KR20050113736A - Light emitting diode package - Google Patents

Light emitting diode package Download PDF

Info

Publication number
KR20050113736A
KR20050113736A KR20040038825A KR20040038825A KR20050113736A KR 20050113736 A KR20050113736 A KR 20050113736A KR 20040038825 A KR20040038825 A KR 20040038825A KR 20040038825 A KR20040038825 A KR 20040038825A KR 20050113736 A KR20050113736 A KR 20050113736A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
heat sink
circuit board
printed circuit
Prior art date
Application number
KR20040038825A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박준석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR20040038825A priority Critical patent/KR20050113736A/en
Publication of KR20050113736A publication Critical patent/KR20050113736A/en

Links

Abstract

본 발명은 방열 성능이 뛰어나고, 회로 설계의 자유를 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지를 개시한다. 개시된 본 발명은 방열판; 상기 방열판 상에 구비된 발광 다이오드칩; 상기 발광 다이오드칩 둘레를 감싸면서, 상기 방열판 상에 구비된 월; 상기 방열판 상에 구비된 월에 형성된 몰드부; 및 상기 방열판 상에 형성되고, 복수개의 외부 단자를 구비한 인쇄회로기판; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a light emitting diode package that is excellent in heat dissipation performance and can increase the freedom of circuit design. The disclosed invention is a heat sink; A light emitting diode chip provided on the heat sink; A wall provided on the heat sink while surrounding a light emitting diode chip; A mold part formed on a wall provided on the heat sink; And a printed circuit board formed on the heat sink and having a plurality of external terminals. Characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 인쇄회로기판 상에는 상기 월과 대응되는 홀이 형성되어 있고, 상기 몰드부와 대응되면서 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 렌즈부를 더 포함하며, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 상기 발광 다이오드칩의 전극 단자와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 적어도 2개 이상인 것을 특징으로 한다.Here, a hole corresponding to the wall is formed on the printed circuit board, and further includes a lens unit corresponding to the mold part and formed on the printed circuit board, and formed on the printed circuit board. They are electrically connected to the electrode terminals of the light emitting diode chip, and at least two external terminals formed on the printed circuit board.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 방열 성능이 뛰어나고, 회로 설계의 자유를 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package that is excellent in heat dissipation performance and can increase freedom of circuit design.

일반적으로 LED(Light Emitting Diode)란 발광 다이오드라고도 부르며, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.Generally, a light emitting diode (LED) is also called a light emitting diode, which is a device used to send and receive signals by converting an electric signal into an infrared, visible or light form using the characteristics of a compound semiconductor.

보통 LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다.Usually, the use range of LED is used in home appliances, remote controllers, electronic signs, indicators, and various automation devices, and the types are largely divided into Infrared Emitting Diode (IRD) and Visible Light Emitting Diode (VLED).

상기의 LED의 구조는 일반적으로 다음과 같다.The structure of the LED is generally as follows.

일반적으로 적색 LED와 달리 청색 LED는 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층이 형성되고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈이 있고, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 활성층을 형성되어 있다.In general, unlike a red LED, a blue LED has an N-type GaN layer formed on a sapphire substrate, an N-metal on one side of the surface of the N-type GaN layer, and an active layer in addition to the region where the N-metal is formed. .

그리고, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층이 형성되고, 상기 P형 GaN 층 상에 P-메탈이 형성되어져 있다.A P-type GaN layer is formed on the active layer, and a P-metal is formed on the P-type GaN layer.

상기 활성층은 P 메탈을 통하여 전송되어 오는 정공과 N 메탈을 통하여 전송해오는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.The active layer is a layer that generates light by combining holes transmitted through the P metal and electrons transmitted through the N metal.

상기와 같은 LED는 출력되는 광의 세기에 따라, 가정용 가전 제품, 전광판 등에 사용되는데, 다음은 백라이트용 리드 프레임 상에 LED를 패키지한 구조를 도시한 것이다.The LED is used in home appliances, electronic signs, and the like, according to the intensity of light output. The following shows a structure in which LEDs are packaged on a backlight lead frame.

