KR20010102253A

KR20010102253A - 비닐시클로헥산 기재 중합체/공중합체 및 안정제 시스템의혼합물

Info

Publication number: KR20010102253A
Application number: KR1020017010522A
Authority: KR
Inventors: 볼커 베제; 콘스타디노스 두지나스; 프리드리히-칼 브뤼더
Original assignee: 빌프리더 하이더; 바이엘 악티엔게젤샤프트; 이타가키 히로시; 테이진 가부시키가이샤
Priority date: 1999-02-19
Filing date: 2000-02-09
Publication date: 2001-11-15
Also published as: CA2362824A1; ZA200106156B; DE19906983A1; EP1157065A1; AU762336B2; WO2000049078A1; HK1045164A1; BR0008291A; US6803397B1; HK1045164B; RU2246507C2; TW500750B; JP2002537430A; AU2908600A; CN1344288A; CN1183189C

Abstract

A) 비닐시클로헥산(VCH) 기재 중합체 및 B) 락톤, 입체 장애를 갖는 페놀 및 포스파이트 성분을 함유하는 안정제 시스템을 함유하는 혼합물, 제조 방법 및 성형품, 예를 들면, 광학 데이타 기억장치 제조를 위한 그의 용도.

Description

비닐시클로헥산 기재 중합체/공중합체 및 안정제 시스템의 혼합물{Vinylcyclohexane-Based Polymer/Copolymer Mixture and Stabilizer System}

광학 데이타 기억장치 제조를 위해 현재 사용되는 폴리카보네이트와 비교하여, 충분한 역학적 성질을 갖는 비닐시클로헥산 기재 중합체의 단일중합체는 동일한 온도에서 넓은 범위의 낮은 전단율에서 더 높은 점도를 나타낸다.

가능한 가장 낮은 점도는 사출 성형에서 충분히 양호한 피트(pit) 및 그루브(groove) 재현을 위해 상당히 중요하다.

5 기가바이트 이상, 특히 10 기가바이트 이상의 데이타 기억장치의 높은 밀도를 위해서는, 가능한 한 더 작고 더 밀도있게 팩킹된 피트 및 그루브를 재현하는 것이 현재 필수적이다. EP-A 317 263 및 US-A 4 911 966에 기술된 광학 기억장치 매체는 이러한 용도를 위해 만족스럽지 않다.

가능한 가장 큰 프로세싱 윈도우를 얻기 위해, 단일중합체의 경우 현저한 분자량 감소가 나타나지 않는 한도 내에서 일반적으로 300^oC 이상의 높은 프로세싱 온도가 요구된다.

일반적으로, 분자량 감소는 중합체의 역학적 성질을 나쁘게 변화시킨다. 그러나, 충분한 수준의 역학적 성질은 사출 성형으로 광학 디스크를 믿을만하게 제조하기 위해 필요하고 그 광학 디스크의 이후 조작을 위해 필요하다.

매일 사용할 때 재료는 또한 굴곡(flexure) 및 균열(fracture) 저항성이 있어야 한다.

프로세싱 중 기계가 정지한 시간 동안 재료에 심각한 분자량 손실이 일어나지 않도록 하는 것이 중요하다.

JP 01-294 753, JP 5-242 522에 기술된 페놀 및 인 안정제는 분자량 감소를 제한하기 위한 높은 농도에 적합하나 겨우 약 300^oC의 프로세싱 온도에서 상당한 분자량 감소를 유발한다.

JP 61-138648은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트 및 폴리스티렌으로부터 제조된 광학 데이타 캐리어를 기술하고 있고, 이 중합체들은 안정제로서 2-벤조퓨라논을 함유한다.

높은 온도에서도 현저한 분자량 감소없이 가공될 수 있도록 VCH 기재 중합체/공중합체를 안정화시키는 것이 본 발명의 목적이다.

본 발명에 따른 혼합물은 상승된 온도에서도 중합체의 현저한 분자량 감소를나타내지 않는다.

