KR20010106963A - Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC - Google Patents

Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC Download PDF

Info

Publication number
KR20010106963A
KR20010106963A KR1020000028084A KR20000028084A KR20010106963A KR 20010106963 A KR20010106963 A KR 20010106963A KR 1020000028084 A KR1020000028084 A KR 1020000028084A KR 20000028084 A KR20000028084 A KR 20000028084A KR 20010106963 A KR20010106963 A KR 20010106963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode pattern
electrode
contact probe
probe
pdp
Prior art date
Application number
KR1020000028084A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
은탁
Original Assignee
은탁
마이크로 인스펙션 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 은탁, 마이크로 인스펙션 주식회사 filed Critical 은탁
Priority to KR1020000028084A priority Critical patent/KR20010106963A/en
Publication of KR20010106963A publication Critical patent/KR20010106963A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/42Measurement or testing during manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)

Abstract

본 발명은 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치 및 방법에 관한 것으로서, PDP전극패턴의 전기적인 특성을 측정할 때 정전용량의 변화에 따라 주파수값이 변화되는 저렴한 타이머IC로 구성된 비접촉식 프로브를 사용하여 PDP전극패턴의 오픈여부를 측정할 수 있도록 하고, 인접 전극패턴에 전원을 인가하여 측정되는 전압값을 측정하여 단락여부를 측정할 수 있도록 함으로써 고가의 정전용량 근접센서 프로브를 이용하지 않고도 PDP전극패턴의 오픈 및 단락여부를 측정하여 테스트에 소요되는 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to an apparatus and method for inspecting a non-contact PDP electrode pattern using a non-contact probe by a timer IC, wherein an inexpensive timer in which a frequency value changes according to a change in capacitance when measuring electrical characteristics of the PDP electrode pattern Expensive capacitive proximity sensor by measuring whether the PDP electrode pattern is opened or not by using a non-contact probe composed of IC, and measuring the voltage value measured by applying power to the adjacent electrode pattern. The cost of the test can be reduced by measuring whether the PDP electrode pattern is opened or shorted without using a probe.

Description

타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치 및 방법{Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC}Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC

본 발명은 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 PDP전극패턴의 전기적인 특성을 측정할 때 정전용량의 변화에 따라 주파수값이 변화되는 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 사용하여 PDP전극패턴의 오픈여부를 측정하고 인접 전극패턴에 전원을 인가하여 측정되는 전압값을 측정하여 단락여부를 측정하는 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for inspecting a non-contact PDP electrode pattern using a non-contact probe by a timer IC. More particularly, the frequency value is changed according to the change of capacitance when measuring the electrical characteristics of the PDP electrode pattern. Non-contact scan using non-contact probe by timer IC to measure whether the PDP electrode pattern is open by using non-contact probe by changing timer IC, and measure the voltage value measured by applying power to adjacent electrode pattern. It relates to a PDP electrode pattern inspection apparatus and method of the method.

일반적으로 PDP(Plasma Display panel)는 상판 글라스와 하판 글라스 및 그 사이의 칸막이에 의해 밀폐된 유리사이에 Ne+Ar, Ne+Xe 등의 가스를 넣어 양극과 음극의 전극에 의해 전압을 인가하여 네온광을 발광시켜 표시광으로 이용하는 전자표시장치를 말하는 것이다.In general, PDP (Plasma Display panel) is neon by putting a voltage such as Ne + Ar, Ne + Xe between the top glass and the bottom glass and the glass sealed by the partition between them It refers to an electronic display device that emits light to use as display light.

따라서, 플라즈마 디스플레이는 마주보는 상판 글라스와 하판 글라스의 세로 전극패턴과 가로 전극사이에 구성 교차점을 방전셀로 형성하여 방전을 온오프함으로써 갖가지 문자나 패턴을 표시한다.Accordingly, the plasma display displays various characters or patterns by forming a discharge point between discharge electrodes formed between the vertical electrode patterns and the horizontal electrodes of the upper and lower glass plates facing each other, as the discharge cells.

PDP는 발광형으로 선명한 대형표시가 가능하기 때문에 FA(공장자동화)용으로 많이 사용되었으나 현재는 표시장치의 소형 경량화, 고성능화와 함께 퍼스널 컴퓨터 등 OA(사무자동화) 등으로 많이 활용하고 있으며 대형 패널로 표시품위가 높을 뿐만 아니라 응답속도가 빠르기 때문에 벽걸이TV로 채용되면서 수요가 급증하고 있다.PDP has been widely used for FA (factory automation) because it is possible to display large size with clear light, but now it is widely used for OA (office automation) such as personal computer with small size, light weight and high performance of display device. As the display quality is high and the response speed is fast, demand is increasing rapidly as it is adopted as a wall-mounted TV.

이와 같은 PDP는 상판 글라스와 하판 글라스에 형성된 전극패턴의 교차점에서 플라즈마 발생에 의한 방전에 의해 발광하도록 구성되었기 때문에 상판 글라스와 하판 글라스에 형성된 전극패턴의 전기적인 특성에 따라 완성품의 수율이 결정된다.Since the PDP is configured to emit light by discharge due to plasma generation at the intersection of the electrode patterns formed on the upper glass and the lower glass, the yield of the finished product is determined according to the electrical characteristics of the electrode patterns formed on the upper glass and the lower glass.

따라서, 본 발명에서는 PDP의 상판 글라스와 하판 글라스에 형성된 전극패턴에 대한 전기적인 특성 중 전극패턴 배선의 단락여부 및 다른 전극패턴 배선과의 합선여부를 검사하기 위한 장치 및 방법에 대해 다루고자 한다.Therefore, in the present invention, an apparatus and method for inspecting whether a short circuit of an electrode pattern wiring and a short circuit with another electrode pattern wiring are examined among electrical characteristics of the electrode patterns formed on the upper glass and the lower glass of the PDP.

도 1은 일반적인 PDP의 상판 글라스와 하판 글라스에 형성된 전극패턴을 나타낸 도면으로써, (가)는 상판 글라스에 형성된 전극패턴이고, (나)는 하판 글라스에 형성된 전극패턴이다.FIG. 1 is a view illustrating electrode patterns formed on a top glass and a bottom glass of a general PDP. (A) is an electrode pattern formed on a top glass, and (B) is an electrode pattern formed on a bottom glass.

여기에 도시된 바와 같이 상판 글라스(10)와 하판 글라스(11)의 표면에는 다수개의 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)이 형성되어 있음을 볼 수 있다. 또한, 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)에 전원 등을 공급하기 위한 콘넥터 패턴(10c)(11c)이 형성되어 있다.As shown here, it can be seen that a plurality of electrode patterns 10a, 10b, 11a, and 11b are formed on the top glass 10 and the bottom glass 11. Further, connector patterns 10c and 11c for supplying power and the like to the electrode patterns 10a, 10b and 11a and 11b are formed.

이 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)은 통상, 42인치 PDP의 경우 선폭은 50㎛, 피치(pitch)는 200㎛인 반면, 선길이는 1m에 달하기 때문에 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)을 형성하는 공정에서뿐만 아니라 그 후에 반복되는 열처리와 같은 제조과정에서 배선이 끊어지거나(open) 인접한 다른 배선과 연결되는(short) 경우가 빈번히 발생한다.The electrode patterns 10a, 10b, 11a and 11b are typically 50 m in line width and 200 m in pitch in the case of 42-inch PDP, whereas the line length reaches 1 m. In the manufacturing process, such as heat treatment (10b), (11a) and (11b), as well as subsequent repeated heat treatment, the wiring is frequently opened or shorted with other adjacent wiring.

