JP2003535418A - 高データ密度光媒体ディスク - Google Patents

高データ密度光媒体ディスク

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JP2003535418A
JP2003535418A JP2001520412A JP2001520412A JP2003535418A JP 2003535418 A JP2003535418 A JP 2003535418A JP 2001520412 A JP2001520412 A JP 2001520412A JP 2001520412 A JP2001520412 A JP 2001520412A JP 2003535418 A JP2003535418 A JP 2003535418A
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エル ハーンフェルド，ジェリー
ディ パーソンズ，ゲーリー
アン ジョーンズ，マリー
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Dow Chemical Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な孔複製、低複屈折、良好な寸法安定性、樹脂加工性および成形体離型特性を有する高密度光媒体ディスクを提供する。 【解決手段】 層当たり少なくとも７．５ギガバイトまたは層当たり平方センチメートル当たり少なくとも０．１７ギガバイト（Ｇｂ／ｃｍ２）のデータ密度をもちそして平均孔深さがディスクの屈折率で割ったレーザー光波長の１／４から１／８倍に等しい複製度をもつ高密度記録済み光媒体ディスク；または少なくとも０．０５Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をもち、少なくとも７５％の複製度が溝高さと左右側壁角の組み合わせで測定したとき達成される書き換え可能な光媒体ディスクであって、且つ０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下の位相遅れおよびＡＳＴＭ Ｄ５７０に従って測定された０．５％以下の吸水率をもつ、高データ密度記録済みまたは書き換え可能なディスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光媒体ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光媒体ディスクは典型的にはレーザー光で読み出し可能なデータを収容するプ
ラスチック基板からなりそして伝統的にポリカーボネート樹脂から製造されてき
た。そのようなディスクはコンパクトディスク、ビデオディスク、ＤＶＤディス
ク、ＣＤ−書き換え可能ディスク、光磁気ディスクおよび光学カードを含む。情
報を収容するディスクの容量はデータ密度に関係する。最近のポリカーボネート
ディスクの典型的なデータ密度は記録済みフォーマットで基板層当たり５ギガバ
イトであり、いくつかの基板層はより高いデータ密度ディスクを作るために結合
させることができる。しかしながら、ポリカーボネートはいくつかの欠点を有し
、ニッケルスタンパーへの重合体の付着によって引き起こされる孔（ｐｉｔ）変
形を防ぐために成形体離型剤を必要とする。孔変形の防止はより高いデータ密度
において困難性が増大する。さらに、ポリカーボネートは高レベルの水吸収性を
有し、寸法不安定性やディスクのねじれを引き起こし、このように水蒸気バリヤ
ー層を必要とする。 基板層当たり５ギガバイト以上のデータ密度は不十分な孔複製（ピットレプリ
ケーション）、複屈折、寸法安定性、樹脂加工性および成形体離型性を含む多く
の問題によって現在まだ到達されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、これらの問題を解決し、良好な孔複製、低い複屈折
、良好な寸法安定性、良好な樹脂加工性と成形体の離型特性をもった高データ密
度光媒体ディスクを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】 本発明はディスク層当たり少なくとも７．５ギガバイトまたは層当たり平方セ
ンチメートル当たり少なくとも０．１７ギガバイト（Ｇｂ／ｃｍ２）のデータ密
度をもち平均孔（ｐｉｔ）深さがディスクの屈折率で割ったレーザー光波長の１
／４から１／８倍に等しい複製（ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）度をもつディスクで
あって且つディスクが０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下の位相遅れ（ｒ
ｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）、およびＡＳＴＭ Ｄ５７０に従って測定したとき０．
５％以下の吸水率をもつ高データ密度記録済み（ｐｒｅ−ｒｅｃｏｒｄｅｄ）光
媒体ディスクである。
【０００５】 本発明の別の態様は、少なくとも０．０５Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をもち、
且つ少なくとも７５％の複製度が溝高さと左右側壁角の組み合わせで測定したと
きに達成され、且つディスクが０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下の位相
遅れ、およびＡＳＴＭ Ｄ５７０に従って測定したとき０．５％以下の吸水率を
もつ高データ密度書き換え可能な光媒体ディスクである。 本発明のディスクは、その高いデータ密度とそして低い複屈折、高透明性、低
吸水性、良好な寸法安定性、および優れた表面複製度を含む優れた特性の組み合
わせにおいてユニークである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の一態様は、記録済み高データ密度光媒体ディスクである。記録済みフ
ォーマットの場合の高データ密度は、基板表面または層当り少なくとも０．１７
Ｇｂ／ｃｍ２の容量に関係する。データ密度は基板層の面積あたりのデータ記憶
容量である。一般に、データ密度は基板表面または層当たり少なくとも０．２、
典型的には少なくとも０．２２、好都合には少なくとも０．２４、好ましくは少
なくとも０．３Ｇｂ／ｃｍ２である。好ましい態様においては、層の蓄積データ
密度のせいで増加したデータ密度をもつ単一のディスクを形成するために二つ以
上の層を結合させることができる。
【０００７】 本発明の別の態様は少なくとも０．０５Ｇｂ／ｃｍ２、一般的に少なくとも０
．０６、好ましくは少なくとも０．０７、より好ましくは少なくとも０．０７５
、そして最も好ましくは少なくとも０．０８Ｇｂ／ｃｍ２である。書き換え可能
なディスクは情報を保管できる表面に成形された一連のトラックまたは溝をもつ
重合体基板からなる。
【０００８】 データ密度の量はディスクのデータを含む領域上でのみ測定されるようなデー
タ密度に関係する。データ密度の測定方法は当業者に公知である。 複製は、記録済み光媒体ディスクにおいて、不十分な複製はディスクを読み込