놀랍게도, 락톤, 입체 장애를 갖는 페놀, 및 포스파이트 성분을 비닐시클로헥산 기재 중합체와 함께 함유하는 안정제는 300^oC 이상, 바람직하게는 320^oC 이상, 특히 바람직하게는 330^oC 이상의 프로세싱 온도에서 사출 성형된 광학 데이타 캐리어의 열안정화를 현저하게 향상시키고 분자량의 현저한 감소를 발생시키지 않는다는 것이 밝혀졌다. 중합체에 따라, 분해 프로세스는 350 내지 380^oC의 온도에서 대부분 시작된다. 통상적인 사출 성형기는 약 400^oC 이하에서의 프로세싱을 허용한다.

본 발명은 비닐시클로헥산(VCH)-기재 중합체/공중합체 및 락톤, 입체 장애를 갖는 페놀 및 포스파이트 성분을 함유하는 안정제 시스템을 함유하는 혼합물, 및 상기 혼합물의 제조 방법 및 성형품 제조를 위한 상기 혼합물의 용도에 관한 것이다.

본 발명은 A) 비닐시클로헥산 기재 중합체 및 B) 락톤, 입체 장애를 갖는 페놀 및 포스파이트 화합물을 함유하는 안정제 시스템을 함유하는 혼합물에 관한 것이다.

성분 A

바람직한 비닐시클로헥산 기재 중합체는 하기 화학식 (I')의 반복되는 구조 단위를 포함한다.

상기 식에서,

R¹및 R²는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬을 나타내고,

R³및 R⁴는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, 특히 메틸 및(또는) 에틸을 나타내거나, 또는 R³및 R⁴는 함께 알킬렌, 바람직하게는 C₃또는 C₄-알킬렌, 부분적으로 응축된 5 또는 6원 시클로지방족환을 나타내고,

R⁵는 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬을 나타내고,

R¹, R²및 R⁵는 서로 독립적으로 특히 수소 또는 메틸을 나타낸다.

결합은 입체적으로 규칙적인 헤드-투-테일식 결합(head-to-tail bonds)과는 별도로 헤드-투-헤드식 결합(head-to-head bonds)을 작은 비율로 가질 수 있다.

VCH는 바람직하게는 대부분 이소탁틱(isotactic) 또는 신디오탁틱(syndiotactic) 디아드(diad) 형태를 갖고, 더욱 바람직하게는, 중합체들은 50.1 내지 74%, 특히 더욱 바람직하게는 52 내지 70%의 신디오탁틱 디아드를 갖는다.

출발 중합체(임의 치환된 폴리스티렌)를 중합화하는 동안 바람직하게 사용되고 그 중합체에 도입될 수 있는 공단량체는 예를 들면, 일반적으로 2 내지 10개의 탄소원자를 갖는 올레핀, 예컨대 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 이소부틸렌, 부타디엔, 아크릴산 및 메타크릴산의 C₁-C₈-알킬 에스테르 바람직하게는 C₁-C₄-알킬 에스테르, 불포화 시클로지방족 탄화수소, 예를 들면, 시클로펜타디엔, 시클로헥센, 시클로헥사디엔, 임의로 치환된 노르보르넨, 디시클로펜타디엔, 디히드로시클로펜타디엔, 임의 치환된 테트라시클로도데센, 핵상에 알킬화된 스티렌, α-메틸스티렌, 디비닐벤젠, 비닐 에스테르, 비닐산, 비닐 에테르, 비닐 아세테이트, 비닐 시안화물, 예를 들면, 아클리로니트릴, 메타크릴로니트릴, 말레산 무수물 및 상기 단량체의 혼합물을 포함한다. 일반적으로, 중합체를 기준으로 60 중량% 이하, 바람직하게는 50 중량% 이하, 특히 40 중량% 이하, 특히 가장 바람직하게는 30 중량% 이하의 공단량체가 중합체에 함유될 수 있다.

비닐시클로헥산 (공)중합체는 일반적으로 광산란법으로 측정한 절대 분자량 Mw (중량 평균)이 1,000 - 10,000,000, 바람직하게는 60,000 - 1,000,000, 특히 더욱 바람직하게는 70,000 - 600,000이다.

공중합체는 랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체 형태로 존재할 수 있다.

