KR20010085293A - Method of producing gas discharge panel - Google Patents

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KR20010085293A
KR20010085293A KR1020017000802A KR20017000802A KR20010085293A KR 20010085293 A KR20010085293 A KR 20010085293A KR 1020017000802 A KR1020017000802 A KR 1020017000802A KR 20017000802 A KR20017000802 A KR 20017000802A KR 20010085293 A KR20010085293 A KR 20010085293A
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KR1020017000802A
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히가시노히데타카
나가오노부아키
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마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
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    • H01J11/20Constructional details

Abstract

본 발명은 배기공정에서의 배기를 효율적으로 행할 수 있는 가스방전패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a gas discharge panel capable of efficiently performing exhaust in an exhaust process.

진공배기공정에서, 가열로(51) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)하면서 개폐밸브(53f)를 적절히 연 상태로 터보분자펌프(53b) 및 로터리펌프(53c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내를 진공상태까지 흡인하고, 그 후 가스도입계통(52)으로부터 방전가스를 엔벌로프(40) 내로 소정압력(예를 들어, 0.05MPa)을 도입한다.In the vacuum evacuating process, the temperature in the heating furnace 51 is heated (baked) at a temperature (exhaust baking temperature) lower than the softening point of the encapsulating material layer, the turbo molecular pump 53b and the rotary The pump 53c is operated to suck up the inside of the envelope 40 to a vacuum state and thereafter introducing a discharge gas from the gas introduction system 52 into the envelope 40 at a predetermined pressure (for example, 0.05 MPa) do.

이어서, 가스도입계통(52)으로부터의 방전가스도입을 멈추고, 흡인배기계통(53)으로부터 엔벌로프 내의 방전가스를 흡인배출시켜, 엔벌로프(40) 내부를 다시 진공상태로 한다.Subsequently, the introduction of the discharge gas from the gas introduction system 52 is stopped, and the discharge gas in the envelope is sucked and discharged from the suction and exhaust system 53, so that the inside of the envelope 40 is again evacuated.

Description

가스방전패널의 제조방법{METHOD OF PRODUCING GAS DISCHARGE PANEL}METHOD OF PRODUCING GAS DISCHARGE PANEL [

이하에서 종래의 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 8은 교류형(AC형) 플라즈마 디스플레이 패널(이하, “PDP”라 함)을 개략적으로 도시한 단면도이다.Hereinafter, a conventional plasma display panel will be described with reference to the drawings. 8 is a cross-sectional view schematically showing an alternating-current (AC) type plasma display panel (hereinafter referred to as " PDP ").

도 8에서 110은 전면 유리기판이고, 이 전면 유리기판(110) 상에 방전전극(111)이 형성되어 있다. 방전전극(111)은 유전체 유리층(112) 및 산화마그네슘(MgO)으로 구성된 유전체 보호층(113)으로 덮여 있다(예를 들어 일본국 특개평 5-342991호 공보참조).In FIG. 8, reference numeral 110 denotes a front glass substrate, and a discharge electrode 111 is formed on the front glass substrate 110. The discharge electrode 111 is covered with a dielectric protective layer 113 composed of a dielectric glass layer 112 and magnesium oxide (MgO) (see, for example, JP-A-5-342991).

또, 120은 배면 유리기판이고, 이 배면 유리기판(120) 상에는 어드레스 전극(121), 이것을 덮는 가시광 반사층(122), 격벽(123), 형광체층(124) 및 방전가스를 봉입하는 방전공간(130)이 설치되어 있다. 상기 형광체층(124)은 컬러표시를 위해 적, 녹, 청 3색의 형광체층이 차례로 배치되어 있다. 상기 각 형광체층(124)은 방전에 의해 발생하는 파장이 짧은 자외선(예를 들어, 파장 147nm)에 의해 여기발광한다.Reference numeral 120 denotes a rear glass substrate on which an address electrode 121, a visible light reflecting layer 122 covering the address electrode 121, a partition wall 123, a phosphor layer 124, and a discharge space 130 are installed. The phosphor layers 124 are sequentially arranged with three phosphor layers of red, green, and blue for color display. Each of the phosphor layers 124 emits excitation light by an ultraviolet ray having a short wavelength (for example, a wavelength of 147 nm) generated by a discharge.

형광체층(124)을 구성하는 형광체로서는 일반적으로 다음의 재료가 이용된다.As the phosphor constituting the phosphor layer 124, the following materials are generally used.

「청색형광체」: BaMgAl10O17: Eu&Quot; Blue phosphor ": BaMgAl 10 O 17 : Eu

「녹색 형광체」: Zn2SiO4: Mn 또는 BaAl12O19: Mn&Quot; Green phosphor ": Zn 2 SiO 4 : Mn or BaAl 12 O 19 : Mn

「적색형광체」: Y2O3: Eu 또는 (YxGd1-x)BO3: Eu&Quot; Red phosphor ": Y 2 O 3 : Eu or (Y x Gd 1-x ) BO 3 : Eu

각각의 색형광체는 다음과 같이 제작할 수 있다.Each of the color phosphors can be manufactured as follows.

청색형광체(BaMgAl10O17: Eu)는 먼저 탄산바륨(BaCO3), 탄산마그네슘(MgCO3),산화알루미늄(α-Al2O3)을 Ba, Mg, A1의 원자비로 1 대 1 대 10이 되도록 배합한다.The blue phosphor (BaMgAl 10 O 17 : Eu) is prepared by first mixing barium carbonate (BaCO 3 ), magnesium carbonate (MgCO 3 ) and aluminum oxide (α-Al 2 O 3 ) 10 < / RTI >

다음으로, 이 혼합물에 대하여 소정량의 산화유로퓸(Eu2O3)을 첨가한다. 그리고 적량의 용제(AlF2, BaC12)와 함께 볼 밀(ball mill)로 혼합하고, 1400℃∼1650℃에서 소정시간(예를 들어 0.5시간), 환원분위기(H2또는 N2중)에서 소성하면 얻어진다.Next, a predetermined amount of europium oxide (Eu 2 O 3 ) is added to this mixture. Then, the mixture is mixed with a suitable amount of a solvent (AlF 2 , BaC 1 2 ) in a ball mill and heated at a temperature of 1400 ° C. to 1650 ° C. for a predetermined time (for example, 0.5 hour) in a reducing atmosphere (in H 2 or N 2 ) Fired.

적색형광체(Y2O3: Eu)는 원료로서 수산화이트륨 Y2(OH)3과 붕산(H3BO3)을 Y, B의 원자비가 1 대 1로 되도록 배합한다. 다음으로, 이 혼합물에 대하여 소정량의 산화유로퓸(Eu2O3)을 첨가하고, 적량의 용제와 함께 볼 밀로 혼합하고, 공기 중에 1200℃∼1450℃에서 소정시간(예를 들어 1시간) 소성하면 얻어진다.The red phosphor (Y 2 O 3 : Eu) is mixed with yttrium hydroxide Y 2 (OH) 3 and boric acid (H 3 BO 3 ) as raw materials such that the atomic ratio of Y and B is 1: 1. Next, a predetermined amount of europium oxide (Eu 2 O 3 ) is added to this mixture, mixed with an appropriate amount of the solvent together with a ball mill, and calcined in air at 1200 ° C. to 1450 ° C. for a predetermined time .

녹색형광체(Zn2SiO4: Mn)는 원료로서 산화아연(ZnO), 산화규소(SiO2)를 Zn,Si의 원자비가 2 대 1로 되도록 배합한다. 다음으로 이 혼합물에 소정량의 산화망간(Mn2O3)을 첨가하고, 볼 밀로 혼합한 후 공기 중에 1200℃∼1350℃에서 소정시간(예를 들어 0.5시간) 소성하면 얻어진다.The green phosphor (Zn 2 SiO 4 : Mn) is blended so that the atomic ratio of zinc oxide (ZnO) and silicon oxide (SiO 2 ) is 2: 1 as a raw material. Next, a predetermined amount of manganese oxide (Mn 2 O 3 ) is added to this mixture, mixed with a ball mill, and then fired in air at 1200 ° C to 1350 ° C for a predetermined time (for example, 0.5 hour).

상기 제조법으로 제작된 형광체 입자를 분쇄한 후 선별함으로써 소정의 입경분포를 갖는 형광체 재료가 얻어진다.The phosphor particles produced by the above production method are pulverized and then screened to obtain a phosphor material having a predetermined particle size distribution.

이하 종래의 PDP의 제조방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a conventional method of manufacturing a PDP will be described.

우선 전면 유리기판 상에 방전전극을 형성하고, 이것을 덮도록 유전체 유리로 된 유전체층을 형성하고, 또 이 유전체층 위에 Mg0로 된 보호층을 형성한다. 다음으로 배면 유리기판 상에 어드레스 전극을 형성하고, 그 위에 유전체 유리로 된 가시광 반사층과, 유리제의 격벽을 소정의 피치로 작성한다.First, a discharge electrode is formed on a front glass substrate, a dielectric layer made of dielectric glass is formed so as to cover the dielectric layer, and a protective layer made of MgO is formed on the dielectric layer. Next, an address electrode is formed on the rear glass substrate, and a visible light reflecting layer made of dielectric glass and a barrier rib made of glass are formed thereon at a predetermined pitch.

이들의 격벽에 끼워진 각 공간 내에 상술한 바와 같이 하여 제작한 적색형광체, 녹색형광체, 청색형광체를 포함하는 각 색형광체 페이스트를 각각 설치함으로써 형광체층을 형성하고, 형성후 500℃ 정도에서 형광체층을 소성하여 페이스트 내의 수지성분 등을 제거한다(형광체 소성공정).A phosphor layer is formed by providing the respective color phosphor paste including the red phosphor, green phosphor and blue phosphor prepared as described above in the respective spaces sandwiched between the partition walls, and after the formation, the phosphor layer is baked To remove the resin component and the like in the paste (phosphor baking step).

형광체 소성후 배면 유리기판의 주위에 전면 유리기판과의 봉입부착용 글래스 프릿(glass frit)을 도포하고, 글래스 프릿 내의 수지성분 등을 제거하기 위해 350℃ 정도에서 가소한다(봉입부착용 유리 가소공정).After the phosphor is fired, a glass frit for sealing with a front glass substrate is applied to the periphery of the back glass substrate, and the glass frit is preheated at about 350 ° C to remove the resin component and the like in the glass frit.

그 후 방전전극, 유전체 유리층 및 보호층을 차례로 형성한 전면 유리기판과, 상기 배면 유리기판을 격벽을 통해 표시전극과 어드레스 전극이 직교하도록 대향 배치하고, 450℃ 정도에서 소성하여 봉입유리로 주위를 밀봉한다(봉입공정).A front glass substrate on which a discharge electrode, a dielectric glass layer, and a protective layer are formed in order; and a back glass substrate which is disposed so as to face the display electrode and the address electrode orthogonally through the barrier ribs, (Sealing step).

그 후 소정의 온도(350℃ 정도)까지 가열하면서 패널 내를 배기하고(배기공정), 종료 후에 방전가스를 소정의 압력만큼 도입한다.Thereafter, the inside of the panel is exhausted (exhaust process) while being heated to a predetermined temperature (about 350 DEG C), and the discharge gas is introduced at a predetermined pressure after the completion.

상기와 같은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에서는, 패널제작후의 발광특성 및 방전특성을 안정화시키는 에이징 공정 및 통상의 작동시에 발광특성이 점차로 열화된다는 문제점이 있다.In the conventional method of manufacturing a plasma display panel as described above, there is a problem that the luminescent characteristics are gradually deteriorated in the aging process for stabilizing the luminescent characteristics and the discharge characteristics after the fabrication of the panel and during the normal operation.

이것은 상기 배기공정에서 충분히 내부공간 내의 불순물(수증기, 산소, 질소, 탄산가스 등의 방전가스와 다른 조성의 가스성분)이 세정되지 않고, 내부공간에 잔류하고 있기 때문이다.This is because the impurities (gas components having a composition different from that of the discharge gas such as steam, oxygen, nitrogen, or carbon dioxide) in the internal space sufficiently remain in the internal space without being cleaned in the exhaust process.

본 발명은 컴퓨터의 모니터 및 텔레비전 등의 화상표시에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널 등의 가스방전패널의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a gas discharge panel such as a plasma display panel used for image display such as a computer monitor and a television.

도 1은 본 발명에 관한 실시예에 공통된 AC형 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 구성을 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a configuration of an AC type plasma display panel (PDP) common to the embodiment of the present invention.

도 2는 상기 PDP에 회로블록을 설치한 표시장치의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a display device in which a circuit block is provided in the PDP.

도 3은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착·배기장치(50)를 모식적으로 도시한 도면이고, (a)는 상면절개도, (b)는 (a)에서의 A-A'선을 포함하는 수직단면도이다.Fig. 3 is a schematic view of the sealing / attaching / exhausting device 50 used in the sealing / attaching step of this embodiment. Fig. 3 (a) Fig.

도 4는 봉입부착시의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.4 is a view showing an embodiment showing the temperature and pressure profile at the time of sealing.

도 5는 진공배기공정·봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.5 is a view showing an embodiment showing the temperature and pressure profile in the vacuum evacuation / encapsulation process.

도 6은 봉입시 및 진공배기·봉입공정의 온도 및 압력프로파일을 도시한 실시예의 도면이다.Fig. 6 is a view showing an embodiment showing the temperature and pressure profile of the sealing and vacuum evacuation / sealing processes.

