KR20020005640A - Concentrically leaded power semiconductor device package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 동심으로 리드된 전력 반도체 패키지에 관한 것으로서 2 개 이상의 전체적으로 동심(concentric)인 도체들을 포함한다. 내부 도체는 내부 도체의 한 단부에서의 하나 이상의 반도체 소자와의 부착점과 반대 단부에서의 전기적 접속부를 제공할 수 있다. 외부 도체는 내부 도체 상에 프레스될 수 있으며, 전기적 절연체에 의해서 분리될 수 있다. 발광 다이오드(LED) 같은 반도체 소자는 에폭시 접합(gluing) 또는 솔더링에 의해서 내부 도체에 부착되며, 본딩 와이어에 의해서 외부 도체에 부착될 수 있다. 패키지는 속이 찬 원통형 또는 정방형일 수 있다. 패키지는 추가적인 반도체 실장 표면 및 2 개이상의 도체를 포함할 수 있다.The present invention is directed to a concentrically leaded power semiconductor package and includes two or more entirely concentric conductors. The inner conductor may provide an electrical connection at an end opposite the point of attachment with one or more semiconductor elements at one end of the inner conductor. The outer conductor can be pressed on the inner conductor and can be separated by an electrical insulator. Semiconductor devices, such as light emitting diodes (LEDs), are attached to the inner conductor by epoxy gluing or soldering, and may be attached to the outer conductor by bonding wires. The package can be solid cylindrical or square. The package may include additional semiconductor mounting surfaces and two or more conductors.
Description
발광 다이오드(LED) 같은 현재의 반도체 소자용 패키지로는 "관통홀(through the hole)"형이나 표면 실장형이 있다. 이러한 패키지들은 인쇄 회로 기판(PCB)과 함께 이용되는데, 반도체 소자를 PCB에 안전하게 실장하기 위한 특수 조립 공정을 필요로 하게 된다. 이어서, 솔더링 공정이 적용되어 반도체 리드를 PCB와 전기적으로 및 열적으로 접속시킨다. LED의 경우, 이러한 PCB 접속 방법으로 패키지 내의 LED에 전력을 공급하여 점등시킨다.Current packages for semiconductor devices, such as light emitting diodes (LEDs), are "through the hole" type or surface mount type. These packages are used with printed circuit boards (PCBs), which require special assembly processes to safely mount the semiconductor devices onto the PCB. A soldering process is then applied to electrically and thermally connect the semiconductor leads with the PCB. In the case of LEDs, this PCB connection method powers up the LEDs in the package and turns them on.
현재의 LED 패키지는 PCB 또는 하드 와이어와의 접속을 위해 얇은 리드(리드프레임 플랫폼) 또는 무(無)리드(도금된 금 또는 주석 트레이스(trace)를 도전경로로서 이용하는 PCB 플랫폼)를 갖는다. 이러한 현재의 LED 패키지들은 본래 LED 패키지 내의 LED 칩에 의해서 발생되는 열을 제거함에 있어서 매우 열악한 열 전달 및 전도 특성을 제공할 수 밖에 없었다. 그래서, 현재의 LED 패키지들은 좀처럼0.3watts 보다 높은 전력에서는 동작하지 않는다.Current LED packages have either thin leads (leadframe platforms) or lead-free (PCB platforms that use plated gold or tin traces as a conductive path) for connection with PCBs or hard wires. These current LED packages inevitably have very poor heat transfer and conduction properties in removing the heat generated by the LED chips in the LED package. Thus, current LED packages rarely operate at power levels higher than 0.3 watts.
현재의 LED 패키지는 또한 큰 패키지 풋프린트(footprint)를 포함한 다른 결함을 갖게 된다. 풋프린트 면적 당의 패키지 당 플럭스가, 예를 들면 계기판 내의 조광 계수라면, 현재의 LED 패키지를 적용하는 데는 어려움이 있다. 또한, 기존의 LED 패키지들은 너무 커서, 반사(믹싱) 체임버 내에 다른 칼라의 LED군을 가깝게 형성할 수 없기 때문에, 특수한 분광 효과 및 발광 효율을 얻을 수 없었다.Current LED packages also have other drawbacks, including a large package footprint. If the flux per package per footprint area is, for example, the dimming factor in the instrument cluster, it is difficult to apply the current LED package. In addition, conventional LED packages are so large that they cannot form a group of LEDs of different colors in the reflection (mixing) chamber closely, so that no special spectral effect and luminous efficiency can be obtained.
