KR20010098655A - 히터 장치 및 성막 처리 장치 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 18
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 12
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 composed of magnesia Chemical compound 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
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Abstract
본 발명은 세라믹 히터의 표면을 보호하는 데 적합한 세라믹 히터용 커버를 실현하는 것으로, CVD 장치에 이용되는 세라믹 히터(1) 표면(1a)의 전면을 덮도록 커버 플레이트(2)를 마련하고, 커버 플레이트의 표면을 오목하게 마련하여 이루어지는 탑재면(2a)에 실리콘웨이퍼(3)를 탑재함으로써, 세라믹 히터의 표면을 세라믹제 플레이트로 이루어지는 세라믹 히터용 커버에 의해 보호할 수 있어, 세라믹 히터의 표면이 직접 가스 등에 노출되지 않고, 예컨대 클리닝 가스에 의한 부식이 발생하더라도 그 부식은 세라믹 히터용 커버에만 발생하기 때문에, 유지 보수 시의 교환은 커버만 하면 되어, 유지 보수 비용의 저비용화를 크게 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 특히, 반도체 제조 장치에 있어서, Si 웨이퍼를 가열하기 위해서 이용되는 세라믹 히터 표면을 보호하는 데 적합한 세라믹 히터 및 그를 이용한 성막 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 성막 처리 장치는 진공 증착법이나 스퍼터링법, CVD법 등을 이용하여, 여러 가지의 박막 형성에 이용되고 있다. 특히, 실리콘 등의 반도체 기판이나 유리 기판에의 CVD 법을 이용한 박막의 형성은 메모리나 CPU 등의 반도체 소자나 LCD(Liquid Crystal Display)의 제작에는 반드시 필요한 기본 기술이다. 상기 CVD법은, 반도체 제조에 있어서, 진공 유지된 반응 용기(processing chamber) 내에서 각종 원료 가스를 고주파 전력(Radio Frequency Power) 또는 열에너지에 의해 활성화시켜, 반도체 기판 상에 여러 가지의 기능성 박막을 퇴적하는 처리 방법이다.
최근, 반도체 장치의 고성능화에 따른, 반도체 기판에의 이물질이나 불순물 오염의 저감이 요구되어, 종래부터 낱장식(반도체 기판을 1장씩 처리하는 방식) 플라즈마 CVD 장치에 이용되어 온 금속제 서셉터(susceptor)나 히터로부터의 금속 오염이 문제시되고 있다. 또한, 반도체 기판을 700℃ 이상의 고온에 장시간 노출시키는 일괄 처리식(수 십장의 반도체 기판을 일괄해서 처리하는 방식) 감압 열CVD(LP-thermal CVD) 공정에 의한 열부하 때문에, 반도체 소자가 변질되어 전기 특성이 변화하는 것에 의해, 반도체 소자가 설계대로 동작하지 않는다는 문제가 발생하고 있다.
상기한 각 문제를 해결하기 위해서, 반도체 기판을 직접 지지하는 히터를, 기판 가열의 온도에 대하여 내성을 갖는 알루미나 세라믹(Al2O3)이나 질화 알루미늄(AlN)으로 제작한 「세라믹 히터」로 하는 것에 의해, 반도체 기판으로의 이물질이나 불순물 오염을 저감하고 있다. 또한, 지금까지 700℃ 이상의 반도체 기판 가열온도로 수십 내지 수백분의 처리 시간을 필요로 하고 있었던 일괄 처리식 감압 열CVD법으로부터, 세라믹 히터를 탑재한 낱장식 CVD 장치를 사용하여, 300∼650℃의 온도 범위에서 플라즈마 처리를 하는 공정이나 500∼800℃의 온도 범위에서 몇 분의 처리 시간으로 처리를 완료하는 낱장식 감압 열CVD 공정으로 전환하여, 반도체 기판으로의 열부하를 저감시키고 있다.