중합체는 직쇄 구조를 가지고 공단위(예를 들면, 그래프트 공중합체)에 의해분지 부위를 가질 수 있다. 분지 중심은 예를 들면, 별 모양(star-shaped)의 중합체 또는 분지화된 중합체를 포함한다. 본 발명에 따른 중합체는 1차, 2차, 3차, 임의로 4차 중합체 구조의 다른 기하학적 모양을 가질 수 있다. 예로는 나선(helix), 이중 나선(double helix), 접힌 시이트 등 또는 상기 구조가 혼합된 구조가 있다.

블록 공중합체는 디-블록(di-blocks), 트리-블록(tri-blocks), 멀티-블록(multi-blocks) 및 별 모양의 블록 공중합체를 포함한다.

성분 B

안정제 시스템은 화학식 (I)에 상응하는 락톤, 화학식 (II)에 상응하는 입체 장애를 갖는 페놀 및 화학식 (III)에 상응하는 포스파이트 성분을 함유하고, 여기서 화학식 (I), (II) 및 (III)에 상응하는 1개 이상의 화합물이 사용될 수 있다.

락톤은 바람직하게는 화학식 (I)에 상응하는 화합물이다.

상기 식에서,

R¹, R², R³및 R⁴는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, 임의로 5 또는 6원환, 바람직하게는 시클로헥실 또는 시클로펜틸을 나타낸다. R¹및 R²는 서로 독립적으로 특히 바람직하게는 분지쇄 C₃-C₄-알킬, 특히 이소프로필 및(또는) tert-부틸을 나타낸다.

특히 바람직한 락톤은 5,7-디-t-부틸-3-(3,4-디메틸페닐)-3H-벤조푸란-2-온 이다.

입체 장애를 갖는 페놀은 바람직하게는 하기 화학식 (II)에 상응하는 화합물이다.

상기 식에서,

R⁵및 R⁶는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, 임의로 5 또는 6원환, 바람직하게는 시클로헥실 또는 시클로펜틸을 나타내고,

R⁵및 R⁶는 서로 독립적으로 특히 바람직하게는 C₃-C₄-알킬, 특히 이소프로필 및(또는) tert-부틸을 나타내고,

n은 1 내지 4의 정수, 바람직하게는 3 또는 4, 특히 4를 나타내고,

A¹및 A²는 서로 독립적으로 C₁-C₆-알킬렌, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬렌, 특히 메틸렌, 에틸렌을 나타내고,

R은 독립적으로 수소, C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, C₁-C₆-알콕시, 바람직하게는 C₁-C₄-알콕시, 임의로 5 또는 6원환, 바람직하게는 시클로헥실 또는 시클로펜틸을 나타낸다.

포스파이트 성분은 바람직하게는 하기 화학식 (III)에 상응하는 화합물이다.

상기 식에서,

R⁷및 R⁸은 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, 임의로 5 또는 6원환, 바람직하게는 시클로헥실 또는 시클로펜틸을 나타내고,

x 및 y는 서로 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4, 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2를 나타내고,

n은 1 또는 2를 나타내고,

R⁷및 R⁸은 서로 독립적으로 특히 바람직하게는 C₃-C₄-알킬, 특히 이소프로필및(또는) tert-부틸을 나타낸다.

n이 1이면, 당해 탄소원자의 원자가 결합은 수소 또는 C₁-C₆-알킬, C₁-C₆-알콕시, 임의로 5 또는 6원환, 바람직하게는 C₁-C₄-알킬, 바람직하게는 R₇및 R₈의 경우에 정의된 라디칼에 결합된다.

제공된 구조식들은 각각의 경우에 예를 들면 이성질체, 출발 화합물 및 2차 화합물을 작은 비율로 함유할 수 있는 산업적으로 사용되는 화합물의 주요 성분(>90%)을 재현한다.

락톤 유도체 (I), 입체 장애를 갖는 페놀 (II) 및 포스파이트 성분 (III)(포스포나이트)을 함유하는 안정제 혼합물은 일반적으로 사용된 중합체를 기준으로, 2 내지 0.001 중량%, 바람직하게는 1 내지 0.005 중량%, 및 특히 더욱 바람직하게는 0.6 내지 0.01 중량%의 비율로 사용된다.