발명의 개요Summary of the Invention
동심으로(concentrically) 리드된 전력 반도체 소자 패키지로 현재의 반도체 패키지 설계 상에서의 문제점을 제거할 수 있다. 이 패키지는 애플리케이션 조립 시에 솔더링 공정의 이용을 피하거나 최소화할 수 있는 가능성을 주게 된다. 이 패키지는 또한 우수한 방열성(heat dissipation)을 제공한다. 이 패키지는 얇은 유전막에 의해서 전기적으로 분리된 동축의 원통형 또는 정방형 와이어 리드 쌍을 포함한다. 이 패키지는 PCB 상에 실장되어 전력을 공급받을 필요는 없다. 이 패키지로부터의 리드는 패키지를 커넥터에 간단히 플러깅(plugging)함으로써, 히트 싱크(heat sink)로서도 기능하도록 설계되는 저비용의 커넥터 상에 안전하게 실장될 수 있다. 커넥터는 LED에 전력을 공급하지만, 이 커넥터는 또한 LED에 의해서 발생된 열을 제거하기도 한다. 이 패키지는 내부에 패키지된 LED에 우수한 열 전달 및 전도 속성을 제공한다. 이것은 애플리케이션 조립 시에 LED 칩을 한쪽 단부인 직선 와이어(내부 와이어)의 단면 상에 부착하고, 동일한 와이어의 반대쪽 단부를 히트 싱크에 삽입시킴으로써 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 외부 와이어, 즉 도체가 히트 싱크에 삽입될 수도 있다. 와이어의 직경 및 재료는 LED 칩 패키지의 열 성능에 기초하여 선택될 수 있다. 열 합성물 또는 그리스(grease)는 내부 와이어의 원통형 표면과 커넥터의 히트 싱크 사이의 계면에서의 열 저항을 감소시키기 위해 이용될 수 있다. 이러한 설계 구조는 고전력 LED가 패키지되어 과열되지 않고 고와트량으로 동작할 수 있도록 한다.Concentrically leaded power semiconductor device packages can eliminate problems in current semiconductor package designs. This package gives the possibility to avoid or minimize the use of soldering processes in application assembly. The package also offers excellent heat dissipation. The package includes a pair of coaxial cylindrical or square wire leads electrically separated by a thin dielectric film. The package does not need to be mounted and powered on the PCB. Leads from this package can be safely mounted on low cost connectors that are designed to function as a heat sink by simply plugging the package into the connector. The connector powers the LEDs, but they also remove the heat generated by the LEDs. This package provides excellent heat transfer and conduction properties to the LEDs packaged inside. This can be done by attaching the LED chip on one end to a cross section of a straight wire (inner wire) at the end of the application and inserting the opposite end of the same wire into the heat sink. Alternatively, an external wire, i.e. a conductor, may be inserted into the heat sink. The diameter and material of the wire can be selected based on the thermal performance of the LED chip package. Thermal composite or grease may be used to reduce the thermal resistance at the interface between the cylindrical surface of the inner wire and the heat sink of the connector. This design architecture allows high-power LEDs to be packaged and operate at high wattage without overheating.
동축의 원통형 또는 정방형 설계와 더불어, 패키지는 다수의 동축 도체로 된 층들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 패키지는 3개의 동심인 원통형 도체를 포함할 수 있다. 이러한 설계에서는 다수의 LED의 이용이 허용된다. 패키지 구성의 다른 변형에서는 반도체들 중 하나의 절단면 상에 부착된 LED와 반도체 소자, 저항 커패시터를 포함한 다른 소자를 포함할 수 있다. 이러한 패키지 설계의 변형은, 예를 들면 반도체 레이저에 유용할 수 있다.In addition to the coaxial cylindrical or square design, the package may include layers of multiple coaxial conductors. For example, the package may include three concentric cylindrical conductors. This design allows for the use of multiple LEDs. Other variations of the package configuration may include LEDs, semiconductor devices, and resistor devices attached on the cut surface of one of the semiconductors. Such a modification of the package design may be useful for semiconductor lasers, for example.
기술 분야는 반도체 소자를 장착하기 위한 패키지 설계에 관한 것이다.The technical field relates to package design for mounting semiconductor devices.