특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 있고, 주변 기기인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등도 더욱 소형화되고 있다.In particular, LEDs are becoming smaller and slimmer in information and communication devices, and peripheral devices, such as resistors, capacitors, and noise filters, are becoming smaller.

따라서, PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device: 이하, SMD라 함)형으로 만들어지고 있다.Therefore, it is made of a surface mount device (hereinafter referred to as SMD) type for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate.

이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. Accordingly, LED lamps, which are used as display elements, are also being developed in SMD type.

이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.Such SMD can replace the existing simple lighting lamp, which is used for lighting indicators of various colors, character display and image display.

상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전동 등 요구되는 휘도의 량도 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 발광 다이오드가 널리 쓰이고 있다.As the use area of LEDs becomes wider as described above, the amount of luminance required such as electric lamps for living, electric power for rescue signals, etc. also increases, and high power light emitting diodes are widely used in recent years.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 분해한 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a structure of a light emitting diode package according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 기술에 따른 LED 패키지 구조는 외부 PCB로부터 상기 발광 다이오드에 전원을 인가시키기 위한 전극 리드 프레임(102)이 발광 다이오드 패키지 몸체(100)에 각각 형성 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, in the LED package structure according to the related art, an electrode lead frame 102 for applying power to the light emitting diode from an external PCB is formed on the light emitting diode package body 100, respectively.

상기 발광 다이오드 패키지 몸체(100) 상부에는 발광 다이오드(10)에서 발생되는 광의 광효율을 향상시키기 위해서 몰드 렌즈(111)가 부착된다.A mold lens 111 is attached to the light emitting diode package body 100 to improve light efficiency of light generated from the light emitting diode 10.

상기 발광 다이오드 패키지 몸체(100) 하측으로는 발광 다이오드(10)를 실장한 어셈블리가 결합하는데, 먼저 전기적 전도체(20) 상에 광반사율이 높은 반사컵(21)을 결합한다.An assembly in which the light emitting diode 10 is mounted is coupled to the lower side of the light emitting diode package body 100. First, a reflective cup 21 having a high light reflectance is coupled to the electrical conductor 20.

상기 발광 다이오드(10)는 실리콘으로 형성된 서브 마운트(SMD: 15) 상에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩으로 실장되는데, 도면에는 도시하지 않았지만, 서브 마운트(15)를 식각하여 서브 마운트 내측에 반사홀을 형성하고, 상기 반사홀 상에 반사층을 형성한 다음 상기 발광 다이오드(10)를 실장한다.The light emitting diode 10 is mounted by flip chip bonding or wire bonding on a sub-mount (SMD) 15 formed of silicon. Although not shown in the drawing, the light-emitting diode 10 is formed by etching the sub-mount 15 to form a reflection hole inside the sub-mount. The light emitting diode 10 is mounted, and then a reflective layer is formed on the reflective hole.

이렇게 상기 서브 마운트(15) 상에 발광 다이오드(10)가 실장되면 상기 서브 마운트(15)를 상기 전도체(20) 상에 형성되어 있는 반사컵(21) 상에 실장한 다음, 전원이 인가될 수 있도록 상기 발광 다이오드 몸체(100)의 전극 리드 프레임(102)과 전기적 연결 공정을 진행한다.When the light emitting diode 10 is mounted on the sub mount 15, the sub mount 15 is mounted on the reflection cup 21 formed on the conductor 20, and then power may be applied. An electrical connection process is performed with the electrode lead frame 102 of the LED body 100.

이렇게 조립된 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드(10)에서 발생한 광을 상기 반사컵(21)에서 반사시킨 다음, 상기 몰드 렌즈(111)를 통하여 외부로 발산하게 된다.The assembled LED package reflects the light generated from the light emitting diode 10 in the reflective cup 21 and then diverges to the outside through the mold lens 111.