락톤 (I), 입체 장애를 갖는 페놀 (II) 및 포스파이트 성분 (III)(포스포나이트)의 각각의 성분 비율은 일반적으로 5 내지 95 중량부, 바람직하게는 10 내지 60 중량부이고, 각 성분 비율의 합은 100이다.

특히 더욱 바람직한 혼합물은 5 내지 40 중량부, 특히 10 내지 25 중량부의 락톤 HP 136 (화합물 I-1)(시바 스페셜티 케미칼스, 바젤, 스위스), 30 내지 70 중량부의 입체 장애를 갖는 페놀 이르가녹스(Irganox) 1010 (화합물 II-1)(시바 스페셜티 케미칼스, 바젤, 스위스), 및 10 내지 50 중량부의 포스포나이트 이르가포스 P-EPQ (화합물 III-1)(시바 스페셜티 케미칼스, 바젤, 스위스)을 함유하고, 각 성분 비율의 합은 100이다.

화합물 (I-1), (II-1) 및 (III-1)의 화학식은 하기에 나타낸다.

락톤, 입체 장애를 갖는 페놀 및 포스파이트 화합물은 일반적으로 잘 알려져 있고 구입 가능하다.

VCH (공)중합체는 스티렌 유도체를 부수적인 단량체들과 함께 자유 라디칼, 음이온 또는 양이온 중합반응에 의해 또는 금속 복합체 개시제 또는 촉매에 의해 중합반응시킴으로써 제조되고, 이어서 불포화 방향족 결합을 완전히 또는 부분적으로 수소화시킨다(예를 들면 WO 94/21694, EP-A 322 731 참조).

비닐시클로헥산 기재 중합체는 일반적으로 방향족 단위의 실제적으로 완전한 수소화를 나타낸다. 대체로, 수소화도는 80% 이상이고, 바람직하게는 90% 이상이고, 특히 더욱 바람직하게는 99 내지 100% 이상이다. 수소화도는 예를 들면, NMR 또는 UV 분광기로 측정할 수 있다.

출발 중합체는 일반적으로 잘 알려져 있다(예를 들면, WO 94/21694).

사용된 촉매의 양은 수행되는 프로세스에 의존하고, 이는 연속적으로, 반연속적으로 또는 배치식으로 수행될 수 있다.

촉매 대 중합체의 비율은 배치식 프로세스에서 예를 들면, 일반적으로 0.3 - 0.001, 바람직하게는 0.2 - 0.005, 특히 바람직하게는 0.15 - 0.01이다.

중합체의 농도는 용매 및 중합체의 총량을 기준으로, 일반적으로 80 내지 1, 바람직하게는 50 내지 10, 특히 40 내지 15 중량%이다.

출발 중합체의 수소화는 일반적으로 잘 알려진 방법에 따라 수행된다 (예를 들면, WO 94/21 694, WO 96/34 895, EP-A-322 731). 잘 알려져 있는 많은 수소화 촉매가 촉매로서 사용될 수 있다. 바람직한 금속 촉매는 예를 들면, WO 94/21 694 또는 96/34 896에 언급되어 있다. 사용된 촉매는 수소화 반응을 위해 알려진 임의의 촉매일 수 있다. 큰 표면적 (예를 들면, 100 - 600 m²/g) 및 작은 평균 공극 직경 (예를 들면, 20 - 500 Å)을 갖는 촉매가 적합하다. 또한 공극 부피의 98%가 600 Å보다 큰 공극 직경(예컨대 1,000-4,000 Å)을 갖는 공극을 갖는 특징이 있는 큰 평균 공극 직경 및 작은 표면적 (예를 들면, 10 m²/g 이상)을 갖는 촉매가 적합하다 (예를 들면, US-A 5,654,253, US-A 5,612,422, JP-A 03076706). 특히, 라니 니켈, 실리카 또는 실리카/알루미나상의 니켈, 탄소 지지체상의 니켈 및(또는) 귀금속 촉매, 예를 들면 Pt, Ru, Rh, Pd가 사용된다.