동일 소자에 동일 참조번호를 붙인 다음의 도면을 참조하여 상세한 설명을 하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION A detailed description will be given with reference to the following drawings in which like elements are denoted by like reference numerals.
도 1a는 동심으로 리드된 전력 반도체 소자 패키지의 단면도,1A is a cross-sectional view of a power semiconductor device package concentrically read;
도 1b는 반도체 소자에 대한 다른 실장 구성을 나타낸 동심으로 리드된 전력 반도체 패키지의 평면도,1B is a plan view of a concentrically leaded power semiconductor package showing another mounting configuration for a semiconductor device;
도 2a 내지 2c는 도 1에 도시된 패키지에 대한 다양한 광학적 설계 및 본딩형태를 예시한 도면,2A through 2C illustrate various optical designs and bonding forms for the package shown in FIG.
도 3은 동심으로 리드된 전력 반도체 소자 패키지의 다른 디자인.3 is another design of a concentric leaded power semiconductor device package.
도 1a는 동심으로 리드된 전력 반도체 소자 패키지 디자인(10)의 단면도이다. 동심으로 리드된 전력 반도체 소자 패키지(20)는 단면이 원형, 사각형, 삼각형 또는 임의의 다른 적절한 형태인 내부 도체(22)를 포함한다. 내부 도체(22)는 전기적 접속 단부(23) 및 이 전기적 접속 단부(23)로부터 반대쪽 단부에 있는 내부 도체(22)의 실장 표면 단면(25)을 포함한다. 외부 도체(24)는 내부 도체(22)를 둘러싸고, 전체적으로 내부 도체(22)와 같은 단면 형상을 취한다. 내부 도체(22)와 외부 도체(24)는 절연막(26)에 의해서 분리된다. 절연막(26)은 내부 도체(22)와 외부 도체(24) 사이에 전기적 절연을 제공한다. 절연막(26)은, 예를 들면 매우 얇은 고온 유전체 코팅일 것이다.1A is a cross-sectional view of a concentrically led power semiconductor device package design 10. The concentric leaded power semiconductor device package 20 includes an inner conductor 22 that is circular, square, triangular or any other suitable shape in cross section. The inner conductor 22 comprises an electrical connection end 23 and a mounting surface cross section 25 of the inner conductor 22 at the opposite end from the electrical connection end 23. The outer conductor 24 surrounds the inner conductor 22 and takes the same cross-sectional shape as the inner conductor 22 as a whole. The inner conductor 22 and the outer conductor 24 are separated by the insulating film 26. The insulating film 26 provides electrical insulation between the inner conductor 22 and the outer conductor 24. Insulating film 26 may be, for example, a very thin high temperature dielectric coating.
내부 도체(22)와 외부 도체(24)는 압착(press fit)으로 서로 함께 견고히 본딩될 수 있다. 내부 도체(22)의 실장 표면(25) 및 외부 도체(24)의 대응면(27)은 다이 부착, 외이어 본딩 및 광학적 성능을 위해 설계된 전체 형성(feature)으로 가공(machined) 또는 주조(스탬프)된다.The inner conductor 22 and the outer conductor 24 can be firmly bonded together with a press fit. The mounting surface 25 of the inner conductor 22 and the mating surface 27 of the outer conductor 24 are machined or cast (stamped) into an overall feature designed for die attachment, wire bonding and optical performance. )do.
패키지의 길이를 따라서, 외부 도체(24)는 내부 도체(22) 전에 종단되며, 따라서 내부 도체(22) 및 절연막(26)을 노출시키게 된다. 절연막(26)은 내부 도체(22)로부터 제거될 수 있으며, 내부 도체(22)는 전기적 및 열적 컨택트를 위해도금될 수 있다. 전체 패키지(20)는 다이 부착, 와이어 본딩, 광학적 반사, 전기적 및 열적 컨택트, 및 내부식성을 위해 니켈로 된 하부와 은, 금 또는 다른 귀금속으로 된 상층(32)으로 도금될 수 있다. 반사 물질의 선택적인 도금 및 코팅은 성능면의 목적을 충족하기 위해 이용될 수 있다.Along the length of the package, the outer conductor 24 terminates before the inner conductor 22, thus exposing the inner conductor 22 and the insulating film 26. The insulating film 26 can be removed from the inner conductor 22 and the inner conductor 22 can be plated for electrical and thermal contacts. The entire package 20 may be plated with a nickel bottom and an upper layer 32 of silver, gold or other precious metals for die attach, wire bonding, optical reflection, electrical and thermal contacts, and corrosion resistance. Selective plating and coating of reflective materials can be used to meet the purpose of performance.
