KR200155055Y1 - 반도체소자의 로직검사장치 - Google Patents

반도체소자의 로직검사장치 Download PDF

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KR200155055Y1 KR2019930021186U KR930021186U KR200155055Y1 KR 200155055 Y1 KR200155055 Y1 KR 200155055Y1 KR 2019930021186 U KR2019930021186 U KR 2019930021186U KR 930021186 U KR930021186 U KR 930021186U KR 200155055 Y1 KR200155055 Y1 KR 200155055Y1
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Abstract

본 고안은 반도체소자의 로직검사장치에 관한 것으로, 실용성 및 경제성이 뛰어난 로직검사장치를 실현하기 위해 측정대상소자에 출력저항을 인가하는 출력저항인가부(1)와, 측정대상소자의 출력값과 기준전위를 비교하는 비교부(2), 및 상기 비교부의 출력값을 판별하여 측정대상소자의 출력값의 정상/불량을 나타내주는 판별 및 표시부(3)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 로직 검사장치를 제공한다.

Description

반도체소자의 로직검사장치
제1도 및 제2도는 종래 방법에 의한 반도체소자 로직검사장치의 구성도.
제3도는 본 고안에 의한 반도체소자의 로직검사장치의 블록도 및 회로도.
제4도는 본 고안에 의한 반도체소자의 로직검사장치의 동작을 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 출력저항인가부 2 : 비교부
3 : 판별 및 표시부
본 고안은 반도체소자의 로직(Logic) 검사장치에 관한 것으로, 특히 VOH(출력 High), VOL(출력 Low) 및 Z-상태(state)를 측정할 수 있도록 한 실용성과 경제성을 겸비한 간이 로직 검사장치에 관한 것이다.
종래 반도체소자의 로직을 검사하는 방법은 두 가지가 있다.
하나는 검사장비를 이용하는 방법이고, 다른 하나는 계측기를 이용하는 방법이다.
검사장비를 이용하는 방법은 제1도에 도시한 바와 같이 측정할 수 있도록 장비에 프로그램을 작성하고, 측정하고자 하는 반도체소자를 테스트헤더(Test Header)에 실장한 다음 검사장비에 의해 검사를 실시하여 측정값을 읽어 내는 것이다. 단, Z-상태출력을 측정할 수 없는 장비인 경우에는 추가적인 기술이 필요하다.
계측기를 이용하는 방법은 제2도에 도시한 바와 같이 펑션제너레이터(Function Generator)를 이용하여 측정대상소자가 H(High), L(Low) 또는 Z-상태가 출력되도록 한 다음 오실로스코우프로 측정대상 소자의 출력을 관측하여 측정값을 읽어 내는 것이다.
상술한 종래기술에 있어서, 검사장비를 이용하여 로직을 검사하는 경우에는 고가의 검사장비가 필요하고 프로그래밍기법을 알아야 하며, 휴대가 불가능하여 이동성이 어려우므로 비실용적이고, 장비에 따라 Z-상태측정이 되지 않는 경우가 있다.
그리고 계측기를 이용하는 경우에는 역시 고가의 계측기가 필요하고, 이동성은 좋으나 휴대하기에는 부적합하며, 측정 가능하도록 주변회로를 꾸며야 한다.
본 고안은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 실용적이고 경제적인 간이 로직 검사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안의 로직 검사장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제3도 (a)와 (b)는 본 고안의 로직 검사장치의 블록도와 회로도를 각각 나타낸 것이다.
본 고안의 로직 검사장치는 측정대상소자에 출력저항을 인가하는 출력저항인가부(1)와, 측정대상소자의 출력값과 기준전위를 비교하는 비교부(2) 및 상기 비교부(2)의 출력값을 판별하여 측정대상소자의 출력값의 정상/불량을 나타내주는 판별 및 표시부(3)로 구성된다.
상기 출력저항인가부(1)는 일단이 측정대상소자에 역방향으로 연결되는 다이오드(D1)와, 일단이 VT(2.2V)에 연결되고 타단이 상기 다이오드(D1)에 순방향으로 연결되는 저항(R1)과, 일단이 상기 다이오드(D1)에 역방향으로 연결되고 타단이 접지단자에 연결된 저항(R2)으로 구성된다.