그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지는 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류의 크기를 높일 경우에는 패키지내의 방열 성능이 좋지 않아 높은 열이 발생하는 문제가 있다.However, the light emitting diode package having the structure as described above has a problem of high heat generation due to poor heat dissipation performance when the current is increased in order to obtain high output light.

이와 같이 패키지 내부에 높은 열이 방열되지 않고, 그대로 존재할 경우 저항이 매우 높아져 광효율이 저하된다.As such, high heat is not radiated inside the package, and when present as it is, the resistance is very high and the light efficiency is reduced.

또한, 종래 발광 다이오드 패키지는 전도체, 반사컵, 패키지 몸체 등이 각각 분리되어 있으므로 열저항체들이 많이 존재하여 상기 발광 다이오드에서 발생하는 열이 쉽게 외부로 전달되지 않는 단점이 있다.In addition, the conventional LED package has a disadvantage that the conductor, the reflecting cup, the package body, etc. are separated from each other, so that many heat resistors exist so that heat generated from the LED is not easily transferred to the outside.

본 발명은, 금속 방열판 상에 직접 LED 칩을 실장하고, LED 칩의 전극 단자와 연결된 외부 단자를 플러스(+)측과 마이너스(-)측으로 구분하여, 각각 두 개 이상씩 형성함으로써, 방열 성능이 뛰어나고, 회로 설계의 자유를 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.According to the present invention, a heat dissipation performance is achieved by mounting an LED chip directly on a metal heat sink and forming two or more external terminals connected to the electrode terminals of the LED chip into a plus (+) side and a minus (-) side, respectively. An object of the present invention is to provide a light emitting diode package that is excellent and can increase the freedom of circuit design.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는,In order to achieve the above object, a light emitting diode package according to the present invention,

방열판;Heat sink;

상기 방열판 상에 구비된 발광 다이오드칩;A light emitting diode chip provided on the heat sink;

상기 발광 다이오드칩 둘레를 감싸면서, 상기 방열판 상에 구비된 월;A wall provided on the heat sink while surrounding a light emitting diode chip;

상기 방열판 상에 구비된 월에 형성된 몰드부; 및A mold part formed on a wall provided on the heat sink; And

상기 방열판 상에 형성되고, 복수개의 외부 단자를 구비한 인쇄회로기판; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.A printed circuit board formed on the heat sink and having a plurality of external terminals; Characterized in that it comprises a.

여기서, 상기 인쇄회로기판 상에는 상기 월과 대응되는 홀이 형성되어 있고, 상기 몰드부와 대응되면서 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 렌즈부를 더 포함하며, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 상기 발광 다이오드칩의 전극 단자와 전기적으로 연결되어 있고, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 적어도 2개 이상인 것을 특징으로 한다.Here, a hole corresponding to the wall is formed on the printed circuit board, and further includes a lens unit corresponding to the mold part and formed on the printed circuit board, and formed on the printed circuit board. They are electrically connected to the electrode terminals of the light emitting diode chip, and at least two external terminals formed on the printed circuit board.

그리고 상기 발광다이오드 칩은 서브 마운트와 상기 서브 마운트 상에 형성되는 발광 다이오드와 전극단자를 포함하고, 상기 발광 다이오드 칩은 발광 색상을 변화시키기 위한 인광제를 포함하며, 상기 방열판 상에는 상기 발광 다이오드칩과 방열판 상에 형성되는 회로패턴 및 전극 단자와 전기적 절연을 위해서 절연층이 더포함되는 것을 특징으로 한다.The light emitting diode chip includes a sub-mount, a light emitting diode and an electrode terminal formed on the sub-mount, the light-emitting diode chip includes a phosphor for changing a light emission color, and the light-emitting diode chip on the heat sink. An insulating layer is further included to electrically insulate the circuit pattern and the electrode terminal formed on the heat sink.