따라서, PDP 제조공정의 중간중간에 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)의 양측에 형성된 콘넥터 패턴(10c)(11c)을 통해 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)의 전기적인 특성을 검사하는 패턴검사 공정이 필수적으로 들어가 전극패턴(10a)(10b)(11a) (11b)의 단락여부 및 합선여부를 검사함으로써 PDP 완성품의 수율을 높일 수 있도록 한다.Therefore, the electrode patterns 10a, 10b, 11a and 11b are formed through the connector patterns 10c and 11c formed on both sides of the electrode patterns 10a, 10b, 11a and 11b in the middle of the PDP manufacturing process. The pattern inspection process for inspecting the electrical characteristics of the () is essential to increase the yield of the finished PDP by inspecting whether the electrode patterns 10a, 10b, 11a, and 11b are short-circuited and short-circuited.

도 2는 PDP 전극패턴의 전기적 특성을 검사하기 위한 종래의 테스트 핀 블록이다.2 is a conventional test pin block for inspecting electrical characteristics of a PDP electrode pattern.

여기에 도시된 바와 같이 테스트 핀 블록(12)의 측면에 다수개의 테스트핀(12a)이 검사하고자 하는 PDP 전극패턴의 선폭 및 피치와 일치하도록 형성된다.As shown here, a plurality of test pins 12a are formed on the side of the test pin block 12 to match the line width and pitch of the PDP electrode pattern to be inspected.

따라서, 도 1에 도시된 전극패턴을 갖는 PDP의 상판 글라스(10)나 하판 글라스(11)에 형성된 전극패턴(10a)(10b)(11a)(11b)을 검사하고자 할 때 해당 전극패턴(10a)(11a)의 일측에 형성된 콘넥터 패턴(10c)(11c)과 해당 전극패턴(10a)(11a)의 타측 끝단에 테스트핀(12a)을 가압접촉시킨 후 콘넥터 패턴(10c)(11c)에 전압을 인가한 후 타측 끝단에서 전압을 측정함으로써 해당 전극패턴(10a)의 개방 및 단락여부를 검사하게 된다.Therefore, when the electrode patterns 10a, 10b, 11a, and 11b formed on the upper glass 10 or the lower glass 11 of the PDP having the electrode pattern shown in FIG. 1 are to be inspected, the corresponding electrode pattern 10a The test pins 12a are pressed into the connector patterns 10c and 11c formed at one side of the 11a and the other ends of the electrode patterns 10a and 11a, and then the voltage is applied to the connector patterns 10c and 11c. After applying the voltage and measuring the voltage at the other end to check whether the electrode pattern (10a) open and short.

또한, 해당 전극패턴(10a)(11a)의 양측 끝단에 테스트핀(12a)을 가압접촉시킨 후 전압을 교번하여 인가하면서 인접 전극패턴(10b)(11b)의 양측 끝단에서 전압을 측정함으로써 해당 전극패턴(10a)(11a)과 인접 전극패턴(10b)(11b)의 합선여부를 검사하게 된다.In addition, the test pins 12a are pressed to both ends of the electrode patterns 10a and 11a, and then voltages are alternately applied to measure the voltage at both ends of the adjacent electrode patterns 10b and 11b. The short circuit between the patterns 10a and 11a and the adjacent electrode patterns 10b and 11b is examined.

그러나, 위와 같이 테스트 핀 블록에 의한 전극패턴의 검사방식은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the inspection method of the electrode pattern by the test pin block as described above has the following problems.

첫째, 테스트핀 블록에 의한 검사는 테스트핀과 콘넥터 패턴과의 가압접촉 방식이기 때문에 고가이면서도 내구성이 없는 테스트핀이 가압접촉시 쉽게 손상될 뿐만 아니라 교체에 따른 많은 비용이 소요되는 문제점이 있다.First, because the test by the test pin block is a pressure contact method between the test pin and the connector pattern, there is a problem that expensive and durable test pins are not only easily damaged during pressure contact but also require a large cost due to replacement.

둘째, PDP의 제품모델이나 설계가 변경되어 전극패턴의 위치 및 피치 등이 바뀌게 될 경우 테스트핀 블록의 테스트핀의 위치 및 피치가 고정되어 있기 때문에 이와 연관된 기구부를 모두 교체해야 하는 문제점으로 모델이나 설계변경에 대한 대응성이 없어 범용적으로 사용할 수 없는 문제점이 있다.Second, if the position and pitch of the electrode pattern is changed due to the change in the product model or design of the PDP, the position and pitch of the test pin of the test pin block are fixed. There is a problem that can not be used universally because there is no correspondence to changes.

셋째, 도 1과 같은 방식으로 전극패턴들이 형성된 경우 PDP 전극패턴을 검사할 때 콘넥터 패턴 이외에 화소부위(도 1의 "A" 및 "B"부분)에 테스트핀 블록의 테스트핀을 가압접촉시켜야 하기 때문에 접촉에 따른 스크래치(scratch)로 인하여 전극패턴의 손상으로 인한 또 다른 불량요인이 발생되는 문제점이 있다.Third, when the electrode patterns are formed in the manner as shown in FIG. Therefore, there is a problem that another defective factor is generated due to damage of the electrode pattern due to scratches due to contact.

넷째, 전극패턴이 형성된 상판 글라스와 하판 글라스 패널의 평면도가 좋지 않을 경우, 테스트 핀 블록의 테스트핀이 전극패턴과 정확하게 접촉되지 않기 때문에 글라스(glass) 패널 전체를 별도의 정밀한 대형 정반형 진공 척(vacuum chuck)으로 고정시켜야할 뿐만 아니라, 전극패턴의 정밀한 x-y 위치설정(positioning)을 위하여 x-y-θ 3축의 정밀 서보메카니즘(servomechanism)이 요구되는 등 제조원가가 상승되는 문제점이 있다.Fourthly, when the top plate and the bottom plate glass panel having the electrode pattern are not good, the test pin of the test pin block does not contact the electrode pattern accurately. In addition to fixing with a vacuum chuck, there is a problem in that manufacturing costs are increased, such as requiring a precise servo mechanism of three axes of xy-θ for precise xy positioning of the electrode pattern.

따라서, 위와 같은 문제점을 해결하기 위해 여러 형태의 패턴 모두에 범용으로 사용할 수 있도록 하며, 스크래치 발생요인이나 제조원가 상승의 부담을 저감시킬 뿐만 아니라 검사정밀도를 향상시키고, 전극패턴 위에 추가적인 박막작업이 이루어진 후에도 전극패턴의 전기적 특성을 검사할 수 있도록 본 출원인이 2000. 02. 07일자로 "정전용량 근접센서 프로브를 이용한 스캔방식의 검사장치 및 방법"(특허출원 10-2000-5664호)에 대해 특허출원 하였다.Therefore, in order to solve the above problems, it can be used universally for all types of patterns, and not only reduce the occurrence factor of scratch or the increase of manufacturing cost, but also improve the inspection accuracy and even after additional thin film work is done on the electrode pattern. Applicant has filed a patent application for "Inspection type inspection apparatus and method using a capacitive proximity sensor probe" (Patent Application No. 10-2000-5664) dated February 02, 2000 to examine the electrical characteristics of the electrode pattern. It was.