み不能にするという点で重要である。それゆえに、複製はディスクが読み込み可
能または書き込み可能な充分なものでなければならない。典型的には、これは次
式で示されるような、基板材料の屈折率で割った使用する読み込みレーザー光の
波長のｎ倍に等しい孔深さを得ることによって為し遂げられる：孔深さ＝ｎ×（
波長／屈折率）。
【０００９】 そのようなフォーマットにおける適切な複写のためには、ｎは典型的には１／
４と１／８の間、好ましくは１／４と１／７の間そして最も好ましくは１／４と
１／６の間である。そのような高密度のディスクを読み込むのに使用されるレー
ザーは６３０ｎｍ以下の波長をもつレーザーであることができそして典型的には
３８０から４１０ｎｍの波長をもつブルーレーザーである。情報は当業者によく
理解されておりそしてポールマンによるＣｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｈａｎｄｂ
ｏｏｋ，第２版５５頁に開示されている。ここに記載された関係はディスク上の
記号化された情報をビットの流れに変換しディスクを読み込み可能にするために
重要である。
【００１０】 典型的には、少なくとも７５％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましく
は少なくとも８５％そして最も好ましくは少なくとも９０％の複製度が本発明の
高密度光媒体ディスクにおいて達成される。複製は孔および／または溝（表面形
状）がスタンパーからディスクに加工されるプロセスを意味する。スタンパーは
成形機の一種で、記録済みディスクの場合は情報を伝達する孔設計を含み、書き
換え可能ディスクの場合は情報を保持できる溝設計を含む。記録済みディスクに
使用されるスタンパーは特定の高さ、そして左右側壁角をもつカラムからなって
いる。側壁角はスタンパー表面形状のドラフト角に関係する。スタンパーのカラ
ムは孔深さがスタンパーのカラム高さに近いか等しくなるようにまた孔の側壁角
がカラムのドラフト角に近いか等しくなるようにディスクに孔を形成する。
【００１１】 書き換え可能ディスクの場合、スタンパーは前に述べたような特定の溝深さ、
左右ドラフト角をもつ溝を加工できる表面形状からなっている。書き換え可能デ
ィスクの複製はスタンパーからディスクへ溝高さと側壁角をうまく伝達すること
によって特徴づけられる。好ましくは、高複製度は孔や溝の深さと左右の側壁角
によって測定されたときに達成される。換言すれば、孔や溝の深さと左右の側壁
角は少なくともスタンパーで測定される値の７５％の値である。 孔深さ、側壁角および一般のディスク配列を測定する方法は当業者に公知であ
りそして原子力顕微鏡を含む。
【００１２】 本発明の高データ密度光媒体ディスクは０．６ｍｍ基板（０．００００４２以
下の複屈折）当り２５ｎｍ以下の位相遅れをもち、そしてＡＳＴＭ Ｄ５７０に
従って測定したとき０.０５％以下の吸水率をもつ。位相遅れは成形したＤＶＤ
基板を相対して配置された直交ポーラー（偏光器）と１／４波長板の間において
測定される。位相遅れは６３３ｎｍのレーザー光線を用いディスクの射出口から
２０ｍｍで測定される。伝送強度が測定されそして位相遅れは次式で計算される
。
【００１３】
【化１】
【００１４】 複屈折は基板の厚みによって位相遅れを分割することによって測定される位相
遅れから計算される。好ましくは、位相遅れは０．６ｍｍ厚みのディスク基板に
おいて２０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下そして最も好ましくは１０ｎ
ｍ以下である。吸水率は好ましくは０．０４％以下、より好ましくは０．０２％
以下そして最も好ましくは０．０１％以下である。
【００１５】 本発明のディスクは前に述べたような特性をもつ高データ密度ディスクをうま
く製造するものであればどのような重合体からも製造でき、その場合重合体は示
差走査熱量計（ＤＳＣ）で１０℃／分で測定したとき１１０℃以上のガラス転移
点（Ｔｇ）、動力学的分光測定法により温度勾配速度３℃／分、並行板ジオメト
リー（窒素下で）を用いてせん断速度１ラジアン／秒で測定したとき温度２４０
℃で、好ましくは２２５℃そして最も好ましくは２１０℃で、１０００ダイン／
ｃｍ２以下の弾性率（Ｇ’）、および動力学的分光測定法に従って２８０℃での
せん断速度掃引を用い、並行板ジオメトリー（窒素下で）を用いせん断速度１ラ
ジアン／秒で測定したとき２０００ポアズ以下、好ましくは１３００ポアズ以下
、そしてより好ましくは６００ポアズ以下の複合粘度（Ｅｔａ＊）をもつ。
【００１６】 これらの特性は良好な複製を達成するために必要である。もしこれらの特性が
達成されないと、孔や溝が適切に形成されずそのようなデータ密度で要求される
完全性を持たない。本発明の高密度光媒体ディスクは典型的にはさらに実質上透
明な材料から製造される。材料の透明性はディスク基板の光透過率が３９０ｎｍ
以上７００ｎｍまでの波長で８０％以上である。本発明のディスクを製造するの
に使用できる重合体は飽和炭化水素熱可塑性樹脂を含む。飽和の用語は化学構造
におけるオレフィン結合の量を意味する。ここで使用されるように、飽和は炭素
−炭素結合の１０％以下、好ましくは７．５％以下、より好ましくは５％以下、
更により好ましくは２％以下、そして最も好ましくは１．５％以下がオレフィン
であるかまたは現実に不飽和である重合体を意味する。この種の重合体は水素添
加芳香族／共役ジエンブロック共重合体、環状オレフィン共重合体および水素添
加された開環メタセシス重合体およびこれらのブレンド物を含む。
【００１７】 芳香族／共役ジエンブロック共重合体はビニル芳香族モノマーと共役ジエンモ
ノマーとのブロック共重合体を含む。ビニル芳香族モノマーは典型的には次式の
モノマーである。
【００１８】
【化２】
【００１９】 ここでＲ’は水素又はアルキル、Ａｒはフェニル、ハロフェニル、アルキルフェ
ニル、アルキルハロフェニル、ナフチル、ピリジニル、またはアントラセニルで
あり、アルキル基はハロ、ニトロ、アミノ、ヒドロキシ、シアノ、カルボニル及
びカルボキシルのような官能基で単置換又は多重置換されていても良い１から６
個の炭素原子を含む。より好ましくはＡｒはフェニル又はアルキルフェニルでフ
ェニルが最も好ましい。典型的なビニル芳香族モノマーはスチレン、アルファメ
チルスチレン、ビニルトルエン特にパラビニルトルエンの全ての単量体、エチル
スチレン、プロピルスチレン、ブチルスチレン、ビニルビフェニル、ビニルナフ
タレン、ビニルアントラセンの全ての異性体及びこれらの混合物を含む。
【００２０】 ブロック共重合体はひとつ以上の特定の重合したビニル芳香族モノマーを含む
ことができる５個またはそれ以上のブロックを含む。換言すれば、例えば、ペン
タブロック共重合体はポリスチレンブロック及びポリ−アルファーメチルスチレ
ンブロックを含むことができる。水素添加したビニル芳香族重合体ブロックはま
たビニル芳香族の共重合体であってもよくその場合、ビニル芳香族部分は少なく
とも共重合体の５０重量％である。好ましくは、ビニル芳香族重合体ブロックは
スチレン重合体ブロックである。
【００２１】 共役ジエンモノマーは二つの共役二重結合をもつ如何なるモノマーであっても