그러나, 전술한 세라믹 히터로서 예컨대 질화 알루미늄 히터를 이용한 경우에도, 성막 처리 시에 챔버 내벽에 부착된 막을 제거하기 위한 불소계의 클리닝 가스에 노출시키면, 표면에 불화 알루미늄이 생성되고, 또한 비산하며, 비산된 개소에서는 또한 부식이 진행되는 것을 알 수 있다. 이 부식에 의해서, 고가인 세라믹 히터의 수명이 짧게 된다고 하는 결점이 있다. 이 부식의 진행을 가능한 한 억제하기 위해서는, 클리닝 시의 히터 온도를 낮추는 것이 유효하지만, 예컨대 600℃의 성막 처리를 행한 후, 400℃의 클리닝을 하는 경우, 세라믹 히터의 열 충격에 의한 파손을 막기 위해서, 성막 클리닝 처리 동안에는 10분 정도의 시간을 들여 서서히 온도를 변경해야 한다. 그 결과, 이러한 공정을 실행하면, 클리닝 처리에 요하는 시간이 길고, 반도체 제조 장치의 생산 효율이 저하한다고 하는 문제가 발생한다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징, 국면 및 이익 등은 첨부 도면을 참조로 하여 설명하는 이하의 상세한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명이 적용된 플라즈마 CVD에 이용되는 세라믹 히터 장치의 모식적 종단면도,
도 2는 실시예 2를 나타내는 도 1에 대응하는 도면,
도 3은 실시예 3을 나타내는 도 1에 대응하는 도면,
도 4는 본 발명이 적용된 성막 처리 장치의 전체를 나타내는 모식적 측단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 세라믹 히터 1a : 표면
2 : 커버 플레이트 2a : 탑재면
3 : 실리콘웨이퍼 4 : 고주파용 전극
5 : 히터선
6 : 커버 플레이트 6a : 탑재면
7 : 커버 플레이트 7a : 탑재면
11 : 처리 용기 12 : 샤워 헤드
13 : 도입 배관 14 : 처리 용기
15 : 개구부 16 : 상벽부
17 : 고주파 발신기 18 : 출력 케이블
19 : 정합 회로 20 : 배관
21 : 원격 플라즈마 방전 장치 22 : 배관
23 : 개구부 24 : 컨덕턴스 조정 밸브
이러한 과제를 해결하여, 세라믹 히터의 표면을 보호하는 데 적합한 세라믹 히터를 실현하기 위해서, 본 발명에 있어서는, 세라믹 히터의 가열 처리 대상물을 탑재하는 쪽의 표면에, 그 표면의 대략 전체를 덮도록 형성된 세라믹제 플레이트를 상기 표면에 대하여 착탈 가능하게 마련한 것으로 했다.
이와 같이하면, 세라믹 히터의 표면을 세라믹제 플레이트로 이루어지는 커버에 의해 보호할 수 있어, 세라믹 히터의 표면이 직접 가스 등에 노출되는 일이 없고, 예컨대 클리닝 가스에 의한 부식이 발생하더라도 그 부식은 커버에만 생기기 때문에, 유지 보수 시의 교환은 커버만으로도 좋게 된다.
또한, 상기 세라믹 히터에 고주파용 전극이 마련되어 있음과 동시에, 상기 플레이트의 판 두께가 2㎜ 이하인 것 또는 상기 플레이트에 고주파용 전극을 매설함과 동시에, 상기 플레이트의 판 두께를 5㎜ 이하로 한 것에 의하면, 가열 처리 대상물을 탑재하는 플레이트의 표면 온도의 균일성을 충분히 확보할 수 있음과 동시에, 고주파 전력은 손실이 적어, 플라즈마를 형성하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 플레이트의 재질이 질화 알루미늄 또는 마그네시아를 주성분으로 하는 세라믹으로 이루어지는 것에 의하면, 열전도성이 좋기 때문에 고르게 열화를 향상시킬 수 있음과 동시에, 내식성이 높기 때문 교환 빈도를 저감할 수 있다.
또는, 피처리체에 성막 처리를 실시하기 위한 성막 처리 챔버 내에 해당 피처리체를 유지하고 또한 가열하기 위한 세라믹 히터를 마련하여, 상기 세라믹 히터의 상기 피처리체를 탑재하는 쪽의 표면에, 그 표면의 대략 전체를 덮도록 형성된 세라믹제 플레이트가 상기 표면에 대하여 착탈 가능하게 마련되어 있는 것으로 했다.
이것에 의하면, 성막 처리를 실시하기 위한 성막 처리 챔버 내에 마련된 세라믹 히터의 표면을 세라믹제 플레이트로 이루어지는 커버에 의해 보호할 수 있어, 세라믹 히터의 표면이 직접 클리닝 가스에 노출되지 않아, 클리닝 가스에 의한 부식은 커버에만 발생하기 때문에, 유지 보수 시의 교환은 커버만으로도 좋게 되어, 성막 처리 장치의 유지 보수성이 향상하여, 관리 비용을 저감시킬 수 있다.
