KR20010096067A - 기판열처리장치 - Google Patents

Abstract

파티클의 부착을 억제할 수 있는 기판열처리장치를 제공한다.

제1 배기포트(50)로부터는, 핫플레이트(80)와 처리실의 측벽(10a)과의 사이에 형성된 고리모양의 배기슬릿(90)을 경유하여 핫플레이트(80) 상방의 기체가 배기된다. 배기슬릿(90)에는 차폐부재(91)를 배기포트(50)로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 배치하고 있다. 이것에 의해, 고리모양의 배기슬릿(90)중 제1 배기포트(50) 근방의 기체의 흡인력이 큰 영역의 면적은 작게 되고, 반대로 제1 배기포트(50)로부터 크게 떨어진 기체의 흡인력이 작은 영역의 면적은 크게 된다. 그 결과, 배기슬릿(90)에서의 단위면적당 공기의 유량이 일정하게 되고, 배기포트(50)의 근방에 위치하는 기판(W)의 부분으로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.

Description

기판열처리장치{SUBSTRATE HEAT PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 밀폐공간내에서 반도체 기판, 액정표시장치용 유리기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판 등(이하, 간단히 「기판」이라고 함)에 열처리를 행하는 기판열처리장치에 관한 것이다.

일반적으로, 상기와 같은 기판에 대해서는, 레지스트 도포처리, 노광처리, 현상처리 및 그들에 부수하는 열처리를 순차 행하는 것에 의해 일련의 기판처리를 달성하고 있다. 열처리 중에서도 밀착강화처리는 기판에 헥사메틸디실라잔(Hexa Methyl Di Silazan;이하, 「HMDS」라 함)의 가스를 공급하면서, 당해 기판을 온도 조절하는 것에 의해, 레지스트와 기판과의 밀착성을 높일 목적으로 행하는 열처리이다.

종래부터 밀착강화처리는, 가열 또는 냉각을 행하는 열처리 플레이트를 구비한 처리실내에서 행해지고 있다. 처리실에는 기판의 반입·반출을 행하기 위한 반입구가 설치되어 있고, 처리중에 HMDS가스가 반입구에서 외부에 누출되지 않도록 처리실내를 배기하면서 열처리가 행해지고 있었다.

하지만, 반입구가 폐쇄되어 있을리 없으므로, 처리실내는 반밀폐의 상태이고, 반입구에서의 HMDS가스의 누설을 완전하게 방지하는 것은 가능하지 않았다.

HMDS가스는 인체에 유해할 뿐만 아니라, 대기중의 수분과 결합하는 것에 의해 화학증폭형 레지스트를 사용한 엑시머프로세스에 악영향을 미치기 때문에, 그 누설은 최대한 저감할 필요가 있다.

이 때문에, 상방이 개방된 처리실에 승강 자유로운 상덮개를 설치하고, 그 상덮개를 마주 접하게 하는 것에 의해, 처리실내를 밀폐공간으로 할 수 있도록 하여, 당해 밀폐공간내에서 HMDS가스를 공급하여 밀착강화처리를 행하는 기술이 채용되어 있다.

하지만, 이와 같은 밀폐식의 처리실을 채용한 경우라도, 기판을 반입·반출하기 위해, 상덮개를 개폐할 필요가 있다. 이 때문에, 상덮개가 개방되어 있는 동안도 약간 잔류하고 있는 HMDS가스의 외부로의 누설을 방지하기 위해 처리실에 설치된 배기포트로부터 처리실내 분위기의 배기를 행하고 있다.

열처리플레이트의 상방의 분위기를 배기하기 위한 배기포트는 처리실의 측벽에 있어서 열처리플레이트의 측방에 설치되어 있다. 그리고, 열처리플레이트의 상방의 분위기는 열처리 플레이트와 처리실의 측벽과 사이에 형성된 고리모양의 배기슬릿으로부터 배기포트로 배기되는 것이다.

이 때, 배기슬릿 중 배기포트의 근방과 배기포트에서 크게 떨어진 부분에서는 배기발란스가 다르므로, 상덮개와 처리실과의 사이에서 형성된 통기부분으로부터 배기에 의해 공기와 함께 유입된 파티클이 배기포트의 근방에 위치하는 기판의 부분에 부착한다는 문제가 생기고 있었다.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기판열처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명에 관한 기판열처리장치의 전체 구성을 나타내는 도면,

도 2는 도 1의 기판열처리장치의 주요부를 나타내는 평면도,

도 3은 차폐부재가 배기슬릿에 놓인 상태를 나타내는 도면,

도 4는 도 1의 기판열처리장치의 주요부의 다른 예를 나타내는 평면도이다.