특허 출원된 정전용량 근접센서 프로브를 이용한 스캔방식의 검사장치를 도 3의 블록도에 의해 설명하면 전체 시스템은 검사장치의 전반적인 동작을 제어하는 제어부(20)와, 터치(touch) 패널이나 키보드 또는 마우스 등으로 이루어지고 제어부(20)에 명령을 입력하기 위한 입력부(21)와, TFT-LCD 등으로 이루어지며 상기 제어부(20)의 제어에 따라 검사장치의 동작상태 등을 표시하는 표시부(22)와, 제어부(20)와 외부장치 사이의 인터페이스(interface)를 제공하는 버스 네트워크(23)와, 제어부(20)의 제어에 따라 와이어가 전극패턴 위에서 구름접촉되도록 함으로써 전극패턴을 스캔하고 그 스캔된 정보를 제어부(20)에 제공하는 로울링 와이어 모듈(24), 제어부(20)의 제어에 따라 전극패턴을 비접촉 방식으로 스캔하고 그 스캔된 정보를 제어부(20)에 제공하는 정전용량 근접센서 모듈(25)로 구성된다.Referring to the scanning method using a patent-applied capacitive proximity sensor probe by the block diagram of Figure 3, the entire system includes a control unit 20 for controlling the overall operation of the inspection device, a touch panel or a keyboard or An input unit 21 for inputting a command to the control unit 20 and a TFT-LCD, etc., and a display unit 22 for displaying an operation state of the inspection apparatus under the control of the control unit 20. And a bus network 23 that provides an interface between the controller 20 and an external device, and scans the electrode pattern by bringing the wire into contact with the electrode pattern under the control of the controller 20. According to the control of the rolling wire module 24 and the control unit 20 that provide the information to the control unit 20, the electrostatic pattern scans the electrode pattern in a non-contact manner and provides the scanned information to the control unit 20. Close-up consists of a sensor module (25).

정전용량 근접센서 모듈(25)은 다시 전극패턴에 대한 커패시턴스를 이용하여 전극패턴의 전기적 특성을 검사하는 비접촉식의 정전용량 근접센서 프로브와, 로딩/언로딩 액튜에이터, 공기정압 패드로 이루어진다.The capacitive proximity sensor module 25 is composed of a non-contact capacitive proximity sensor probe, a loading / unloading actuator, and an air pressure pad, which in turn inspect the electrical characteristics of the electrode pattern by using the capacitance of the electrode pattern.

기출원된 정전용량 근접센서 모듈에 속하는 정전용량 근접센서 프로브(120)는 도 5에 도시된 바와 같이, 교류전류(i)를 공급하는 교류전원(121)과,교류전원(121)에 병렬연결되며 정전용량 근접센서 프로브(120)가 글래스 패널에 근접할 경우 글래스 패널상의 전극패턴(101)과 함께 커패시터(C)를 형성하는 전극(122)과, 전극(122)과 병렬연결되고 전극패턴(101)의 오픈 및 단락상태에 따라 가변되는 입력전압을 증폭하여 출력전압(Vo)을 발생하는 증폭기(123)로 구성된다. 여기서, 출력전압(Vo)은 전술한 제어부(20)에 공급된다.As shown in FIG. 5, the capacitive proximity sensor probe 120 belonging to the previously applied capacitive proximity sensor module is connected to the AC power supply 121 supplying an AC current i and the AC power supply 121 in parallel. When the capacitive proximity sensor probe 120 is close to the glass panel, the electrode 122 forming the capacitor C together with the electrode pattern 101 on the glass panel is connected in parallel with the electrode 122 and the electrode pattern ( The amplifier 123 generates an output voltage Vo by amplifying an input voltage that varies according to the open and short states of 101. Here, the output voltage Vo is supplied to the controller 20 described above.

정전용량 근접센서 프로브(120)의 출력전압(Vo)은 d/A로 정의되는데, 여기서 "d"는 전극패턴(101)과 전극(122) 사이의 거리이며, "A"는 전극(122)의 유효면적을 의미한다.The output voltage Vo of the capacitive proximity sensor probe 120 is defined as d / A, where “d” is the distance between the electrode pattern 101 and the electrode 122, and “A” is the electrode 122. It means the effective area of.

이와 같이 구성되는 정전용량형 근접센서 프로브(120)를 접지된 타겟(target) 면, 즉 해당 전극패턴(101)에 비접촉식으로 대응된 상태에서, 전극(122)에 교류전원(i)이 인가되면 전극(122)에는 떨어진 거리(d)에 비례하는 전압이 발생되고 이 전압은 증폭기(123)에서 증폭되어, 결과적으로 거리(d)에 비례하는 출력전압(Vo)이 발생된다. 전극패턴(101)의 접지상태를 끊으면, 타겟 면까지의 거리(d)가 무한대인 것과 같은 효과를 얻게 되어 출력전압(Vo)이 최대치로 상승하게 된다.In the state in which the capacitive proximity sensor probe 120 configured as described above is in a non-contact manner corresponding to the grounded target surface, that is, the electrode pattern 101, the AC power source i is applied to the electrode 122. A voltage proportional to the distance d is generated at the electrode 122 and this voltage is amplified by the amplifier 123, resulting in an output voltage Vo proportional to the distance d. When the ground state of the electrode pattern 101 is cut off, an effect such that the distance d to the target surface is infinite is obtained and the output voltage Vo rises to the maximum value.

이러한 정전용량형 근접센서 프로브(120)의 동작특성을 이용하여 한단 비접촉식으로 전극패턴(101)을 검사하는 방법은 도 6에 도시하였다.6 illustrates a method of inspecting the electrode pattern 101 by using a single contactless method using the operating characteristics of the capacitive proximity sensor probe 120.

먼저, 도 4에 도시된 바와 같은 방식의 경우에는, 전극패턴(101)이 형성된 패널(100)의 일측 끝에는 2개의 로울링 와이어 프로브(110),(110')를 배치하고, 다른 끝에는 정전용량형 근접센서 프로브(120)를 배치한다. 로울링 와이어프로브(110),(110')에는 로울링 와이어(118),(118')가 각각 구비되는데, 로울링 와이어(118),(118')는 전술한 로딩/언로딩 액튜에이터에 의하여 일정 속도로 회전하면서 전극패턴(101)위를 구름접촉하도록 제어된다. 이때 로울링 와이어(118),(118)는 스위치(SW1),(SW2)를 통하여 접지되는바, 이러한 상태에서 전극패턴(101)의 오픈상태를 검사할 경우, 제어부(20)의 제어에 따라 스위치(SW1)가 접속되면 해당 전극패턴(101)의 폭만큼 접지된 효과를 얻게되어, 정전용량형 근접센서 프로브(120)의 출력전압(Vo)이 일정크기만큼 작아지게 된다. 만약, 해당 전극패턴(101)의 중간이 오픈된 경우에는 로울링 와이어 프로브(110)의 로울링 와이어(118)가 스위치(SW1)를 통하여 접지되더라도 타겟 면의 전극패턴(101)은 접지되지 않으므로 출력전압(Vo)은 변하지 않게 된다. 그러므로, 제어부(20)에서는 출력전압(Vo)의 변화를 감지하여 전극패턴(101)의 오픈여부를 판단하고 이를 표시부(22)에 표시한다.First, in the case of the method as shown in FIG. 4, two rolling wire probes 110 and 110 ′ are disposed at one end of the panel 100 on which the electrode pattern 101 is formed, and at the other end of the capacitance. Type proximity sensor probe 120. The rolling wire probes 110 and 110 'are provided with the rolling wires 118 and 118', respectively. The rolling wires 118 and 118 'are provided by the above-described loading / unloading actuators. While rotating at a constant speed, it is controlled to make a rolling contact on the electrode pattern 101. At this time, the rolling wires 118 and 118 are grounded through the switches SW1 and SW2. When the open state of the electrode pattern 101 is checked in this state, the control unit 20 controls the control unit 20. When the switch SW1 is connected, the ground effect is obtained by the width of the corresponding electrode pattern 101, so that the output voltage Vo of the capacitive proximity sensor probe 120 is reduced by a certain size. If the middle of the electrode pattern 101 is open, the electrode pattern 101 on the target surface is not grounded even though the rolling wire 118 of the rolling wire probe 110 is grounded through the switch SW1. The output voltage Vo does not change. Therefore, the controller 20 detects the change in the output voltage Vo to determine whether the electrode pattern 101 is open and displays it on the display unit 22.