도 7은 본 발명에 관한 다른 실시예의 봉입부착공정도에서 이용하는 봉입부착·배기장치(70)를 모식적으로 도시한 도면이다.Fig. 7 is a diagram schematically showing the sealing / attaching / discharging device 70 used in the sealing process of another embodiment of the present invention.

도 8은 종래예에 관한 실시예에 공통된 PDP의 구성을 도시한 사시도이다.8 is a perspective view showing a configuration of a PDP common to the embodiments of the prior art.

본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 패널의 제조공정에 필요한 배기공정에서 효율적으로 배기할 수 있는 가스방전패널의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a gas discharge panel that can be efficiently exhausted in an exhaust process required for a panel manufacturing process.

이러한 목적을 달성하기 위해 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 해당 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 충전하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.An envelope forming step of forming an envelope by disposing the second substrate on the surface of the first substrate on the side of the partition on which the partition wall for blocking the light emitting cells is formed on the main surface, And a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas, and a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas, In the manufacturing method of the discharge panel, the discharging step includes a sub-step of evacuating the inside of the envelope, and a sub-step of filling a purge gas containing substantially no gas into the envelope with respect to the discharge gas, And a sub-step of evacuating the inside of the envelope after that.

또한, 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 해당 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.An envelope forming step of forming an envelope by disposing the second substrate on the surface of the first substrate on the side of the partition on which the partition wall for blocking the light emitting cells is formed on the main surface; A sealing step of sealing the outer periphery of the envelope with a sealing member; an evacuation step of evacuating the gas inside the envelope; and an encapsulating step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas The exhausting step comprises a sub-step of evacuating the inside of the envelope, and a step of evacuating the inside of the envelope while flowing a cleaning gas containing substantially no gas into the envelope as the impurity against the discharge gas And a sub-step.

또 상기 「실질적인」이란 용어는 「세정 가스의 주성분은 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는다」는 것을 의미한다. 따라서 「상기 주성분 가스에 처음부터 불순물(통상은 매우 저농도)로서 함유되어 있는 가스를 배제한다」는 것은 아니다.The term " substantial " means that " the main component of the cleaning gas is not an impurity for the discharge gas ". Therefore, " does not mean to exclude gas contained as an impurity (usually very low concentration) from the beginning in the main component gas ".

이들의 제조방법에 의하면, 종래와 같이 단지 엔벌로프 내부를 배기할 뿐만 아니라, 상기한 바와 같이 세정가스를 충전하고 나서 또는 유통시키면서 이것을 배기하므로 종래의 제조방법에 비하여 엔벌로프 내부의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 저농도까지 제거하는 것이 가능해진다.According to these manufacturing methods, not only the inside of the envelope is exhausted as in the prior art but also the exhaust gas is exhausted while filling or circulating the cleaning gas as described above, so that the concentration of the impurity gas in the envelope It is possible to quickly remove (in a short time) the concentration to a low level.

또 상기 제조방법에 있어서 봉입부착단계를 엔벌로프 전체 또는 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 행하면, 엔벌로프는 내외의 압력차에 의해 양 기판이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재가 경화하여 봉입부착되므로 격벽 정상부와 이것과 대향하는 기판과의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착된다. 종래에는 엔벌로프의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조일뿐이므로 엔벌로프의 중앙부가 눌려지지 않기 때문에 격벽 정상부와 이것에 대향하는 기판이 전체적 또는 부분적으로 분리된 상태로 봉입부착되기가 쉽다.Further, in the above manufacturing method, when the envelope attaching step is performed by heating the entire envelope or the sealed portion at a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the encapsulating material and lowering the pressure inside the envelope to a value outside the envelope, The sealing material is sealed and adhered in a state in which both the substrates are uniformly pressed from the outside. Thus, the sealing material is sealed and adhered in a state in which there is almost no gap between the top of the septum and the substrate opposed thereto. Since the center of the envelope is not pressed, the top of the envelope and the substrate facing the envelope are sealed in a state in which they are wholly or partially separated from each other easy.

따라서 이러한 제조방법에 의하면 PDP 구동시에 진동이 발생하기 어렵고 또한 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to easily manufacture a PDP in which vibration is hardly generated at the time of driving the PDP, and the display quality is good.

또 상기 제조방법에 있어서 봉입부착단계를 엔벌로프 내부에 건조가스를 충전한 상태에서 행하면, 형광체의 열열화를 억제할 수 있다.Further, in the above manufacturing method, when the sealing step is carried out while the envelope is filled with the drying gas, thermal degradation of the phosphor can be suppressed.

이하에 도면을 참조하여 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

〔PDP의 전체구성 및 제조방법에 대하여〕[Regarding the Overall Configuration and Manufacturing Method of PDP]

도 1은 실시예에 관한 교류면 방전형 PDP을 도시한 사시도이고, 도 2는 이 PDP에 회로블록을 실장한 표시장치의 구성도이다.Fig. 1 is a perspective view showing an AC surface discharge type PDP according to an embodiment, and Fig. 2 is a configuration diagram of a display device in which a circuit block is mounted on this PDP.

이 PDP는 각 전극에 펄스형상의 전압을 인가함으로써 방전공간 내에서 방전을 발생시키고, 방전에 따라 배면패널측에서 발생한 각 색의 가시광을 전면패널의 주표면으로부터 투과시키는 것이다.This PDP generates a discharge in a discharge space by applying a pulse-like voltage to each electrode, and transmits visible light of each color generated on the back panel side in accordance with the discharge from the main surface of the front panel.

그리고 상기 PDP는 전면 유리기판(11) 상에 복수의 방전전극(12)(주사전극(12a), 유지전극(12b)), 유전체층(13), 보호층(14)이 배치되어 이루어지는 전면 패널(10)과, 배면 유리기판(21) 상에 복수의 어드레스 전극(22), 유전체층(23)이 배치된 배면 패널(20)이 전극(12a, 12b)과 어드레스 전극(22)을 대향시킨 상태로 간격을 두고 서로 평행하게 배치되어 구성되어 있다.The PDP includes a front panel (not shown) having a plurality of discharge electrodes 12 (scan electrodes 12a, sustain electrodes 12b), a dielectric layer 13, and a protective layer 14 disposed on a front glass substrate 11 A back panel 20 on which a plurality of address electrodes 22 and dielectric layers 23 are disposed on a back glass substrate 21 is formed in a state in which the electrodes 12a and 12b and the address electrodes 22 are opposed to each other And are arranged parallel to each other with an interval therebetween.

PDP의 중앙부는 화상을 표시하는 영역으로서, 여기에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20) 사이의 틈은 스트라이프형상의 격벽(24)이 복수개로 구분됨에 따라 복수의 방전공간(30)이 형성되고, 상기 방전공간(30) 내에는 방전가스가 봉입되어 있다. 또한 방전공간(30) 내에서 배면 패널(20)측에는 복수의 형광체층(25)이 설치되어 있다. 이 형광체층(25)은 적, 녹, 청의 순으로 반복하여 나열되어 있다.The central part of the PDP is an area for displaying an image. Here, a gap between the front panel 10 and the back panel 20 is divided into a plurality of stripe barrier ribs 24 so that a plurality of discharge spaces 30 are formed And the discharge space 30 is filled with a discharge gas. A plurality of phosphor layers 25 are provided in the discharge space 30 on the back panel 20 side. This phosphor layer 25 is repeatedly arranged in the order of red, green and blue.

방전전극(12) 및 어드레스 전극(22)은 모두 스트라이프형상이고, 방전전극(12)은 격벽(24)과 직교하는 방향으로 배치되고, 어드레스 전극(22)은 격벽(24)과 평행하게 배치되어 있다.The discharge electrode 12 and the address electrode 22 are all in a stripe shape and the discharge electrode 12 is arranged in a direction orthogonal to the partition wall 24 and the address electrode 22 is arranged in parallel with the partition wall 24 have.

그리고 방전전극(12)과 어드레스 전극(22)이 교차하는 곳에 적, 녹, 청의 각 색을 발광하는 셀이 형성된 패널구성으로 되어 있다.In addition, a panel structure in which cells emitting red, green, and blue light are formed at the intersection of the discharge electrode 12 and the address electrode 22.

유전체층(13)은 전면 유리기판(11)의 방전전극(12)이 배치된 표면 전체를 덮어 배치된 유전물질로 된 층으로서, 일반적으로 납(Pd)계 저융점 유리가 재료로서 이용되고 있지만, 비스무스(Bi)계 저융점 유리 또는 납계 저융점 유리와 비스무스계 저융점 유리의 적층물로 형성해도 된다.The dielectric layer 13 is a layer made of a dielectric material that covers the entire surface on which the discharge electrodes 12 of the front glass substrate 11 are disposed and generally a lead (Pd) low melting point glass is used as a material. Or a laminate of a bismuth (Bi) based low melting point glass or a lead based low melting point glass and a bismuth based low melting point glass.

보호층(14)은 산화마그네슘(Mg0)으로 된 얇은 층으로서, 유전체층(13)의 표면 전체를 덮고 있다. 유전체층(23)은 가시광 반사층으로서의 작용도 겸하도록 TiO2입자가 혼합되어 있다. 격벽(24)은 유리재료로 이루어지고, 배면 패널(20)의 유전체층(23)의 표면 상에 돌출설치되어 있다.The protective layer 14 is a thin layer made of magnesium oxide (MgO) and covers the entire surface of the dielectric layer 13. The dielectric layer 23 is mixed with TiO 2 particles also serving as a visible light reflecting layer. The barrier ribs 24 are made of a glass material and protrude from the surface of the dielectric layer 23 of the back panel 20.

한편 PDP의 바깥둘레부에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 봉입부착재로 봉입부착되어 있다.On the other hand, at the outer peripheral portion of the PDP, the front panel 10 and the back panel 20 are sealed with an adhesive material.

격벽(24)의 정상부와 전면 패널(10)은 거의 전체적으로 접촉되어 있거나 접합재로 접합된 상태로 되어 있다.The top portion of the partition 24 and the front panel 10 are almost entirely in contact with each other or joined together by a bonding material.

이러한 PDP를 제작하는 방법의 일례를 이하에 설명하기로 한다.An example of a method of manufacturing such a PDP will be described below.

전면 패널의 제작 :Front panel creation:

전면 유리기판(11) 상에 방전전극(12)을 형성하고, 그 위를 덮도록 유전체층(13)을 형성하고, 또 유전체층(13)의 표면에 진공증착법, 전자빔 증착법 또는 CVD법으로 산화마그네슘(MgO)으로 된 보호층(14)을 형성함으로써 제작한다.A discharge electrode 12 is formed on the front glass substrate 11 and a dielectric layer 13 is formed so as to cover the dielectric layer 13 and the surface of the dielectric layer 13 is covered with a magnesium oxide MgO) is formed on the protective layer 14.

방전전극(12)은 은전극용 페이스트를 스크린인쇄로 도포한 후 소성함으로써 형성할 수 있다. 그 밖에 ITO(인듐·주석·옥사이드)나 SnO2로 투명전극을 형성한 후 그 위에 상기한 바와 같이 은전극을 형성하거나 포토리소그래피법으로 Cr-Cu-Cr 전극을 형성해도 된다.The discharge electrode 12 can be formed by applying a silver electrode paste by screen printing and then firing it. Alternatively, a transparent electrode may be formed of ITO (Indium Tin Oxide) or SnO 2 , and then a silver electrode may be formed thereon or a Cr-Cu-Cr electrode may be formed by photolithography.

유전체층(13)은 납계의 유리재료(그 조성은 예를 들어 산화납[PbO] 70중량%, 산화붕소[B2O3] 15중량%, 산화규소[SiO2] 15중량%)를 포함하는 페이스트를 스크린 인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 형성할 수 있다.Dielectric layer 13 is that the lead-based glass material (the composition, for example, lead oxide [PbO] 70% by weight of boron oxide [B 2 O 3] 15% by weight, silicon oxide [SiO 2] 15% by weight) include The paste can be formed by applying the paste by a screen printing method and firing.

배면 패널의 제작 :Production of back panel:

배면 유리기판(21) 상에 방전전극(12)과 마찬가지로 스크린 인쇄법을 이용하여 어드레스 전극(22)을 형성한다.The address electrodes 22 are formed on the rear glass substrate 21 by the screen printing method as in the case of the discharge electrodes 12. [

다음으로 TiO2입자가 혼합된 유리재료를 스크린 인쇄법을 이용하여 도포하여소성함으로써 유전체층(23)을 형성한다.Next, a glass material mixed with the TiO 2 particles is coated and fired by a screen printing method to form the dielectric layer 23.

다음으로 격벽(24)을 형성한다. 격벽(24)은 스크린 인쇄법으로 격벽용 유리 페이스트를 겹쳐 도포한 후 소성함으로써 형성할 수 있다. 그 외에 격벽용 유리 페이스트를 배면 유리기판(21) 상의 전면에 도포한 후 격벽을 형성하지 않는 부분을 샌드블러스트법으로 깎는 방법을 이용해도 격벽(24)을 형성할 수 있다.Next, the barrier ribs 24 are formed. The barrier ribs 24 can be formed by applying a glass paste for barrier ribs by a screen printing method and then firing the barrier ribs. In addition, the barrier ribs 24 can also be formed by applying a glass paste for barrier ribs to the entire surface of the rear glass substrate 21 and then cutting off the portions where the barrier ribs are not formed by the sandblast method.