반응은 일반적으로 0 내지 380^oC, 바람직하게는 20 내지 250^oC, 특히 60 내지 200^oC의 온도에서 수행된다.

수소화 반응을 위해 사용될 수 있는 통상적인 용매는 예를 들면 DE-AS 1 131 885에 기술되어 있다(상기 참조).

반응은 일반적으로 1 내지 1000 바아, 바람직하게는 20 내지 300 바아, 특히 40 내지 200 바아에서 수행된다.

안정제는 용액에서의 프로세스 단계 전후의 비닐시클로헥산 기재 중합체의 제조 공정 중 임의의 순간, 고체, 액체 또는 기체 응집 단계에 도입될 수 있다. 프로세스 단계는 임의로 예비 중합체, 예를 들면 폴리스티렌 유도체를 유도하는 중합화 단계, 임의로 예비 중합체의 수소화, 임의로 증발 단계 및 임의로 비닐시클로헥산 기재 중합체의 압출 또는 컴파운딩 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 안정화된 비닐시클로헥산 기재 중합체 또는 공중합체는 성형품 및 필름의 제조에 매우 적합하다. 이들은 또한 바람직하게는 직경 120 mm의 디스크를 기준으로, 5 기가바이트 이상, 특히 10 기가바이트 이상의 데이타 기억 밀도를 갖는 광학 데이타 기억장치 제조에 특히 적합하다.

본 발명에 따른 혼합물은 윤활제 및 이형제, 핵제, 정전기 방지제, 안정제및 염료 및 안료와 같은 통상적인 첨가제를 1개 이상 함유할 수 있다.

본 발명에 따른 혼합물은 비닐시클로헥산 기재 중합체 또는 공중합체를 안정제 시스템 및 임의로 추가의 첨가제와 혼합하고 승온하에서 컴파운딩함으로써 제조된다(일반적으로 >230^oC).

광학 데이타 기억장치의 예로는 하기에 기술된 것들이 있다:

- 마그네토-광학 디스크(MO 디스크)

- 미니-디스크 (MD)

- ASMO (MO-7) ("Advanced storage magnetooptic")

- DVR (12 기가바이트 디스크)

- MAMMOS ("Magnetc Amplifying magneto optical system")

- SIL 및 MSR ("Solid immersion lens" and "magnetic superresolution")

- CD-ROM (Read only memory)

- CD, CD-R (recordable), CD-RW (rewritable), CD-I (interactive), 포토-CD

- 슈퍼 오디오 CD

- DVD, DVD-R (recordable), DVD-RAM (random access memory)

- DVD = Digital versatile disc

- DVD-RW (rewritable)

- PC + RW (Phase change and rewritable)

- MMVF (multimedia video file system).

본 발명에 따른 중합체는 또한 그들의 뛰어난 광학 성질 때문에 광학 재료, 예를 들면, 렌즈, 프리즘, 거울, 색 필터 등의 제조에 특히 적합하고, 또한 홀로그래픽상(holographic images)(예를 들면, 현금 카드, 신용 카드, ID 카드, 3차원 홀로그래픽상)의 매체로서 적합하다. 상기 재료는 예를 들면 포커스드 간섭 방사(LASER)로부터 3차원 구조를 새겨넣기 위한 투명 매체로서, 특히 3차원 데이타 기억장치로서 또는 물품의 3차원적 재현을 위해 사용될 수 있다. 낮은 복굴절률 때문에, 본 발명에 따른 중합체는 포토-어드레서블(photo-addressable) 중합체의 매트릭스 재료로 특히 적합하다. 안정제의 첨가는 열적 안정화의 일반적인 효과 뿐만 아니라 사출 성형틀로부터의 더 나은 이탈성을 갖게 한다.

실시예 1-3의 제조:

40 ｌ 오토클레이브를 불활성 기체(질소)로 플러시한다. 중합체 용액 및 촉매를 첨가한다(표 1). 오토클레이브를 닫은 후 보호 기체로 수회 가압하고, 이어서 수소로 가압하였다. 가압 상태를 푼후, 수소 압력을 조정하고 내용물을 교반하면서 적합한 반응 온도로 가열한다. 반응 압력은 수소 흡수가 시작된 후 일정하게 유지시킨다.

