KR20010092585A - 마그네트론의 브레이징 구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자렌지등에 사용되는 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 내부에 베인과 스트랩이 설치되어 공진 회로를 형성하는 원통형의 양극 본체와; 상기 양극 본체의 상부와 하부에 결합되어 밀폐 작용을 하는 복수 개의 금속 실과; 상기 각 금속 실의 상부 또는 하부에 연결되고, 상기 금속 실과 접합되는 부분에 금속 박막이 부착되어 있는 출력부 세라믹 및 입력부 세라믹과; 상기 입출력부 세라믹과 금속실을 상호 용접하여 밀봉할 수 있도록 상기 금속 박막의 외측면에 부착되거나 도포되어 있는 브레이징 수단을 포함하여 구성됨으로써, 별도의 링 형상의 노재를 사용하지 않고도 간편하게 용접하여 밀봉할 수 있게 되어 조립 시간을 단축할 수 있는 동시에 용접 불량을 감소시킬 수 있는 마그네트론의 브레이징 구조에 관한 것이다.

Description

마그네트론의 브레이징 구조{The structure for brazing in magnetron}

본 발명은 전자렌지등에 사용되는 마그네트론에 관한 것으로서, 특히 입출력부 세라믹의 금속 박막 부분에 용접 가능한 부재가 설치되어 마그네트론의 조립이 용이하게 이루어질 수 있도록 한 마그네트론의 브레이징 구조에 관한 것이다.

마그네트론은 일정량의 양극전압과 전류를 인가할 때 발생되는 마이크로파를 외부로 전송하는 장치이다.

도 1은 일반적인 마그네트론의 내부 구조가 도시된 도면이고, 도 2는 마그네트론의 주요부 외관도이다.

마그네트론은 도 1에 도시된 바와 같이 양극 본체(10)내부에 위치되고 일정량의 양극전압과 양극전류가 인가될 때 내부의 베인(8)과 스트랩(9)의 공진회로를 구성하는 양극부와, 상기 양극부의 안쪽에 필라멘트(7)가 설치되어 다량의 열전자를 발산하고 상기 베인(8)의 끝단과의 작용공간에서 마이크로파가 발생되도록 하는 음극부가 구성된다.

그리고, 상기 양극부와 음극부 사이의 작용공간에서 발생된 마이크로파를 외부로 전송시키는 안테나(6)와, 상기 양극부의 외주면에 설치되고 마이크로파로 전환되지 않은 잔류 에너지가 변환된 열을 방열시키는 다수의 냉각핀(5)과, 상기 양극부 및 냉각핀(5)을 보호 및 지지하고 외부공기를 냉각핀(5)으로 안내하는 요크(3)(4)와, 상기 양극부가 설치된 요크(3)(4)의 상하부에 위치되어 자기 폐회로를 구성하는 영구자석(2)과 필터박스(1)가 구성된다.

이와 같은 마그네트론에서 상기 양극 본체(10)의 출력부 쪽에는 상기안테나(6)가 내재되도록 출력부 금속실(13)과 출력부 세라믹(15)이 설치되고, 입력부 쪽에는 상기 필라멘트(7)에 전압을 제공하는 몰리브덴 리드(18)가 내재되도록 입력부 금속실(17)과 입력부 세라믹(20)이 설치된다.

상기와 같은 마그네트론은 내부에서 열전자가 방사되므로 진공 밀폐되어야 하는 바, 상기 출력부 금속실(13)과 출력부 세라믹(15), 상기 입력부 금속실(17)과 입력부 세라믹(20) 사이를 진공 밀폐시키기 위하여 브레이징(용접) 방법을 통해 내부를 진공 밀폐시키고 있다.

도 3은 종래 기술에 의한 마그네트론의 브레이징 구조가 도시된 분해 사시도로서, 상기 입력부 금속실(17)과 입력부 세라믹(20)을 접합하기 위하여 입력부 세라믹(20)에 메탈라이징 공정을 통해 금속 박막을 부착시킨 다음, 상기 입력부 금속실(17)을 노재(22)를 이용하여 상기 입력부 세라믹(20)의 금속 박막부분에 브레이징 하여 진공 밀폐하였다.