또한, 상기 몰드부는 상측이 렌즈 형상이고, 상기 홀의 크기는 상기 월이 노출가능하도록 상기 월의 외주면 보다 크거나 같으며, 상기 방열판과 인쇄회로기판의 구조는 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 삼각형, 오각형, 육각형 중 어느 하나의 형태이고, 상기 발광 다이오드 칩은 서브 마운트 상에 발광 다이오드가 실장된 구조인 것을 특징으로 한다.In addition, the mold portion has a lens shape on the upper side, the size of the hole is greater than or equal to the outer peripheral surface of the wall to expose the wall, the structure of the heat sink and printed circuit board is square, rectangular, circular, oval, triangular, The light emitting diode chip may have a pentagonal shape or a hexagonal shape, and the light emitting diode chip may have a structure in which a light emitting diode is mounted on a submount.

본 발명에 의하면, 금속 방열판 상에 직접 LED 칩을 실장하고, LED 칩의 전극 단자와 연결된 외부 단자를 플러스(+)측과 마이너스(-)측으로 구분하여, 각각 두 개 이상씩 형성함으로써, 방열 성능이 뛰어나고, 회로 설계의 자유를 높일 수 있다.According to the present invention, the LED chip is mounted directly on the metal heat sink, and the external terminal connected to the electrode terminal of the LED chip is divided into a plus (+) side and a minus (-) side, respectively, and formed at least two, thereby providing heat dissipation performance. This is excellent and can increase the freedom of circuit design.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing the structure of a light emitting diode package according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드 패키지(200)는 금속 방열판(201)상에 절연층(203)을 상부면 전면에 형성하고, 상기 절연층(203) 상에 직접 발광 다이오드칩(220)을 실장하였다.As shown in FIG. 2, the LED package 200 has an insulating layer 203 formed on the front surface of the upper surface of the metal heat sink 201, and the LED chip 220 directly on the insulating layer 203. Mounted.

상기 발광 다이오드칩(220)은 서브 마운트(220b) 상에 형성되어 있는 홈 내측에 발광 다이오드(220a)가 실장되어 있는 구조를 하고 있다.The light emitting diode chip 220 has a structure in which the light emitting diode 220a is mounted inside a groove formed on the submount 220b.

상기 발광 다이오드(LED: 220a)의 발광 면적을 넓히기 위해서 플립칩 본딩 방식으로 상기 발광 다이오드(220a)를 서브 마운트(220b)에 실장하였다.In order to increase the light emitting area of the light emitting diode (LED) 220a, the light emitting diode 220a is mounted on the sub-mount 220b by flip chip bonding.

그리고 상기 방열판(201) 상에는 상기 발광 다이오드칩(220)의 전극과 전기적으로 연결을 위한 회로 패턴과 전극 단자(204a, 204)가 형성되어 있다.In addition, circuit patterns and electrode terminals 204a and 204 for electrically connecting the electrodes of the light emitting diode chip 220 are formed on the heat sink 201.

상기 발광 다이오드칩(220)이 실장되어 있는 주위에는 상기 발광 다이오드칩(220) 둘레를 감싸기 위한 월(wall:230)이 형성되어 있다.A wall 230 is formed around the light emitting diode chip 220 to surround the light emitting diode chip 220.

상기 월(230) 내측에는 에폭시 몰딩을 하여 몰드 렌즈(222)가 형성되어 있어, 상기 발광 다이오드칩(220)에서 발생되는 광을 외부로 확산시킨다.A mold lens 222 is formed by epoxy molding inside the wall 230 to diffuse light generated from the light emitting diode chip 220 to the outside.

도면에서는 도시하였지만, 설명하지 않은 205는 납땜을 나타낸다.Although shown in the figure, 205, which is not described, represents soldering.

도 3은 상기 도 2의 I-I'를 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2.