그리고 격벽(24) 사이의 홈에 형광체층(25)을 형성한다. 이 형광체층(25)은 일반적으로는 각 색형광체 입자를 포함하는 형광체 페이스트를 스크린 인쇄법으로 도포하여 소성함으로써 형성되지만, 형광체 잉크를 노즐로부터 연속적으로 분사하면서 홈을 따라 주사하는 방법으로 도포하고, 도포 후에 형광체 잉크에 포함되어 있는 용제나 바인더를 제거하기 위해 소성함으로써 형성할 수도 있다. 이 형광체 잉크는 각 색형광체 입자가 바인더, 용제, 분산제 등의 혼합물로 분산되고, 적절한 점도로 조정된 것이다.A phosphor layer 25 is formed in the groove between the barrier ribs 24. The phosphor layer 25 is generally formed by applying a phosphor paste containing phosphor particles of each color by a screen printing method and then firing it. However, the phosphor layer 25 is applied by a method of scanning along the grooves while continuously injecting the phosphor ink from the nozzles, And then firing to remove the solvent or the binder contained in the phosphor ink after the application. This phosphor ink is prepared by dispersing the respective color phosphor particles in a mixture of a binder, a solvent and a dispersing agent and adjusting the viscosity to an appropriate value.

형광체 입자의 구체예로서는,As specific examples of the phosphor particles,

청색형광체 : BaMgAl10O17: Eu2+ Blue phosphor: BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+

녹색형광체 : BaAl12O19: Mn 또는 Zn2SiO4: MnGreen phosphor: BaAl 12 O 19 : Mn or Zn 2 SiO 4 : Mn

적색형광체 : (YxGd1-x)BO3: Eu3+또는 YBO3: Eu3+ Red phosphor: (Y x Gd 1-x ) BO 3 : Eu 3+ or YBO 3 : Eu 3+

을 들 수 있다..

본 실시예에서는 40인치급의 VGA나 하이비전 텔레비전에 맞추어 격벽의 높이는 0.06∼0.15mm, 격벽의 피치는 0.13∼0.36mm으로 한다.In this embodiment, the height of the partition wall is 0.06 to 0.15 mm and the pitch of the partition wall is 0.13 to 0.36 mm in accordance with the 40-inch class VGA or high vision television.

봉입부착공정·진공배기공정·방전가스 봉입공정 :Sealing process, vacuum exhaust process, discharge gas sealing process:

다음으로 이와 같이 제작한 전면 패널(10)과 배면 패널(20)을 봉입부착한다.Next, the front panel 10 and the back panel 20 thus manufactured are sealed and attached.

이 봉입부착공정에서는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)을 바깥둘레부에 봉입부착재를 삽입시켜 포개어 엔벌로프를 형성하고, 상기 봉입부착재로 봉입부착한다. 이 때 필요에 따라 배면 패널(20)의 격벽(24)의 정상부에 접합재를 도포해 두어도 상관없다.In this sealing step, the front panel 10 and the back panel 20 are covered with an enveloping member at the outer periphery thereof to form an envelope, which is sealed with the sealing member. At this time, the bonding material may be applied to the top of the partition wall 24 of the back panel 20 if necessary.

봉입부착재로서는 열 등의 에너지를 외부로부터 가하여 연화, 통상은 저융점 유리를 이용하고 봉입부착재를 가열하여 연화시킨 후, 경화시킴으로써 봉입부착한다.As the sealing material, energy such as heat is applied from the outside and softened, usually using a low melting point glass, and the sealing material is softened by heating, and then cured to be sealed.

그리고 봉입부착공정을 행할 때 엔벌로프 내부와 외부에서 압력차를 형성함으로써, 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 눌려지도록 한다. 이로 인하여 격벽(24)의 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 접촉 또는 접근한 상태로 봉입부착이 이루어진다.Further, when the sealing process is performed, a pressure difference is formed between the inside and the outside of the envelope so that the both panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside. As a result, the top portion of the partition wall 24 and the front panel 10 are sealed or attached to each other in a state in which they are in contact with or approach each other.

봉입부착공정이 끝나면 엔벌로프 내부에 흡착되어 있는 불순물 가스 등을 추출하기 위해 내부공간을 고진공(예를 들어, 1.3 ×10-11MPa)으로 하여 배기한다(진공배기공정).When the sealing process is completed, the inner space is evacuated to a high vacuum (for example, 1.3 × 10 -11 MPa) to extract impurity gas or the like adsorbed in the envelope (vacuum evacuation process).

그 후 엔벌로프 내부에 방전 가스(예를 들어 He-Xe계, Ne-Xe계, Ar-Xe계의 비활성 가스)를 소정의 압력으로 봉입함으로써(방전가스 봉입공정) PDP를 제작한다.Then, a PDP is manufactured by enclosing a discharge gas (for example, a He-Xe system, a Ne-Xe system, or an Ar-Xe system inert gas) in the envelope at a predetermined pressure (discharge gas sealing step).

또 본 실시예에서는 방전가스에서의 Xe의 함유량을 5체적% 정도로 하고, 봉입압력은 0.067∼0.11MPa의 범위로 설정한다.In this embodiment, the content of Xe in the discharge gas is set to about 5 vol%, and the filling pressure is set in the range of 0.067 to 0.11 MPa.

PDP를 구동 표시할 때에는 도 2와 같이 회로블록을 실장하여 구동한다.When driving the PDP, the circuit block is mounted and driven as shown in Fig.

이하에서 봉입부착공정, 진공배기공정 및 방전가스 봉입공정에 대하여 제 1 실시예 내지 제 4 실시예로 나누어 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the sealing attachment process, the vacuum evacuation process, and the discharge gas sealing process will be described in detail for the first to fourth embodiments.

(제 1 실시예)(Embodiment 1)

도 3은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착·배기장치(50)를 모식적으로 도시한 도면이고, (a)는 상면절개도, (b)는 (a)에서의 A-A선을 포함하는 수직단면도이다.Fig. 3 is a schematic view of the sealing / attaching / exhausting apparatus 50 used in the sealing / attaching step of this embodiment, wherein (a) is an upper cut-away view, and (b) FIG.

이 봉입부착·배기장치(50)는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 겹쳐진 엔벌로프(40)를 수납하여 이것을 가열하는 가열로(51)와, 가열로(51)의 외부에 설치된 가스도입계통(52), 흡인배기계통(53)으로 구성되어 있다.The enclosure attachment and exhaust device 50 is provided with a heating furnace 51 for storing the envelope 40 in which the front panel 10 and the back panel 20 are overlapped and heating the envelope 40, A gas introduction system 52, and a suction and exhaust system 53.

이 가열로(51)는 히터(54)로 가열할 수 있고, 내부의 온도는 원하는 설정온도로 제어할 수 있도록 되어 있다.The heating furnace 51 can be heated by the heater 54, and the inside temperature can be controlled to a desired set temperature.

이 봉입부착·배기장치(50)를 이용하여 다음과 같이 봉입부착공정을 행한다.The sealing and attaching step (50) is used to carry out the sealing step as follows.

도 3에 도시된 바와 같이, 미리 배면 패널(20)에는 표시영역보다 외측의 바깥둘레부에 통기공(21a, 21b)을 설치해 둔다. 통기공(21a)은 배면 패널(20)의 우측상부에 형성되고, 통기공(21b)은 배면 패널(20)의 좌측하부에 형성되어 있다.As shown in Fig. 3, air vent holes 21a and 21b are provided in the outer peripheral portion outside the display area in advance on the back panel 20 in advance. The vent hole 21a is formed on the upper right side of the back panel 20 and the vent hole 21b is formed on the lower left side of the back panel 20.

전면 패널(10) 및 배면 패널(20)의 대향면 중 어느 한쪽 또는 양쪽의 바깥둘레부에 봉입부착재를 포함하는 페이스트를 도포하여 소성함으로써 봉입부착재층(41)을 형성한다. 여기에서는, 봉입부착재로서 격벽(24)이나 유전체층(23)의 재료보다 연화온도가 낮은 저융점 유리를 이용한다. 또 봉입부착재가 이 저융점 유리에 한정되지 않는 것은 물론이고, 금속 등을 이용할 수도 있다. 이 경우, 봉입부착 온도는 금속이 용융하는 온도, 즉 융점 이상의 온도가 된다.A paste including a sealing material is applied to the outer surface of one or both of the opposite surfaces of the front panel 10 and the back panel 20 and is fired to form the sealing material layer 41. [ Here, a low-melting glass having a softening temperature lower than that of the material of the partition wall 24 and the dielectric layer 23 is used as the sealing member. In addition, the sealing material is not limited to the low-melting glass, and a metal or the like may be used. In this case, the sealing attachment temperature is the temperature at which the metal melts, that is, the melting point or more.

저융점 유리 페이스트의 구체예로서는 저융점 글래스 프릿(연화점 370℃) 80부, 에틸셀룰로스계 바인더 5부, 초산이소아밀 15부를 혼합한 것을 들 수 있고, 이것을 디스펜서로 도포함으로써 봉입부착재층(41)을 형성할 수 있다.Specific examples of the low melting point glass paste include a mixture of 80 parts of a low melting point glass frit (softening point: 370 DEG C), 5 parts of an ethylcellulose binder, and 15 parts of an acetic acid isoam mill. By coating this with a dispenser, Can be formed.

양단에 위치하는 격벽과 봉입부착재층(41) 사이에는 그 사이에 형성된 공간을 2개로 구분하는 분리재(42)가 설치되어 있다. 이 분리재(42)는 봉입부착재층(41), 격벽과 같은 재료를 이용할 수 있다. 이 분리재의 존재에 의해 격벽들 사이에 형성된 방전공간 내에서 가스의 도입ㆍ배출이 효율적으로 행해지게 된다. 또 이 분리재(42)는 설치하지 않아도 상관없다.Between the partition walls located at both ends and the sealing adhesive material layer 41, there is provided a separating material 42 dividing the space formed therebetween into two. The separation material 42 may be made of the same material as the sealing material layer 41 and the partition wall. Due to the presence of the separator, gas can be introduced and discharged efficiently in the discharge space formed between the partitions. The separator 42 may not be provided.

다음으로, 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 위치맞춤을 하면서 겹쳐 엔벌로프(40)를 형성한다. 그리고 위치맞춤된 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 위치가 어긋나지 않도록 엔벌로프(40)의 바깥둘레부를 클립(도시 생략)으로 조여 고정한다.Next, the envelope 40 is formed by overlapping the front panel 10 and the back panel 20 while aligning them. Then, the outer periphery of the envelope 40 is fastened with a clip (not shown) so that the positions of the front panel 10 and the rear panel 20 aligned with each other are not shifted.

이 엔벌로프(40)를 가열로(51) 내에 장착시킨다. 그리고 엔벌로프(40)의 통기공(21a)에 접속관(55)을 개재하여 가스도입계통(52)을 접속한다. 한편 엔벌로프(40)의 통기공(21b)에 접속관(56)을 개재하여 흡인배기계통(53)을 접속한다.And the envelope 40 is mounted in the heating furnace 51. Then, the gas introducing system 52 is connected to the vent hole 21a of the envelope 40 via the connecting pipe 55. On the other hand, the suction and exhaust system 53 is connected to the vent hole 21b of the envelope 40 via the connection pipe 56. [

접속관(55) 및 접속관(56)은 배면 패널(20)의 하면에 접착재(55a, 56a)를 개재하여 고정되는 유리관이다. 상기 접착재(55a, 56a)에는, 예를 들어 상기 봉입부착재층(41)의 재료와 같은 것을 이용하고, 저융점 유리를 포함하는 페이스트를 디스펜서로 도포·건조시켜 클립으로 병용하여 임시고정한다. 이로 인하여 봉입부착재층(41)이 연화·경화하여 엔벌로프(40)가 봉입부착됨에 따라 접착재(55a, 56a)도 연화·경화됨으로써 접속관(55) 및 접속관(56)과 배면 패널(20)의 통기공(21a) 및 통기공(21b)의 접속 및 기밀 봉입도 자동적으로 이루어진다.The connecting pipe 55 and the connecting pipe 56 are glass tubes fixed to the lower surface of the back panel 20 via adhesive materials 55a and 56a. For example, the same material as that of the sealing material layer 41 is used for the adhesive material 55a, 56a, and the paste including the low-melting glass is applied by a dispenser, dried and temporarily fixed together by a clip. As a result, the encapsulation adhesive layer 41 is softened and cured to envelop the envelope 40 so that the adhesive materials 55a and 56a are also softened and hardened so that the connection pipe 55 and the connection pipe 56 and the back panel 20 The connection of the air vent 21a and the air vent 21b and the sealing of airtightness are automatically performed.

가스도입계통(52)은 방전가스가 충전된 가스봄베(gas-bomb ; 52a)와 이것과 접속관(55)을 접속하는 배관계(52b)로 이루어진다. 배관계(52b)의 도중에는 가스도입량을 조정하기 위한 개폐밸브(52c)가 설치되어 있다. 접속관(55)과 배관계(52b)는 지퍼 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다.The gas introducing system 52 is composed of a gas bomb 52a filled with a discharge gas and a piping system 52b connecting the gas bomb 52a and the connecting pipe 55 to each other. An opening / closing valve 52c for adjusting the gas introduction amount is provided at the middle of the piping system 52b. The connecting pipe 55 and the piping system 52b are connected to each other with a zipper or the like ensuring airtightness.