<부호의 설명>

10 처리실, 10a 측벽,

20 상덮개, 50 제1 배기포트,

80 핫플레이트, 90 배기슬릿,

91 차폐부재, 95 판모양 부재,

96 구멍, 97 끼워 맞춤부재,

W 기판.

상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1의 발명은, 밀폐공간내에서 기판에 열처리를 행하는 기판열처리장치로서, (a) 상방이 개방된 처리실과, (b) 상기 처리실의 상방에 상기 처리실에 대하여 상대적으로 승강가능하게 설치되고, 상기 처리실에 마주 접하여 상기 처리실내를 밀폐공간으로 하는 것과, 상기 처리실에서 이간하여 상기 처리실내를 개방하는 것이 가능한 덮개와, (c) 상기 처리실내에 배치되고, 기판을 재치하여 상기 열처리를 행하는 플레이트와, (d) 상기 처리실의 측벽에 설치되고, 상기 플레이트와 상기 측벽과의 사이에 형성된 고리모양의 배기슬릿으로부터 상기 플레이트 상방의 기체를 배기하는 배기포트와, (e) 상기 배기포트로부터 상기 배기를 행할 때, 상기 배기슬릿에서의 단위면적당의 상기 기체의 유량이 일정하게 되도록 유량제어를 행하는 유량제어수단을 구비하고 있다.

또한, 청구항 2의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판열처리장치에 있어서, 상기 유량제어수단에, 상기 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 상기 배기슬릿에 배치되고, 각각이 상기 배기슬릿의 일부를 차폐하는 복수의 차폐부재를 포함시키고 있다.

또한, 청구항 3의 발명은, 청구항 1의 발명에 관한 기판열처리장치에 있어서, 상기 유량제어수단에, 상기 배기슬릿에 설치되고, 상기 배기슬릿을 따라서 등간격으로 복수의 구멍을 설치한 판모양 부재와, 상기 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 상기 복수의 구멍 중 어느 하나에 끼워 맞춰지고, 상기 판모양 부재에 배치되는 복수의 끼워맞춤 부재를 포함시키고 있다.

<발명의 실시형태>

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명에 관한 기판열처리장치의 전체구성을 나타내는 도면이다. 또한, 도 2는 기판열처리장치의 주요부를 나타내는 평면도이다. 이 기판열처리장치는 기판에 HMDS가스를 공급하여 가열처리를 행하는 밀착강화처리부이고,처리실(10), 상덮개(20), 기판승강기구(30), 덮개승강기구(40), 제1 배기포트(50), 제2 배기포트(60), 가스도입포트(70) 및 핫플레이트(80)를 구비하고 있다.

처리실(10)은 상부가 개방된 원통형상의 광체(筐體)이다. 또한, 상덮개(20)는 처리실(10)의 상방에 설치된 처리실(10)의 덮개이다. 상덮개(20)는 덮개승강기구(40)에 의해 승강가능하게 설치되어 있다. 즉, 상덮개(20)는 유지봉(41)을 통해 에어실린더(42)와 접속되어 있고, 에어실린더(42)가 유지봉(41)을 승강시키는 것에 연동하여 상덮개(20)도 승강동작을 행한다.

상덮개(20)가 에어실린더(42)에 의해 하강되면, 처리실(10)의 측벽(10a)의 상단에 설치된 O링(12)과 마주 접하고, 처리실(10)내는 밀폐공간으로 된다. 또한, 상덮개(20)가 에어실린더(42)에 의해 상승되면, 처리실(10)로부터 상덮개(20)가 이간하여 처리실(10)내가 개방된다. 결국, 상덮개(20)는 처리실(10)에 마주 접하여 처리실(10)내를 밀폐공간으로 하는 것과, 처리실(10)로부터 이간하여 처리실(10)내를 개방하는 것이 가능한 덮개이다.

또한, 상덮개(20)의 상부에는 가스도입포트(70)가 관통하여 고정설치되어 있다. 가스도입포트(70)는 도면 외의 가스공급원과 접속되어 있고, 상덮개(20)가 하강된 상태에서 처리실(10)내에 HMDS가스 또는 질소가스를 공급할 수 있다.