이하에 첨부의 도면에 나타내어진 구체예에 근거하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명이 적용된 CVD 장치에 이용되는 세라믹 히터 장치의 모식적 종단면도이다. 본 장치의 외관은 도면에 있어서의 하측의 세라믹 히터(1)와 그 세라믹 히터(1)의 표면(도면에 있어서의 상면)(1a)의 전면을 덮도록 마련된 커버 플레이트(2)로 이루어진다. 그 커버 플레이트(2)의 도면에 있어서의 상면에 가열 처리 대상물로서의 실리콘웨이퍼(3)가 탑재되어 있다.
본 세라믹 히터(1)는 알루미나로 이루어지는 것으로서 좋지만, 내식성이 높은 질화 알루미늄이나 마그네시아 등을 주성분으로 하는 세라믹으로 이루어지는 것이어도 좋다. 그 세라믹 히터(1) 내에는 플라즈마 CVD의 고주파용 전극(4)이 도면에 있어서의 상부 위치에 매설되어 있음과 동시에, 마찬가지로 도면에 있어서의 상하 방향 중앙 부분에 히터선(5)이 매설되어 있다. 또, 고주파용 전극(4) 및 히터선(5)은 각각 도시되지 않는 고주파 전원 및 교류 전원에 접속되어 있는 경우, 또는 접지되어 있는 경우가 있다.
또한, 커버 플레이트(2)도 알루미나 또는 열전도·내식성이 높은 질화 알루미늄이나 마그네시아 등을 주성분으로 하는 세라믹으로 이루어진 것이면 좋다. 그 커버 플레이트(2)의 표면은 실리콘웨이퍼(3)의 저면 및 외주면의 하반부를 수용하도록 평탄한 탑재면(2a) 및 그 외주가 낮은 고리 형상벽을 갖는 접시 형상으로 마련되어 있다. 또한, 커버 플레이트(2)의 표면에는, 도시되지 않는 리프트 핀용의 구멍 등이 가공되어 있다. 그리고, 본 커버 플레이트(2)는 세라믹 히터(1)의 표면(1a)에 탑재되어 있다.
이와 같이 하여 이루어지는 세라믹 히터 장치에 있어서는, 균등한 열을 위해서는 커버 플레이트(2)의 판 두께는 두꺼운 쪽이 좋지만, 고주파용 전극(4)은 표면에 가까운 쪽이 좋기 때문에, 고주파용 전극(4)으로부터 커버 플레이트(2)의 표면의 웨이퍼 탑재면(2a)에 이르는 거리를 될 수 있는 한 짧게 하도록, 커버 플레이트(2)의 판 두께 d를 2㎜ 이하로 하면 좋다.
이와 같이 세라믹 히터(1)의 표면에 커버 플레이트(2)를 마련했기 때문에, 세라믹 히터(1)의 표면이 직접 노출되는 일이 없이, 그 표면을 클리닝 가스로부터 보호할 수 있다. 이것에 의해서, 클리닝 가스에 의해 부식되는 부분이 커버 플레이트(2)만으로 되기 때문에, 교환 시에는 커버 플레이트(2)만 교환하면 좋고, 유지 보수 시의 시간 단축과 비용의 저비용화를 크게 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 상기 도시예에 한정되는 것이 아니라, 그 실시예 2를 도 2에 나타낸다. 또, 상기 도시예와 마찬가지의 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 그 자세한 설명을 생략한다.
도면에 있어서, 세라믹 히터(1)의 표면(1a)에 커버 플레이트(6)가 탑재되어 있음과 동시에, 그 커버 플레이트(6)의 표면에 마련된 오목 형상의 저면으로 이루어지는 탑재면(6a) 상에 실리콘웨이퍼(3)가 탑재되는 구조는 상기 도시예와 마찬가지이다. 그것에 대하여, 본 도시예에서는, 고주파용 전극(4)이 커버 플레이트(6)내의 도면에 있어서의 상부 위치에 매설되어 있다.
이와 같이 하여도, 상기 도시예와 같은 작용 효과를 갖는다. 또, 이 경우에는, 세라믹 히터(1)의 가열 효율 및 탑재면(6a) 온도의 균일성을 고려하여 커버 플레이트(6)의 두께 D를 5㎜이하로 하면 좋다.