또한, 상기 입력부 세라믹(20)에는 상기 필라멘트(7)에 전류를 인가하기 위한 리드(18)가 외부 회로가 연결되도록 입력부 터미널(19)이 설치됨과 아울러 진공 배기를 위한 배기관(25)이 설치되도록 구멍(20a)(20b)이 형성되어 있는 바, 이 부분에도 진공 밀폐를 위해 노재(23)(27)로 브레이징하게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술의 마그네트론의 브레이징 구조는 입력부 세라믹(20)에 입력부 금속실(17), 입력 터미널(19), 배기관(25) 등을 연결하여 설치하기 위해서 각각의 노재(22)(23)(27)를 사용하여 브레이징(용접)하기 때문에 마그네트론 조립하는 데 많은 시간이 소요되고, 그만큼 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.

특히, 입력부 세라믹(20)과 입력 터미널(19) 사이를 용접하는 노재(23)의 경우 그 크기가 매우 작기 때문에 브레이징 조립 작업이 쉽지 않은 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 입력부 및 출력부 세라믹에 도포된 금속 박막 부분에 브레이징 부재를 직접 도금하여 구성함으로써 생산 조립 공정이 빠른 시간 안에 이루어져 마그네트론의 조립 시간을 단축함과 아울러 용접 불량을 최소화할 수 있는 마그네트론의 브레이징 구조를 제공하는 데 있다.

도 1은 일반적인 마그네트론이 내부 고조가 도시된 단면 구성도,

도 2는 종래 기술의 마그네트론 외관 모양이 도시된 정면도,

도 3은 종래 기술의 마그네트론의 브레이징 구조가 도시된 분해 사시도,

도 4는 본 발명에 따른 마그네트론의 브레이징 구조가 도시된 분해 사시도 및 주요부 상세도,

도 5는 도 4의 A-A선 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

51 : 양극 본체 55 : 입력부 금속 실

60 : 입력부 세라믹 61, 62 : 구멍

65 : 금속 박막 70 : 입력부 터미널

75 : 배기관 80 : 브레이징 부재

81, 83 : 구리도금 82 : 은도금

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 마그네트론의 브레이징 구조는, 내부에 베인과 스트랩이 설치되어 공진 회로를 형성하는 원통형의 양극 본체와; 상기 양극 본체의 상부와 하부에 결합되어 밀폐 작용을 하는 복수 개의 금속 실과; 상기 각 금속 실의 상부 또는 하부에 연결되고, 상기 금속 실과 접합되는 부분에 금속 박막이 부착되어 있는 출력부 세라믹 및 입력부 세라믹과; 상기 입출력부 세라믹과 금속실을 상호 용접하여 밀봉할 수 있도록 상기 금속 박막의 외측면에 부착되거나 도포되어 있는 브레이징 수단을 포함한 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 발명에 따른 마그네트론의 브레이징 구조가 도시된 분해사시도이고, 도 5는 도 4의 A-A 부분의 단면도이다.

본 발명에 따른 마그네트론의 브레이징 구조는 내부에 베인과 스트랩이 설치되어 공진 회로를 형성하는 원통형의 양극 본체(51)와, 상기 양극 본체(51)의 하부에 결합되어 밀폐 작용을 하는 입력부 금속 실(55)과, 상기 입력부 금속 실(55)의 하부에 결합되는 동시에 상기 금속 실(55)과 접합되는 부분에 금속 박막(65)이 부착되어 있는 입력부 세라믹(60)과, 상기 입력부 세라믹(60)과 금속 실(55)을 상호 용접하여 밀봉할 수 있도록 상기 금속 박막(65)의 외측면에 부착되거나 도포되어 있는 브레이징 부재(80)로 구성된다.

또한, 상기 입력부 세라믹(60)은 그 하부면에 입력부 터미널(70)과 배기관(75)이 연결되도록 구멍(61)(62)이 형성되어 있으므로 상기 구멍(61)(62)의 주위에도 금속 박막(65')이 도포됨과 아울러 이 금속 박막(65')에 브레이징 부재(80')가 도포되어 상기 입력 터미널(70)과 배기관(75)을 용이하게 용접하여 고정할 수 있도록 되어 있다.