良い。そのようなモノマーは例えば１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−
ブタジエン、２−メチル−１，３ペンタジエン、イソプレンおよび同様な化合物
、そしてそれらの混合物を含む。好ましくは、共役ジエンはブタジエンである。
【００２２】 共役ジエン重合体ブロックは水素添加プロセスの後でも非晶質で存在する材料
、または水素添加の後で結晶化可能な材料から調製することができる。水素添加
ポリイソプレンブロックは非晶質のままであるが、水素添加ポリブタジエンブロ
ックはその構造によって非晶質であるかまたは結晶性であることができる。ポリ
ブタジエンは当量の１−ブテン繰り返し単位を与えるために水素添加する１，２
配値、もしくは当量のエチレン繰り返し単位を与えるために水素添加する１，４
配置のどちらかを含むことができる。ポリブタジエンブロックの重量基準で少な
くとも約４０重量％の１，２−ブタジエン量をもつポリブタジエンブロックは水
素添加で低いガラス転移温度をもつ実質上非晶質のブロックを与える。ポリブタ
ジエンブロックの重量基準で約４０重量％以下の１，２−ブタジエン量をもつポ
リブタジエンブロックは水素添加で結晶性ブロックを与える。結晶性ブロック（
溶媒抵抗を改善するために）または非晶質でより柔軟なブロックを共存させるこ
とは望ましいことである。 低複屈折を達成するひとつの手段はポリブタジエン
の１，２対１，４含量を調節することである。ひとつの態様においては、１，２
対１，４ポリブタジエンブロック含量の重量比が２０以上：８０であり、一般的
には２５以上：７５、好ましくは３０以上：７０、そして最も好ましくは３５以
上：６５である。１，２対１，４ポリブタジエンブロック含量の重量比が１以下
：５の場合には、一般的に１２０以下のモノマー単位、典型的には１１５以下の
モノマー単位、特徴的には１１０以下のモノマー単位、好ましくは１０５以下の
モノマー単位、より好ましくは９５以下のモノマー単位、更により好ましくは９
０以下のモノマー単位そして最も好ましくは８５以下のモノマー単位をもつ水素
添加ポリブタジエン重合体ブロックを混合することによって複屈折を調節するこ
とができる。
【００２３】 或る用途では、ブロック共重合体はポリブタジェンブロックやポリイソプレン
ブロックのような一個以上の共役ジエン重合体ブロックを含むことができる。共
役ジエン重合体ブロックはまた共役ジエンの共重合体であり、そこでは共重合体
の共役ジエン部分が少なくとも共重合体の５０重量％である。 他の重合体ブロックもまたビニル芳香族／共役ジエン重合体ブロック共重合体
に含ませることができる。
【００２４】 ブロックとはここでは共重合体の構造的又は組成的に異なった重合セグメント
からのミクロ層分離を表す共重合体の重合セグメントとして定義される。ミクロ
層分離はブロック共重合体中で重合セグメントが混じり合わないことにより生ず
る。ミクロ層分離とブロック共重合体はＰＨＹＳＩＣＳ ＴＯＤＡＹの１９９９
年２月号３２−３８頁の“Ｂｌｏｃｋ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒｓ−Ｄｅｓｉｇｎｅ
ｒ Ｓｏｆｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”で広範に議論されている。
【００２５】 水素添加ブロック共重合体は、典型的には水素添加ブロック共重合体の合計重
量基準で、例えばポリビニルシクロヘキサンまたはＰＶＣＨブロックのような水
素添加ビニル芳香族重合体の６５から９０重量％、好ましくは７０から９０重量
％、より好ましくは７５から８５重量％からなる。 本発明の水素添加ブロック共重合体は典型的には、共重合体の合計重量基準で
、水素添加共役ジエン重合体ブロックの１０から３５重量％、好ましくは１２％
から、３０重量％まで、好ましくは２５、より好ましくは２０重量％までを含む
。
【００２６】 水素添加ブロック共重合体はＳＢＳ、ＳＢＳＢＳ、ＳＩＳ、ＳＩＳＩＳ、およ
びＳＩＳＢＳ（ここでＳはポリスチレン、ＢはポリブタジェンそしてＩはポリイ
ソプレンである）のようなトリブロック、マルチブロック、テーパーブロック、
及びスターブロック共重合体を含むブロック共重合体の水素添加によって製造さ
れる。ブロック共重合体はそれぞれの末端に少なくとも一個のビニル芳香族重合
体からなるトリブロックセグメント含む。ブロック共重合体は、しかしながら、
何個かの追加ブロックを含んでいてもよく、これらのブロックはトリブロック重
合体の骨格のどの位置に結合していてもよい。このように、線状ブロックは例え
ばＳＢＳ、ＳＢＳＢ、ＳＢＳＢＳ、そしてＳＢＳＢＳＢを含む。共重合体はまた
分岐していてもよく、重合連鎖は共重合体の骨格に沿ってどの位置に結合してい
てもよい。
【００２７】 水素添加ブロック共重合体の合計数平均分子量（Ｍｎｔ）は典型的には３０，
０００から、好ましくは３２，０００から、より好ましくは３５，０００からそ
して最も好ましくは４０，０００から７０，０００まで、好ましくは６８，００
０まで、より好ましくは６５，０００までである。本明細書中で述べる数平均分
子量（Ｍｎ）はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて決
定される。水素添加ブロック共重合体の分子量及び得られた物性はそれぞれの水
素添加された重合体ブロックの分子量に依存する。水素添加重合体ブロックの分
子量を最適化することによって、低分子量（３０，０００から７０，０００）の
水素添加ブロック共重合体は高い熱変形温度および優れた堅さと引っ張り強度特
性を達成することが発見されてきた。驚くべきことに、我々は、水素添加ブロッ
ク共重合体では、優れた加工性を与える比較的低分子量において、良好な物理特
性が得られることを発見した。
【００２８】 ブロック共重合体の製造方法は当業者にとって公知である。典型的には、ブロ
ック共重合体はイオン重合によって製造され、その例としては、Ａｎｉｏｎｉｃ
Ｐｏｌｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ；Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｐｒａｃｔ
ｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、エイチ．エル．シーおよびアール．ピー
．クアーク著、マーセルデッカー社刊、ニューヨーク（１９９６）に引用されて
いる。実施態様のひとつとしては、ブロック共重合体はｓｅｃ−ブチルリチウム
またはｎ−ブチルリチウムのようなカルバニオン開始剤で連続的なモノマー付加
によって製造される。別の実施態様としては、共重合体は１，２−ジブロモエタ
ン、ジクロロジメチルシラン、又はフェニルベンゾエートのような二価のカップ
リング剤でトリブロック原料をカップリングすることによって製造される。この
実施態様においては、共役ジエン重合体の小さな連鎖（１０個以下のモノマー繰
り返し単位）はビニル芳香族重合体のカップリング末端とカップリング反応を促
進するために反応させることができる。ビニル芳香族重合体ブロックは典型的に