또한, 본 발명을 낱장식의 감압 열CVD 장치에 이용하는 경우의 예를 도 3에 나타낸다. 도 3에 나타내어진 것은 도 1 또는 도 2에 나타내어진 것으로부터 고주파 전극(4)을 없앤 구조로 되어 있고, 성막에 고주파 전력을 이용하지 않는 성막 방법을 이용하는 경우에 바람직한 예이다. 이 경우에는, 세라믹 히터(1)의 가열 효율 및 탑재면(7a)의 온도 균일성을 고려하여, 커버 플레이트(7)의 두께 D를 5㎜ 이하로 하면 좋다.
이들 각 도시예 중 어느 쪽의 커버 플레이트(2),(6),(7)에 관해서도, 세라믹 히터(1)의 표면(1a)에 탑재하는 것뿐인 간단한 것으로, 그 착탈성이 용이하다. 따라서, 커버 플레이트(2),(6),(7) 표면이 부식 등에 의해 마모한 경우의 교환도 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 커버 플레이트(2),(6),(7)의 두께를 적절하게 하는 것에 의해, 표면 온도의 균일성도 충분히 확보된다.
다음에, 상기 세라믹 히터(1)를 이용한 성막 처리 장치의 예를, 도 4를 참조하여 이하에 나타낸다. 본 성막 처리 장치는 히터의 설정 온도를 300∼650℃로 설정하여 고주파 전력을 이용하는 플라즈마 CVD법과, 히터 설정 온도를 500∼800℃로 설정하여 열반응을 이용하는 열 CVD법을 실현할 수 있는 CVD 장치이다. 그 처리 용기의 클리닝에 있어서는, 원격 플라즈마 클리닝(Remote Plasma Cleaning)을 실행하도록 구성되어 있다.
플라즈마 처리 챔버로서의 처리 용기(11) 내에 세라믹제의 저항 가열 세라믹 히터(1)가 설치되어 있고, 그 세라믹 히터(1)에 의해 가열되는 커버 플레이트(2)의 위에 피처리체로서의 반도체 실리콘웨이퍼(3)가 탑재되어 있다. 실리콘웨이퍼(3)에 대향하는, 도면에 있어서의 위쪽 위치에는, 반응 가스를 실리콘웨이퍼(3)에 균일하게 공급하기 위한 샤워 헤드(12)가 마련되어 있다. 또한, 실리콘웨이퍼(3)의 표면에 막을 형성하기 위한 반응 가스는 매스 플로우 컨트롤러(mass flow controller)(도시하지 않음)에 의해 소정의 유량으로 제어된 후, 도입 배관(13) 내를 통하여, 밸브(14)를 거쳐서 처리 용기(11)의 상부 개구부(15)를 지나서, 샤워 헤드(12) 내에 공급된다.
처리 용기(11)의 상벽부(16)에는, 플라즈마 CVD법에서 사용하는 고주파 전력을 샤워 헤드(12)로 공급하기 위해서, 고주파 발신기(17)의 출력 케이블(18)이 정합 회로(19)를 거쳐서 접속되어 있다.
처리 용기(11) 내의 부착물을 클리닝하기 위한 클리닝 가스(불소를 포함하는 가스로서, 예컨대 C2F6+02, NF3+Ar)는 소정의 유량으로 제어된 후, 배관(20)을 통하여 원격 플라즈마 방전 장치(21)로 도입된다. 그 원격 플라즈마 방전 장치(21)에 의해 활성화된 클리닝 가스는 배관(22) 내를 거쳐 처리 용기(11)의 상기한 개구부(15)로 도입된다. 개구부(15)로부터 처리 용기(11) 내로 도입된 활성화 클리닝 가스는 샤워 헤드(12)를 거쳐서 처리 용기(11) 내에 균일하게 공급된다. 또한, 처리 용기(11)의 도면에 있어서의 하부에 개구부(23)가 마련되고 있고, 그 개구부(23)는 배관 도중에 마련된 컨덕턴스 조정 밸브(24)를 거쳐서, 외부의 진공 배기 펌프(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
이하, 본 발명에 근거하는 세라믹 히터(1)를 이용한 CVD 장치에 있어서의 기능성 박막의 형성 방법에 대하여 나타낸다.
커버 플레이트(2)(상기한 커버 플레이트(6)이더라도 좋음)의 표면은 세라믹 히터(1)의 내부에 매설된 저항 발열체(전술한 히터선(5)이어도 좋음)를 발열시키는 것에 의해, 실리콘웨이퍼(3)의 처리 온도(300∼650℃)와 같은 온도까지 가열된다. 실리콘웨이퍼(3)는 자동 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 처리 용기(11)로 반입되어, 성막 공정이 시작된다.