도 3에 도시된 바와 같이, 열전도가 우수한 금속 방열판(201) 상에 절연층(203)이 전면에 형성되어 있고, 상기 절연층(203) 상에 회로 패턴과 연결된 전극 단자(204a, 204)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, an insulating layer 203 is formed on the front surface of the metal heat sink 201 having excellent thermal conductivity, and electrode terminals 204a and 204 connected to a circuit pattern are formed on the insulating layer 203. Formed.

상기 방열판(201) 중심 영역에는 발광 다이오드칩(220)을 외부에서 감싸고 있는 월(230)이 형성되어 있는데, 상기 월(230)은 상기 전극 단자 또는 절연층(203) 상에 접착제(225)에 의해 부착되어 있다.The wall 230 which surrounds the light emitting diode chip 220 is formed in the center region of the heat sink 201, and the wall 230 is attached to the adhesive 225 on the electrode terminal or the insulating layer 203. It is attached by.

따라서, 상기 월(230) 내측에 실장되어 있는 발광 다이오드칩(220)은 상기 월(230)에 의해서 외부와 차단된다.Therefore, the LED chip 220 mounted inside the wall 230 is cut off from the outside by the wall 230.

상기 월(230) 내측에 실장되어 있는 발광 다이오드칩(220)은 상기 방열판(201)의 절연층(203) 상에 실장되는데, 상기 발광 다이오드칩의 서브 마운트(220b)와 상기 절연층(203) 사이에 금속 패이스트(paste: 207)에 의해 부착되어 있다.The LED chip 220 mounted inside the wall 230 is mounted on the insulating layer 203 of the heat sink 201, and the sub-mount 220b and the insulating layer 203 of the LED chip. It is attached by the metal paste (207) in between.

상기 패이스트(207)는 열전도가 좋은 Ag를 사용한다.The paste 207 uses Ag having good thermal conductivity.

상기 발광 다이오드칩(220)은 실리콘과 같은 절연 반도체 재질로 되어 있는 상기 서브 마운트(220b)에 발광 다이오드(220a)를 플립칩 방식으로 본딩 되어 있다.The light emitting diode chip 220 is bonded to the sub-mount 220b made of an insulating semiconductor material such as silicon in a flip chip manner.

상기 서브 마운트(220b) 상에 실장되어 있는 발광 다이오드(220a)는 광출력 면적을 넓히기 위해서 플립칩 방식으로 본딩 되어 있고, 상기 발광 다이오드(220a)의 P전극과 N전극은 솔더(solder)에 의해서 상기 서브 마운트(220b) 상에 형성된 전극 단자와 연결된다.The light emitting diode 220a mounted on the sub-mount 220b is bonded in a flip chip method to increase the light output area, and the P electrode and the N electrode of the light emitting diode 220a are formed by soldering. It is connected to the electrode terminal formed on the sub-mount 220b.

그리고 상기 서브 마운트(220b)의 전극 단자는 와이어(211) 본딩에 의해서 상기 방열판(201) 상에 형성되어 있는 도전 배선(209)과 연결된다.The electrode terminal of the sub-mount 220b is connected to the conductive wire 209 formed on the heat sink 201 by bonding the wire 211.

또한, 상기 발광 다이오드(220a)가 실장되어 있는 상기 서브 마운트(220b) 상에는 인광제(221)가 몰딩되어 있어, 상기 발광 다이오드(220a)가 발광하는 광의 색을 변화시킨다.In addition, a phosphor 221 is molded on the sub-mount 220b on which the light emitting diode 220a is mounted, thereby changing the color of light emitted from the light emitting diode 220a.