カップリングが難しく、それゆえ、この技術は通常ビニル芳香族重合体末端のカ
ップリングを行わせるために用いられる。ジエン重合体の連鎖はミクロ層分離が
起こらないために明確なブロックを構成しない。種々の陰イオン重合が証明され
てきたカップリング剤とその戦略が前述のシーおよびクアークの著書の１２章、
３０７−３３１頁で説明されている。更に別の態様としては、二官能の重合開始
剤がブロックシステムの中央から重合を開始させるために用いられ、成長する重
合体連鎖の両末端にモノマーが次々と付加していく。そのようなニ官能重合開始
剤の例は、有機リチウム化合物と処理した１，３−ビス（１−フェニルエチル）
ベンゼンであり、米国特許４，２００，７１８号、米国特許４，１９６，１５４
号に記載されている。
【００２９】 ブロック共重合体を調製した後に、共重合体はビニル芳香族重合体ブロックと
共役ジエン重合体ブロックの両方の共重合体セグメントにおける不飽和部分を取
り除くために水素添加される。どのような水素添加方法も使用でき、そのような
方法は典型的には、硫酸バリウム担持パラジウム（米国特許５，３５２，７４４
号）及び珪藻土担持ニッケル（米国特許３，３３３，０２４号）のような無機物
質に担持した金属触媒の使用が含まれる。さらに、Ｄｉｅ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅ
ｋｕｌａｒｅ Ｃｈｅｍｉｅの１９７２年１６０巻２９１頁に記載されているよ
うに、２−エチルヘキサノン酸とアルキルリチウムの遷移金属塩の組み合わせか
ら調製される溶解性の均一系触媒がブロック共重合体を完全に飽和させるのに使
用される。共重合体の水素添加はまた水素と米国特許５，３５２，７４４号、米
国特許５，６１２，４２２号及び米国特許５，６４５，２５３号に記載されてい
るような不均一系触媒を使用して達成することもできる。これらに記載されてい
る触媒は多孔質シリカに担持した金属結晶からなる不均一系触媒である。重合体
の水素添加に特に使用されるシリカ担持触媒の例は、表面積が少なくとも１０ｍ２ ／ｇでありそして平均孔径が３０００から６，０００オングストロームの範
囲を持つように合成されたシリカである。このシリカはそれからニッケル、コバ
ルト、ロジュウム、ルテニュウム、パラジュウム、白金、その他の周期律表第８
属の金属、それらの合金の組み合わせのような重合体を接触水素添加できるよう
な金属を含浸させる。その他の不均一系触媒もまた平均孔径が５００から３，０
００オングストロームであれば使用できる。
【００３０】 選択するとすれば、水素添加は少なくとも二つの成分の混合物からなる混合水
素添加触媒の存在下で実施される。最初の成分は水素添加速度を増加させるいく
つかの金属からなり、ニッケル、コバルト、ロジュウム、ルテニュウム、パラジ
ュウム、白金、その他の周期律表第８属の金属、及びそれらの組み合わせを含む
。好ましくはロジュウム及び／又は白金が使用される。しかしながら、白金はニ
トリルに対しては水素添加触媒能が低く、それゆえ、白金はニトリル共重合体の
水素添加には好ましくない。混合水素添加触媒に用いられる第二の成分は極性物
質に晒されたときの周期律表第８属の金属の不活性化を抑制する促進剤からなり
、ここでは抗不活性化成分と呼ぶことにする。そのような成分は好ましくはレニ
ュウム、モリブデン、タングステン、タンタル又はニオブ又はこれらの混合物で
ある。
【００３１】 混合触媒中の抗不活性化成分の量は少なくとも重合体組成物中で極性不純物に
晒されたときに周期律表第８属の金属成分の不活性化を抑制するに充分な量であ
り、ここでは不活性化抑制量と呼ぶことにする。周期律表第８属の金属の不活性
化は水素添加反応速度の無視できない低下によって立証される。これは極性不純
物が存在する同一条件下で、混合水素添加触媒と周期律表第８属の金属のみを含
む触媒の比較で例証され、周期律表第８属の金属のみを含む触媒は水素添加反応
速度が混合水素添加触媒で得られる速度の７５％以下となる。
【００３２】 好ましくは、この不活性化抑制量は不活性化抑制成分に対する周期律表第８属
の金属成分の割合が０．５：１から１０：１、より好ましくは１：１から７：１
、そして最も好ましくは１：１から５：１である。
【００３３】 触媒はその成分単独でも可能だが、好ましくは触媒は追加的に触媒成分を担持
する担体からなる。ひとつの実施態様としては、金属はシリカ、アルミナまたは
カーボンのような担体に担持される。よりよい実施態様としては、狭い孔径分布
と１０ｍ２／ｇより大きい表面積をもつシリカ担体が使用される。
【００３４】 担体の孔径分布、孔容積、平均孔径分布は水銀ポロシメーターによりＡＳＴＭ Ｄ−４２８４−８３の手順に従って測定することができる。 孔径分布は典型的には水銀ポロシメーターを用いて測定される。しかしながら
、この方法は６０オングストローム以上の孔径を測定する場合にのみ有効である
。それゆえ、６０オングストローム以下の孔径を測定するには別の方法を用いな
ければならない。そのようなひとつの方法は約６００オングストローム以下の孔
径に適用されるＡＳＴＭ Ｄ−４６４１−８７の手順に従った窒素脱着法である
。それゆえ、狭い孔径分布は少なくとも孔容積の９８％が３００オングストロー
ム以上の孔径を有し３００オングストローム以下の窒素脱着法で測定された孔容
積が水銀ポロシメーターを用いて測定された孔容積の２％以下であることが必要
条件である。
【００３５】 表面積はＡＳＴＭ Ｄ−３６６３−８４の手順に従って測定することができる
。表面積は典型的には１０から１００ｍ２／ｇ、好ましくは１５から９０最も好
ましくは５０から８５ｍ２／ｇの範囲である。
【００３６】 望ましい平均孔径は重合体が水素添加されているかどうか及びその分子量（Ｍ
ｎ）に依存する。高分子量の重合体の水素添加において要求される量の水素添加
を得るためには高い平均孔径を持つ担体を使用することが望ましい。高分子量の
重合体（例えばＭｎ＞２００，０００）を得るためには、典型的な要求される表
面積は１５から２５ｍ２／ｇそして要求される平均孔径は３，０００から４，０
００Åに変化させることができる。低分子量の重合体（例えばＭｎ＜１００，０
００）を得るためには、典型的な要求される表面積は４５から８５ｍ２／ｇそし
て要求される平均孔径は３００から７００Åに変化させることができる。
【００３７】 シリカ担体が好ましくそしてホルムアミドのようなゲル化剤を用いて水中で珪
酸カリを化合させ、重合させそして米国特許４，１１２，０３２号に記載されて
いるように導くことによって製造することができる。シリカはそれからＴｈｅ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓ
ｏｎｓの１９７９年５３９−５４４頁に記載されているように水熱焼成されるが
、その方法は一般にシリカを６００から８５０℃の温度で２時間以上水を飽和さ
せたガスを流して加熱することからなる。水熱焼成は平均孔径の増加とともに孔
径分布を狭くする。選択するとすれば、担体はＴｈｅ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏ
ｆ Ｓｉｌｉｃａ、Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓの１９７９年５１