전극패턴(101)의 단락상태를 검사할 경우에는, 스위치(SW1),(SW2)를 모두 접속시킨다. 그러므로, 서로 인접한 전극패턴이 모두 로울링 와이어(118),(118')를 통하여 접지되기 때문에, 정전용량형 근접센서 프로브(120)의 타겟 면 중에서 접지된 면적이 커지는 효과를 얻게 된다. 따라서, 인접한 전극패턴이 정상적인 경우 출력전압(Vo)은 더욱 작아지게 된다. 만약, 두 개의 전극패턴이 어디에선가 서로 단락된 상태라면, 하나의 로울링 와이어 프로브만을 접지시킨 경우에도 두 개의 로울링 와이어 프로브 모두를 접지시킨 경우와 동일한 출력전압(Vo)이 발생되므로, 인접한 전극패턴간의 단락여부를 검사할 수 있다.When the short circuit state of the electrode pattern 101 is examined, both the switches SW1 and SW2 are connected. Therefore, since the electrode patterns adjacent to each other are grounded through the rolling wires 118 and 118 ', the grounded area of the target surface of the capacitive proximity sensor probe 120 is increased. Therefore, when the adjacent electrode pattern is normal, the output voltage Vo becomes smaller. If the two electrode patterns are short-circuited with each other, the same output voltage Vo is generated even when only one rolling wire probe is grounded. You can check for shorts between patterns.

위와 같이 정밀한 고가의 정전용량형 근접센서 프로브를 사용하여 PDP전극패턴의 단락상태와 오픈상태의 정전용량값의 변화만을 측정하기에는 많은 비용이 소요되는 문제점이 있다.Using the precise and expensive capacitive proximity sensor probe as described above, there is a problem in that it takes a lot of cost to measure only the change in the capacitance value of the short-circuit state and the open state of the PDP electrode pattern.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명의 목적은 PDP전극패턴의 전기적인 특성을 측정할 때 저가의 장비로 정전용량의 변화에 따라 주파수값이 변화되는 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 사용하여 PDP전극패턴의 오픈여부를 측정하고 인접 전극패턴에 전원을 인가하여 측정되는 전압값을 측정하여 단락여부를 측정할 수 있도록 한 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치 및 방법을 제공함에 있다.The present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a low-cost device when measuring the electrical characteristics of the PDP electrode pattern by a timer IC that changes the frequency value according to the change in capacitance Non-contact scan type PDP using non-contact probe by timer IC that measures whether the PDP electrode pattern is open by using a non-contact probe and measures the voltage value measured by applying power to the adjacent electrode pattern. An electrode pattern inspection apparatus and method are provided.

도 1은 일반적인 PDP의 상판 글라스와 하판 글라스에 형성된 전극패턴을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view illustrating electrode patterns formed on a top glass and a bottom glass of a general PDP.

도 2는 PDP 전극패턴의 전기적 특성을 검사하기 위한 종래의 테스트 핀 블록이다.2 is a conventional test pin block for inspecting electrical characteristics of a PDP electrode pattern.

도 3은 종래 기술에 의한 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 검사장치를 나타낸 블록구성도이다.Figure 3 is a block diagram showing a non-contact scan type inspection apparatus using a non-contact probe by a timer IC according to the prior art.

도 4는 도 3에서 정전용량 근접센서 프로브와 로울링 와이어 프로브와의 조합된 배치를 보인 것이다.FIG. 4 shows a combined arrangement of the capacitive proximity sensor probe and the rolling wire probe in FIG. 3.

도 5는 도 3의 정전용량 근접센서 프로브의 구성을 보인 것이다.FIG. 5 illustrates a configuration of the capacitive proximity sensor probe of FIG. 3.

도 6은 도 3의 정전용량 근접센서 프로브와 로울링 와이어 프로브를 조합하여 전극패턴을 검사하는 방법을 보인 것이다.6 illustrates a method of inspecting an electrode pattern by combining the capacitive proximity sensor probe and the rolling wire probe of FIG. 3.

도 7은 본 발명에 의한 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a non-contact scan type PDP electrode pattern inspection apparatus using a non-contact probe by a timer IC according to the present invention.

도 8은 도 7의 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 나타낸 구성도이다.8 is a block diagram illustrating a non-contact probe by the timer IC of FIG. 7.

도 9는 본 발명에 의한 테스트 순서를 나타낸 도면이다.9 is a diagram showing a test sequence according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