그리고, 상기 발광 다이오드칩(220)이 실장되어 있는 월(230) 내측에는 몰딩 렌즈(222)가 형성되어 있어 상기 발광 다이오드칩(220)으로부터 발생되는 광효율을 향상시켰다.In addition, a molding lens 222 is formed inside the wall 230 in which the light emitting diode chip 220 is mounted, thereby improving light efficiency generated from the light emitting diode chip 220.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 도면이다.4 is a view showing a light emitting diode package according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 도 2에서와 같이 방열판(201) 상에 발광 다이오드칩이 실장되면, 상기 발광 다이오드칩에 구동신호를 인가하기 위한 인쇄회로기판(260)을 부착하여 발광 다이오드 패키지(200)를 형성한다.As shown in FIG. 4, when the LED chip is mounted on the heat sink 201 as shown in FIG. 2, a printed circuit board 260 for applying a driving signal to the LED chip is attached to the LED package. 200).

따라서, 상기 인쇄회로기판(206)은 상기 방열판(201) 상에 실장되어 있는 상기 월(wall)이 외부로 노출될 수 있도록 홀이 형성되어 있다.Therefore, the printed circuit board 206 has a hole formed so that the wall mounted on the heat sink 201 can be exposed to the outside.

또한, 상기 인쇄회로기판(206) 상에는 플러스(+) 단자와 마이너스(-) 단자로 구별되는 외부 단자(301, 302)들이 각각 적어도 두 개 이상이 형성하여, 상기 발광 다이오드 패키지(200)의 설계 자유도를 높였다.In addition, at least two external terminals 301 and 302 which are divided into plus (+) terminals and minus (−) terminals are formed on the printed circuit board 206 to design the light emitting diode package 200. Increased degrees of freedom

즉, 발광 다이오드 패키지의 외부 단자가 다수개 형성되어 있으면, 상기 발광 다이오드 패키지가 실장되는 회로에서 공간 배치 및 다른 회로 소자들과의 자유롭게 연결할 수 있게 된다.That is, when a plurality of external terminals of the light emitting diode package are formed, it is possible to freely connect the space arrangement and other circuit elements in the circuit in which the light emitting diode package is mounted.

그리고 상기 인쇄회로기판(206) 상에 형성되어 있는 외부 단자(301, 302)들 하부에는 상기 인쇄회로기판(206)을 관통한 비아홀(via hole) 상에 전도성 금속과 연결되어 있고, 전도성 금속은 방열판(201) 상에 형성되어 전극 단자와 납땜에 의해서 전기적으로 연결된다.In addition, a lower portion of the external terminals 301 and 302 formed on the printed circuit board 206 is connected to a conductive metal on a via hole penetrating the printed circuit board 206. It is formed on the heat sink 201 and is electrically connected to the electrode terminal by soldering.

따라서, 상기 인쇄회로기판(206) 상에 형성되어 있는 외부 단자(3010, 302)는 상기 발광 다이오드칩의 전극 단자들과 전기적으로 연결되어 있어, 상기 발광 다이오드에 구동신호를 인가할 수 있도록 되어 있다.Accordingly, the external terminals 3010 and 302 formed on the printed circuit board 206 are electrically connected to the electrode terminals of the light emitting diode chip, so that a driving signal can be applied to the light emitting diode. .

상기 인쇄회로기판(206)이 방열판(201) 상에 부착되면 상기 인쇄회로기판(206) 상에 형성한 홀 외측으로 렌즈부(300)를 부착한다. 상기 렌즈부(300)는 월(wall) 외측으로 발광되는 광이 외부로 확산될 수 있도록 하는 역할을 한다.When the printed circuit board 206 is attached to the heat sink 201, the lens unit 300 is attached to the outside of the hole formed on the printed circuit board 206. The lens unit 300 serves to diffuse light emitted to the outside of the wall to the outside.

이때, 상기 렌즈부(300)를 상기 인쇄회로기판(206) 상에 체결하기 위해서 상기 인쇄회로기판 상에는 체결홈(310)이 형성되어 있다.In this case, a fastening groove 310 is formed on the printed circuit board in order to fasten the lens unit 300 on the printed circuit board 206.