도 1a는 실장 표면(25)에서 내부 도체(22)에 부착된 LED 칩(28)을 도시한다. 본딩 와이어(30)는 LED 칩(28)을 다른 도체(24)에 부착하기 위해 이용된다. LED 칩(28)은, 예를 들면 표준 전도 에폭시 또는 솔더링을 이용하여 내부 도체(22)에 부착된다. 마찬가지로, 본딩 와이어(30)는 에폭시 또는 솔더링 또는 표준 본딩 기술에 의해서 LED 칩(28) 및 외부 도체(24)에 부착될 수 있다. LED 칩(28) 및 본딩 와이어(30)는 에폭시 돔(34)을 이용하여 봉합될 수 있다.1A shows an LED chip 28 attached to the inner conductor 22 at the mounting surface 25. Bonding wire 30 is used to attach LED chip 28 to another conductor 24. The LED chip 28 is attached to the inner conductor 22 using, for example, standard conductive epoxy or soldering. Likewise, the bonding wires 30 may be attached to the LED chip 28 and the outer conductor 24 by epoxy or soldering or standard bonding techniques. The LED chip 28 and bonding wire 30 may be sealed using an epoxy dome 34.
도 1a에는, LED 칩(28)이 일 전기적 접속부로서 본딩 와이어(30)와 함께 도시되어 있다. LED 칩(28)은 내부 도체(22)에 직접 본딩되어 제 2 전기적 접속부를 형성한다. 패키지(20)와의 다른 전기적 접속 구성도 가능하다. 예를 들면, 컴퓨터 칩과 같은 반도체 소자로부터의 모든 전기적 커넥터가 반도체 소자의 상면에 만들어질 수 있다. LED는 또한 이러한 방식으로 패키지(20)와 전기적으로 접속될 수 있다. 이와는 달리, 통상적으로 그 상부 상에 전기적 접속부를 갖는 LED 같은 반도체 소자가 플립되어(flipped) (예를 들면, 솔더링에 의해서) 기판에 직접 본딩될 수 있다. 이러한 구성("플립 칩(flip chip)"으로 공지된 구성임)은 도 1b에 도시되어 있는데, 여기에서는 반도체 소자(29)가 내부 도체(22') 및 외부 도체(24')에 본딩되어 있음이 도시되어 있다. 내부 도체(22')와 외부 도체(24')가 절연체 격리를 제공하는 절연체(26')에 의해 분리됨이 도시되어 있다. 반도체 소자(29)는 부착점(30')에서 내부 도체(22') 및 외부 도체(24')와 전기적으로 접속된다. 반도체 소자(39)는, 예를 들면 솔더링 또는 에폭시 접착(gluing)에 의해서 접착된다.In FIG. 1A, an LED chip 28 is shown with bonding wires 30 as one electrical connection. The LED chip 28 is bonded directly to the inner conductor 22 to form a second electrical connection. Other electrical connection configurations with the package 20 are also possible. For example, all electrical connectors from semiconductor devices such as computer chips can be made on the top surface of the semiconductor device. The LED may also be electrically connected to the package 20 in this manner. Alternatively, semiconductor devices such as LEDs, which typically have electrical connections on their tops, can be flipped (eg by soldering) and bonded directly to the substrate. This configuration (known as a “flip chip”) is shown in FIG. 1B, where the semiconductor element 29 is bonded to the inner conductor 22 ′ and the outer conductor 24 ′. Is shown. It is shown that the inner conductor 22 'and the outer conductor 24' are separated by an insulator 26 'providing insulator isolation. The semiconductor element 29 is electrically connected to the inner conductor 22 'and the outer conductor 24' at the attachment point 30 '. The semiconductor element 39 is bonded by, for example, soldering or epoxy gluing.