10 : 상판 글라스 11 : 하판 글라스10 top glass 11 bottom glass

20 : 제어부 110,110' : 로울링 와이어 프로브20: control unit 110110 ': rolling wire probe

81 : 타이머IC 82 : 저항81: timer IC 82: resistance

83 : 커패시터부 84 : 그라운드 쉴드부83: capacitor portion 84: ground shield portion

120 : 정전용량 근접센서 프로브120: capacitive proximity sensor probe

121 : 교류전원 123 : 증폭기121: AC power 123: Amplifier

10a,10b,11a,11b : 전극패턴10a, 10b, 11a, 11b: electrode pattern

TP1,TP2,TP3,TP4 : 제 1내지 제 4프로브TP1, TP2, TP3, TP4: 1st to 4th probe

CP1,CP2 : 제 1내지 제 2 비접촉식 프로브CP1, CP2: first to second non-contact probe

C1,C2,C3,C4 : 콘넥터 전극C1, C2, C3, C4: Connector electrode

P1,P2,P3,P4 : 전극패턴P1, P2, P3, P4: Electrode Pattern

ⅠS,ⅡS,ⅢS,ⅣS : 제 1내지 제 4전원스위치IS, IIS, IIIS, IVS: 1st to 4th Power Switch

ⅠG : 제 1접지스위치 ⅢG : 제 3접지스위치ⅠG: first ground switch ⅢG: third ground switch

상기와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 전극패턴의 일단은 비접촉식으로 스캔하면서 전극패턴들의 전기적 상태에 따른 출력전압을 발생하는 적어도 1개 이상의 비접촉식 프로브와 상기 전극패턴의 타단에는 접지 조건을 부여하는 접촉식 프로브를 통해 PDP 전극패턴들에 대한 전기적 특성을 판단하는 제어부를 포함하여 이루어진 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치에 있어서; 상기 비접촉식 프로브를 전극패턴과 간격을 두고 설치되는 커패시터부와, 커패시터부의 출력값을 입력받아 설정된 저항값에 의해 RC발진하는 타이머IC와, 타이머IC와 커패시터부간을 쉴드시키기 위한 그라운드 쉴드부로 형성되고; 상기 접촉식 프로브중 제 1프로브는 제 1콘넥터전극에 전원전압을 인가하기 위한 제 1전원스위치와 접지전압을 인가하기 위한 제 1접지스위치가 설치되어 있으며 제 1콘넥터전극의 상태를 측정할 수 있도록 구성되며, 제 2프로브는 제 3콘넥터전극에 전원전압을 인가하기 위한 제 2전원스위치가 설치되어 있으며 제 3콘넥터전극의 상태를 측정할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is to provide a grounding condition to at least one non-contact probe and the other end of the electrode pattern to generate an output voltage according to the electrical state of the electrode pattern while scanning one end of the electrode pattern in a non-contact manner A PDP electrode pattern inspection apparatus of a scanning method using a non-contact probe comprising a control unit for determining electrical characteristics of PDP electrode patterns through a contact probe; The non-contact probe is formed of a capacitor portion provided at intervals with an electrode pattern, a timer IC for RC oscillation by a set resistance value receiving an output value of the capacitor portion, and a ground shield portion for shielding the timer IC and the capacitor portion; The first probe of the contact probes is provided with a first power switch for applying a power voltage to the first connector electrode and a first ground switch for applying a ground voltage, so as to measure the state of the first connector electrode. The second probe has a second power switch for applying a power supply voltage to the third connector electrode, and is configured to measure a state of the third connector electrode.

또한, 본 발명에 의한 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사방법은 PDP에 형성된 전극패턴의 일단에는 비접촉식 프로브를 근접시킨 상태에서 상기 전극패턴을 스캔하고 상기 전극패턴의 타단에는 접지조건을 부여함으로써, 상기 정전용량 근접센서의 출력값의 변화를 근거로 상기 전극패턴의 전기적인 특성을 검사하는 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사방법에 있어서, 상기 전극패턴의 타단에 접지조건을 부여하여 상기 비접촉식 프로브의 주파수 변화값을 측정하여 오픈여부를 검사하며 인접한 전극패턴에 전원전압을 인가한 후 전압을 측정하여 단락여부를 측정하는 것을 특징으로 하는 한다.In addition, the PDP electrode pattern inspection method of the scanning method using a non-contact probe by the timer IC according to the present invention scans the electrode pattern in the state in which the non-contact probe is close to one end of the electrode pattern formed on the PDP and the other end of the electrode pattern In the PDP electrode pattern inspection method of the scanning method using a non-contact probe to inspect the electrical characteristics of the electrode pattern on the basis of the change of the output value of the capacitive proximity sensor by providing a grounding condition, the other end of the electrode pattern is grounded It is characterized by measuring the change in the frequency of the non-contact probe by applying a condition to check whether the open, and applying a power supply voltage to the adjacent electrode pattern and measuring the voltage to measure whether the short circuit.

따라서, 전극패턴에 프로브를 통해 공급되는 접지전압에 따라 비접촉식 프로브의 정전용량값을 타이머IC에서 정전용량값의 변화에 따라 변하는 주파수값의 변화를 측정하여 전극패턴의 오픈여부를 측정하며 인접한 전극패턴에 전원전압을 인가한 후 전압값을 측정하여 단락여부를 측정한다.Therefore, the capacitance value of the non-contact probe is measured according to the ground voltage supplied through the probe to the electrode pattern, and the change of the frequency value that changes according to the change of the capacitance value in the timer IC is measured to determine whether the electrode pattern is opened. After applying power voltage, measure the voltage value and measure the short circuit.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 또한 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이며 종래 구성과 동일한 부분은 동일한 부호 및 명칭을 사용한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the present embodiment is not intended to limit the scope of the present invention, but is presented by way of example only and the same parts as in the conventional configuration using the same reference numerals and names.

도 7은 본 발명에 의한 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 비접촉 스캔방식의 검사장치를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a non-contact scan type inspection apparatus using a non-contact probe by a timer IC according to the present invention.

여기에 도시된 바와 같이 제 1전극패턴(P1)의 좌측에서 연장된 제 1콘넥터 전극(C1)에 제 1프로브(TP1)가 설치되고, 제 2전극패턴(P2)의 우측에서 연장된 제 2콘넥터 전극(C2)에 제 3프로브(TP3)가 설치된다. 그리고, 제 3전극패턴(P3)의 좌측에서 연장된 제 3콘넥터 전극(C3)에 제 2프로브(TP2)가 설치되고, 제 4전극패턴(P4)의 우측에서 연장된 제 4콘넥터 전극(C4)에 제 4프로브(TP4)가 설치된다.As shown here, the first probe TP1 is installed on the first connector electrode C1 extending from the left side of the first electrode pattern P1, and the second probe extending from the right side of the second electrode pattern P2. The third probe TP3 is installed at the connector electrode C2. The second probe TP2 is installed on the third connector electrode C3 extending from the left side of the third electrode pattern P3, and the fourth connector electrode C4 extending from the right side of the fourth electrode pattern P4. ), The fourth probe TP4 is installed.

또한, 제 1전극패턴(P1)과 제 3전극패턴(P3)의 우측에서 정전용량을 측정하기 위한 제 2비접촉식 프로브(CP2)와 제 2전극패턴(P2)과 제 4전극패턴(P4)의 좌측에서 정전용량을 측정하기 위한 제 1비접촉식 프로브(CP1)가 각각 설치된다.In addition, the second non-contact probe CP2 and the second electrode pattern P2 and the fourth electrode pattern P4 for measuring the capacitance on the right side of the first electrode pattern P1 and the third electrode pattern P3. On the left side, first non-contact probes CP1 for measuring capacitance are provided.

그리고, 제 1프로브(TP1)는 제 1콘넥터전극(C1)에 전원전압을 인가하기 위한 제 1전원스위치(ⅠS)와 접지전압을 인가하기 위한 제 1접지스위치(ⅠG)가 설치되어 있으며 제 1콘넥터전극(C1)의 상태를 측정할 수 있도록 구성된다. 또한, 제 2프로브(TP2)는 제 3콘넥터전극(C3)에 전원전압을 인가하기 위한 제 2전원스위치(ⅡS)가 설치되어 있으며 제 3콘넥터전극(C3)의 상태를 측정할 수 있도록 구성된다. 또한, 제 3프로브(TP3)는 제 2콘넥터전극(C2)에 전원전압을 인가하기 위한 제 3전원스위치(ⅢS)와 접지전압을 인가하기 위한 제 3접지스위치(ⅢG)가 설치되어 있으며 제 2콘넥터전극(C2)의 상태를 측정할 수 있도록 구성된다. 또한, 제 4프로브(TP4)는 제 4콘넥터전극(C4)에 전원전압을 인가하기 위한 제 4전원스위치(ⅣS)가 설치되어 있으며 제 4콘넥터전극(C4)의 상태를 측정할 수 있도록 구성된다.The first probe TP1 is provided with a first power switch IS for applying a power voltage to the first connector electrode C1 and a first ground switch IG for applying a ground voltage. It is configured to measure the state of the connector electrode (C1). In addition, the second probe TP2 is provided with a second power switch IIS for applying a power voltage to the third connector electrode C3, and is configured to measure the state of the third connector electrode C3. . In addition, the third probe TP3 is provided with a third power switch IIIS for applying a power supply voltage to the second connector electrode C2 and a third ground switch IIIG for applying a ground voltage. It is configured to measure the state of the connector electrode (C2). In addition, the fourth probe TP4 is provided with a fourth power switch IVS for applying a power voltage to the fourth connector electrode C4, and is configured to measure the state of the fourth connector electrode C4. .