본 발명에서는 방열판(201)과 인쇄회로기판(206)의 형상을 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 삼각형, 오각형, 육각형들과 같이 다양하게 형성하여, 발광 다이오드 패키지의 외형 구조를 다양하게 변형하여 제작할 수 있다.In the present invention, the heat sink 201 and the printed circuit board 206 may be formed in various shapes such as square, rectangular, circular, elliptical, triangular, pentagonal, hexagonal, and variously modified in external structure of the LED package. Can be.

따라서, 본 발명에서는 상기 발광 다이오드칩을 직접 방열판에 실장하여 방열 성능을 높이면서, 발광 다이오드에 구동신호를 인가하는 인쇄회로기판 상에 다수개의 외부 단자를 형성하여 설계 자유도를 높였다.Accordingly, in the present invention, the LED chip is directly mounted on a heat sink to improve heat dissipation performance, and a plurality of external terminals are formed on a printed circuit board applying a driving signal to the LED, thereby increasing design freedom.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 금속 방열판 상에 직접 LED 칩을 실장하고, LED 칩의 전극 단자와 연결된 외부 단자를 플러스(+)측과 마이너스(-)측으로 구분하여, 각각 두 개 이상씩 형성함으로써, 방열 성능이 뛰어나고, 회로 설계의 자유를 높일 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention mounts the LED chip directly on the metal heat sink, and separates the external terminal connected to the electrode terminal of the LED chip into a plus (+) side and a minus (-) side, respectively two or more By forming thickly, the heat dissipation performance is excellent and the freedom of circuit design can be improved.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 분해한 사시도.1 is an exploded perspective view of a structure of a light emitting diode package according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 도시한 사시도.Figure 2 is a perspective view showing the structure of a light emitting diode package according to the present invention.

도 3은 상기 도 2의 I-I'를 절단한 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 도면.4 is a view showing a light emitting diode package according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

200: 발광 다이오드 패키지 201: 방열판200: light emitting diode package 201: heat sink

203: 절연층 204, 204a: 전극 단자203: insulating layer 204, 204a: electrode terminal

205: 납땜 211: 와이어(wire)205: soldering 211: wire

220a: 발광 다이오드 220b: 서브 마운트220a: light emitting diode 220b: submount

220: 발광 다이오드칩 230: 월(wall)220: light emitting diode chip 230: wall

Claims (12)

방열판;Heat sink; 상기 방열판 상에 구비된 발광 다이오드칩;A light emitting diode chip provided on the heat sink; 상기 발광 다이오드칩 둘레를 감싸면서, 상기 방열판 상에 구비된 월;A wall provided on the heat sink while surrounding a light emitting diode chip; 상기 방열판 상에 구비된 월에 형성된 몰드부; 및A mold part formed on a wall provided on the heat sink; And 상기 방열판 상에 형성되고, 복수개의 외부 단자를 구비한 인쇄회로기판; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.A printed circuit board formed on the heat sink and having a plurality of external terminals; Light emitting diode package comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄회로기판 상에는 상기 월과 대응되는 홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And a hole corresponding to the wall is formed on the printed circuit board. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몰드부와 대응되면서 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 렌즈부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And a lens unit corresponding to the mold unit and formed on the printed circuit board. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 상기 발광 다이오드칩의 전극 단자와 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The external terminals formed on the printed circuit board are electrically connected to the electrode terminal of the light emitting diode chip. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되어 있는 외부 단자들은 적어도 2개 이상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And at least two external terminals formed on the printed circuit board. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드 칩은 서브 마운트와 상기 서브 마운트 상에 형성되는 발광 다이오드와 전극단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode chip includes a sub-mount, a light emitting diode and an electrode terminal formed on the sub-mount. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 다이오드칩은 발광 색상을 변화시키기 위한 인광제를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package includes a light emitting agent for changing the light emitting color. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열판 상에는 상기 발광 다이오드칩과 방열판 상에 형성되는 회로패턴 및 전극 단자와 전기적 절연을 위해서 절연층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package on the heat sink further comprises an insulating layer for electrical insulation with the light emitting diode chip and the circuit pattern formed on the heat sink. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몰드부는 상측이 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The mold unit has a light emitting diode package, characterized in that the image side. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 홀의 크기는 상기 월이 노출 가능하도록 상기 월의 외주면 보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The hole size of the LED package, characterized in that greater than or equal to the outer peripheral surface of the wall to expose the wall. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열판과 인쇄회로기판의 구조는 정사각형, 직사각형, 원형, 타원형, 삼각형, 오각형, 육각형 중 어느 하나의 형태인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The structure of the heat sink and the printed circuit board is a light emitting diode package, characterized in that any one of a square, rectangular, round, oval, triangle, pentagon, hexagon. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광 다이오드칩은 서브 마운트 상에 발광 다이오드가 실장된 구조인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The light emitting diode chip has a light emitting diode mounted structure on the sub-mount.
KR20040038825A 2004-05-31 2004-05-31 Light emitting diode package KR20050113736A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040038825A KR20050113736A (en) 2004-05-31 2004-05-31 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20040038825A KR20050113736A (en) 2004-05-31 2004-05-31 Light emitting diode package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050113736A true KR20050113736A (en) 2005-12-05