흡인배기계통(53)은 매니폴드(53a)와, 터보분자 펌프(53b)와, 로터리 펌프(53c)와, 상기 접속관(56)과 매니폴드(53a)를 접속하는 배관계(53d)와, 상기 매니폴드(53a)와 터보분자 펌프(53b)를 접속하는 배관계(53e)로 이루어진다. 배관계(53e)의 도중에는 터보분자 펌프에 의한 흡인량을 조정하기 위한 개폐밸브(53f)가 설치되어 있다. 접속관(56)과 배관계(53d)는 척(chuck) 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다.The suction and exhaust system 53 includes a manifold 53a, a turbo molecular pump 53b, a rotary pump 53c, a piping system 53d for connecting the connection pipe 56 and the manifold 53a, And a piping system 53e for connecting the manifold 53a and the turbo molecular pump 53b. At the middle of the piping system 53e, an opening / closing valve 53f for adjusting the suction amount by the turbo molecular pump is provided. The connecting pipe 56 and the piping system 53d are connected to each other with a chuck or the like ensuring airtightness.

또 본 실시예에서는 전면 패널(10)이 상측, 배면 패널(20)이 하측이 되도록 고정하였지만, 상하를 반대로 하여 고정해도 된다. 또 양 패널(10, 20)의 위치가어긋나지 않도록 고정되어 있으면, 가열로(51) 내에 엔벌로프(40)를 세워 세트해도 된다.In this embodiment, the front panel 10 is fixed to the upper side and the rear panel 20 is fixed to the lower side. Further, if the positions of the panels 10 and 20 are fixed so as not to be shifted, the envelope 40 may be set in the heating furnace 51 and set.

그리고 가열로(51) 내를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착 온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 올리고, 봉입부착온도로 소정 시간 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 터보분자 펌프(53b)로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입부착한다. 또 터보분자 펌프(53b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(53c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(53b) 내의 배압을 내린다. 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성으로 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.Then, the inside of the heating furnace 51 is heated to raise the temperature to a sealing attachment temperature (for example 450 DEG C) which is slightly higher than the softening temperature of the sealing sealing material. After maintaining the sealing attachment temperature for a predetermined time, But is sealed and adhered while exhausting from the inside of the envelope 40 by the turbo molecular pump 53b. When the turbo molecular pump 53b is operated, the rotary pump 53c is operated simultaneously to lower the back pressure in the turbo molecular pump 53b. The sealing condition is determined by suitability of the glass substrate material and the sealing material, but it is about 10 to 20 minutes at about 450 DEG C when a low-melting glass is used.

배기는 가열로(51) 내가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로, 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(26a)도 연화되어 배관부재(26)와 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로, 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 x 10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.It is preferable that the exhaust is started after the heating furnace 51 reaches the softening temperature of the sealing member. Since the airtightness of the outer circumferential portion between the panels 10 and 20 is not so much until the softening temperature of the enclosure attachment material is reached, even if exhausted from the inner space of the envelope 40, the inside thereof can not be made to have a high degree of vacuum, The outer peripheral portion between the panels 10 and 20 is hermetically sealed while the adhesive layer 26a is also softened and the connecting portion between the pipe member 26 and the vent hole 21a is also hermetically sealed, This is because the pressure is reduced to a high degree of vacuum (about 1.33 x 10 < -4 > MPa (about several Torr)) when exhausted from the inside of the rope 40. [

이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기계통(53)에 의한 흡인배기는 엔벌로프(40) 내와 가열로 내의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉되는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, O.08MPa 정도) 것 만으로 충분하다.By exhausting from the inner space of the envelope 40 in this way, the both panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside. Suction and exhaust by the suction and exhaust system 53 is performed when the sealing adhesive is compressed by the pressure difference in the envelope 40 and the heating furnace so that the two front and rear panels approach each other and the front panel contacts the partition (For example, about 0.08 MPa) is sufficient.

양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이, 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 강온되면 봉입부착재가 연화 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착된 후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태로 유지되게 된다.When both the panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside, the top of the bulkhead on the back panel 20 and the front panel 10 are in close contact with each other as shown in FIG. When the temperature is lowered in this state, the sealing member is cured at a temperature equal to or lower than the softening temperature, so that the envelope 40 is sealed. Accordingly, the envelope top portion and the front panel 10 are kept in a state of being in close contact with each other in the envelope 40 after being sealed.

또 상기 봉입부착공정에서는 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 온도를 상승시키는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도에서 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃(burn-out)해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.Further, in the above-mentioned sealing step, the temperature is not raised at a sealing attachment temperature slightly higher than the softening temperature of the sealing material, but the sealing material is heated at a temperature lower than the sealing attachment temperature for a predetermined time, for example, Is burned out, it is effective in suppressing deterioration of the phosphor.

이렇게 하여 엔벌로프(40)의 봉입부착이 완료된 후에 다음의 진공배기공정으로 이동한다.After the encapsulation of the envelope 40 is completed in this manner, the process moves to the next vacuum evacuation process.

진공배기공정은 가열로(51) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)하면서 개폐밸브(53f)를 적절히 연 상태로, 터보분자 펌프(53b) 및 로터리 펌프(53c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내부를 진공상태로까지 흡인하고, 그 후 가스도입계통(52)으로부터 방전가스를 엔벌로프(40) 내부에 소정압(예를 들어, 0.05MPa)으로 도입한다. 방전가스를 충전한 후 소정시간(5분에서 10분)동안 그대로의 압력을 유지하는 것이 더욱 바람직하다. 이것은 엔벌로프(40) 내부의 격벽 사이의 컨덕턴스(conductance)가 작기 때문에 평형압이 도달할 때까지 시간을 요하기 때문이다.The vacuum evacuation process is a process in which the temperature in the heating furnace 51 is heated (baked) at a temperature lower than the softening point of the encapsulating material layer (baking temperature) and the turbo molecular pump 53b and rotary The pump 53c is operated to suck the inside of the envelope 40 to a vacuum state and thereafter the discharge gas is supplied from the gas introduction system 52 to the envelope 40 at a predetermined pressure (for example, 0.05 MPa) Lt; / RTI > It is more preferable to maintain the same pressure for a predetermined time (5 minutes to 10 minutes) after charging the discharge gas. This is because the conductance between the partition walls inside the envelope 40 is small and it takes time until the equilibrium pressure reaches.

또 상기한 바와 같이 진공배기공정을 배기 베이킹온도로 가열하면서 행하는 것으로, 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착된 불순물이 가스형상으로 되어, 방전공간 내에 충만되기 쉽고, 보다 신속하게 불순물을 엔벌로프 외부로 추출할 수 있는 데에 바람직하고, 일반적으로는 이와 같이 배기 베이킹온도까지 가열하면서 진공배기를 하지만, 물론 이와 같이 하지 않고 단순히 진공배기하는 것 만으로도 상관없다.Further, by performing the vacuum evacuation step while heating at the exhaust baking temperature as described above, the impurities adsorbed on the inner wall surface of the envelope 40 become gaseous and are likely to be filled in the discharge space, And it is generally preferable to perform vacuum evacuation while heating up to the exhaust baking temperature. However, it is of course possible to simply perform vacuum evacuation without doing so.

또 상기 배기 베이킹온도는 봉입부착재의 연화점보다 낮은 온도(봉입부착재에 금속을 이용하는 경우에는 금속의 융점보다 낮은 온도)인 것은 물론이다. 그리고 여기에서는 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착된 흡착수를 효과적으로 이탈시키는 정도의 온도(예를 들어, 350℃ 정도)로 한다.It is needless to say that the above-mentioned exhaust baking temperature is lower than the softening point of the sealant (temperature lower than the melting point of the metal when a metal is used for the sealant). In this case, the adsorbed water adsorbed on the inner wall surface of the envelope 40 is effectively removed (for example, about 350 DEG C).

진공배기공정에는 엔벌로프(40)의 온도가 실온정도까지 냉각된 후에 이행할 수도 있지만, 봉입부착공정에서의 봉입부착온도로부터 배기 베이킹온도로 냉각한 시점에서 이행하도록 하면 냉각한 후에 다시 배기 베이킹온도까지 가열하는 가열기간을 생략할 수 있으므로 제조공정을 보다 단축시키는 데에 바람직하다.In the vacuum evacuation process, the envelope 40 may be cooled after the temperature of the envelope 40 is cooled to room temperature. However, if the evacuation is performed at the time of cooling from the sealing attachment temperature to the exhaust baking temperature in the sealing adhering step, And thus it is preferable to shorten the manufacturing process.

그리고, 다음으로 가스도입계통(52)으로부터의 방전가스 도입을 멈추고, 흡인배기계통(53)으로부터 엔벌로프 내부의 방전가스를 흡인배출시켜, 엔벌로프(40) 내부를 다시 진공상태로 한다.Next, the introduction of the discharge gas from the gas introduction system 52 is stopped, and the discharge gas inside the envelope is sucked and discharged from the suction / exhaust system 53, so that the inside of the envelope 40 is again evacuated.

이러한 진공배기ㆍ방전가스도입ㆍ진공배기라는 처리는 통상은 1회로도 충분하지만, 반복하면 엔벌로프(40) 내부의 불순물 가스를 보다 저농도로 할 수 있다.Such a process of vacuum evacuation / discharge gas introduction and vacuum evacuation is usually sufficient for one cycle, but the impurity gas inside the envelope 40 can be made to be lower in concentration by repeating this process.

이와 같이 엔벌로프(40) 내부에 도입되는 가스는 방전가스가 아니더라도 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스이면 된다. 불순물의 정의는 명확하지 않지만, 휘도저하 등의 요인이 되는 가스를 말한다. 또 이 가스는 건조가스이면 형광체의 특성열화를 억제할 수 있으므로 더욱 바람직하다. 여기에서 건조가스란 통상의 가스보다 수증기 분압이 낮은 가스, 예를 들어 수증기 분압(로점)이 O.0027MPa (22℃) 이하의 가스이다.As described above, the gas introduced into the envelope 40 may be a gas that does not become an impurity against the discharge gas even if it is not a discharge gas. The definition of the impurity is not clear, but refers to a gas that causes a decrease in luminance or the like. This gas is more preferable because it can suppress deterioration of the characteristics of the phosphor when it is a dry gas. Here, the dry gas is a gas having a lower partial pressure of water vapor than a normal gas, for example, a gas having a partial pressure of water vapor (LOC point) of 0.0027 MPa (22 DEG C) or less.

일단 진공으로 한 후 엔벌로프(40) 내부에 도입하는 압력은 1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr)부터 엔벌로프(40)가 파괴하지 않는 압력범위 이내이면 되고, 대기압보다 낮은 쪽이 바람직하다.It is preferable that the pressure to be introduced into the envelope 40 after the vacuum is once set to be within the pressure range in which the envelope 40 does not break from about 1.33 x 10-4 MPa (several Torr) to less than the atmospheric pressure .

다음으로, 봉입공정에서는 가스도입계통(52)에 의해 엔벌로프(40) 내부공간에 방전가스를 소정의 봉입압력(예를 들어, 0.067MPa)이 되도록 공급한다. 그리고 접속관(55) 및 접속관(56)의 접속부분을 버너나 히터로 용융하여 막으므로써(chip off) 통기공(21a) 및 통기공(21b)을 봉입한다.Next, in the sealing step, the gas introducing system 52 supplies the discharge gas to the inner space of the envelope 40 at a predetermined sealing pressure (for example, 0.067 MPa). Then, the connection portion between the connection pipe 55 and the connection pipe 56 is melted by a burner or a heater to seal off the vent hole 21a and the vent hole 21b by chip off.

〔본 실시예의 제조방법에 의한 효과에 대하여〕[Effects of the Manufacturing Method of this Embodiment]

종래와 같이 엔벌로프(40)의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조이는 경우, 엔벌로프(40)의 중앙부를 누르지 않기 때문에 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적 또는 부분적으로 이탈된 상태로 봉입부착되기 쉬운데 대하여, 상기한 바와 같이, 엔벌로프(40)는 내외의 압력차에 의해 양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재층(41)이 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 전면 패널(10)의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착이 이루어진다.Since the central portion of the envelope 40 is not pressed when the outer periphery of the envelope 40 is clamped with a clip or the like without placing a difference in the inner and outer pressure of the envelope 40, The envelope 40 can be sealed and adhered in a state of being totally or partially separated from the envelope 40. As described above, 41 are cured and sealed so that sealing is performed in a state where there is almost no gap between the top of the barrier rib and the front panel 10. [

따라서 본 실시예의 제조방법에 의하면 PDP 구동시의 진동이 발생하기 어렵고, 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to easily manufacture a PDP in which no vibration occurs during driving of the PDP, and the display quality is good.

이러한 효과를 얻기 위해서는, 적어도 연화된 봉입부착재층(41)이 경화하는 시점에서는 흡인배기계통을 작동시켜 엔벌로프(40)의 내측 및 외측의 압력차가 생겨 있는 상태로 할 필요는 있지만, 봉입부착공정의 시작부터 끝까지 연속하여 흡인배기계통(53)을 작동시킬 필요는 없다. 예를 들어 봉입부착재층(41)이 연화된 후에 흡인봉입계통(53)의 작동을 시작하더라도 양 패널(10, 20)의 내외 압력차에 의한 효과를 충분히 얻을 수 있다.In order to obtain such an effect, at least the softened sealing material layer 41 is required to be in a state in which the pressure difference between the inside and the outside of the envelope 40 is generated by operating the suction and exhaust system at the time of curing, It is not necessary to operate the suction / exhaust system 53 continuously from the start to the end of the suction / Even when the operation of the suction and containment system 53 is started after the sealant attachment layer 41 is softened, for example, the effect of the inner and outer pressures of the both panels 10 and 20 can be sufficiently obtained.