그리고, 제 1비접촉식 프로브(CP1)는 제 2전극패턴(P2)과 제 4전극패턴(P4)에 의해 변화되는 정전용량의 변화를 감지하도록 구성되며 제 2비접촉식 프로브(CP2)는 제 1전극패턴(P1)과 제 4전극패턴(P4)에 의해 변화되는 정전용량의 변화를 감지하도록 구성된다.In addition, the first non-contact probe CP1 is configured to detect a change in capacitance changed by the second electrode pattern P2 and the fourth electrode pattern P4, and the second non-contact probe CP2 is configured to detect the first electrode pattern. And a change in capacitance changed by P1 and the fourth electrode pattern P4.

위와 같이 제 1내지 제 4프로브(TP1,TP2,TP3,TP4)와 제 1내지 제 2비접촉식 프로브(CP1,CP2)가 한 조를 이뤄 PDP의 전극패턴을 검사하게 된다.As described above, the first to fourth probes TP1, TP2, TP3 and TP4 and the first to second non-contact probes CP1 and CP2 form a pair to inspect the electrode pattern of the PDP.

도 8은 도 7의 제 1내지 제 2타이머IC에 의한 비접촉식 프로브의 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a structure of a non-contact probe by the first to second timer ICs of FIG. 7.

여기에 도시된 바와 같이 전극패턴과 간격을 두고 설치되는 커패시터부(83)와, 커패시터부(83)의 출력값(C)과 저항(82)의 저항값(R)에 의해 RC발진하는 타이머IC(81)와, 타이머IC(81)와 커패시터부(83)간을 쉴드시키기 위한 그라운드 쉴드부(84)로 이루어진다.As shown here, a timer IC for RC oscillation is performed by the capacitor section 83 provided at intervals with the electrode pattern, the output value C of the capacitor section 83, and the resistance value R of the resistor 82. 81 and a ground shield portion 84 for shielding between the timer IC 81 and the capacitor portion 83.

위에서, 타이머IC(81)의 출력주파수(f)는 커패시터부(83)에서 측정되는 정전용량값(C)과 타이머IC(81)의 저항값(R)값의 곱에 반비례하기 때문에 커패시터부(83)의 정전용량값(C)이 변하게 되면 저항(82)의 저항값(R)이 고정되어 있기 때문에 타이머IC(81)의 출력주파수(f)는 정전용량값(C)에만 반비례하게 된다.In the above, the output frequency f of the timer IC 81 is inversely proportional to the product of the capacitance value C measured by the capacitor portion 83 and the resistance value R of the timer IC 81. When the capacitance value C of 83 is changed, since the resistance value R of the resistor 82 is fixed, the output frequency f of the timer IC 81 is inversely proportional to the capacitance value C.

따라서, 프로브(TP)를 통해 접지전압(GND)을 공급하더라도 타이머IC(81)의 출력주파수(f)가 변화가 없을 경우에는 해당 전극패턴을 오픈된 것으로 판단하게 되고, 타이머IC(81)의 출력주파수(f)가 떨어지게 되면 정상으로 판단하게 된다.Therefore, even when the ground voltage GND is supplied through the probe TP, when the output frequency f of the timer IC 81 is not changed, it is determined that the corresponding electrode pattern is open. If the output frequency f drops, it is determined to be normal.

위와 같이 전극패턴에 4개의 테스트 프로브(TP1,TP2,TP3,TP4)와 2개의 비접촉식 프로브(CP1,CP2)를 설치한 상태에서 플라즈마 디스플레이 패널의 전극패턴 상태를 검사하게 된다.As described above, the state of the electrode pattern of the plasma display panel is inspected with four test probes TP1, TP2, TP3, and TP4 and two non-contact probes CP1 and CP2 installed on the electrode pattern.

도 9는 본 발명에 의한 테스트 순서를 나타낸 도면이다.9 is a diagram showing a test sequence according to the present invention.

여기에 도시된 바와 같이 Ⅰ단계에서부터 Ⅴ단계로 이루어진 사이클을 순차적으로 스캔하면서 테스트를 수행하게 된다.As shown here, a test is performed while sequentially scanning a cycle consisting of steps I to V. FIG.

먼저, Ⅰ단계에서는 기준값을 측정하게 된다. 제 1내지 제 4프로브(TP1,TP2,TP3,TP4)에 접지전압(GND) 및 전원전압(VC)을 공급하지 않은 상태에서 제 1내지 제 2비접촉식 프로브(CP1,CP2)의 출력주파수(f)를 측정한다.First, in step I, the reference value is measured. The output frequency f of the first to second non-contact probes CP1 and CP2 without supplying the ground voltage GND and the power supply voltage VC to the first to fourth probes TP1, TP2, TP3, and TP4. Measure

다음으로, Ⅱ단계에서는 제 1전극패턴(P1)의 오픈여부를 측정하는 단계로써 제 1접지스위치(ⅠG)를 온시켜 제 1콘넥터전극(C1)에 접지전압(GND)을 인가한 상태에서 제 2비접촉식 프로브(CP2)에서 측정된 출력주파수(f)의 변화로 제 1전극패턴(P1)의 단락여부를 판정하게 된다. 다시말해, 제 2비접촉식 프로브(CP2)에서 측정된 정전용량값(C)이 기준값과 동일할 경우 타이머IC(81)의 출력주파수(f)가 변화없게 되어 제 1전극패턴(P1)은 끊어진 것으로 판단하고 측정된 정전용량값(C)이 기준값보다 클 경우에는 타이머IC(81)의 출력주파수(f)가 높아지기 때문에 정상인 것으로 판단하게 된다.Next, in step II, the first electrode pattern P1 is opened. The first ground switch IG is turned on to apply the ground voltage GND to the first connector electrode C1. The change of the output frequency f measured by the non-contact probe CP2 determines whether the first electrode pattern P1 is short-circuited. In other words, when the capacitance value C measured by the second non-contact probe CP2 is equal to the reference value, the output frequency f of the timer IC 81 is not changed and the first electrode pattern P1 is disconnected. If it is determined that the measured capacitance value C is larger than the reference value, it is determined that the output frequency f of the timer IC 81 is high and is normal.

다음으로, Ⅲ단계에서는 제 1전극패턴(P1)과 제 2,3,4전극패턴(P2,P3,P4)간에 합선된 상태를 측정하는 단계로써 제 1접지스위치(ⅠG)를 온시켜 제 1콘넥터전극(C1)에 접지전압(GND)을 인가한 상태에서 제 2,3,4전원스위치(ⅡS,ⅢS,ⅣS)를 온시켜 제 2,3,4콘넥터전극(C2,C3,C4)에 전원전압(VC)을 인가하면서 제 2,3,4프로브(TP2,TP3,TP4)에서 전압을 측정하여 전원전압(VC)이 측정될 경우에는 모두 정상이지만, 제 2,3,4프로브(TP2,TP3,TP4) 중 적어도 어느 하나 이상의 프로브에서 접지전압(GND)이 측정될 경우에는 제 1전극패턴(P1)에 인가되는 접지전압(GND)으로 전류패스가 형성된 것으로써 제 1전극패턴(P1)과 제 2,3,4전극패턴(P2,P3,P4) 중 적어도 어느 하나이상의 전극패턴과 합선된 상태로 판단하게 된다.Next, in step III, a short-circuit state is measured between the first electrode pattern P1 and the second, third and fourth electrode patterns P2, P3, and P4. With the ground voltage GND applied to the connector electrode C1, the second, third and fourth power switches IIS, IIIS and IVS are turned on to the second, third and fourth connector electrodes C2, C3 and C4. When the voltage is measured at the second, third, and fourth probes TP2, TP3, and TP4 while the power supply voltage VC is applied, all of them are normal, but the second, third, and fourth probes TP2 are normal. When the ground voltage GND is measured by at least one of the probes TP3 and TP4, the current path is formed by the ground voltage GND applied to the first electrode pattern P1. ) And the second, third and fourth electrode patterns P2, P3, and P4 are short circuited with at least one of the electrode patterns.