디자인(10)에는 히트 싱크(36)에 삽입된 패키지(20)가 도시된다. 히트 싱크(36)는 또한 내부 도체(22)용의 전기적 커넥터로서 작용한다. 리턴 전원(도 1a에는 미도시됨)은 외부 커넥터(24)에 부착된다. 패키지(20)는, 예를 들면 가압(pressing)에 의해서 히트 싱크(36)에 용이하게 삽입된다. 열 성능을 향상시키기 위하여, 열 그리스 같은 열 전도 재료(38)가 내부 도체(22)의 전기적 접속 단부(23)에 제공되어, 내부 도체(22)의 표면과 히트 싱크(36) 사이의 계면에서의 열 저항을 감소시킨다.Design 10 shows a package 20 inserted into a heat sink 36. The heat sink 36 also acts as an electrical connector for the inner conductor 22. Return power (not shown in FIG. 1A) is attached to the external connector 24. The package 20 is easily inserted into the heat sink 36 by, for example, pressing. In order to improve thermal performance, a thermally conductive material 38, such as thermal grease, is provided at the electrical connection end 23 of the inner conductor 22, so that at the interface between the surface of the inner conductor 22 and the heat sink 36. Reduces the thermal resistance.
도 1a에는 히트 싱크(36)가 내부 도체(22)에 부착됨이 도시된다. 패키지(20) 내에 실장된 반도체 소자에 의해 발생된 열을 제거하기 위한 대체 수단이 또한 제공될 수도 있다. 예를 들면, 히트 소스(36)를 내부 도체(22)에 접속하는 대신에 또는 접속함과 함께 히트 싱크가 외부 도체(24)에 접속될 수도 있다.In FIG. 1A a heat sink 36 is shown attached to the inner conductor 22. Alternative means for removing the heat generated by the semiconductor devices mounted within the package 20 may also be provided. For example, a heat sink may be connected to the outer conductor 24 instead of or with the heat source 36 connected to the inner conductor 22.
내부 도체(22)는 특수한 애플리케이션을 수용할 수 있도록 크기가 정해진다. 예를 들면, 내부 도체의직경은 0.1mm 내지 5mm 정도의 직경의 범위에 걸칠 수 있다. 내부 도체(22) 및 외부 도체(24)는, 예를 들면 구리같은 임의의 적절한 도전 재료로 형성될 수 있다.The inner conductor 22 is sized to accommodate special applications. For example, the diameter of the inner conductor can range from about 0.1 mm to about 5 mm in diameter. The inner conductor 22 and the outer conductor 24 may be formed of any suitable conductive material, for example copper.
패키지(20)는 매우 얇기 때문에, 각기 다른 칼라의 LED를 갖는 여러 개의 패키지(20)가 배치되어 칼라의 혼합을 이룰 수 있다. 예를 들면, 청색 LED 및 녹색LED가 패키지되어 다른 칼라로 된 광의 원하는 효과를 제공할 수 있다. 또한, LED들이 패키지되어 백색 광을 생성할 수 있다. 우수한 방열 특성 때문에, 패키지(20)는 LED로부터 전체적인 백색 광의 조광을 제공하기 위하여 이용될 수 있다.Since the package 20 is very thin, several packages 20 with different color LEDs can be arranged to achieve color mixing. For example, blue LEDs and green LEDs can be packaged to provide the desired effect of light in different colors. In addition, the LEDs can be packaged to produce white light. Because of the excellent heat dissipation characteristics, the package 20 can be used to provide dimming of the entire white light from the LED.
도 1에 도시된 예에서, LED 칩(28)은 패키지(20)에 패키징된다. 그러나, 패키지(20)는 반도체 레이저외 기타 전력 반도체 소자와, 저항, 인덕터 및 커패시터를 포함한 기타 분리된 전기 부품을 포함한 다른 전기 소자와 함께 이용될 수 있다.In the example shown in FIG. 1, the LED chip 28 is packaged in a package 20. However, the package 20 may be used with other electrical components, including semiconductor lasers and other power semiconductor devices, and other separate electrical components including resistors, inductors, and capacitors.