또 상기 진공배기공정에 의해 엔벌로프(40) 내부의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 저농도까지 제거하는 것이 가능해 진다.It is also possible to quickly (in a short time) remove the impurity gas concentration in the envelope 40 to a low concentration by the vacuum evacuation process.

이것은 1) 대량의 방전가스의 충전에 의한 불순물 가스의 희석효과, 2) 가스충전, 재배기시의 점성류(粘性流)에 의해 잔류 불순물 가스가 엔벌로프(40)의 외부로 배출되는 효과 및, 3) 배기 베이킹시에 가열됨으로써 고온이 된 방전가스 분자가 형광체나 보호층 등의 엔벌로프(40)의 내벽면에 충돌함으로써 흡착가스를 이탈시키는 효과 등에 의한 것이다. 제 3의 이유에서 보면, 배기공정에서 엔벌로프 내에 도입하는 방전가스(세정가스)에는 미리 가열한 것을 이용하는 것이 바람직하다.This has the following advantages: 1) the effect of diluting the impurity gas by charging a large amount of the discharge gas; 2) the effect of the residual impurity gas being discharged to the outside of the envelope 40 by the viscous flow during gas filling and re- 3) an effect of releasing the adsorbed gas by colliding with the inner wall surface of the envelope 40 of the phosphor, the protective layer or the like, the discharge gas molecules heated to a high temperature by heating at the time of exhaust baking. For the third reason, it is preferable to use a previously heated gas (purge gas) to be introduced into the envelope in the exhaust process.

배기 베이킹온도로 유지한 상태에서 엔벌로프(40) 내부를 진공배기한 후에는 엔벌로프(40) 내부의 격벽에 둘러싸인 방전공간 내의 잔류가스를 충분히 누출시킬 수 없다. 예를 들어, 엔벌로프(40) 내부의 격벽의 높이가 120㎛, 피치가 200㎛이고, 배기용 가공구멍의 지름이 약 2mm, 접속관(57)의 내경이 약 2mm, 접속관(57)의 길이를 약 90mm로 하는 경우에는 350℃의 배기 베이킹온도로 배기하면, 매니폴드(53a) 내부의 압력이 1.3 ×1011∼1.3 ×10-10MPa 정도로 되어 있더라도 엔벌로프(40) 내부의 압력은 매니폴드(53a)의 그것보다 약 1자리수∼2자리수 정도 높다.It is impossible to sufficiently leak the residual gas in the discharge space surrounded by the partition wall inside the envelope 40 after evacuating the inside of the envelope 40 while keeping it at the exhaust baking temperature. For example, the diameter of the partition wall inside the envelope 40 is 120 μm, the pitch is 200 μm, the diameter of the exhaust hole is about 2 mm, the inner diameter of the connection pipe 57 is about 2 mm, The pressure inside the envelope 40 is about 1.3 x 10 < 11 > to about 1.3 x 10 < -10 > MPa even if the inside of the envelope 40 is about 90 mm, Is about one to two digits higher than that of the manifold 53a.

물론 베이킹 시간을 길게 하면, 엔벌로프(40)의 내벽에 흡착된 물, 탄산가스, 질소, 산소 등의 불순물 가스량은 감소되지만, 제조비용이 증가된다.Of course, if the baking time is lengthened, the amount of impurity gas such as water, carbon dioxide gas, nitrogen, and oxygen adsorbed on the inner wall of the envelope 40 is reduced, but the manufacturing cost is increased.

상기한 진공배기공정에서는 방전가스를 봉입한 후 다시 진공배기하였지만, 다음과 같이 하면 보다 신속하게 불순물 가스를 제거할 수 있다.In the above-described vacuum evacuation process, the discharge gas is sealed and then evacuated again. However, the impurity gas can be removed more quickly as follows.

즉 가스도입계통(52)에서 엔벌로프(40) 내부로 방전가스를 도입하면서, 동시에 흡인배기계통(53)에서 엔벌로프(40) 내부를 배기하도록(도 3의 (a) 중에 가스의 흐름을 굵은 화살표로 나타냄) 할 수도 있다. 이와 같이 함으로써, 엔벌로프(40) 내부에 방전가스의 흐름이 생기기 때문에, 보다 효율적으로 불순물 가스를 배출할 수 있고, 특히 엔벌로프(40)의 중앙부분에서 배기구(통기공(21b))로부터 비교적 떨어져서 위치하는 방전공간 내의 불순물 가스의 배출 효율이 뛰어나다.That is, the discharge gas is introduced into the envelope 40 from the gas introducing system 52, and at the same time, the inside of the envelope 40 is exhausted from the suction and exhaust system 53 Indicated by a thick arrow). This makes it possible to discharge the impurity gas more efficiently because of the flow of the discharge gas inside the envelope 40. Particularly, in the central portion of the envelope 40, the discharge gas (air hole 21b) The discharge efficiency of the impurity gas in the discharge space located apart is excellent.

그리고 이 경우, 방전 가스를 봉입하는 봉입공정 전에 엔벌로프 내부를 굳이한번 진공배기할 필요는 없고, 그 상태대로 봉입하는 것도 가능하다.In this case, it is not necessary to once evacuate the inside of the envelope before the sealing process for sealing the discharge gas, and it is also possible to seal the envelope in this state.

〈실시예 1〉≪ Example 1 >

다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example in which a PDP relating to an embodiment in which each manufacturing step is performed will be described in detail based on the above embodiment.

도 4는 봉입시의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 도 5는 진공배기공정, 봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 본 실시예에서는 상기 각각의 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 또 각 도면중 점선은 엔벌로프(40)의 온도를 나타내며, 실선은 엔벌로프(40)에 접속된 흡인배기계통의 매니폴드(53a) 내의 압력변화를 나타낸다.FIG. 4 is a view showing the temperature and pressure profile at the time of sealing, FIG. 5 is a view showing the temperature and pressure profile in the vacuum evacuation process and the sealing process, and in this embodiment, Respectively. In the drawings, the dotted line indicates the temperature of the envelope 40, and the solid line indicates the change in the pressure in the manifold 53a of the suction and exhaust system connected to the envelope 40.

우선 봉입부착공정에서 봉입부착온도를 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 온도를 높이고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 450℃에 도달하면 매니폴드(53a)의 압력을 0.05MPa 정도로 감압하여 흡인배기계통의 작동을 정지시켜 이 압력으로 유지한다.First, the temperature at which the sealant is attached is increased to 450 ° C over a period of 2 hours to 3 hours in the sealing process, and the temperature is maintained for 20 minutes. At the same time, when the temperature reaches 450 占 폚, the pressure of the manifold 53a is reduced to about 0.05 MPa to stop the operation of the suction and exhaust system to maintain the pressure.

그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 실온으로 온도를 내린다.The temperature is lowered to room temperature over a period of 2 to 3 hours while maintaining the reduced pressure.

이 단계에서는, 전면 패널과 배면 패널은 완전히 봉입부착이 완료된다.In this step, the front panel and the back panel are completely sealed.

다음으로, 도 5로 가서 다시 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-1l∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가열을 시작하여 2시간에서 3시간에 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 가열한다. 그리고, 배기 베이킹온도에 도달하면 다시 흡인배기를 시작하고, 가열승온시에 매니폴드내(15)에 유입된 가스를 배기한다. 흡인배기를 재개할 때에는 접속관(56) 내벽이나 엔벌로프(40) 내벽으로부터의 탈가스에 의해 매니폴드(53a) 내의 압력이 도 5의 부호 60으로 나타내는 부분과 같이 상승하고 있지만, 흡인배기를 재개함으로써 감소로 전환된다.Next, as shown in FIG. 5, suction and evacuation are continued until the pressure in the manifold 53a reaches 1.3 × 10 -1 to 1.3 × 10 -10 MPa, and then heating is started. Heat to a temperature (350 ° C). Then, when the temperature reaches the exhaust baking temperature, the exhaust gas starts to be exhausted again, and the gas introduced into the manifold 15 is exhausted at the time of heating and heating. The pressure in the manifold 53a rises as indicated by reference numeral 60 in FIG. 5 due to the degassing from the inner wall of the connecting pipe 56 and the inner wall of the envelope 40. However, It is converted to reduction by resuming.

그리고 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 되어진 단계에서 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내부에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하여 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.When the pressure in the manifold 53a is about 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa, the operation of the suction and exhaust system 53 is stopped and the gas introduction system 52 is operated to open the envelope 40) is filled with a discharge gas at about 0.05 MPa, and this pressure is maintained for about 5 to 10 minutes.

그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내부의 가스를 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내부에서 0.067MPa 정도로 충전한다.The gas inside the envelope 40 is resumed to be sucked and exhausted at a rate of about 1.3 × 10 -11 to about 1.3 × 10 -10 MPa and then the discharge gas is supplied to the envelope 40) to 0.067 MPa.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내부의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 종래보다 신속하게 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, it takes about 2 hours to reduce the pressure inside the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. However, in the vacuum evacuation process of this embodiment, The pressure can be reduced.

여기에서, 흡인배기계통의 펌프계의 구동력을 더욱 크게 하여, 보다 강력하게 엔벌로프 내를 흡인하도록 하면 단시간에 저압으로 감압할 수도 있을 것으로 예상된다. 그러나 이와 같이 하면 엔벌로프 내부의 형광체가 형광체층으로부터 이탈하게 되기 때문에 패널 특성의 열화로 이어지므로, 일반적으로는 상기한 바와 같이매니폴드를 개재시켜 흡인력을 비교적 약하게 하여 엔벌로프 내를 흡인하도록 한다. 이 때문에 종래 진공배기공정에서는 통상 원하는 내압까지 엔벌로프 내를 감압하려면 비교적 긴 시간을 요하고 있었다.Here, it is expected that the driving force of the pump system of the suction / exhaust system is further increased, and if the inside of the envelope is drawn more strongly, the pressure can be reduced to a low pressure in a short time. However, in this case, the phosphors inside the envelope are separated from the phosphor layer, leading to deterioration of the panel characteristics. Therefore, generally, the suction force is relatively weakened through the manifold as described above to suck the inside of the envelope. Therefore, in the conventional vacuum evacuation process, it takes a comparatively long time to decompress the inside of the envelope to the desired internal pressure.

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5에서 10V 정도 낮게 되어 방전전류가 수%에서 10%정도이고, 효율이 수%로부터 약 10% 정도 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating in the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than those in the case of pressing with a conventional clip or the like. In addition, the noise level at the outer periphery was suppressed down to several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered by about 5 to 10 V, so that the discharge current was about several to 10%, and the efficiency was improved by about 10% from several percent.

〈실시예 2〉≪ Example 2 >

다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하여 다른 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Next, an example in which the PDP according to another embodiment is manufactured by performing each manufacturing process based on the above-described embodiment will be described in detail.

도 6은 봉입시의 온도 및 압력프로파일, 진공배기공정·봉입공정에서의 온도 및 압력프로파일을 도시한 도면이고, 본 실시예에서는 이 각 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 또 각 도면중 점선은 엔벌로프(40)의 온도를 나타내며, 실선은 엔벌로프(40)에 접속된 흡인배기계통의 매니폴드 내의 압력변화를 나타낸다.Fig. 6 shows the temperature and pressure profile at the time of sealing, the temperature and pressure profile at the vacuum evacuation process and the sealing process, and in this embodiment, the PDP was manufactured in accordance with each profile. In each figure, the dotted line represents the temperature of the envelope 40, and the solid line represents the pressure change in the manifold of the suction and exhaust system connected to the envelope 40.

우선 봉입부착공정에서, 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 온도를 높히고, 그 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에, 450℃에 도달하면 매니폴드(53a)의 압력을 0.05MPa 정도로 감압하고 흡인배기계통의 작동을 정지시켜 이 압력을 유지한다.First, in the sealing-bonding step, the temperature is increased from 2 hours to 3 hours to the sealing temperature of 450 ° C, and the temperature is maintained for 20 minutes. At the same time, when the temperature reaches 450 占 폚, the pressure of the manifold 53a is reduced to about 0.05 MPa, and the operation of the suction and exhaust system is stopped to maintain this pressure.

그리고 감압상태를 유지한 채로 30분 정도 걸려 배기 베이킹온도(350℃)까지온도를 낮춘다.Then, while maintaining the reduced pressure, it takes about 30 minutes to lower the temperature to the exhaust baking temperature (350 ° C.).

이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드(53a) 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어, 봉입부착불량 발생에 대하여 빠른 제조단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다.In this step, the front panel and the back panel are completely sealed. However, if the pressure in the manifold 53a is monitored together with the temperature drop, defects in the sealing adhesion can be known, And can help reduce costs.