처리실(10)내에는 핫플레이트(80)가 설치되어 있다. 핫플레이트(80)는 기판(W)을 재치하여 가열을 행하는 방열판이다. 핫플레이트(80)로의 기판(W)의 재치는 기판승강기구(30)에 의해 행해진다.

기판승강기구(30)는 기판지지봉(33)과 유지플레이트(34)와 연결봉(31)과 에어실린더(32)를 구비하고 있다. 기판지지봉(33)은 원판모양의 유지플레이트(34)상에 연직방향을 따라서 세워 설치된 봉모양 부재이다. 유지 플레이트(34)는 연결봉(31)을 통해 에어실린더(32)에 접속되어 있고, 에어실린더(32)가 연결봉(31), 유지 플레이트(34)를 승강시키는 것에 연동하고, 기판지지봉(33)도 승강동작을 행한다. 또한, 기판지지봉(33)은, 핫플레이트(80)내를 삽통(揷通)가능하게 되어 있고, 그 상단이 기판(W)의 단연부(端緣部)를 3곳에서 지지한다(도 2 참조).

따라서, 기판지지봉(33)이 에어실린더(32)에 의해 상승되면, 그것에 지지된 기판(W)도 상승한다. 또한, 기판지지봉(33)이 에어실린더(32)에 의해 하강되면, 그것에 지지된 기판(W)도 하강하고, 핫플레이트(80)에 재치되는 것이다.

또한, 기판지지봉(33)이 하강된 상태에서는 처리실(10)의 저벽(底壁)(10b)에 설치된 O링(14)과 유지 플레이트(34)가 마주 접하고, 처리실(10)내의 밀폐상태를 유지한다.

또한, 핫플레이트(80)의 측방에 있어서 처리실(10)의 측벽(10a)에는 제1 배기포트(50)가 관통하여 설치되고, 마찬가지로 처리실(10)의 저벽(10b)에는 제2 배기포트(60)가 관통하여 설치되어 있다. 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)는 모두 도면 외의 배기수단에 연통되어 있고, 처리실(10)내의 기체를 배기하는 기능을 가진다. 처리실(10)에 2개의 배기포트를 설치하고 있는 것은, 이하와 같은 이유에 의한다.

즉, 상덮개(20)가 하강하여 O링(12)과 마주 접한 상태에서, 처리실(10)내는크게 나누어 2개의 공간으로 분리된다. 1개는 핫플레이트(80)보다도 상방의 공간이고, 다른쪽은 핫플레이트(80)보다도 하방의 공간이다. 이들 2개의 공간은 엄밀하게 분리되어 있지는 않으며, 핫플레이트(80)에 설치된 기판지지봉(33)이 삽통되는 구멍에 의해 연통되어 있다. 다만, 그 구멍에 기판지지봉(33)이 삽통된 상태에 있어서는 통기성이 낮기 때문에 1개의 배기포트만으로는 배기효율이 현저하게 저하한다. 이 때문에, 제1 배기포트(50)에서는 핫플레이트(80)보다도 상방의 공간의 기체를 배기시킴과 동시에, 제2 배기포트(60)에서는 핫플레이트(80)보다도 하방의 공간의 기체를 배기시키고 있는 것이다.

핫플레이트(80)의 측방에 설치된 제1 배기포트(50)에서 배기를 행할 때는, 핫플레이트(80)와 처리실(10)의 측벽(10a)과의 사이에 형성된 고리모양의 배기슬릿(90)으로부터 핫플레이트(80)보다도 상방의 기체를 배기하고 있다.

여기에서, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 관한 기판열처리장치에 있어서는, 각각이 배기슬릿(90)의 일부를 차폐하는 복수의 차폐부재(91)를 배기슬릿(90)에 배치하고 있다. 도 3은 차폐부재(91)가 배기슬릿(90)에 놓인 상태를 나타낸 도면이다. 차폐부재(91)는 차폐판(91a)과 발란스판(91b)을 접합시킨 단면 T자 형상의 부재이다. 차폐부재(91)는 핫플레이트(80)의 단부와 처리실(10)의 측벽(10a)과의 사이에 차폐판(91a)을 재가(載架)시키는 것에 의해 배기슬릿(90)에 놓여 있다. 발란스판(91b)은 배기슬릿(90)을 통과하는 기류에 의해 차폐부재(91)가 그 위치를 이동시키지 않도록 하기 위한 것이다.