추가적인 반도체 소자가 패키지(20)에 포함될 수 있다. 일 구성에서는, 추가적인 LED(도 1a에는 미도시)가 내부 도체(20)에 부착될 수 있다. 다른 구성에서는, 제 3 도체(도 1a에는 미도시)가 외부 도체(24)와 동심으로 배치될 수 있다. 이 후, 반도체 소자가 제 2 도체(24)에 부착되고, 내부 도체(22)에 본딩될 수 있다. 이러한 구성에서는, 내부 도체(24)에 부착된 반도체 소자(예를 들면, LED 칩(28))가 제 3 도체에 본딩될 수 있다.Additional semiconductor devices may be included in the package 20. In one configuration, additional LEDs (not shown in FIG. 1A) may be attached to the inner conductor 20. In other configurations, a third conductor (not shown in FIG. 1A) may be disposed concentric with the outer conductor 24. Thereafter, the semiconductor element may be attached to the second conductor 24 and bonded to the inner conductor 22. In such a configuration, a semiconductor element (for example, LED chip 28) attached to the inner conductor 24 can be bonded to the third conductor.
또 다른 구성(도 1a에는 미도시)에서는, 제 4 및 후속하는 도체들이 내부, 즉 제 1 도체와 동심으로 배치될 수 있다.In another configuration (not shown in FIG. 1A), the fourth and subsequent conductors may be arranged concentrically with the inner, ie first conductor.
도 2a 내지 2c는 본딩 와이어(30)를 부착 및 내부 도체(22)의 단면(25)을 다르게 선택한 것을 예시한다. 도 2a 내지 2c에 도시된 바와 같이, LED 칩(28)은 내부 도체의 단면 중심에 배치된다. LED 칩(28) 주위의 표면 영역에 소정의 작은 변화만 주게 되어도 발광 분포 상에는 큰 영향을 미치게 된다. 도 2a 내지 2c에 예시된 바와 같이, 내부 도체의 단면에 대하여 3 가지 다른 설계 선택을 할 수 있다. 도 2a는 평탄한 표면(41)을 예시하고, 도 2b는 광 플럭스(luminous flux)를 상측으로 향하게 하는 얕은 오목한 볼륨인 반사컵(43)을 예시하며, 도 2c는 광 프럭스를 하측으로 분배시켜 반구보다 더 큰 조광 공간을 갖도록 하는 LED 칩(28)에 대하여 상승된 표면인 피데스탈(pedestal)(45) 형을 예시한다.2A-2C illustrate the attachment of the bonding wire 30 and the different selection of the cross section 25 of the inner conductor 22. As shown in Figs. 2A to 2C, the LED chip 28 is disposed at the center of the cross section of the inner conductor. Only a small change in the surface area around the LED chip 28 has a large influence on the light emission distribution. As illustrated in FIGS. 2A-2C, three different design choices can be made for the cross section of the inner conductor. FIG. 2A illustrates a flat surface 41, FIG. 2B illustrates a reflective cup 43 which is a shallow concave volume for directing the luminous flux upwards, and FIG. 2C shows the light flux distributed downwards. Illustrates a pedestal 45 type that is a raised surface with respect to the LED chip 28 to have a larger dimming space than the hemisphere.
도 2a 내지 2c는 또한 본딩 와이어(30)를 외부 전극에 부착하기 위한 선택이 도시된다. LED 칩(28)이 내부 도체의 중심에 다이-부착됨이 도시되어 있다. 그러나, 본드 와이어(30)에 대한 스티치(stitch) 본드 위치는 외부 도체의 단면 어디에나 있을 수 있어서, 설계자에게 큰 융통성을 줄 수 있다.2A-2C also illustrate a choice for attaching bonding wire 30 to an external electrode. It is shown that the LED chip 28 is die-attached to the center of the inner conductor. However, the stitch bond position with respect to the bond wire 30 can be anywhere in the cross section of the outer conductor, giving the designer great flexibility.