다음으로, 배기 베이킹온도로 강온한 후 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1. 3 ×10-10MPa 정도까지 흡인배기한다. 다음으로, 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.Next, after the temperature is reduced to the exhaust baking temperature, suction and exhaust are continued to set the pressure in the manifold 53a to 1.3 x 10 < -11 > Suction and exhaust to about 3 × 10 -10 MPa. Next, the operation of the suction and exhaust system 53 is stopped, the gas introduction system 52 is operated to charge the discharge gas to about 0.05 MPa in the envelope 40, and this pressure is maintained for about 5 to 10 minutes.

그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스의 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도로 충전한다.Then, the gas in the envelope 40 is resumed to be sucked and exhausted at a rate of about 1.3 × 10 -11 to about 1.3 × 10 -10 MPa, and then the discharge gas is supplied to the envelope 40 ) At 0.067 MPa.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 일반적으로는 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, in general, it takes about 2 hours to reduce the pressure in the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. However, in the vacuum evacuation process of the embodiment, .

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립으로 누르는 등의 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도로 낮게 되어, 방전전류가 수%에서 10%정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating on the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than the conventional method of pressing with a clip. Also, the noise level from the outer periphery was suppressed to be low by several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered to about 10V from about 5V, and the discharge current was about 10% to about 10%, and the efficiency was improved by about 10% from several%.

실시예 1에 비하면, 실시예 2에 의한 제조방법에서는 엔벌로프(40)의 봉입시부터 냉각까지의 시간과 배기 베이킹을 위한 실온으로부터 배기 베이킹온도까지의 가열시간이 단축된다는 효과가 있다. 또 형광체 열화의 정도도 수% 정도 실시예 1에 비하여 적고, 약간 우수하였다.Compared with the first embodiment, the manufacturing method according to the second embodiment has the effect of shortening the time from the sealing of the envelope 40 to cooling and the heating time from the room temperature for exhaust baking to the exhaust baking temperature. Also, the degree of deterioration of the phosphor was fewer in some cases than in Example 1, and was slightly superior.

(제 2 실시예)(Second Embodiment)

본 실시예에서는 상기 진공배기공정에서의 방법이 상기 제 1 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.In this embodiment, the method in the vacuum evacuation step is the same except for the difference from that in the first embodiment.

도 7은 본 실시예의 봉입부착공정에서 이용하는 봉입부착 ·배기장치(70)를 모식적으로 도시한 도면이고, 도 3의 (b)에 상당하는 도면이다.Fig. 7 is a view schematically showing the sealing / attaching / discharging device 70 used in the sealing / attaching step of this embodiment, and corresponds to Fig. 3 (b).

이 봉입부착 ·배기장치(70)는 전면 패널(10) 및 배면 패널(20)이 겹친 엔벌로프(40)를 수납하여 이것을 가열하는 가열로(71)와, 가열로(71) 외부에 설치된 가스도입·흡인배기계통(72)으로 구성되어 있다.The sealing attachment and exhausting device 70 includes a heating furnace 71 for storing the envelope 40 in which the front panel 10 and the back panel 20 are overlapped and heating the envelope 40, And an introduction / exhaust / exhaust system (72).

배면 패널(20)에는 통기공(21a)과 내부공간이 연통하도록 접속관(73)과, 통기공(21b)과 내부 공간이 연통하도록 게터관(74)이 각각 접착재(73a) 및 접착재(74a)를 개재하여 상기와 같이 임시고정되어 있다.The back panel 20 is provided with a connecting pipe 73 for communicating the vent hole 21a with the internal space and a getter pipe 74 for connecting the vent hole 21b and the internal space to the adhesive material 73a and the adhesive material 74a As described above.

접속관(73)은 배면 패널(20)과의 접촉단이 개방된 유리관이고, 게터관(74)은 배면 패널(20)과의 접촉타단이 봉입된 유리관이다. 그리고 게터관(74)은 배면 패널(20)의 통기공(21b)의 출구부분에는 게터가 수납되는 게터수납공간(74b)이 형성되어 있다.The connecting pipe 73 is a glass tube whose contact end with the back panel 20 is opened and the getter tube 74 is a glass tube in which the other end of contact with the back panel 20 is sealed. In the getter tube 74, a getter accommodating space 74b for accommodating the getter is formed at the outlet of the vent hole 21b of the back panel 20.

가스도입ㆍ흡인배기계통(72)은 매니폴드(72a)와, 터보분자 펌프(72b)와, 로터리 펌프(72c)와, 방전가스가 충전된 가스봄베(72d)와, 상기 접속관(73)과 매니폴드(72a)를 접속하는 배관계(72e)와, 상기 매니폴드(72a)와 터보분자 펌프(72b) 및 가스봄베(72d)를 접속하는 분기배관계(72f)로 이루어진다. 분기배관계(72f)는 매니폴드(72a)로부터 신장된 1개의 배관계(72f1)가 경로선택밸브(72g)를 통해 2개의 배관계(72f2) 및 배관계(72f3)가 터보분자 펌프(72b) 및 가스봄베(72d) 각각에 접속되어 있다. 배관계(72f2) 및 배관계(72f3)의 도중에는 각각 터보분자 펌프에 의한 흡인량을 조정하기 위한 개폐밸브(72h)와 방전가스의 유량을 조정하는 개폐밸브(72i)가 설치되어 있다. 그리고 접속관(73)과 배관계(72e)는 척 등으로 기밀성을 확보한 상태로 서로 연결된다. 경로선택밸브(72g)는 터보분자 펌프(72b) 작동시에는 배관계(72f2)를 선택하고, 가스봄베(72d)로부터 방전가스를 엔벌로프(40)에 도입하는 경우에는 배관계(72f3)를 선택한다.The gas introduction / suction / exhaust system 72 includes a manifold 72a, a turbo molecular pump 72b, a rotary pump 72c, a gas cylinder 72d filled with a discharge gas, And a branch piping system 72f for connecting the manifold 72a to the turbo molecular pump 72b and the gas cylinder 72d. The piping system 72e connects the manifold 72a and the manifold 72a. One piping system 72f1 extended from the manifold 72a is connected to the piping system 72f2 via the path selection valve 72g and the piping system 72f3 is connected to the turbo molecular pump 72b and the gas cylinder Respectively. An opening / closing valve 72h for adjusting the suction amount by the turbo molecular pump and an opening / closing valve 72i for adjusting the flow rate of the discharge gas are provided in the middle of the piping system 72f2 and the piping system 72f3. The connection pipe (73) and piping system (72e) are connected to each other with a chuck or the like ensuring airtightness. The path selection valve 72g selects the piping system 72f2 when the turbo molecular pump 72b is operated and the piping system 72f3 when the discharge gas is introduced into the envelope 40 from the gas cylinder 72d .

그리고 가열로(71) 내를 히터(75)로 가열하여 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 높이고, 봉입부착온도로 소정시간동안 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 터보분자 펌프(72b)에서 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입한다. 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.Then, the inside of the heating furnace 71 is heated by the heater 75 to raise the temperature to a sealing attachment temperature (for example 450 DEG C) which is slightly higher than the softening temperature of the sealing attachment material, maintain it at the sealing attachment temperature for a predetermined time, The temperatures between the panels 10 and 20 are sealed up by lowering the temperature to below the temperature, but they are sealed while exhausting from the inside of the envelope 40 at the turbo molecular pump 72b. The conditions for the sealing are determined by suitability of the glass substrate material and the sealing material, but when the sealing glass is low melting glass, it is about 10 to 20 minutes at about 450 ° C.

배기는 가열로(71) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는것이 바람직하다. 봉입부착재가 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(41)도 연화되어 접속관(72)과 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.It is preferable that the exhaust is started after the inside of the heating furnace 71 reaches the softening temperature of the sealing member. The airtightness of the outer peripheral portion between the panels 10 and 20 is not so significant until the sealing attachment material reaches the softening temperature, so that even if exhausted from the inner space of the envelope 40, the inside can not be made to have a high degree of vacuum. However, The outer peripheral portion between the panels 10 and 20 is airtightly sealed and the adhesive layer 41 is also softened so that the connection portion between the connection pipe 72 and the vent hole 21a is also hermetically sealed. 40), the pressure is reduced to a high degree of vacuum (about 1.33 × 10 -4 MPa (about several Torr)).

이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내부와 가열로 내부의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2매의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기(예를 들어, 0.08MPa 정도)하는 것 만으로 충분하다.By exhausting from the inner space of the envelope 40 in this way, the both panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside. As the suction exhaust is compressed by the pressure difference between the inside of the envelope (40) and the inside of the heating furnace, the two front panel and the rear panel approach each other and the front panel is in contact with the partition wall. 0.08 MPa or so) is sufficient.

양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 상기한 바와 같이 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 온도를 내리면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착후의 엔벌로프(40)에 있어서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되게 된다.When both the panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside, the top of the barrier rib on the back panel 20 and the front panel 10 are in a state of close contact as described above. When the temperature is lowered in this state, the sealing member is cured at a temperature equal to or lower than the softening point, so that the envelope 40 is sealed. Therefore, in the envelope 40 after the sealing, the top of the barrier rib and the front panel 10 are kept in a state in which they are in close contact with each other.

이어서 실온 정도까지 냉각한 후, 엔벌로프(40)에 부착된 게터관(74)의단부(74c)를 파단하여, 입자형상의 게터(76)를 엔벌로프(40)의 내부공간의 크기에 따른 양을 투입하고, 단부(74c)를 막아 게터(76)를 게터수납공간(74b)에 수납한다. 투입하는 게터(76)에는 가열에 의해 표면이 활성화되어 불순물 가스를 비가역적으로 화학 흡착하는 것을 이용할 수 있다. 그리고 이 경우 다음 공정인 진공배기공정의 배기 베이킹온도에서 활성화시켜지는 것이 바람직하다.The end portion 74c of the getter tube 74 attached to the envelope 40 is broken so that the getter 76 in the form of a particle is moved in accordance with the size of the inner space of the envelope 40 And the end portion 74c is closed to store the getter 76 in the getter accommodating space 74b. In the getter 76 to be charged, the surface is activated by heating to irreversibly chemically adsorb the impurity gas. In this case, it is preferable to activate at the exhaust baking temperature of the next vacuum exhaust process.

다음으로, 엔벌로프(40) 내를 다시 진공으로 배기한 후 가열로(71) 내의 온도를 봉입부착재층의 연화점보다 낮은 온도(배기 베이킹온도)로 가열(베이킹)을 시작한다.Next, the inside of the envelope 40 is evacuated again, and then the temperature in the heating furnace 71 is heated (baked) at a temperature lower than the softening point of the sealing material layer (the baking temperature).

배기 베이킹온도는 봉입부착재의 연화점보다 낮은 온도(봉입부착재에 금속을 이용하는 경우에는 금속의 융점보다도 낮은 온도)인 것은 물론이다. 그리고 여기에서는 게터(76)를 활성화시키고 엔벌로프(40)의 내벽면에 흡착한 흡착수를 효과적으로 이탈시키는 정도의 온도(예를 들어, 350℃ 정도)로 한다.It is a matter of course that the exhaust baking temperature is lower than the softening point of the encapsulant (lower than the melting point of the metal when a metal is used for the encapsulating material). Here, the getter 76 is activated, and the adsorbed water adsorbed on the inner wall surface of the envelope 40 is effectively removed (for example, about 350 DEG C).

배기 베이킹온도로 온도를 상승시키는 중에 게터(76)의 활성온도에 도달하면 게터(76)의 입자 표면에 물, 탄산가스, 질소, 산소 등의 불순물 가스가 흡착되고, 점점 게터(76)의 입자구멍 내에 수용된다. 이것은 불순물 가스가 게터(76)에 수용된 결과, 엔벌로프(40)의 내부공간과 게터(76)가 수납된 수납공간(74b) 사이에 압력구배(가스농도구배)가 생기기 때문이다.When the temperature of the getter 76 reaches the activation temperature of the getter 76 while raising the temperature to the exhaust baking temperature, impurity gases such as water, carbon dioxide gas, nitrogen, and oxygen are adsorbed on the surface of the getter 76, And is accommodated in the hole. This is because the impurity gas is accommodated in the getter 76 and a pressure gradient (gas concentration gradient) is generated between the inner space of the envelope 40 and the accommodating space 74b in which the getter 76 is accommodated.

다음으로, 배기 베이킹온도를 유지한 상태에서 개폐밸브(72h)를 적절히 열고, 터보분자 펌프(72b) 및 로터리 펌프(72c)를 작동시켜 엔벌로프(40) 내를 다시 흡인하고, 그 후 배관선택밸브(72g)에서 배관(72f3)을 선택하고, 개폐밸브(72i)를열어 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 소정압(예를 들어, 0.05MPa)으로 도입한다. 방전가스를 충전한 후 소정시간(5분에서 10분) 그대로의 압력을 유지하는 것이 더욱 바람직하다. 이것은 엔벌로프(40) 내의 격벽 사이의 컨덕턴스가 작기 때문에 평형압에 도달할 때까지 시간이 필요하기 때문이다.Next, the open / close valve 72h is properly opened while the exhaust baking temperature is maintained, the turbo molecular pump 72b and the rotary pump 72c are operated to suck the inside of the envelope 40 again, The pipe 72f3 is selected from the valve 72g and the opening and closing valve 72i is opened to introduce the discharge gas into the envelope 40 at a predetermined pressure (for example, 0.05 MPa). It is more preferable to maintain the pressure as it is for a predetermined time (5 to 10 minutes) after charging the discharge gas. This is because time is required until the equilibrium pressure is reached because the conductance between the partition walls in the envelope 40 is small.