다음으로, Ⅳ단계에서는 제 2전극패턴(P2)의 오픈여부를 측정하는 단계로써 제 3접지스위치(ⅢG)를 온시켜 제 2콘넥터전극(C2)에 접지전압(GND)을 인가한 상태에서 제 1비접촉식 프로브(CP1)에서 측정된 정전용량값(C)의 변화로 제 2전극패턴(P2)의 단락여부를 판정하게 된다. 다시말해, 제 1비접촉식 프로브(CP1)에서 측정된 정전용량값(C)이 기준값과 동일할 경우에는 타이머IC(81)의 출력주파수(f)도 동일하기 때문에 제 2전극패턴(P2)은 끊어진 것으로 판단하고 측정된 정전용량값(C)이 기준값보다 클 경우에는 타이머IC(81)의 출력주파수(f)가 높아지기 때문에 정상인 것으로 판단하게 된다.Next, in step IV, the opening of the second electrode pattern P2 is measured. The third ground switch IIIG is turned on to apply the ground voltage GND to the second connector electrode C2. The short circuit of the second electrode pattern P2 is determined by the change in the capacitance value C measured by the one-contact probe CP1. In other words, when the capacitance C measured by the first non-contact probe CP1 is equal to the reference value, the output frequency f of the timer IC 81 is also the same, so that the second electrode pattern P2 is disconnected. If the measured capacitance value C is larger than the reference value, it is determined that the output frequency f of the timer IC 81 is high, and thus it is normal.

다음으로, Ⅴ단계에서는 제 2전극패턴(P2)과 제 1,3,4전극패턴(P1,P3,P4)간에 합선된 상태를 측정하는 단계로써 제 3접지스위치(ⅢG)를 온시켜 제 2콘넥터전극(C2)에 접지전압(GND)을 인가한 상태에서 제 1,2,4전원스위치(ⅠS,ⅡS,ⅣS)를 온시켜 제 1,3,4콘넥터전극(C1,C3,C4)에 전원을 인가하면서 제 1,2,4프로브(TP1,TP2,TP4)에서 전압을 측정하여 전원전압(VC)이 측정될 경우에는모두 정상이지만, 제 1,2,4프로브(TP1,TP2,TP4) 중 적어도 어느 하나 이상의 프로브에서 접지전압이 측정될 경우에는 제 2전극패턴(P2)에 인가되는 접지전압으로 전류패스가 형성된 것으로써 제 2전극패턴(P2)과 제 1,3,4전극패턴(P1,P3,P4) 중 적어도 어느 하나이상의 전극패턴과 합선된 상태로 판단하게 된다.Next, in step V, a short-circuit state between the second electrode pattern P2 and the first, third and fourth electrode patterns P1, P3, and P4 is measured. The first, third and fourth connector electrodes C1, C3 and C4 are turned on by turning on the first, second and fourth power switches IS, IIS and IVS while the ground voltage GND is applied to the connector electrode C2. If the power supply voltage VC is measured by measuring the voltage at the first, second, and fourth probes TP1, TP2, and TP4 while applying power, all of the first, second, and fourth probes are the first, second, and fourth probes TP1, TP2, TP4. In the case where the ground voltage is measured by at least one of the probes, the current path is formed by the ground voltage applied to the second electrode pattern P2. Thus, the second electrode pattern P2 and the first, third and fourth electrode patterns are formed. At least one of (P1, P3, P4) is determined as a short circuit state with the electrode pattern.

이와 같이 제 1내지 제 4프로브(TP1,TP2,TP3,TP4)를 한 조로 하여 한 사이클 동안에 제 1전극패턴(P1)과 제 2전극패턴(P2)의 단락여부와 합선여부를 측정하고, 제 1내지 제 4프로브(TP1,TP2,TP3,TP4)를 다음 전극패턴으로 이동한 후 다시 동일한 방법으로 제 3전극패턴(P3)과 제 4전극패턴(P4)의 단락여부와 합선여부를 측정하는 작업을 반복하게 된다.In this manner, the first to fourth probes TP1, TP2, TP3, and TP4 are used as a pair to measure whether the first electrode pattern P1 and the second electrode pattern P2 are short-circuited and short-circuited for one cycle. After moving the first to fourth probes TP1, TP2, TP3, and TP4 to the next electrode pattern, again measuring whether the third electrode pattern P3 and the fourth electrode pattern P4 are short-circuited and short-circuited. You will repeat the work.

상기한 바와 같이 본 발명은 PDP전극패턴의 전기적인 특성을 측정할 때 정전용량의 변화에 따라 주파수값이 변화되는 저렴한 타이머IC로 구성된 비접촉식 프로브를 사용하여 PDP전극패턴의 오픈여부를 측정할 수 있도록 함으로써 테스트에 소요되는 비용을 줄일 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention can measure the openness of the PDP electrode pattern by using a non-contact probe composed of a low-cost timer IC whose frequency value changes according to the capacitance change when measuring the electrical characteristics of the PDP electrode pattern. This has the advantage of reducing the cost of testing.

또한, 인접 전극패턴에 전원을 인가하여 측정되는 전압값을 측정하여 단락여부를 측정할 수 있도록 함으로써 고가의 정전용량 근접센서 프로브를 이용하지 않고도 PDP전극패턴의 단락여부를 측정할 수 있는 이점이 있다.In addition, by measuring the voltage value measured by applying power to the adjacent electrode pattern to measure whether or not the short-circuit of the PDP electrode pattern can be measured without using an expensive capacitive proximity sensor probe. .

한편, 비접촉식 프로브를 사용함으로써 전극패턴의 형태가 바뀌더라도 범용적으로 사용될 수 있어 제조원가 상승의 부담을 감소시킬 수 있다.On the other hand, by using a non-contact probe can be used universally even if the shape of the electrode pattern is changed can reduce the burden of manufacturing cost increase.

또한, 비접촉식 프로브로 검사가 이루어질 수 있으므로, 스크래치의 발생을 배제할 수 있고 전극패턴 위에 추가적인 박막작업이 이루어진 후에도 전극패턴의 전기적 특성을 검사할 수 있어 제품의 수율을 높일 수 있다.In addition, since the inspection can be made with a non-contact probe, it is possible to exclude the occurrence of scratches and to inspect the electrical properties of the electrode pattern even after the additional thin film work on the electrode pattern can increase the yield of the product.