반응 가스(SiH4, NH3, N2, Ar 등)는 배관(13)으로부터 밸브(14)를 거쳐서 배관(22)으로 도입되어, 개구부(15)로부터 샤워 헤드(12)를 거쳐서 처리 용기(11) 내에 균일하게 공급된다. 처리 용기(11) 내의 압력은 반응 가스를 소망하는 유량비로 처리 용기(11) 내에 도입하면서, 컨덕턴스 조정 밸브(24)의 개도(開度)를 제어하는 것에 의해, 0.5 torr 내지 10 torr의 범위로 조정된다.
이와 같이, 반응 온도 및 반응 가스 유량 및 반응 압력을 소망하는 값으로 제어하면서, 전극 사이에 소망하는 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하고, 실리콘웨이퍼(3)의 표면에 소망하는 기능성 박막을 성막한다. 고주파 전력을 인가하는 시간을 제어하여 필요한 두께의 막두께가 얻어진다. 성막이 종료하면, 반응가스 및 고주파 전력을 차단하여, 진공 펌프(도시하지 않음)에 의해 처리 용기(11) 내를 진공으로 한다. 그리고, 자동 반송 로봇(도시하지 않음)에 의해 처리 용기(11)로부터 실리콘웨이퍼(3)가 반출되어 성막 처리가 종료된다.
1 내지 수 십장의 실리콘웨이퍼(3) 상으로의 성막 처리가 종료된 후, 커버 플레이트(2)의 표면 및 처리 용기(11) 내에 부착된 불필요한 생성물은 클리닝 시퀀스에 의해 클리닝된다. 처리 용기(11) 내면의 클리닝은 실리콘웨이퍼(3)에의 박막 형성 처리에 사용되는 고주파 전원과 고주파 전극을 이용한 In-situ 클리닝법을 이용할 수도 있어, 클리닝 가스의 해리(解離) 활성화 방법을 제외하고, 마찬가지의 시퀀스로 실행할 수 있다.
다음에, 도 4에 나타내는 본 발명에 따른 CVD 장치를 이용한 플라즈마 실리콘 질화막(P-SiN)의 성막예에 대하여 이하에 나타낸다.
커버 플레이트(2)를 이용하지 않는 종래 방법에 의한 P-SiN의 성막 조건과, 측정한 막질을 이하에 나타낸다.
SiH4의 유량을 30sccm으로 하고, N2의 유량을 5000sccm으로 하여, 히터 설정 온도를 600℃, 압력을 4.25torr, 고주파 전력을 400W, 전극간 거리를 14㎜로 하여, 커버 플레이트를 마련하지 않은 경우, 성막된 막질에 있어서는, 굴절율이 1.972, 성막 속도가 101㎚/min, 막중 수소 농도가 6.9%로 되었다.
본 실시예에 의한 플라즈마 실리콘 질화막을, 세라믹 히터(1) 상에 두께1㎜의 커버 플레이트(2)를 탑재하여, 그 커버 플레이트(2) 상에 탑재한실리콘웨이퍼(3) 상에 성막했다.
그 조건으로서는, SiH4의 유량을 30sccm으로 하고, N2의 유량을 5000sccm으로 하고, 히터 설정 온도를 645℃, 압력을 4.25torr, 고주파 전력을 420W, 전극간 거리를 14㎜으로 하여, 두께 1㎜의 커버 플레이트를 이용했다. 그 결과, 굴절율이 1.971, 성막 속도가 102㎚/min, 막중 수소 농도가 6.7%로 되었다.
종래예와 본 실시예에서 얻어진 각 P-SiN의 막질(굴절율·성막 속도·막중 수소 농도)은 상기한 바와 같이, 대략 같은 정도였다. 본 실시예에서는, 두께 1㎜의 커버 플레이트(2)를 이용한 것에 의해, 실리콘웨이퍼(3)의 온도를 같은 정도로 설정할 수 있기 때문에, 히터 설정 온도를 종래예에 비교하여 45℃ 높게 설정하여 두고, 고주파 전력을 종래예에 비교하여 20W 높게 설정했다. 이것에 의해, 장치의 처리 목적인 P-SiN을 전혀 문제없이 얻을 수 있다는 것이 밝혀졌다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 예컨대 클리닝 가스에 의한 부식은 세라믹제 플레이트로 이루어지는 커버에만 발생하기 때문에, 유지 보수 시의 교환은 커버만으로도 좋기 때문에, 유지 보수 비용의 저비용화를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 세라믹 히터에 고주파용 전극이 매립되어, 세라믹제 커버 플레이트의 판 두께가 2㎜ 이하인 것 또는 플레이트에 고주파용 전극을 매립하여, 플레이트의 판 두께를 5㎜ 이하로 하는 것에 의하면, 가열 처리 대상물을 탑재하는 플레이트의 표면 온도의 균일성을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 플레이트의 재질이 질화 알루미늄 또는 마그네시아를 주성분으로 하는 세라믹으로 이루어지는 것에 의하면, 열전도성이 좋기 때문에 고른 열화를 향상시킬 수 있음과 동시에, 내식성이 높은 것부터 교환 빈도를 저감할 수 있기 때문에 유지 보수 비용의 저비용화를 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 상기 실시예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.