그리고 다음으로 방전가스 도입을 멈추고, 엔벌로프 내의 방전가스를 흡인배출시키고 엔벌로프(40) 내를 다시 진공상태로 한다.Next, the discharge gas is stopped, the discharge gas in the envelope is sucked and discharged, and the inside of the envelope 40 is again evacuated.

이러한 진공배기·방전가스 도입·진공배기라는 처리는 통상은 1회로도 충분하지만, 반복하면 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스를 더욱 저농도로 할 수 있다.Such a process of vacuum evacuation / discharge gas introduction / vacuum evacuation is usually sufficient for one cycle, but the impurity gas in the envelope 40 can be made low in density by repeating this process.

이와 같이 엔벌로프(40) 내에 도입되는 가스는 방전가스가 아니더라도 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스이면 된다. 또 이 가스가 건조가스이면 형광체의 특성열화를 억제할 수 있기 때문에 더욱 바람직하다.As described above, the gas introduced into the envelope 40 is not a discharge gas but a gas that does not become an impurity against the discharge gas. Further, if this gas is a dry gas, deterioration of the characteristics of the phosphor can be suppressed.

일단 진공으로 한 후, 엔벌로프(40) 내에 도입하는 가스압은 1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr)부터 엔벌로프(40)가 파괴되지 않는 압력이면 되고, 대기압보다 낮은 쪽이 바람직하다.It is preferable that the gas pressure introduced into the envelope 40 after the vacuum is once set to a pressure not higher than 1.33 × 10 -4 MPa (several Torr) and the envelope 40 is not destroyed, and lower than the atmospheric pressure.

다음으로, 봉입공정에서는 엔벌로프(40)의 내부공간에 방전가스를 소정의 봉입압력(예를 들어 0.067MPa)이 되도록 공급한다. 그리고 접속관(73) 및 게터관(74)의 접속부분을 버너나 히터로 용융하여 막으므로써(chip off) 통기공(21a) 및 통기공(21b)을 봉입한다.Next, in the sealing step, the discharge gas is supplied to the inner space of the envelope 40 at a predetermined sealing pressure (for example, 0.067 MPa). The connection portion of the connection pipe 73 and the getter pipe 74 is melted by a burner or a heater to seal the vent hole 21a and the vent hole 21b by chip off.

〔본 실시예의 제조방법에 의한 효과에 대하여〕[Effects of the Manufacturing Method of this Embodiment]

종래와 같이 엔벌로프(40)의 내외 압력차를 두지 않고 바깥둘레부를 클립 등으로 조이는 경우, 엔벌로프(40)의 중앙부를 누르지 않기 때문에 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적 또는 부분적으로 분리된 상태로 봉입부착되기 쉬운데 대하여, 상기한 바와 같이, 엔벌로프(40)는 그 내부 및 외부의 압력차에 의해 양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재층(41)이 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 전면 패널(10)의 빈틈이 거의 없는 상태로 봉입부착이 이루어진다.Since the central portion of the envelope 40 is not pressed when the outer periphery of the envelope 40 is clamped with a clip or the like without placing a difference in the inner and outer pressure of the envelope 40, The envelope 40 is sealed by the pressure difference between the inside and the outside of the envelope 40 so that both the panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside, The adhesive layer 41 is cured and sealed so that sealing is performed in a state where there is almost no gap between the top of the barrier rib and the front panel 10. [

따라서 본 실시예의 제조방법에 의하면, PDP 구동시의 진동이 발생되기 어렵고, 또한 표시품위가 양호한 PDP를 용이하게 제작할 수 있다.Therefore, according to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to easily manufacture a PDP in which vibration is less likely to occur during driving of the PDP, and the display quality is good.

이러한 효과를 얻기 위해서는 적어도 연화된 봉입부착재층(41)이 경화되는 시점에서는 흡입배기계통을 작동시켜 엔벌로프(40)의 내외 압력차가 생긴 상태로 할 필요는 있지만, 봉입부착공정의 시작부터 끝까지 연속적으로 흡인할 필요는 없다. 예를 들어, 봉입부착재층(41)이 연화된 후에 흡인 동작을 시작하더라도 양 패널(10, 20)의 내외 압력차에 의한 효과를 충분히 얻을 수 있다.In order to obtain such an effect, it is necessary to operate the suction / exhaust system at least at the time when the softened sealing material layer 41 is hardened, so that the inner / outer pressure difference of the envelope 40 is generated. However, It is not necessary to suck it. For example, the effect of the inner and outer pressure differences of both panels 10 and 20 can be sufficiently obtained even if the suction attachment operation is started after the sealing adhesive layer 41 is softened.

또 상기 진공배기공정에 의해 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스농도를 신속하게(단시간에) 낮은 농도까지 제거하는 것이 가능해진다.In addition, the concentration of the impurity gas in the envelope 40 can be quickly (in a short time) lowered by the vacuum evacuation process.

이것은 1)대량의 방전가스 충전에 의한 불순물 가스의 희석효과, 2) 가스충전 및 재배기시의 점성류에 의해 잔류불순물 가스가 엔벌로프(40) 외부로 배출되는 효과 및, 3) 배기 베이킹시에 가열됨으로써 고온이 된 방전가스 분자가 형광체나 보호층 등의 엔벌로프(40)의 내벽면에 충돌함으로써 흡착가스를 이탈시키는 효과등에 의한 것이다. 제 3의 이유에서 보면, 배기공정에서 엔벌로프 내에 도입하는 방전가스(세정가스)에는 미리 가열한 것을 이용하는 것이 바람직하다.This is because: 1) the effect of diluting the impurity gas by charging a large amount of the discharge gas; 2) the effect that the residual impurity gas is discharged to the outside of the envelope 40 by the viscous flow during the gas filling and rewinding; and 3) And the effect of releasing the adsorbed gas by colliding the discharge gas molecules heated by heating with the inner wall surface of the envelope 40 of the phosphor or the protective layer. For the third reason, it is preferable to use a previously heated gas (purge gas) to be introduced into the envelope in the exhaust process.

또 본 실시예에서는 배기 베이킹온도까지 온도를 높히는 단계에서, 게터에 의해 엔벌로프(40) 내의 불순물 가스를 제거하는 공정을 포함하고 있기 때문에 진공배기·방전가스 충전·진공배기라는 공정뿐인 제 1 실시예의 제조방법에 비하여, 보다 신속하고 보다 낮은 농도로 불순물 가스를 엔벌로프(40) 내에서 제거할 수 있다.In this embodiment, since the step of raising the temperature to the exhaust baking temperature includes the step of removing the impurity gas in the envelope 40 by the getter, the first step of the vacuum exhaust, the discharge gas filling, The impurity gas can be removed in the envelope 40 at a faster and lower concentration than the manufacturing method of the embodiment.

〈실시예 3〉≪ Example 3 >

다음으로, 상기 제 2 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, an example in which the PDP relating to the embodiment in which each manufacturing step is performed will be described in detail based on the second embodiment.

본 실시예에서는 도 4 및 도 5에 도시된 각 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다. 게터(76)는 봉입을 행하여 일단 실온까지 온도를 낮춘 단계에서 게터관(74)에 수납하고, 게터에는 활성화온도가 280℃인 바나듐, 티탄, 철계 합금입자를 이용하였다.In this embodiment, a PDP was fabricated according to the profiles shown in Figs. 4 and 5. The getter 76 is sealed in the getter tube 74 at the stage where the temperature is once lowered to the room temperature by sealing, and vanadium, titanium, and iron-based alloy particles having an activation temperature of 280 deg.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, it takes about 2 hours to reduce the pressure in the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. In the vacuum evacuation process of the embodiment, the pressure can be reduced to about 1 hour.

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating in the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than those in the case of pressing with a conventional clip or the like. Also, the noise level from the outer periphery was suppressed to be low by several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered by about 5 to 10 V, the discharge current was about 10 to 10%, and the efficiency was improved from several% to about 10%.

실시예 1과 비교하면, 실시예 3에 의한 제조방법에서는 에이징공정(에이징공정이란 방전가스 봉입공정후, 패널특성을 안정화시키기 위한 공정) 후의 특성의 열화가 약간 적고, 효율도 수% 정도로 양호하였다.Compared with Example 1, in the manufacturing method according to Example 3, the deterioration of the characteristics after the aging step (the aging step after the discharge gas sealing step and the step for stabilizing the panel characteristics) was slightly small and the efficiency was good to about several% .

(제 3 실시예)(Third Embodiment)

본 실시예에서는 봉입부착공정에서의 방법이 상기 제 1 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.In this embodiment, the method in the sealing and bonding step is the same as that in the first embodiment.

우선 가열로(51) 내를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 높히고, 봉입부착온도로 소정시간동안 유지한 후, 다시 연화점 온도 이하로 온도를 내림으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 봉입부착온도로 온도를 높힐 때에는 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 도입하면서 온도를 높힌다. 또 여기에서는 상기 가스봄베(52a)에 충전하는 방전가스를 건조시킨 것을 건조 가스로서 이용한다. 이 외에도 건조공기, 건조 질소가스, 건조 아르곤가스, 건조 네온가스(대개 건조 희가스) 등을 이용할 수 있다. 그리고 봉입부착온도까지 가열되면 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 되므로 엔벌로프(40) 내의 내압이 상승한다. 이것을 모니터하여 방전가스의 도입을 정지한다.First, the inside of the heating furnace 51 is heated to raise the temperature to a sealing attachment temperature (for example 450 DEG C) which is slightly higher than the softening temperature of the sealing member. After maintaining the sealing attachment temperature for a predetermined time, When the temperature is raised at the sealing temperature, the gas introducing system is operated to raise the temperature while introducing the drying gas into the envelope 40. In this case, Here, the dry gas filled with the gas bomb 52a is dried. In addition, dry air, dry nitrogen gas, dry argon gas, dry neon gas (usually dry rare gas) can be used. When the envelope 40 is heated up to the temperature at which the envelope is attached to the envelope 40, the envelope 40 becomes airtight and the inner pressure of the envelope 40 increases. This is monitored to stop the introduction of the discharge gas.

또 건조가스의 유량은 봉입부착재가 연화되어 기밀봉입된 시점에서, 엔벌로프(40)내에 건조가스가 흐르더라도 급격한 압력상승이 발생되어 엔벌로프(40)를 구성하는 유리기판이 파손되지 않을 정도로 물론 제한될 것이다.Also, the flow rate of the drying gas is set such that, even when the drying gas flows into the envelope 40 at the time when the sealing member is softened and hermetically sealed, a sudden pressure rise occurs and the glass substrate constituting the envelope 40 is not damaged Will be limited.

이와 같이, 봉입부착온도에 도달하기까지의 기간에 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 유통시키기 때문에 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 된 단계에서는 엔벌로프(40) 내에는 건조가스가 충전되어 있다. 그리고 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지한다. 이 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.Since the drying gas flows through the envelope 40 during the period until the sealing temperature reaches the sealing attachment temperature, in the stage where the sealing material is softened and the outer peripheral portion of the envelope 40 becomes airtight, Is filled with dry gas. Then, the sealing temperature is maintained for a predetermined time while the drying gas is being filled. The conditions for the sealing are determined depending on the suitability of the glass substrate material and the sealing material. However, when the low melting glass is used, the sealing condition is about 10 to 20 minutes at about 450 deg.

이와 같이 건조가스를 내부공간에 충전한 상태로 봉입부착함으로써 형광체의 열에 대한 열화가 방지된다.Thus, deterioration of the heat of the phosphor is prevented by sealing the dry gas in a state of being filled in the inner space.

또 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지하는 동시에, 터보분자 펌프(53b)에서 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입부착한다. 또 터보분자 펌프(53b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(53c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(53b) 내의 배압을 내린다.In addition, while the drying gas is being filled, the sealing temperature is maintained for a predetermined time, and the turbo molecular pump 53b is sealingly attached while exhausting from the inside of the envelope 40. When the turbo molecular pump 53b is operated, the rotary pump 53c is operated simultaneously to lower the back pressure in the turbo molecular pump 53b.

배기는 가열로(51) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(56a)도 연화되어 접속관(56)과 통기공(21b)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.It is preferable that the exhaust is started after the inside of the heating furnace 51 reaches the softening temperature of the sealing member. Until the softening temperature of the enclosure attachment material is reached, the airtightness of the outer periphery between the panels 10 and 20 is not so high, so even if exhausted from the inner space of the envelope 40, the inside thereof can not be made a high degree of vacuum. The outer peripheral portion between the panels 10 and 20 is hermetically sealed and the adhesive layer 56a is also softened so that the connection portion between the connection pipe 56 and the vent hole 21b is hermetically sealed. 40), the pressure is reduced to a high degree of vacuum (about 1.33 × 10 -4 MPa (about several Torr)).

이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내부와 가열로 내부의 압력차에 의해 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, 0.08 MPa 정도) 것 만으로 충분하다.By exhausting from the inner space of the envelope 40 in this way, the both panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside. As the suction exhaust is compressed by the pressure difference between the inside of the envelope 40 and the inside of the heating furnace, the two front panels and the rear panel approach to each other, so that the front panel contacts the partition wall. 0.08 MPa or so) is sufficient.