０−５８１頁に記載されている方法によって調製される。
【００３８】 シリカ担持触媒は米国特許５，１１０，７７９に記載された方法を用いて製造
される。適切な金属、金属成分、それらの化合物又は混合物を含む金属は気相蒸
着、水中又は非水溶液中での含浸によって担体上に析出させた後焼成、昇華又は
その他の通常の方法で処理される。これらの方法は、Ｓｔｕｄｉｅｓ ｉｎ Ｓ
ｕｒｆａｃｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ、”ｓｕｃｃｅｓ
ｓｆｕｌ Ｄｅｓｉｇｎ Ｃａｔａｌｙｓｔ”１９８９年４４巻、１４６から１
５８頁及びＡｐｐｌｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ Ｃａｔａｌｙｓｉｓ
（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｆｒａｎｃａｉｓ ｄｕ Ｐｅｔｒｏｒｅ Ｐｕｂｌｉ
ｃａｔｉｏｎｓ、１９８７）の７５−１２３頁に説明されている。含浸方法にお
いて、化合物を含む適切な金属は不活性化に対して耐性のある有用な水素添加触
媒を製造することができる前述のような金属を含む化合物であればよい。これら
の化合物は塩、配位錯体、有機金属化合物又は共有結合錯体である。
【００３９】 典型的には、担持触媒の金属含量はシリカ担持触媒の合計重量基準で０．１か
ら１０ｗｔ％である。好ましい量はシリカ担持触媒の合計重量基準で２から８ｗ
ｔ％、より好ましくは０．５から５ｗｔ％である。 あまり好ましくはないが、アルカリ、アルカリ土類又はランタニドを含む化合
物のような促進剤もまた担持触媒上に金属成分を分散させる助けとするため又は
反応の安定化のために使用することができる。
【００４０】 水素添加工程で使用される混合担持触媒の量は水素添加触媒が高活性のために
、通常の不飽和重合体の水素添加反応に要求される量よりもうんと少ない。一般
に、不飽和重合体のグラムあたり担持触媒の１グラム以下の量が使用され、０．
１グラム以下が好ましくそして０．０５グラム以下がより好ましい。使用される
担持触媒の量はプロセスのタイプが連続か、半連続か又はバッチかにより、また
温度、圧力及び反応時間（典型的な反応時間は５分から５時間まで変化する）の
ようなプロセスの条件に依る。連続操作は連続操作の進行の過程で担持触媒が何
度も再使用されるために典型的には不飽和重合体の２００，０００重量部以上に
対し１重量部の担持触媒が含まれる。典型的なバッチプロセスは不飽和重合体の
５，０００重量部に対し１重量部の担持触媒が使用される。高温及び高圧では担
持触媒量を更に少なくすることができる。
【００４１】 水素添加反応は溶媒の存在なしで行うことができるが、好ましくは重合体を溶
解させ水素添加反応を阻害しにくくするために炭化水素溶媒中で行われる。好ま
しい溶媒はシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シ
クロオクタン、シクロヘプタン、ドデカン、ジオキサン、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソペンタン、デカヒドロナフタレン
又はそれらの混合物であり、とりわけシクロヘキサンが最も好ましい。
【００４２】 水素添加を実施する温度は重合体の有意な劣化なしで水素添加が起こればどの
ような温度でもよい。重合体の劣化は水素添加後のＭｎの減少、多分散の増加ま
たはガラス転移温度の減少で検知できる。１．０と約１．２の間の多分散をもつ
重合体の有意な劣化は水素添加後に多分散が３０％以上増加することで定義され
る。重合体の劣化は水素添加後の多分散の増加が、好ましくは２０％以下であり
、最も好ましくは１０％以下であるような劣化である。約１．２以上の多分散を
もつ重合体においては、水素添加後の分子量の有意な減少が劣化が生じているこ
との指標となる。このケースにおける有意な劣化は分子量の２０％かそれ以上の
減少で定義される。好ましくは、水素添加後のＭｎ減少は１０％以下である。し
かしながら、重合体劣化がより起こりがちなポリアルファーメチルスチレンまた
はその他のアルファー置換ビニル芳香族重合体のような重合体の場合は、Ｍｎで
３０％以上の減少が許容できる。
【００４３】 典型的な水素添加温度は４０℃から２５０℃まで、好ましくは１００℃から２
００℃まで、より好ましくは１１０℃から１８０℃まで、そして最も好ましくは
１２０℃から１７０℃までである。水素添加反応の圧力は限定しないが、圧力が
増加すると水素添加速度が増加する。典型的な圧力は大気圧から７０ＭＰａで、
０．７から１０．３ＭＰａの範囲が推奨される。
【００４４】 反応槽は反応領域から酸素を取り除くために不活性ガスでパージされる。不活
性ガスは限定はしないが、窒素、ヘリウム、アルゴン、とりわけ窒素が好ましい
。 水素添加薬剤は不飽和重合体を効果的に水素添加する水素を発生する化合物で
あればよい。水素添加薬剤は限定はしないが、水素ガス、ヒドラジン及び水素化
ボロンナトリウムが含まれる。好ましい態様としては、水素添加薬剤は水素ガス
である。
【００４５】 オレフィンの水素添加量は赤外またはプロトンＮＭＲ技術を用いて決定するこ
とができる。芳香族の水素添加の量はＵＶ−ＶＩＳ分光測定法を用いて側定する
ことができる。ポリスチレンのシクロヘキサン溶液は約２６０．５ｎｍに非常に
明確な芳香族環の吸収帯を与える。この帯は１ｃｍセル中でリッター当り芳香族
の０．００４９８０モルの溶液濃度で１．０００の吸収を与える。ろ過（０．５
０μｍのテフロン（登録商標）フィルター、ミクロポアＦＨＵＰ０４７を使用し
て）によって触媒を除去した後、反応混合物はＵＶセルに入れられそして吸収が
測定される。吸収は濃度による。水素添加重合体製品は典型的には吸収が測定さ
れる前に希釈されないので、より高濃度で測定される。反応溶液は標準より１５
から３０倍に濃縮されているために、残余の不飽和量も正確に測定できる。
【００４６】 ブロック共重合体の水素添加のレベルは好ましくは水素添加共役ジエン重合体
ブロックの９５％以上でビニル芳香族重合体ブロックセグメントの９０％以上で
あり、より好ましくは共役ジエン重合体ブロックの９９％以上で水素添加ビニル
芳香族重合体ブロックセグメントの９５％以上であり、更に好ましくは共役ジエ
ン重合体ブロックの９９．５％以上で水素添加ビニル芳香族重合体ブロックセグ
メントの９８％以上であり、最も好ましくは、共役ジエン重合体ブロックの９９
．９％以上で水素添加ビニル芳香族重合体ブロックセグメントの９８．５％以上
である。‘水素添加のレベル’の用語は元の不飽和結合が水素添加によって飽和
される割合を指す。水素添加されたビニル芳香族重合体の水素添加レベルはＵＶ
−ＶＩＳ分光測定法を用いて決定され、一方水素添加されたジエン重合体の水素
添加レベルはプロトンＮＭＲを用いて決定される。 さらに、異なる水素添加ビニル芳香族／共役ジエンブロック共重合体のブレン
ド物も本発明の高密度ディスクを製造するために使用できる。
【００４７】 環状オレフィン共重合体は環状オレフィンモノマーと他のアクリル系または環
状オレフィンコモノマーと共重合してつくられる。環状オレフィン共重合体は米