반응을 완결시킨 후 중합체 용액을 여과한다. 안정제를 첨가하고 용매를 240^oC에서 생성물로부터 제거하고 생성물을 과립 물질로서 더 가공하였다(실시예 2및 3, 표 2).

비닐시클로헥산-기재 중합체 제조를 위한 폴리스티렌의 수소화

실시예 번호	중합체 질량²⁾kg	용매ｌ	촉매 질량³⁾g	반응 온도^oC	수소 압력bar	반응 시간h	수소화도¹⁾%
1	5.0	25시클로헥산	625³⁾	180	100	24.5	100
2	5.7	15시클로헥산10메틸-t-부틸 에테르	625	140	100	29.5	100
3	4.8	15.1시클로헥산10.1메틸-t-부틸 에테르	625	160	100	27	100

1)¹H-NMR 분광기로 측정

2) 폴리스티렌, 타입 158 k 투명, Mw = 280,000 g/mol, 절대 분자량(중량 평균), 바스프 AG, 루드빅샤펜, 독일

3) Ni/SiO₂/Al₂O₃, Ni 5136 P, 엔겔하르드, 드 미른, 네델란드

수소화 폴리스티렌의 상대 분자량(폴리스티렌 표준물질에 대해, 테트라히드로퓨란 중에서 GPC에 의해 측정됨)은

실시예 1(비교예): 106,000 g/mole

실시예 2(비교예): 161,000 g/mole

실시예 3(본 발명): 167,000 g/mole이다.

안정제의 양 및 비닐시클로헥산 기재 중합체의 상대 분자량은 표 2에 나타내었다.

비닐시클로헥산-기재 중합체의 압출

실시예		최대 프로세싱 온도^oC	분자량¹⁾Mw10³mol^-1	안정제의 양³⁾%	입체 장애를 갖는 페놀⁴⁾%	포스파이트 포스포나이트⁴⁾%	락톤⁴⁾%
1비교예	압출	240	67		-	-	-
2비교예	압출²⁾	315	142	0.46	25(이르가녹스 1010)	75(이르가포스 168)	-
3본 발명	압출³⁾	335	160	0.40	50(이르가녹스 1010)	33(이르가포스 P-EPQ)	17(HP136)

1) THF-GC 폴리스티렌에 대한 상대 분자량으로서 결정됨

2) CD 사출 성형기, 네트스탈 디스크젯 600

3) 출발 중합체 기준

4) 안정제 시스템 기준.

비교예 1은 안정제의 첨가 없이, 오직 240^oC의 프로세싱 온도에서 현격한 분자량감소가 일어난다는 것을 보여준다. 입체 장애를 갖는 페놀 및 인 화합물만을 포함하는 안정제 시스템은 고밀도 광학 기억장치 매체(비교예 2)의 사출 성형을 위해 요구되는 높은 온도(>300^oC)에서 분자량의 현저한 감소가 일어나는 단점을 갖는다. 본 발명에 따른 안정제 시스템은 휠씬 더 높은 프로세싱 온도(335^oC)에서도 중합체 분자량의 현저한 감소를 나타내지 않으므로 높은 프로세싱 온도에서의 광학 데이타 기억장치 매체 제조를 위한 비닐시클로헥산 기재 중합체의 안정제로서특히 적합하다.

Claims

A) 비닐시클로헥산 기재 중합체 및

B) 락톤, 입체 장애를 갖는 페놀 및 포스파이트 화합물을 함유하는 안정제 시스템

을 함유하는 혼합물.
제1항에 있어서, 0.001 내지 2 중량%(사용된 중합체를 기준으로)의 안정제 시스템 B를 함유하는 혼합물.
제1항에 있어서, 0.005 내지 1 중량%의 안정제 시스템 B를 함유하는 혼합물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 안정제로서 하기 화합물을 함유하는 혼합물.