도 3은 동심으로 리드된 다른 전력 반도체 소자 패키지(50)를 도시한다. 패키지(50)는 그 길이를 따라 길이 방향으로 가공된 평탄면(53)을 갖는 내부 도체(52)를 포함한다. 중간 도체(56)는 부분적으로 내부 도체(52)를 둘러싸고, 절연층(54)에 의해서 내부 도체(52)로부터 분리된다. 중간 도체(56)는 내부 도체(52)의 면(53) 형상에 대응하는 가공면(57)을 갖는다. 외부 도체(60)는 부분적으로 중간 도체(56)를 둘러싸고, 절연층(58)에 의해서 중간 도체(56)로부터 분리된다. 외부 도체(60)의 면(59)은 중간 도체(56) 및 내부 도체(52) 각각의 면(57, 53)에 대응하여 가공된다. 이러한 가공의 결과로서, 평탄면(53)이 노출되어, 반도체 소자 또는 다른 전기적 소자를 실장하기 위해 이용된다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 중간 도체(56) 및 외부 도체(60)는 부분적으로만 내부 도체(52)와 동심으로 되어 있다.3 shows another power semiconductor device package 50 that is concentrically read. The package 50 includes an inner conductor 52 having a flat surface 53 machined longitudinally along its length. The intermediate conductor 56 partially surrounds the inner conductor 52 and is separated from the inner conductor 52 by an insulating layer 54. The intermediate conductor 56 has a machining surface 57 corresponding to the shape of the surface 53 of the inner conductor 52. The outer conductor 60 partially surrounds the intermediate conductor 56 and is separated from the intermediate conductor 56 by an insulating layer 58. The face 59 of the outer conductor 60 is machined corresponding to the face 57, 53 of each of the intermediate conductor 56 and the inner conductor 52. As a result of this processing, the flat surface 53 is exposed and used for mounting semiconductor elements or other electrical elements. Thus, as shown in FIG. 3, the intermediate conductor 56 and the outer conductor 60 are only partially concentric with the inner conductor 52.
패키지(50)의 표면 실장면(61)에서, LED 칩일 수 있는 반도체 소자(62)가 중간 도체(56) 상에 실장됨이 도시된다. 본딩 와이어(64)는 반도체 소자(62)와 내부 도체(52)를 부착시킨다. 반도체 소자(66)가 내부 도체(52)와 부착됨이 도시되고, 본딩 와이어(68)가 반도체 소자(66)와 외부 도체(60)를 부착함이 도시된다. 내부 도체(52)의 평탄면(53)을 따라 다수의 반도체 소자(70)가 부착된다. 본딩 와이어(72)는 반도체 소자(70)를 외부 도체(60)와 접착시킨다. 예를 들면, 저항 또는 커패시터일 수 있는 전기 부품(74)도 평탄면(53)에 부착됨이 도시된다.At the surface mount surface 61 of the package 50, it is shown that a semiconductor element 62, which may be an LED chip, is mounted on the intermediate conductor 56. The bonding wire 64 attaches the semiconductor element 62 and the inner conductor 52. The semiconductor device 66 is shown attached to the inner conductor 52, and the bonding wire 68 is shown to attach the semiconductor element 66 and the outer conductor 60. A plurality of semiconductor elements 70 are attached along the flat surface 53 of the inner conductor 52. The bonding wire 72 bonds the semiconductor element 70 to the outer conductor 60. For example, an electrical component 74, which may be a resistor or a capacitor, is also shown attached to the flat surface 53.
반도체 소자를 패키지(50)에 부착시키기 위해 이용될 수 있는 다른 선택이 있다. 예를 들면, "플립 칩"(도 3에는 미도시)은 내부 도체(52)와 중간 도체(56) 사이에서 솔더링 또는 에폭시될 수 있다. 반도체 소자는 외부 도체(60)의 면(59) 상에 접착되고, 이후 본딩 와이어에 의해 내부 도체(52)와 접속될 수도 있다.There is another option that can be used to attach the semiconductor device to the package 50. For example, a "flip chip" (not shown in FIG. 3) may be soldered or epoxyd between the inner conductor 52 and the intermediate conductor 56. The semiconductor element may be bonded onto the surface 59 of the outer conductor 60 and then connected to the inner conductor 52 by a bonding wire.
반도체 소자(70)가 레이저 애플리케이션에서 최적인 방식으로 배치되기 때문에 패키지(50)는 특히 반도체 레이저 같은 애플리케이션에서 유용하다. 패키지(50)는 또한 LED 패키지 외에 다른 애플리케이션에도 이용될 수 있다. 예를 들면, 반도체 소자(70, 62, 66)와 함께 전기 부품(74)이 현재 인쇄 회로 기판에 의해서 수행되는 대부분의 기능을 수행하기 위해 이용될 수 있다.The package 50 is particularly useful in applications such as semiconductor lasers because the semiconductor device 70 is arranged in an optimal manner in laser applications. The package 50 may also be used for other applications besides the LED package. For example, electrical components 74 together with semiconductor elements 70, 62, 66 may be used to perform most of the functions currently performed by printed circuit boards.