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 차폐부재(91)는 배기포트(50)로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 배기슬릿(90)에 배치되어 있다. 차폐부재(91)를 이와 같이 배치하는 것에 의해, 배기슬릿(90)에서의 배기 발란스를 조정하고 있는 것이지만, 이것에 대해서는 다시 후술한다.

다음에, 상기 구성을 가지는 기판열처리장치에 있어서 밀착강화처리를 행할 때의 수순에 대해서 간단하게 설명한다.

우선, 상덮개(20)가 상승하여 처리실(10)내가 개방됨과 동시에, 기판지지봉(33)도 상승한 상태에 있어서, 장치 외부의 반송로봇에 의해 기판(W)이 반입되고, 기판지지봉(33)의 상단에 놓인다. 기판(W)이 기판지지봉(33)의 상단에 지지된 후, 기판지지봉(33)이 하강하여 그 기판(W)을 핫플레이트(80)에 올려 놓는다.

또한, 기판지지봉(33)의 하강에 따라서, 유지 플레이트(34)와 O링(14)이 마주 접한다.

다음에, 상덮개(20)를 하강시키면서, 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터 배기를 행한다. 즉, 상덮개(20)가 O링(12)에 마주 접하기 직전의 위치까지 하강하면, 이 시점에서 일단 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 정지한다. 배기를 정지하는 것은, 처리실(10)내부가 부압(負壓)으로 되어 상덮개(20)가 급격하게 하강하여 처리실(10)에 충돌하는 것을 방지하기 위함이다.

상덮개(20)가 에어실린더(42)에 의해 더 하강되고, O링(12)에 마주 접하면, 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 다시 개시한다. 이 단계에 있어서는 상덮개(20)와 O링(12)과의 마주 접함 및 유지 플레이트(34)와 O링(14)과의 마주 접함에 의해 처리실(10)내가 밀폐공간으로 되어 있기 때문에, 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기에 따라서 처리실(10)내는 감압상태로 된다. 즉, 처리실(10)내의 압력이 미리 정해진 제1 압력까지 감압되면, 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 정지하고, 가스도입포트(70)로부터 미리 정해진 제2 압력에 도달할 때까지 HMDS가스를 처리실(10)내에 도입하는 것에 의해, 기판(W)에 대한 밀착강화처리가 진행된다. 또한, 처리실(10)내는 밀폐공간이므로, 밀착강화처리중에 HMDS가스가 외부로 누설할 염려는 없다.

그 후, 소정시간이 경과하여 밀착강화처리가 종료하면, 다시 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 개시하여 처리실(10)내의 압력을 상기 제1 압력까지 감압한다. 그리고, 처리실(10)내의 압력이 제1 압력에 도달하면, 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 정지하고, 가스도입포트(70)로부터 질소가스를 처리실(10)내로 도입한다.

그 후, 에어실린더(42)에 의해 상덮개(20)가 상승되고, 처리실(10)로부터 이간되어 처리실(10)내가 개방된다. 이 때, 처리실(10)내의 HMDS가스의 농도는 상술한 배기 및 질소가스의 도입에 의해 상당 저감하고 있지만, HMDS가스는 완전하게 제거되지 않고 여전히 그 일부가 처리실(10)내에 잔류하고 있다.

그래서, 상덮개(20)가 상승되어 처리실(10)로부터 이간된 직후로부터, 다시 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)에 의한 배기를 개시하고, 처리실(10)내에 잔류하고 있던 HMDS가스를 배제하고 있다. 이것에 의해, 일련의 처리를 통해 HMDS가스가 외부로 누설할 가능성이 현저하게 저감된다. 또한, 상덮개(20)가처리실(10)로부터 이간된 직후로부터 배기를 재개하는 것은 상덮개(20)가 처리실(10)에 마주 접한 채로 배기를 행하면 처리실(10)내가 부압(負壓)으로 되어, 상덮개(20)의 상승에 지장을 초래하기 때문이다.

이상과 같이, 밀착강화처리 전후에서의 상덮개(20)의 하강단계 및 상승단계시도 제1 배기포트(50) 및 제2 배기포트(60)로부터의 배기를 행하고 있는 것이다. 이들의 경우에는 상덮개(20)가 처리실(10)로부터 이간되어 처리실(10)내가 개방되어 있기 때문에, 배기에 따라서 장치외부에서 공기가 유입하고, 그 유입된 공기는 배기슬릿(90)을 경유하여 제1 배기포트(50)로부터 배기된다.

