소자의 노광방법에 관한 것이다.

종래의 노광공정에서 웨이퍼의 가장자리에 발생되는 비정상적인 형상을 갖는 다이(die)가 형성되는 것을 방지하기 위하여 레티클(reticle) 상의 하나의 필드(field)가 웨이퍼의 가장자리에 걸리는 경우 필드의 노광을 생략하거나 또 다른 크기의 더미 패턴으로 여러 번 노광하여 수율 및 수익성에서 불리한 방법을 사용하거나, 조리개로 부분적으로 가려서 노광하는 방법을 사용하였지만 완벽하지 못한 방법을 사용하여 수율의 저하와 소자의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여, DRAM의 캐패시터 형성공정에서 저장전극을 형성하기 위한 마스크 공정 시 웨이퍼 가장자리에서의 유효 다이를 최대한 확보할 수 있는 마스크 프레임을 사용하는 반도체소자의 노광방법을 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 맵을 도시한 도면.

도 2는 본 발명에 따른 반도체소자의 노광방법에 의한 마스크 프레임을 도시한 도면.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 노광방법은,

웨이퍼 가장자리의 필드 중에서 상기 필드 내에 웨이퍼 내에 존재하지 않는 다이가 존재하는 경우 해당 다이의 타입에 따라 마스크 프레임에 블랭크 다이를 배열하여 재노광시켜 해당 다이 내에 형성된 패턴을 제거하는 것을 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체소자의 노광방법에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 맵을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체소자의 노광방법에 의한 마스크 프레임을 도시한 도면이다.

도 1의 웨이퍼 상에 필드가 구비되어 있고, 각 필드는 4개의 다이로 구성되어 있다.

상기 웨이퍼 가장자리의 필드 중에서 다이가 웨이퍼 내에 존재하지 않는 경우가 있다.

상기 웨이퍼 가장자리의 필드 A ∼P 는 웨이퍼 내에 존재하지 않는 다이 있으므로, 상기 다이에 패턴을 형성하는 경우 소자의 불량을 유발시킬 수 있으므로, 해당 다이 상에 형성된 패턴을 제거해서 웨이퍼 가장자리의 필드 내에 유효 다이를사용해야 한다. 이때, 상기 유효다이는 도 1의 ① ∼ 으로 38개이다.

따라서, 필드 B, C, G, H, I, J, N, O는 A 타입으로 하고, 필드 A, D, E, F, K, L, M, P는 B 타입으로 하여 각각 재노광시켜 제거한다.

이때, 상기 재노광공정은 DRAM의 캐패시터 형성공정에서 저장전극 패터닝 시 실시한다.

상기 A 타입의 필드는 도 2의 A 타입용 블랭크 다이를 사용하여 노광시키고, 상기 B 타입의 필드는 도 2의 B 타입용 블랭크 다이를 이용하여 노광시킨다.

상기 노광공정을 실시하기 위한 마스크 제작 시 프레임에 실제 다이 크기에 해당하는 블랭크 다이의 배열, 즉 실제 다이 크기×5992.5㎛ 일 때 블랭크 다이의 크기는 A 타입인 경우 다이 2개에 해당하는 11985㎛로 2개의 다이를 노광시키고, B 타입인 경우 1개의 다이에 해당하는 5992.5㎛로 1개의 다이를 노광시킨다.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 노광방법은, 웨이퍼 가장자리의 필드를 구성하고 있는 다이(die) 중 노광공정 시 웨이퍼의 가장자리에서 발생되는 비정상적인 형상을 방지하기 위하여 하나의 필드를 구성하고 있는 마스크 프레임(mask frame)의 빈 공간에 동일한 다이 크기의 블랭크 다이(blank die)를 삽입하여 웨이퍼 가장자리에서 다이가 웨이퍼 내에 존재하지 않을 경우 해당 다이에 대해서 블랭크 다이로 노광함으로써 유효 다이를 최대한 확보하고, 그에 따른 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (4)

1. 웨이퍼 가장자리의 필드 중에서 상기 필드 내에 웨이퍼 내에 존재하지 않는 다이가 존재하는 경우 해당 다이의 타입에 따라 마스크 프레임에 블랭크 다이를 배열하여 재노광시켜 해당 다이 내에 형성된 패턴을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 노광방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 마스크 프레임 내의 블랭크 다이 크기는 실제 다이 크기의 n배인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 노광방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 반도체소자의 노광방법은 웨이퍼 가장자리의 필드 내 2개의 다이를 동시에 노광시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 노광방법.
4. 제 1 항에 있어서

   상기 반도체소자의 노광방법은 웨이퍼 가장자리의 필드 내 1개의 다이를 노광시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 노광방법.