- 하기 화학식 (I)에 상응하는 락톤:

(I)

(상기 식에서, R¹, R², R³및 R⁴는 서로 독립적으로 수소, C₁-C₆-알킬, 또는 5또는 6원환 알킬을 나타냄);

- 하기 화학식 (II)에 상응하는 입체 장애가 있는 페놀:

(II)

(상기 식에서, R⁵및 R⁶는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬, 또는 5 또는 6원환을 나타내고, n은 1 내지 4의 정수이고, R은 서로 독립적으로 수소, C₁-C₆-알킬, C₁-C₆-알콕시, 5 또는 6원환을 나타냄); 및

- 하기 화학식 (III)에 상응하는 포스파이트 성분

(III)

(상기 식에서, R⁷및 R⁸은 서로 독립적으로 수소, C₁-C₆-알킬을 나타내고, 또한 5 또는 6원환 또는 분지쇄 알킬을 나타내고, x 및 y는 서로 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4, 5를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, 여기서 만일 n이 1이면 탄소원자의 자유 원자가 결합은 수소, C₁-C₆-알킬, C₁-C₆-알콕시 또는 5 또는 6원환에 결합됨).
제1항 내지 제4항 중 1개 이상의 항에 있어서, 하기 화합물을 함유하는 혼합물.

(I-1)

(II-1)

(III-1)
제1항 내지 제5항 중 1개 이상의 항에 있어서, 상기 안정제 시스템이 화학식 (I)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 95 중량부(성분 B를 기준으로), 화학식 (II)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 95 중량부(성분 B를 기준으로), 화학식 (III)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 95 중량부(성분 B를 기준으로) 함유하는 것인 혼합물.
제1항 내지 제6항 중 1개 이상의 항에 있어서, 상기 안정제 시스템이 화학식(I)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 60 중량부(성분 B를 기준으로), 화학식 (II)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 60 중량부(성분 B를 기준으로), 화학식 (III)에 상응하는 화합물(들)을 5 내지 60 중량부(성분 B를 기준으로) 함유하는 것인 혼합물.
제1항 내지 제7항 중 1개 이상의 항에 있어서, 비닐시클로헥산 기재 중합체 또는 공중합체를 함유하고, 여기에서 공단량체는 올레핀, 아크릴산 또는 메타크릴산의 알킬 에스테르, 불포화 시클로지방족 탄화수소, 핵상에 알킬화된 스티렌, α-메틸스티렌, 디비닐 벤젠, 비닐 에스테르, 비닐산, 비닐 에테르, 비닐 아세테이트, 비닐 시안화물, 말레산 무수물을 포함하는 군으로부터 선택된 1개 이상의 단량체인 혼합물.
제7항에 있어서, 상기 비닐시클로헥산 기재 중합체가 하기 화학식에 상응하는 반복되는 구조 단위를 갖는 것인 혼합물.

(I')

상기 식에서,

R³및 R⁴는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬을 나타내거나 또는 R³및 R⁴는 함께 알킬렌을 나타내고,

R¹, R²및 R⁵는 서로 독립적으로 수소 또는 C₁-C₆-알킬을 나타낸다.
제1항 내지 제9항 중 1개 이상의 항에 있어서, VCH 중합체의 신디오탁틱 디아드(diad) 형태를 우세하게 갖는 혼합물.
제1항 내지 제12항 중 1개 이상의 항에 있어서, 가공 보조제, 핵제, 이형제, 염료, 안료, 안정제 및 정전기 방지제를 포함하는 군으로부터 선택된 1 이상의 첨가제를 함유하는 혼합물.
각 성분 및 임의의 첨가제를 혼합하고 컴파운딩하는, 제1항에 따른 혼합물의 제조 방법.
성형품 및 필름 제조를 위한 제1항 내지 제12항 중 1개 이상의 항에 따른 혼합물의 용도.
제13항에 있어서, 광학 데이타 캐리어 제조를 위한 용도.
제1항 내지 제14항 중 1개 이상의 항에 따른 혼합물로부터 얻어질 수 있는 성형품 및 필름.
제1항 내지 제15항 중 1개 이상의 항에 따른 혼합물로부터 얻어질 수 있는 광학 데이타 캐리어.
개선된 열안정성을 갖는 비닐시클로헥산 기재 중합체 제조를 위한 제1항 내지 제16항에 따른 안정제 시스템의 용도.