国特許５，１１５，０４１号、米国特許５，１４２，００７号、米国特許５，１
４３，９７９号に記載されているようなノルボルネン系重合体を含む。環状オレ
フィン部分は置換されていても良いし置換されていなくても良い。好適な環状オ
レフィンモノマーは置換されたおよび置換されていないノルボルネン、ジシクロ
ペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、シクロペンタジエンの三量体、
テトラシクロドデセン、ヘキサシクロヘプタデセン、エチリデンノルボルネン、
およびビニルノルボルネンを含む。環状オレフィンモノマーの置換基は水素、ア
ルキルアルケニルおよび炭素原子１から２０のアリール基および一個又はそれ以
上、好ましくは２個の環状炭素原子から生成される炭素原子３から１２の飽和ま
たは不飽和の環状基を含む。一般的に云えば、環状オレフィンモノマーの置換基
は重合触媒を被毒または不活性化しないものであれば何でも良い。好ましいモノ
マーの例は限定はしないがジシクロペンタジエン、メチルテトラシクロドデセン
、２−ノルボルネン、そして５−メチル−２−ノルボルネン、５，６−ジメチル
−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−エチリデニル−２−
ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネ
ン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−フェニル−２−ノルボルネン、５−
ドデシル−２−ノルボルネン、５−イソブチル−２−ノルボルネン、５−オクタ
デシル−２−ノルボルネン、５−イソプロピル−２−ノルボルネン、５−ｐ−ト
ルイル−２−ノルボルネン、５−α−ナフチル−２−ノルボルネン、５−シクロ
ヘキシル−２−ノルボルネン、５−イソプロペニル−２−ノルボルネン、５−ビ
ニル−２−ノルボルネン、５，５−ジメチル−２−ノルボルネン、トリシクロペ
ンタジエン（またはシクロペンタジエン三量体）、テトラシクロペンタジエン（
シクロペンタジエンの四量体）、ジヒドロジシクロペンタジエン（またはシクロ
ペンテン−シクロペンタジエン共２量体）、メチル−シクロペンタジエン２量体
、エチル−シクロペンタジエン２量体、テトラシクロドデセン、９−メチル−テ
トラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４（またはメチル−テ
トラシクロドデセン）、９−エチル−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２ ，７ ）ドデセン−４（またはエチル−テトラシクロドデセン）、９−ヘキシル−
テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４、９−デシル−テ
トラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４、９，１０−ジメチ
ル−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４、９−メチル
−１０エチル−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４、
９−シクロヘキシル−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン
−４、９−クロロ−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−
４、９−ブロモ−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４
、９−フルオロ−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−４
、９−イソブチル−テトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）ドデセン−
４、および９，１０−ジクロロテトラシクロ（６，２，１，１３，６Ｏ２，７）
ドデセン−４を含む。環状オレフィンコモノマーは典型的にはエチレンおよびプ
ロピレンのようなオレフィンである。
【００４８】 ２個またはそれ以上の異なった種類の環状オレフィンモノマー単位からなる重
合体もまた使用可能である。例えば、メチルテトラシクロドデセン（ＭＴＤ）お
よびメチルノルボルネン（ＭＮＢ）は特に好適である。より好ましくは、重合体
は３個又はそれ以上の異なった種類のモノマー単位，例えば、ＭＴＤ、ＭＮＢお
よびジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）を含むターポリマー（四量体）からなる
。
【００４９】 開環メタセシス重合体は特公昭６０−２６０２４号および米国特許５，０５３
，４７１号に記載されているような、ノルボルネンまたはテトラシクロドデセン
のメタセシス開環（共）重合によって調製される重合体を含む。そのような重合
体の水素添加方法は当業者に公知である。
【００５０】 熱安定剤、成形体離型剤、流れ助剤、ＵＶ安定剤、および鉱油のような加工助
剤を含むその他の添加剤もまた上記で確認された重合体組成物に含まれても良い
。水素添加ビニル芳香族／共役ジエンブロック共重合体とブレンドした水素添加
ビニル芳香族ホモポリマーのブレンド物、および異なった水素添加ブロック共重
合体のブレンド物のように、重合体ブレンドもまた使用することができる。
【００５１】 ディスクはポールマンによるＴｈｅ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｈａｎｄｂ
ｏｏｋ，第二版に記載されているような如何なる成形技術を使用して成形するこ
ともできる。 光媒体ディスクの成形方法は当業界でよく知られており射出圧縮成形を含む。
好ましい方法はＰｏｔｓｈおよびＭｉｃｈｅｌｉによるＩｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｍ
ｏｌｄｉｎｇ Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ，１７１−１７２ページ、Ｈａ
ｎｓｅｒ／Ｇａｒｄｎｅｒ／Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，Ｉｎｃ．，Ｃｉｎｃｉｎ
ｎａｔｉ，１９９５に記載されているような射出圧縮成形を含む。ディスクは特
定の表面形状フォーマットを、設計された密度でディスクに‘伝達する’スタン
パーを使用して成形される。特定の表面形状フォーマットは記録済みフォーマッ
トの場合には孔を含みそして書き換え可能の場合には情報を保管できる溝を含む
。用いられるスタンパーは少なくとも７．５Ｇｂの密度をもつ。記録済みフォー
マットにおける高データ密度は表面形状をお互いに近接した関係に位置させ、孔
角度を減少させそして多重孔深さを良好に得る多くの公知の方法によって達成さ
れる。そのようなディスクがこれまで予期されなかったひとつの理由は先行技術
の材料は成形体離型剤を必要としそれゆえより高い密度または非常に小さいトラ
ックピッチの使用を困難にするだろうということである。