여기에서, 고리모양의 배기슬릿(90)중 제1 배기포트(50)의 근방과 제1 배기포트(50)로부터 크게 떨어진 부분에서는 기체의 흡인력이 다르므로, 단위면적당의 공기의 유량이 균일하지 않고, 배기발란스가 다르다.

이 때문에, 종래에 있어서, 장치외부로부터의 공기와 함께 유입된 파티클이 배기포트(50)의 근방에 위치하는 기판(W)의 부분에 부착하기 쉬운 것은 이미 설명한 바와 같다.

그래서, 본 실시형태에 있어서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 배기슬릿(90)에 차폐부재(91)를 배기포트(50)로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 배치하고 있는 것이다. 이것에 의해, 고리모양의 배기슬릿(90)중 제1 배기포트(50) 근방의 기체의 흡인력이 큰 영역의 면적은 작게 되고, 반대로 제1 배기포트(50)로부터 크게 떨어진 기체의 흡인력이 작은 영역의 면적은 크게 된다.

그리고, 그 결과, 배기슬릿(90)에서의 단위면적당 공기의 유량이 일정하게되고, 배기발란스가 균일화 되는 것이다.

환언하면, 배기슬릿(90)에 배치된 복수의 차폐부재(91)가 배기슬릿(90)에서의 단위면적당 기체의 유량이 일정하게 되도록 유량제어를 행하는 유량제어수단으로서의 역할을 맡고 있는 것이다.

이상과 같이 하면, 고리모양의 배기슬릿(90)으로부터 균일하게 배기가 행해지므로, 배기포트(50)의 근방에 위치하는 기판(W)의 부분으로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.

또한, 고리모양의 배기슬릿(90)으로부터 균일하게 배기가 행해지면, 기판(W)의 상면에서의 기류의 흐름도 균일하게 되므로, 기판의 가열처리도 균일하게 행해진다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기의 예에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상기 실시형태에 있어서는 유량제어수단으로서 복수의 차폐부재(91)를 사용하고 있었지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 도 4에 나타낸 바와 같은 형태라도 된다.

도 4에 나타낸 형태에서는, 배기슬릿(90)에 판모양 부재(95)가 설치되어 있고, 판모양 부재(95)에 의해 배기슬릿(90)의 전체가 덮여져 있다. 그리고, 판모양 부재(95)는 고리모양의 배기슬릿(90)을 따라서 등간격으로 복수의 구멍(96)을 설치하고 있다.

또한, 판모양 부재(95)에 있어서는 배기포트(50)로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 복수의 끼워 맞춤부재(97)의 각각이 복수의구멍(96)중 어느 하나에 끼워 맞춰져 있다.

이와 같이 하여도, 고리모양의 배기슬릿(90)중 제1 배기포트(50) 근방의 기체의 흡인력이 큰 영역의 면적은 작게 되고, 반대로 제1 배기포트(50)로부터 크게 떨어진 기체의 흡인력이 작은 영역의 면적은 크게 된다. 그리고, 그 결과, 배기슬릿(90)에서의 단위면적당 공기의 유량이 일정하게 되고, 배기발란스가 균일화되고, 상기 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있는 것이다. 즉, 도 4의 형태에서는 복수의 구멍(96)을 설치한 판모양 부재(95) 및 복수의 끼워맞춤 부재(97)에 의해 유량제어수단을 실현하고 있는 것이다.

또한, 도 4와 같이 하면, 구멍(96)의 개수를 세는 것만으로 간단하게 끼워맞춤 부재(97)를 배치할 수 있기 때문에, 작업자에 의한 배치작업의 효율은 높게 된다. 한편, 도 2에 나타낸 형태에서는, 차폐부재(91)를 약간 이동시키는 것만으로 미소한 유량의 조정을 행할 수 있다.

또한, 도 2, 도 4에 나타낸 형태 이외라도, 배기슬릿(90)에서의 단위면적당 기체의 유량이 일정하게 되도록 유량제어를 행하는 형태라면 좋고, 예컨대, 핫플레이트(80)를 이동시켜 배기포트(50)에 근접시키고, 고리모양의 배기슬릿(90)중 제1 배기포트(50) 근방의 영역의 면적을 작게 하고, 제1 배기포트(50)로부터 크게 떨어진 영역의 면적을 크게 하도록 해도 된다.

또, 상기 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관한 기판열처리장치를 밀착강화처리를 행하는 장치에 적용하고 있었지만, 그 외의 열처리장치(예컨대, 노광후의 베이크를 행하는 노광후 베이크장치)에 적용하는 것도 가능하다.