Claims (9)
- 히터 장치에 있어서,가열면을 규정하는 히터와,상기 가열면을 사실상 완전히 덮도록 상기 가열면에 탑재되고, 또한 가열 대상을 지지하기 위한 표면을 규정하는 착탈 가능한 세라믹 플레이트를 갖는 히터 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 히터는 세라믹 히터로 이루어진 히터 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 세라믹 히터 내에 고주파 파워용 전극이 매설되어 있는 히터 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 세라믹 플레이트는 2㎜ 이하의 두께를 갖는 히터 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 플레이트에 고주파 파워용 전극이 매설되어 있는 히터 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 세라믹 플레이트는 5㎜ 이하의 두께를 갖는 히터 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 플레이트는 본질적으로 알루미늄 질화물 또는 산화 마그네슘으로 구성되는 세라믹 재료로 이루어진 히터 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 플레이트는 상기 지지용 표면을 둘러싸는, 환형의 낮은 벽(annular low wall)을 더 포함하는 히터 장치.
- 성막 처리 장치에 있어서,처리실을 규정하는 처리 용기와,가열면을 규정하고 상기 처리실내에 배치된 히터와,상기 가열면을 사실상 완전히 덮도록 상기 히터의 상기 가열면상에 착탈 가능하게 탑재되며, 피성막 처리체를 지지하기 위한 표면을 규정하는 세라믹 플레이트를 포함하는 성막 처리 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-116329 | 2000-04-18 | ||
| JP2000116329A JP2001298020A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | セラミックヒータ及びそれを用いた成膜処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010098655A true KR20010098655A (ko) | 2001-11-08 |
Family
ID=18627803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010020397A KR20010098655A (ko) | 2000-04-18 | 2001-04-17 | 히터 장치 및 성막 처리 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010029895A1 (ko) |
| EP (1) | EP1148151A3 (ko) |
| JP (1) | JP2001298020A (ko) |
| KR (1) | KR20010098655A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100425031B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-03-30 | 주성엔지니어링(주) | 웨이퍼 피데스탈 히터 |
| KR100709536B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2007-04-20 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 가열 장치 |
| KR100752356B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2007-08-30 | 다이섹(주) | 질화알루미늄 커버플레이트 제조공법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4219628B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置および基板載置台 |
| KR100477388B1 (ko) * | 2002-08-26 | 2005-03-17 | 주성엔지니어링(주) | 웨이퍼 공정용 히터블록 |
| JP4060684B2 (ja) | 2002-10-29 | 2008-03-12 | 日本発条株式会社 | ステージ |
| US7372001B2 (en) | 2002-12-17 | 2008-05-13 | Nhk Spring Co., Ltd. | Ceramics heater |
| US20040226516A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Daniel Timothy J. | Wafer pedestal cover |
| DE602006021108D1 (de) * | 2005-09-05 | 2011-05-19 | Japan Pionics | Vorrichtung zur chemischen Dampfabscheidung |
| JP5712054B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-05-07 | 日本発條株式会社 | シャフト付きヒータユニットおよびシャフト付きヒータユニットの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0506391B1 (en) * | 1991-03-26 | 2002-02-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Use of a corrosion-resistant member formed from aluminium nitride |
| US5558717A (en) * | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
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| JP4430769B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2010-03-10 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス加熱治具 |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116329A patent/JP2001298020A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-21 US US09/814,277 patent/US20010029895A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-22 EP EP01201066A patent/EP1148151A3/en not_active Withdrawn
- 2001-04-17 KR KR1020010020397A patent/KR20010098655A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001298020A (ja) | 2001-10-26 |
| US20010029895A1 (en) | 2001-10-18 |
| EP1148151A2 (en) | 2001-10-24 |
| EP1148151A3 (en) | 2004-01-02 |
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