여기서 상기 브레이징 부재(80)(80')는 상기 금속 박막(65)(65')의 외측면으로부터 구리 도금(81), 은 도금(82), 다시 구리 도금(83) 순서로 3중 구조로 도금된다.

이와 같은 상기 브레이징 부재(80)는 은과 구리로 이루어진 합금으로서, 상기 금속 박막(65)이 니켈과 몰리브덴 함금으로 입력부 세라믹(60)의 표면에 견고히 부착되어 있는 바, 금속 박막(65)의 표면에 은성분을 직접 도금하기가 어려우므로구리층을 도금(81)하고 은도금(82)을 실시하게 된다.

그리고, 상기 은도금(82)의 표면에 다시 구리(83)로 도금하게 되면 노재로서의 역할을 충분히 수행하게 되며, 상온에서 공기중에 노출되는 은의 산화현상을 방지하게 되므로 용접 노재로서 사용이 가능하게 된다.

상기 브레이징 부재(80)의 두께는 상기 금속 박막(65)의 두께에 비례하게 되는 데, 첫 번째 구리 도금(81)은 1.5㎛, 두 번째 은도금(82)은 20 ~ 25㎛, 세 번째 구리 도금(83)은 4 ~ 8㎛로서, 상기 금속 박막(65)에 부착되어 설치되고, 고온으로 용접할 때는 유동성 있는 액체 상태로 변화되면서 니켈로 도금되어 있는 입력부 금속실(55)과의 사이에 빈틈을 메우면서 브레이징 된다.

따라서, 상기 브레이징 부재(80)는 수소분위기에서 금속 박막(65) 등의 부품이 산화되지 않도록 보호함과 아울러 용융점 이상의 고온에서 녹으면서 상기 입력부 세라믹(60)의 금속 박막(65)과 입력부 금속 실(55), 입력부 세라믹(60)의 금속 박막(65')과 상기 입력 터미널(70) 및 배기관(75)을 상호 용접하여 고정할 수 있게 된다.

한편, 상기한 본 발명의 실시예에서는 입력부 세라믹 측에 브레이징 노재를 설치한 상태를 예시하였으나 출력부 금속 실과 용접되는 출력부 세라믹에도 상기한 동일한 방법으로 브레이징 노재를 설치하여 용접할 수 있다.

상기한 바와 같은 본 발명의 마그네트론의 브레이징 구조는 세라믹 측에 금속 실을 용접하여 고정할 수 있는 브레이징 부재가 설치되어 있기 때문에 별도의노재를 사용하지 않고도 간편하게 용접하여 밀봉할 수 있게 되어 조립 시간을 단축할 수 있는 동시에 용접 불량을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (3)

1. 내부에 베인과 스트랩이 설치되어 공진 회로를 형성하는 원통형의 양극 본체와; 상기 양극 본체의 상부와 하부에 결합되어 밀폐 작용을 하는 복수 개의 금속 실과; 상기 각 금속 실의 상부 또는 하부에 연결되고, 상기 금속 실과 접합되는 부분에 금속 박막이 부착되어 있는 출력부 세라믹 및 입력부 세라믹과; 상기 입출력부 세라믹과 금속실을 상호 용접하여 밀봉할 수 있도록 상기 금속 박막의 외측면에 부착되거나 도포되어 있는 브레이징 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 마그네트론의 브레이징 구조.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 브레이징 수단은 상기 금속 박막의 외측면으로부터 구리, 은, 구리 순서로 3중 도금된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마그네트론의 브레이징 구조.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 입력부 세라믹은 그 일측면에 입력부 터미널과 배기관이 연결되도록 구멍이 형성되고, 상기 구멍의 주위에는 금속 박막 및 상기 브레이징 수단이 도포되어 상기 입력 터미널과 배기관을 용접하여 고정할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 마그네트론의 브레이징 구조.