【００５２】 以下の実施例は本発明を説明するために用意されたものである。実施例は本発
明の範囲を限定する意図でなされたものではないしまたそのように解釈されるべ
きでもない。量は指示がない限り重量部または重量％である。
【００５３】
【実施例】
１）ブロック重合体試料１の調製方法 ペンタブロック共重合体の連続重合 約８から１５重量％のイソペンタンを含むシクロヘキサン混合物３８６Ｋｇを
窒素雰囲気下で１１３６リットルの攪拌反応槽に加える。反応槽は低分子量のポ
リスチリルリチウムの０．０９７９モルシクロヘキサン溶液０．５Ｋｇを加えて
ブランクとされる。この混合物にｓｅｃ−ブチルリチウムの１．４モルシクロヘ
キサン溶液１．０８リットルを加える。溶液を約６５℃に加熱し、２２．６Ｋｇ
のスチレンモノマーを加え、次いでスチレンラインを３４Ｋｇの炭化水素溶媒で
パージする。２０分重合後、約７０℃の温度で１１．３Ｋｇのブタジエンモノマ
ーを加え、ついで３４Ｋｇの炭化水素溶媒を加え直ちに別のスチレン２２．６Ｋ
ｇを追加する。さらに２０分後、約７０℃で１１．３Ｋｇのブタジエンの二回目
の追加を行い、ついで３４Ｋｇの溶媒でライン洗浄する。さらに２０分後、２２
．６Ｋｇのスチレンの三回目の追加が行われ重合は最後の２０分間続く。この時
点で１１４ｇの２−プロパノールを加えて反応を停止させる。
【００５４】
【表１】
【００５５】 ブロック共重合体はそれからポリブタジエンブロックおよびポリスチレンブロ
ックが完全に飽和されるまで水素添加される。
【００５６】 ２）水素添加 乾燥したブロック共重合体の約２０グラムを７００ｍＬのシクロヘキサンに溶
解させる。この重合体は米国特許５，６１２，４２２号に記載されているＳｉＯ２ 担持Ｐｔ水素添加触媒を使用して水素添加される。重合体対触媒比は１０対１
である。水素添加反応はＰＰＩ（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｉｎ
ｄｕｓｔｒｙ）反応機中で３４４７ＭＰａの水素圧力下、１７７℃で１２時間行
われる。
【００５７】 表２は水素添加ブロック共重合体の一連の物理特性を示す。力学特性は圧縮成
形試料を使用して得られる。引っ張り特性はＡＳＴＭ Ｄ６３８に従いタイプ５
のミクロテンサイル試験片を使用しクロスヘッド速度０．１２７ｃｍ／分および
１０１．９Ｋｇのロードセルで測定される。
【００５８】
【表２】
【００５９】 高密度ＤＶＤ実施例 ＤＶＤ基板は試料１の水素添加ブロック共重合体から最高締め付け力６００ｋ
Ｎ、最高射出ストローク能力１００ｍｍそして射出スクリュー径３２ｍｍの射出
／圧縮成形機を使用して射出圧縮される。基板の成形はＤＶＤ単一キャビティー
基板成形である。光ディスクは、成形体に挿入されそして約１５Ｇｂのデータと
０．４から０．５ミクロンのトラックピッチを含むデータ伝送スタンパーを使用
して調製される。加工温度は溶融温度２９０℃から３３０℃、成形温度４０℃か
ら８０℃である。射出速度は２５ｍｍ／ｓから２００ｍｍ／ｓで成形体が充填さ
れるにつれて増加する。一旦充填されると、その部分は初期保持圧力約３００バ
ールを保つようにさらに重合体が充填されそれから０．８秒間で０バールまで下
げられる。重合体の射出ショットサイズは完全充填部分を０．６ｍｍの実際の厚
み部分とするために約１３．５ｍｍである。圧縮段階は重合体ショットの約８５
％が成形機キャビティー（くぼみ）に射出されるときに５５−６５％の締め付け
力が射出成形体にかかるように実施される。圧縮前の成形機キャビティーは典型
的には１．０と１．２ｍｍ厚の間であった。部品取出しを含む加工の全体のサイ
クル時間は５−１０秒である。ＤＶＤ基板は１２０ｍｍ直径で、０．６ｍｍ厚で
ある。 一旦成形されると、ＤＶＤ基板はアルミニウム反射層でスパッターされる。二
つのそれぞれの基板はお互いに接合され複層３０Ｇｂディスクを形成する。
【００６０】
【発明の効果】
本発明のディスクは、その高いデータ密度と低い複屈折、高透明性、低吸水性
、良好な寸法安定性、および優れた表面複製度を含む優れた特性の組み合わせに
より、記録済みまたは書き換え可能な高データ密度光媒体ディスクの用途に有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０８Ｌ 25:10 Ｃ０８Ｌ 25:10 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ ，ＵＧ，ＵＺ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ジョーンズ，マリー アン アメリカ合衆国ミシガン州 48640 グリ ーンローン ドライブ 34 Ｆターム(参考） 4F071 AA12X AA21 AA22X AA39 AA69 AA75 AF30Y AH19 BA01 BB05 BC01 5D029 KA13 KB14 KC04 KC07 KC09 WB17 WD10 5D121 AA02 DD05

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ディスク層当たり少なくとも７．５ギガバイトまたは層当た
    り平方センチメートル当たり少なくとも０．１７ギガバイト（Ｇｂ／ｃｍ２）の
    データ密度をもちそして平均孔（ｐｉｔ）深さがディスクの屈折率で割ったレー
    ザー光波長の１／４から１／８倍に等しい複製（ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）度を
    もつディスクであって且つディスクが０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下
    の位相遅れ（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）、およびＡＳＴＭ Ｄ５７０に従って測
    定したとき０．５％以下の吸水率をもつ高データ密度記録済み（ｐｒｅ−ｒｅｃ
    ｏｒｄｅｄ）光媒体ディスク。
  2. 【請求項２】 層当たり少なくとも０．２Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をもつ
    請求項１記載のディスク。
  3. 【請求項３】 ディスクの光透過率が３９０ｎｍ以上７００ｎｍまでの波長
    で少なくとも８０％である請求項１記載のディスク。
  4. 【請求項４】 平均孔深さがディスクの屈折率で割ったレーザー光波長の１
    ／４から１／６倍に等しい請求項１記載のディスク。
  5. 【請求項５】 少なくとも０．０５Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をもち、且つ
    少なくとも７５％の複製度が溝高さと左右側壁角の組み合わせで測定したときに
    達成され、且つディスクが０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下の位相遅れ
    、およびＡＳＴＭ Ｄ５７０に従って測定したとき０．５％以下の吸水率をもつ
    高データ密度書き換え可能な（ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）光媒体ディスク。