Claims (2)

전극패턴의 일단은 비접촉식으로 스캔하면서 전극패턴들의 전기적 상태에 따른 출력전압을 발생하는 적어도 1개 이상의 비접촉식 프로브와 상기 전극패턴의 타단에는 접지 조건을 부여하는 접촉식 프로브를 통해 PDP 전극패턴들에 대한 전기적 특성을 판단하는 제어부를 포함하여 이루어진 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치에 있어서;One end of the electrode pattern is scanned in a non-contact manner and at least one non-contact probe generating an output voltage according to the electrical state of the electrode patterns, and the other end of the electrode pattern through a contact probe that gives a grounding condition to the PDP electrode patterns In the PDP electrode pattern inspection apparatus of the scanning method using a non-contact probe made of a control unit for determining the electrical characteristics; 상기 비접촉식 프로브가 전극패턴과 간격을 두고 설치되는 커패시터부와, 커패시터부의 출력값을 입력받아 설정된 저항값에 의해 RC발진하는 타이머IC와, 타이머IC와 커패시터부간을 쉴드시키기 위한 그라운드 쉴드부로 형성되고;The non-contact probe is formed of a capacitor unit provided at intervals with the electrode pattern, a timer IC for receiving the output value of the capacitor unit RC oscillated by the set resistance value, and a ground shield unit for shielding the timer IC and the capacitor unit; 상기 접촉식 프로브 중 제 1프로브는 제 1콘넥터전극에 전원전압을 인가하기 위한 제 1전원스위치와 접지전압을 인가하기 위한 제 1접지스위치가 설치되어 있으며 제 1콘넥터전극의 상태를 측정할 수 있도록 구성되며, 제 2프로브는 제 2콘넥터전극에 전원전압을 인가하기 위한 제 2전원스위치가 설치되어 있으며 제 2콘넥터전극의 상태를 측정할 수 있도록 구성된 것The first probe of the contact probes is provided with a first power switch for applying a power voltage to the first connector electrode and a first ground switch for applying a ground voltage, so as to measure a state of the first connector electrode. The second probe has a second power switch for applying a power voltage to the second connector electrode and is configured to measure the state of the second connector electrode. 을 특징으로 하는 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사장치.Scan type PDP electrode pattern inspection device using a non-contact probe by a timer IC. PDP에 형성된 전극패턴의 일단에는 비접촉식 프로브를 근접시킨 상태에서 상기 전극패턴을 스캔하고 상기 전극패턴의 타단에는 접지조건을 부여하므로서, 상기 비접촉식 프로브의 출력값의 변화를 근거로 상기 전극패턴의 전기적인 특성을 검사하는 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사방법에 있어서;One end of the electrode pattern formed on the PDP scans the electrode pattern while the non-contact probe is in close proximity and gives the grounding condition to the other end of the electrode pattern, thereby the electrical characteristics of the electrode pattern based on the change in the output value of the non-contact probe. In the PDP electrode pattern inspection method of the scanning method using a non-contact probe for inspecting; 상기 전극패턴의 타단에 접지조건을 부여하여 상기 비접촉식 프로브의 주파수 변화값을 측정하여 오픈여부를 검사하며 인접한 전극패턴에 전원전압을 인가한 후 전압을 측정하여 단락여부를 측정하는 것A ground condition is applied to the other end of the electrode pattern to measure the frequency change value of the non-contact probe to check whether it is open, and apply a power supply voltage to an adjacent electrode pattern, and measure the voltage to measure whether a short circuit occurs. 을 특징으로 하는 타이머IC에 의한 비접촉식 프로브를 이용한 스캔방식의 PDP전극패턴 검사방법.Scanning method of the PDP electrode pattern of the scan method using a non-contact probe by a timer IC.
KR1020000028084A 2000-05-24 2000-05-24 Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC KR20010106963A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000028084A KR20010106963A (en) 2000-05-24 2000-05-24 Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000028084A KR20010106963A (en) 2000-05-24 2000-05-24 Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010106963A true KR20010106963A (en) 2001-12-07

Family

ID=19670052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000028084A KR20010106963A (en) 2000-05-24 2000-05-24 Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20010106963A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040022634A (en) * 2002-09-09 2004-03-16 엘지전자 주식회사 method for non-destructive inspection
KR100472918B1 (en) * 2002-06-27 2005-03-10 대한민국(서울대학총장) Method for testing branch line and pdp electrode using frequency response
KR100707401B1 (en) * 2004-10-01 2007-04-13 마이크로 인스펙션 주식회사 Apparatus for inspecting bonding defect of driver ic and/or tcp using plat display panel
KR100796172B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-21 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe construction
KR100799161B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-29 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe and inspection apparatus and method for open/short test of pattern electrodes used thereof
KR100948062B1 (en) * 2008-07-07 2010-03-19 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179029A (en) * 1990-11-13 1992-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Characteristics inspection device of plasma display
KR19990074057A (en) * 1998-03-06 1999-10-05 구자홍 PDP fault repair device
KR20010037386A (en) * 1999-10-16 2001-05-07 윤종용 Wafer inspection system for selective inspecting of a conductive pattern defects & method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04179029A (en) * 1990-11-13 1992-06-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Characteristics inspection device of plasma display
KR19990074057A (en) * 1998-03-06 1999-10-05 구자홍 PDP fault repair device
KR20010037386A (en) * 1999-10-16 2001-05-07 윤종용 Wafer inspection system for selective inspecting of a conductive pattern defects & method thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472918B1 (en) * 2002-06-27 2005-03-10 대한민국(서울대학총장) Method for testing branch line and pdp electrode using frequency response
US6870371B2 (en) 2002-06-27 2005-03-22 Seoul National University Method and apparatus for examining plasma display panel electrodes using frequency characteristics
KR20040022634A (en) * 2002-09-09 2004-03-16 엘지전자 주식회사 method for non-destructive inspection
KR100707401B1 (en) * 2004-10-01 2007-04-13 마이크로 인스펙션 주식회사 Apparatus for inspecting bonding defect of driver ic and/or tcp using plat display panel
KR100796172B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-21 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe construction
KR100799161B1 (en) * 2006-07-20 2008-01-29 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe and inspection apparatus and method for open/short test of pattern electrodes used thereof
KR100948062B1 (en) * 2008-07-07 2010-03-19 마이크로 인스펙션 주식회사 Non-contact type single side probe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101074832B1 (en) System And Method For Classifying Defects In And Identifying Process Problems For An Electrical Circuit
KR101005624B1 (en) Inspection apparatus of touch panel
CN103858017B (en) Distribution defect detecting method and distribution flaw detection apparatus
WO2011121862A1 (en) Inspection device of capacitive touch panel and method of inspection
US9753075B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP5533169B2 (en) Inspection device
KR20010106963A (en) Inspection apparatus and method for PDP electrode pattern adapted to a scanning technique employing non-contact probe used a timer IC
KR100752937B1 (en) Inspection apparatus of a circuit substrate
KR100324138B1 (en) Inspection apparatus and method adapted to a scanning technique employing a capacitance gap sensor probe
JP4219489B2 (en) Circuit board inspection equipment
JP2001084904A (en) Electrode inspection device and method of electrode inspection
JP2000221227A (en) Apparatus and method for inspecting conductive pattern
JPH11174108A (en) Inspecting apparatus for electrode wiring
KR20080092522A (en) Inspection apparatus of a circuit substrate
KR100651918B1 (en) Apparatus and method for detecting error pixel in flat panel display
KR100491987B1 (en) Apparatus for inspecting insulation layer of pdp panel
KR200201792Y1 (en) Dummy connector patterns of the plasma display panel
KR100358484B1 (en) Inspection apparatus for pdp electrode pattern and method for operating thereof
JP2001084905A (en) Inspection device for electrode and method therefor
KR100368076B1 (en) Inspection apparatus and method for pdp electrode pattern using infrared cameras
JP2003185695A (en) Method and apparatus for inspection of wiring pattern
JPH1194918A (en) Electrode inspection apparatus
KR20010111969A (en) Inspection apparatus and method for pdp electrode pattern using magnetic heads
JP5029826B2 (en) Probe pin contact inspection method and TFT array inspection apparatus
KR101750446B1 (en) test apparatus and method for pin miss

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application