또한, 상기 실시형태에 있어서는 핫플레이트(80)를 설치하고 기판(W)을 가열하는 구성으로 하고 있지만, 이것에 대신하여, 기판(W)을 냉각하는 쿨플레이트를 설치한 구성으로 하는 것도 가능하다.

또, 상기 실시형태에 있어서는, 처리실(10)을 고정하여 상덮개(20)를 승강시키는 것으로 처리실(10)내를 밀폐공간으로 하는 것과 처리실(10)로부터 이간하여 처리실(10)내를 개방하는 것을 행하도록 하고 있었지만, 이것에 한정되지 않고, 반대로 상덮개(20)를 고정하여 처리실(10)을 승강시키도록 해도 된다. 결국 장치외부의 반송로봇과의 사이에서 기판의 수도(受渡)가 가능하도록만 설정해두면 처리실(10)에 대하여 상덮개(20)가 상대적으로 승강하는 구성으로서 처리실(10)과, 상덮개(20)중 어느 쪽을 승강시켜도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 청구항 1의 발명에 의하면, 배기슬릿에서의 단위면적당 기체의 유량이 일정하게 되도록 유량제어를 행하고 있기 때문에, 배기슬릿으로부터 배기가 균일하게 되고, 기판으로의 파티클의 부착을 억제할 수 있다. 또한, 배기슬릿으로부터 균일하게 배기가 행해지면, 기판의 상면에서의 기류의 흐름도 균일하게 되므로, 기판의 열처리도 균일하게 행해진다.

또한, 청구항 2의 발명에 의하면, 각각이 배기슬릿의 일부를 차폐하는 복수의 차폐부재를 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 배기슬릿에 배치하고 있기 때문에, 배기슬릿 중 배기포트 근방의 기체의 흡인력이 큰 영역의 면적은 작게 되고, 반대로 배기포트로부터 크게 떨어진 기체의 흡인력이작은 영역의 면적은 크게 되어, 그 결과, 청구항 1의 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

또, 청구항 3의 발명에 의하면, 배기슬릿에 설치되고, 배기슬릿을 따라서 등간격으로 복수의 구멍을 설치한 판모양 부재와, 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 상기 복수의 구멍중 어느 하나에 끼워 맞춰지고, 상기 판모양 부재에 배치되는 복수의 끼워 맞춤부재를 가지고 있기 때문에, 배기슬릿 중 배기포트 근방의 기체의 흡인력이 큰 영역의 면적은 작게 되고, 반대로 배기포트로부터 크게 떨어진 기체의 흡인력이 작은 영역의 면적은 크게 되어, 그 결과, 청구항 1의 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다.

Claims (3)

1. 밀폐공간내에서 기판에 열처리를 행하는 기판열처리장치에 있어서,

   (a) 상방이 개방된 처리실과,

   (b) 상기 처리실의 상방에 상기 처리실에 대하여 상대적으로 승강 가능하게 설치되고, 상기 처리실에 마주 접하여 상기 처리실내를 밀폐공간으로 하는 것과, 상기 처리실로부터 이간하여 상기 처리실내를 개방하는 것이 가능한 덮개와,

   (c) 상기 처리실내에 배치되고, 기판을 재치하여 상기 열처리를 행하는 플레이트와,

   (d) 상기 처리실의 측벽에 설치되고, 상기 플레이트와 상기 측벽과의 사이에 형성된 고리모양의 배기슬릿으로부터 상기 플레이트 상방의 기체를 배기하는 배기포트와,

   (e) 상기 배기포트로부터 상기 배기를 행할 때, 상기 배기슬릿에서의 단위 면적당의 상기 기체의 유량이 일정하게 되도록 유량제어를 행하는 유량제어수단과,

   를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판열처리장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 유량제어수단은,

   상기 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 상기 배기슬릿에 배치되고, 각각이 상기 배기슬릿의 일부를 차폐하는 복수의 차폐부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판열처리장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 유량제어수단은,

   상기 배기슬릿에 설치되고, 상기 배기슬릿을 따라서 등각격으로 복수의 구멍을 설치한 판모양 부재와,

   상기 배기포트로부터의 거리가 길게 됨에 따라서 배치간격이 길게 되도록 상기 복수의 구멍중 어느 하나에 끼워 맞춰져 상기 판모양 부재에 배치되는 복수의 끼워맞춤부재와,

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판열처리장치.