  6. 【請求項６】 少なくとも層当たり０．０８Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をも
    つ請求項５記載のディスク。
  7. 【請求項７】 ディスクの光透過率が３９０ｎｍ以上７００ｎｍまでの波長
    で少なくとも８０％である請求項５記載のディスク。
  8. 【請求項８】 示差走査熱量計（ＤＳＣ）で１０℃／分で測定したとき１１
    ０℃以上のガラス転移点（Ｔｇ）、動力学的分光測定法により温度勾配速度３℃
    ／分、並行板ジオメトリー（窒素下で）を用いてせん断速度１ラジアン／秒で測
    定したとき温度２４０℃で１０００ダイン／ｃｍ２以下の弾性率（Ｇ’）、およ
    び動力学的分光測定法に従って２８０℃でのせん断速度掃引（ｓｗｅｅｐｓ）を
    用い、並行板ジオメトリー（窒素下で）を用いせん断速度１ラジアン／秒で測定
    したとき２０００ポアズ以下の複合（ｃｏｍｐｌｅｘ）粘度（Ｅｔａ＊）をもつ
    重合体から製造された請求項１または５記載のディスク。
  9. 【請求項９】 位相遅れが２０ｎｍ以下である請求項８記載のディスク。
  10. 【請求項１０】 重合体が飽和炭化水素熱可塑性樹脂からなる請求項８記載
    のディスク。
  11. 【請求項１１】 飽和炭化水素熱可塑性樹脂が水素添加ビニル芳香族／共役
    ジエンブロック共重合体からなる請求項１０記載のディスク。
  12. 【請求項１２】 ブロック共重合体が、水素添加された重合されたビニル芳
    香族モノマーの少なくともふたつの異なるブロック（ここでは水素添加ビニル芳
    香族重合体ブロックと称する）、および水素添加された重合されたブタジエンモ
    ノマーの少なくともひとつのブロック（ここでは水素添加ブタジエン重合体ブロ
    ックと称する）からなり、該水素添加ブロック共重合体がさらに１）各水素添加
    ビニル芳香族重合体ブロックが９０％以上の水素添加レベルをもちそして各水素
    添加共役ジエン重合体ブロックが９５％以上の水素添加レベルをもつような水素
    添加レベル、および２ａ）２０以上：８０の１，２対１，４ポリブタジエン含量
    の重量比、または２ｂ）１２０以下のモノマー単位からなる水素添加ブタジエン
    重合体ブロックで特徴づけられる請求項１１記載のディスク。
  13. 【請求項１３】 ビニル芳香族モノマーがスチレンである請求項１１記載の
    ディスク。
  14. 【請求項１４】 ブタジエン重合体ブロックが２５以上：７５の１，２対１
    ，４ポリブタジエン含量の重量比をもつ請求項１１記載のディスク。
  15. 【請求項１５】 １，２対１，４ポリブタジエン含量の重量比が３０以上：
    ７０である請求項１４記載のディスク。
  16. 【請求項１６】 ビニル芳香族／共役ジエンブロック共重合体が水素添加イ
    ソプレン重合体ブロックからなる請求項１１記載のディスク。
  17. 【請求項１７】 重合体が環状オレフィン共重合体からなる請求項８記載の
    ディスク。
  18. 【請求項１８】 重合体が水素添加された開環メタセシス重合体からなる請
    求項８記載のディスク。
  19. 【請求項１９】 示差走査熱量計（ＤＳＣ）で１０℃／分で測定したとき１
    １０℃以上のガラス転移点（Ｔｇ）、動力学的分光測定法により温度勾配速度３
    ℃／分、並行板ジオメトリー（窒素下で）を用いてせん断速度１ラジアン／秒で
    測定したとき温度２４０℃で１０００ダイン／ｃｍ２以下の弾性率（Ｇ’）、お
    よび動力学的分光測定法に従って２８０℃でのせん断速度掃引を用い、並行板ジ
    オメトリー（窒素下で）を用いてせん断速度１ラジアン／秒で測定したとき２０
    ００ポアズ以下の複合粘度（Ｅｔａ＊）をもつ重合体を高密度光媒体ディスク成
    形体に圧縮射出成形することを特徴とする、層当たり少なくとも７．５ギガバイ
    トまたは層当たり平方センチメートル当たり少なくとも０．１７ギガバイト（Ｇ
    ｂ／ｃｍ２）のデータ密度をもちそして平均孔深さがディスクの屈折率で割った
    レーザー光波長の１／４から１／８倍に等しい複製度をもつ高密度記録済み光媒
    体ディスク；または少なくとも０．０５Ｇｂ／ｃｍ２のデータ密度をもち、少な
    くとも７５％の複製度が溝高さと左右側壁角の組み合わせで測定したときに達成
    される書き換え可能な光媒体ディスクであって、該記録済みまたは書き換え可能
    なディスクが０．６ｍｍの基板厚み当たり２５ｎｍ以下の位相遅れおよびＡＳＴ
    Ｍ Ｄ５７０に従って測定したとき０．５％以下の吸水率をもつ、高データ密度
    記録済みまたは書き換え可能なディスクの製造方法。
  20. 【請求項２０】 位相遅れが２０ｎｍ以下である請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 重合体が飽和炭化水素熱可塑性樹脂からなる請求項２０記
    載の方法。
  22. 【請求項２２】 飽和炭化水素熱可塑性樹脂が水素添加ビニル芳香族／共役
    ジエンブロック共重合体からなる請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】 ブロック共重合体が、水素添加された重合されたビニル芳
    香族モノマーの少なくともふたつの異なるブロック（ここでは水素添加ビニル芳
    香族重合体ブロックと称する）、および水素添加された重合されたブタジエンモ
    ノマーの少なくともひとつのブロック（ここでは水素添加ブタジエン重合体ブロ
    ックと称する）からなり、該水素添加ブロック共重合体がさらに１）各水素添加
    ビニル芳香族重合体ブロックが９０％以上の水素添加レベルをもちそして各水素
    添加共役ジエン重合体ブロックが９５％以上の水素添加レベルをもつような水素
    添加レベル、および２ａ）２０以上：８０の１，２対１，４ポリブタジエン含量
    の重量比、または２ｂ）１２０以下のモノマー単位からなる水素添加ブタジエン
    重合体ブロックで特徴づけられる請求項２２記載の方法。
  24. 【請求項２４】 ビニル芳香族モノマーがスチレンである請求項２２記載の
    方法。
  25. 【請求項２５】 ブタジエン重合体ブロックが２５以上：７５の１，２対１
    ，４ポリブタジエン含量の重量比をもつ請求項２２記載の方法。
  26. 【請求項２６】 １，２対１，４ポリブタジエン含量の重量比が３０以上：
    ７０である請求項２５記載の方法。
  27. 【請求項２７】 ビニル芳香族／共役ジエンブロック共重合体が水素添加イ
    ソプレン重合体ブロックからなる請求項２２記載の方法。
  28. 【請求項２８】 重合体が環状オレフィン共重合体からなる請求項１９記載
    の方法。
  29. 【請求項２９】 重合体が水素添加された開環メタセシス重合体からなる請
    求項１９記載の方法。
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