상기 비교부(2)는 (-)단자에 VOH기준전위(2.4V)가 인가되고 (+)단자에 측정대상소자의 출력값이 인가되며 출력단자에 제1스위치(sw1)가 연결된 제1비교기(com1)와, (-)단자에 측정대상소자의 출력값이 인가되고 (+)단자에 VOL기준전위(0.4V)가 인가되며 출력단자에 제2스위치(sw2)가 연결된 제2비교기(com2)로 구성된다.
상기 판별 및 표시부(3)는 상기 제1스위치(sw1) 및 제2스위치(sw2)와 전원단자(Vcc)사이에 연결된 제1발광다이오드(LED1)와 저항(R1), 제1스위치(sw1) 및 제2스위치(sw2)와 접지단자 사이에 연결된 저항(R4)과 제2발광다이오드(LED2)로 구성된다.
제4도를 참조하여 본 고안의 로직검사장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제4도 (a)를 참조하여 VOH를 검사하는 방법을 설명하면, 측정대상소자(10)의 출력이 H로 VOH기준전위 2.4V보다 큰 3V가 출력되었다고 가정하면 제1비교부(com1)의 (+)단자의 전위 3V가 (-)단자보다 크므로 제1비교기(com1)의 출력은 H가 된다.
따라서 상기 제1비교기(com1)에 연결된 제1스위치(sw1)는 턴온되고, 반대로 제2비교부(com2)의 (-)단자의 전위 3V가 (+)단자보다 크므로 제2비교기(com2)의 출력은 L이 되어 제2스위치(sw2)는 턴오프된다.
이때 제2발광다이오드(LED2)가 온(on)되면 VOH가 정상적으로 나타났음을 의미하고 제1발광다이오드(LED1)가 온되면 VOH가 불량(Fail)임을 의미한다.
다음에 제4도 (b)를 참조하여 VOL을 검사하는 방법을 설명하면, 측정대상소자(10)의 출력이 L(Low)로 0.2V가 출력되었다고 가정하면 제2비교기(com2)의 (-)단자에 0.2V가 인가되고 (+)단자의 기준전위가 0.4V로 크므로 제2비교기(com2)의 출력은 H가 된다.
따라서 상기 제2비교기(com2)의 출력이 H가 되므로 제2스위치(sw2)는 턴온되고, 반면에 제1비교기(com1)는 L을 출력하게 되므로 제1스위치(sw1)는 턴-오프된다.
이때 제2발광다이오드(LED2)가 온되면 VOL이 정상적으로 출력되었음을 나타내는 것이고, 제1발광다이오드(LED1)가 온되면 VOL이 불량(Fail)임을 나타낸 것이다.
다음에 제4도 (c) 및 (d)을 참조하여 Z-상태를 검사하는 방법을 설명하면, 측정대상소자(10)의 게이트컨트롤(gate control)단자가 H이면 소자의 출력은 Z-상태가 된다. Z-상태는 레벨을 알 수 없는 상태(unknown state)이므로 강제로 특정상태로 전압을 셋팅한다.
(d)에 나타낸 바와 같이 강제적으로 A점의 전위를 2.2V-0.7V=1.5V로 셋팅시키면 (a)와 같이 제1스위치(sw1), 제2스위치(sw2)가 모두 온되어 있고, 제1비교기(com1)의 (+)단자에는 1.5V, 제2비교기(com2)의 (+)단자에도 1.5V가 걸리므로 제1 및 제2비교기의 출력은 L이 된다.
이때 제1발광다이오드(LED1)가 온되면 Z-상태가 정상임을 나타내는 것이고, 제2발광다이오드(LED2)가 온되면 Z-상태가 불량임을 의미한다.
이상 상술한 바와 같이 본 고안에 의하면 매우 낮은 비용으로 반도체소자의 로직 검사장치를 구현할 수 있으며, 일반적인 로직 검사장치에서 불가능한 Z-상태의 측정이 가능할 뿐 아니라 실용성이 뛰어나고 휴대 및 이동이 편리한 로직 검사 장치를 실현할 수 있다.

Claims (1)

  1. 측정대상소자에 출력저항을 인가하는 출력저항인가부(1)와, 측정대상소자의 출력값과 기준전위를 비교하는 비교부(2), 및 상기 비교부의 출력값을 판별하여 측정대상소자의 출력값의 정상/불량을 나타내주는 판별 및 표시부(3)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 로직 검사장치.
KR2019930021186U 1993-10-15 1993-10-15 반도체소자의 로직검사장치 KR200155055Y1 (ko)

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KR950012601U KR950012601U (ko) 1995-05-17
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