패키지(50)에 도시된 반도체 소자에 대한 전력은 중간 도체(56) 및 외부 도체(60)를 통하는 리턴 전기 경로(미도시)를 이용하여 내부 도체(52)에 의해서 공급될 수 있다. 내부 도체(52)는 또한 내부 도체(52)의 단부(75)를 적절한 히트 싱크(미도시)에 삽입함으로써 패키지(50) 내의 반도체 소자에 의해 발생된 열을 제거하기 위해서 이용될 수 있다. 또한, 중간 도체(56)나 또는 외부 도체(60) 중 하나 또는 이들 모두가 히트 싱크에 접속되어서, 열을 제거하기 위해 이용될 수도 있다. 이러한 다른 구성에서는, 중간 도체(56) 및 외부 도체(60)의 길이가 내부 도체(52)의 길이보다 길어서 히트 싱크로의 삽입을 용이하게 할 수 있다. 이 다른 구성에서는, 히트 싱크가 또한 중간 도체(56)와 외부 도체(60) 중 하나 또는 이들 모두에 전기를 공급할 수 있다.Power for the semiconductor device shown in the package 50 may be supplied by the inner conductor 52 using a return electrical path (not shown) through the intermediate conductor 56 and the outer conductor 60. The inner conductor 52 can also be used to remove heat generated by the semiconductor elements in the package 50 by inserting the end 75 of the inner conductor 52 into a suitable heat sink (not shown). In addition, one or both of the intermediate conductor 56 or the outer conductor 60 may be connected to the heat sink and used to remove heat. In this other configuration, the length of the intermediate conductor 56 and the outer conductor 60 is longer than the length of the inner conductor 52 to facilitate insertion into the heat sink. In this other configuration, the heat sink may also supply electricity to one or both of the intermediate conductor 56 and the outer conductor 60.
도 3에 도시된 패키지(50)는 전체적으로 원통형이며, 3 개의 부분적으로 동심인 도체를 포함한다. 그러나, 패키지(50)는 패키지(50) 주변부 주위에 평탄면(53)과 유사한 추가적인 실장면들을 제공함으로써 더 변화될 수 있다. 이와는 달리, 추가적인 도체가 패키지(50)에 부가될 수 있는데, 각 추가적인 도체는 전체적으로 이전의 도체들과 동심으로 된다. 또한, 패키지(50)의 도체의 전기적 구성은 도 3에 도시한 것과 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 또 다른 구성에서는, 패키지(50)가 속이 찬 직사각형 또는 소정의 다른 고형체일 수도 있는데, 도체의 표면 상에 반도체 소자 및 다른 전기 소자를 실장하기 위해 이용될 수 있다. 전체적으로 도체의 임의의 동축, 동심 또는 대칭적 구성이 이용됨으로써 우수한 방열 특성을 갖는 견고한 반도체 실장 표면을 제공할 수 있게 된다.The package 50 shown in FIG. 3 is generally cylindrical and includes three partially concentric conductors. However, the package 50 can be further changed by providing additional mounting surfaces similar to the flat surface 53 around the periphery of the package 50. Alternatively, additional conductors may be added to the package 50, with each additional conductor being entirely concentric with previous conductors. In addition, the electrical configuration of the conductor of the package 50 may be the same or different from that shown in FIG. In another configuration, the package 50 may be a solid rectangle or some other solid, which may be used to mount semiconductor devices and other electrical devices on the surface of the conductor. Any coaxial, concentric or symmetrical configuration of the conductor as a whole can be used to provide a solid semiconductor mounting surface with good heat dissipation properties.
본 명세서에서 사용되는 용어 및 설명은 예시를 위해서만 설명된 것이지 한정하려는 의도가 아니다. 당업자들은 후속의 청구항들에서 정의되는 바와 같이 본 발명의 사상 및 범주 내에서 많은 변형과 균등물이 이루어질 수 있음을 인식할 것이며, 여기서의 모든 용어들은 별도로 지시된 것이 없다면 가능한 한 가장 넓은 의미로서 이해되어야 할 것이다.The terminology and description used herein is for the purpose of illustration and not of limitation. Those skilled in the art will recognize that many modifications and equivalents may be made within the spirit and scope of the invention as defined in the claims that follow, and all terms herein are to be understood in their broadest sense unless otherwise indicated. Should be.
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