Family

ID=37288211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20040038825A KR20050113736A (en) 2004-05-31 2004-05-31 Light emitting diode package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050113736A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100723247B1 (en) * 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
KR100789951B1 (en) * 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 Apparatus and method for manufacturing Light Emitting Unit
KR101232505B1 (en) * 2005-06-30 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabrication light emission diode package and backlight unit and liquid crystal display device
KR20150041344A (en) * 2013-10-08 2015-04-16 엘지이노텍 주식회사 Light emitting Device, and package including the deivce

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101232505B1 (en) * 2005-06-30 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabrication light emission diode package and backlight unit and liquid crystal display device
KR100723247B1 (en) * 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 Chip coating type light emitting diode package and fabrication method thereof
KR100789951B1 (en) * 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 Apparatus and method for manufacturing Light Emitting Unit
US7869674B2 (en) 2006-06-09 2011-01-11 Lg Electronics Inc. Light emitting unit, apparatus and method for manufacturing the same, apparatus for molding lens thereof, and light emitting device package thereof
KR20150041344A (en) * 2013-10-08 2015-04-16 엘지이노텍 주식회사 Light emitting Device, and package including the deivce

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7642704B2 (en) Light-emitting diode with a base
KR100828891B1 (en) LED Package
KR100616695B1 (en) High power light emitting diode package
US8035121B2 (en) Package for light emitting device having a lens spaced from a light emitting device module
JP4305896B2 (en) High brightness light emitting device and manufacturing method thereof
KR100764432B1 (en) Led package having anodized isolations and its manufacturing method
US7598528B2 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
AU2006254610B2 (en) Package structure of semiconductor light-emitting device
KR100851183B1 (en) Semiconductor light emitting device package
US20030006423A1 (en) Semiconductor light emitting device package
JPH11163419A (en) Light-emitting device
JP2005079329A (en) Surface-mounting light emitting diode
JP2004356506A (en) Glass sealed type light emitting diode
KR100580765B1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing light emitting diode package
KR100944085B1 (en) Light emitting device
US8030835B2 (en) Light emitting device
KR20050012372A (en) Luminescent diode package and method for manufacturing led package
US8476656B2 (en) Light-emitting diode
JP2001332769A (en) Light emitting diode lighting equipment
JP4187239B2 (en) High brightness light emitting device and manufacturing method thereof
KR20060053468A (en) Led package having multitude led
KR20050113736A (en) Light emitting diode package
KR20050101737A (en) Light emitting diode package
JP2007208292A (en) Light-emitting device
KR20140008911A (en) Optical module and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application