양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이, 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태로 온도를 낮추면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되어 있게 된다.When both the panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside, the top of the bulkhead on the back panel 20 and the front panel 10 are in close contact with each other as shown in FIG. When the temperature is lowered in this state, the sealing member is cured at a temperature equal to or lower than the softening point, so that the envelope 40 is sealed. Therefore, in the envelope 40 after the sealing, the top of the barrier rib and the front panel 10 are kept in a state in which they are in close contact with each other.

또 상기 봉입부착공정에서, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 온도가 상승하는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도에서 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.Further, in the above-mentioned sealing step, the temperature is not raised at a sealing attachment temperature slightly higher than the softening temperature of the sealing material, but the sealing material is heated at a temperature lower than the sealing attachment temperature for a certain time, for example, Burning out ashes is effective in suppressing deterioration of the phosphor.

그 후 제 1 실시예와 같은 진공배기공정·봉입부착공정·봉입공정을 거쳐 PDP가 완성된다.Thereafter, the PDP is completed through a vacuum evacuation process, a sealing process, and a sealing process as in the first embodiment.

〈실시예 4〉<Example 4>

다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Next, an example in which a PDP relating to an embodiment in which each manufacturing step is performed will be described in detail based on the above embodiment.

본 실시예에서는 도 4 및 도 5에 도시된 각 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다.In this embodiment, a PDP was fabricated according to the profiles shown in Figs. 4 and 5.

우선 봉입부착공정에서 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 오도를 상승시키고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 봉입부착온도에 도달하기까지의 사이에 건조 가스를 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 유통시킨다.First, in the sealing step, the sealing temperature is raised to 450 ° C for 2 hours to 3 hours, and the temperature is maintained for 20 minutes. At the same time, the drying gas is introduced into the envelope 40 by operating the gas introducing system until the temperature reaches the sealing attachment temperature.

다음으로, 봉입부착온도가 450℃에 도달하면 매니폴드의 압력을, 가스도입계통의 작동을 정지시켜, 0.05MPa 정도로 감압하고, 이 압력을 유지한다.Next, when the sealing temperature reaches 450 DEG C, the pressure of the manifold is reduced to about 0.05 MPa by stopping the operation of the gas introduction system, and this pressure is maintained.

그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 실온으로 온도를 하강시킨다.The temperature is lowered to room temperature over a period of 2 to 3 hours while maintaining the reduced pressure.

이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착 완료되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어, 봉입부착불량발생에 대하여 빠른 제조단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다. 매니폴드 내의 압력은 봉입부착이 정상적으로 행해지면 서서히 감소되지만, 그렇지 않으면 가열로 내에 가스가 누설되므로 비교적 빠른 속도로 감소된다.In this step, the front panel and the back panel are completely sealed. However, if the temperature is lowered and the pressure in the manifold is monitored, defects in sealing can be known, , Which helps to reduce costs. The pressure in the manifold is gradually reduced when the sealing attachment is normally done, but otherwise it is reduced at a relatively high rate because the gas leaks into the furnace.

다음으로, 도 5로 가서 다시 흡인배기를 계속하여 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가열을 시작하여 2시간에서 3시간에 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 가열한다. 그리고 배기 베이킹온도에 도달하면 다시 흡인배기를 시작한다. 가열승온시에 매니폴드 내에 유입된 가스를 배기한다. 흡인배기를 재개할 때에는 접속관 내벽이나 엔벌로프(40) 내벽으로부터의 탈가스에 의해 매니폴드(53a) 내의 압력이 도 5의 부호 60으로 나타낸 바와 같이 상승하고 있지만, 흡인배기를 재개함으로써 감소로 전환된다.Next, as shown in FIG. 5, the suction and exhaustion is continued to start the heating after the pressure in the manifold 53a reaches 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa, and the heating is started for 2 to 3 hours, Heat to a temperature (350 ° C). Then, when the exhaust baking temperature is reached, the suction exhaust is started again. And the gas introduced into the manifold is exhausted at the time of heating and heating. When the suction exhaust is resumed, the pressure in the manifold 53a rises due to the degassing from the inner wall of the connecting pipe and the inner wall of the envelope 40 as shown by reference numeral 60 in FIG. 5, .

그리고 매니폴드(53a) 내의 압력이 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 단계에서, 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하고, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.The operation of the suction and exhaust system 53 is stopped and the gas introducing system 52 is operated so that the pressure in the manifold 53a becomes about 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa, The discharge gas is charged to about 0.05 MPa and the pressure is maintained for about 5 to 10 minutes.

그 후 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스를 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후, 가스도입계통(52)에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도 충전한다.Then, the gas in the envelope 40 is resumed to be sucked and exhausted at a rate of about 1.3 × 10 -11 to about 1.3 × 10 -10 MPa, and then the discharge gas is supplied to the envelope 40 ) Of 0.067 MPa.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, it takes about 2 hours to reduce the pressure in the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. In the vacuum evacuation process of the embodiment, the pressure can be reduced to about 1 hour.

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전시작전압도 약 5V에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating in the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than those in the case of pressing with a conventional clip or the like. In addition, the noise level at the outer periphery was suppressed by several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered by about 10V from about 5V, the discharge current was about 10% to about 10%, and the efficiency was improved from several% to about 10%.

또 상기한 바와 같이 하여 건조가스를 유통시킨 후에 봉입부착한 PDP와, 종래와 같이 건조가스를 유통시키는 일 없이 대기(大氣)존재 하에서 봉입부착한 PDP 형광체의 발광강도(휘도/색도 좌표의 y값)가 개선되는데, 패널을 파괴하여 Xe-엑시머램프(파장 173nm)를 조사하여 비교 평가하면, 특히 청색형광체의 발광강도가 약 10% 정도 개선되어 있었다. 건조 가스는 비반응성이면 똑같이 개선효과가 인정되었지만, 특히 건조공기가 우수하였다.Further, the PDP in which the dry gas is circulated after the above-mentioned flow and the light emission intensity (y value of the luminance / chromaticity coordinates of the PDP phosphor sealed and attached in the presence of the atmosphere without circulating the dry gas ). When the panel was broken and the Xe-excimer lamp (wavelength: 173 nm) was irradiated and evaluated, the emission intensity of the blue phosphor was improved by about 10%. The drying gas was unreacted, but the improvement effect was recognized, but the drying air was particularly good.

〈실시예 5〉&Lt; Example 5 &gt;

다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하는 다른 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Next, an embodiment in which a PDP according to another embodiment of the present invention is manufactured based on the above-described embodiment will be described in detail.

본 실시예에서는, 도 6에 도시된 프로파일에 따라 PDP를 제작하였다.In this embodiment, a PDP was manufactured in accordance with the profile shown in Fig.

우선, 봉입부착공정에서 봉입부착온도 450℃까지 2시간에서 3시간에 걸쳐 승온하고, 이 온도를 20분 정도 유지한다. 동시에 봉입부착온도에 도달하기까지의 사이에 건조 가스를 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 유통시킨다.First, in the sealing step, the temperature is raised to 450 ° C for 2 hours to 3 hours, and the temperature is maintained for 20 minutes. At the same time, the drying gas is introduced into the envelope 40 by operating the gas introducing system until the temperature reaches the sealing attachment temperature.

다음으로, 봉입부착온도 450℃에 도달하면 매니폴드의 압력을 가스도입계통의 작동을 정지시키고, 0.05MPa 정도로 감압하여 이 압력을 유지한다.Next, when the temperature of the sealing attachment reaches 450 캜, the pressure of the manifold is stopped by stopping the operation of the gas introduction system, and the pressure is maintained by reducing the pressure to about 0.05 MPa.

그리고 감압상태를 유지한 채로 2시간에서 3시간에 걸쳐 30분 정도 걸쳐 배기 베이킹온도(350℃)까지 온도를 하강시킨다.Then, the temperature is lowered to the exhaust baking temperature (350 ° C) over a period of from 2 hours to 3 hours for 30 minutes while maintaining the reduced pressure.

이 단계에서는 전면 패널과 배면 패널이 완전히 봉입부착 완료되어 있지만, 온도저하와 함께 매니폴드 내의 압력을 감시해 두면 봉입부착의 결함을 알 수 있어 봉입부착불량 발생에 대하여 제조단계가 빠른 단계에서 대처할 수 있고, 비용절감에 도움이 된다. 매니폴드 내의 압력은 봉입부착이 정상으로 행해지면 점차로 서서히 감소되지만 그렇지 않으면, 가열로 내에 가스가 누설되므로 비교적 빠른 속도로 감소한다.At this stage, the front panel and the back panel are completely sealed. However, if the temperature is lowered and the pressure in the manifold is monitored, defects in the sealing adhesion can be detected. It helps to save money. The pressure in the manifold gradually decreases gradually when the sealing attachment is performed normally, but otherwise the gas is leaked into the furnace and decreases at a relatively rapid rate.

다음으로 배기 베이킹온도로 온도가 하강된 후 흡인배기를 계속하고 매니폴드 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도까지 흡인배기한다. 다음으로 흡인배기계통(53)의 작동을 정지하여, 가스도입계통(52)을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 방전가스를 0.05MPa 정도로 충전하고 이 압력을 5분에서 10분 정도 유지한다.Next, after the temperature is lowered to the exhaust baking temperature, the suction and exhaust are continued and the pressure in the manifold is sucked and discharged to about 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. Next, the operation of the suction and exhaust system 53 is stopped, the gas introduction system 52 is operated to charge the discharge gas in the envelope 40 to about 0.05 MPa, and the pressure is maintained for about 5 to 10 minutes.

그 후, 냉각시키면서 엔벌로프(40) 내의 가스의 흡인배기를 재개하고, 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa 정도가 된 후 가스도입계통에 의해 방전가스를 엔벌로프(40) 내에 0.067MPa 정도로 충전한다.Thereafter, aspiration of the gas in the envelope 40 is resumed while cooling, and the discharge gas is introduced into the envelope 40 by the gas introduction system after reaching the order of 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa, MPa.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, it takes about 2 hours to reduce the pressure in the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. In the vacuum evacuation process of the embodiment, the pressure can be reduced to about 1 hour.

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부로부터의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도로 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating in the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than those in the case of pressing with a conventional clip or the like. Also, the noise level from the outer periphery was suppressed to be low by several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered from about 5 V to about 10 V, the discharge current was about several to 10%, and the efficiency was improved from several% to about 10%.

실시예 4와 비교하면, 실시예 5에 의한 제조방법에서는 엔벌로프(40)의 봉입시로부터 냉각까지의 시간과 배기 베이킹을 위한 실온으로부터 배기 베이킹온도까지의 가열시간을 단축할 수 있다는 효과가 있다. 또 형광체의 열화 정도도 수% 정도로 실시예 4에 비하여 적고, 약간 우수하였다.Compared with the fourth embodiment, in the manufacturing method according to the fifth embodiment, there is an effect that the time from the sealing to cooling of the envelope 40 and the heating time from the room temperature for exhaust baking to the exhaust baking temperature can be shortened . In addition, the degree of deterioration of the phosphor was about several%, which was smaller than that of Example 4, and was slightly superior.

(제 4 실시예)(Fourth Embodiment)

본 실시예에서는, 봉입부착공정에서의 방법이 상기 제 2 실시예에서의 그것과 다른 것 외에는 모두 같다.In this embodiment, the method in the sealing and attaching step is the same as that in the second embodiment.

우선 가열로(71) 내부를 가열하여, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도(예를 들어 450℃)까지 온도를 상승시키고, 봉입부착온도로 소정시간 유지한 후 다시 연화점 온도 이하로 온도를 하강함으로써 양 패널(10, 20) 사이를 봉입부착하지만, 봉입부착온도로 온도를 상승시킬 때에는 가스도입계통을 작동시켜 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 도입하면서 온도를 높힌다. 또 여기에서는 상기 가스봄베(72d)에 충전하는 방전가스를 건조시킨 것을 건조가스로서 이용한다. 그 외에도 건조공기, 건조 질소가스, 건조 아르곤가스, 건조 네온가스(대개 건조 희가스) 등을 이용할 수 있다. 그리고 봉입부착온도까지 가열되면 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 되므로 엔벌로프(40) 내의 내압이 상승한다. 이것을 모니터하여, 방전가스의 도입을 정지한다.First, the inside of the heating furnace 71 is heated to raise the temperature to a sealing attachment temperature (for example 450 DEG C) which is slightly higher than the softening temperature of the sealing attachment material. After maintaining the sealing attachment temperature for a predetermined time, The temperature between the panels 10 and 20 is sealed up. However, when the temperature is raised to the temperature at which the sealant is attached, the gas introduction system is operated to raise the temperature while introducing the drying gas into the envelope 40. In this case, the dry gas filled with the gas bomb 72d is dried. In addition, dry air, dry nitrogen gas, dry argon gas, dry neon gas (usually dry rare gas) and the like can be used. When the envelope 40 is heated up to the temperature at which the envelope is attached to the envelope 40, the envelope 40 becomes airtight and the inner pressure of the envelope 40 increases. This is monitored to stop the introduction of the discharge gas.

또 건조가스의 유량은 봉입부착재가 연화되어 기밀 봉입된 시점에서 엔벌로프(40) 내에 건조가스가 흐르더라도, 급격한 압력상승이 발생되어 엔벌로프(40)를 구성하는 유리기판이 파손하지 않을 정도로 물론 제한될 것이다.Further, even when the drying gas flows into the envelope 40 at the time when the sealing member is softened and hermetically sealed, the flow rate of the drying gas is increased to such an extent that a sudden pressure rise occurs and the glass substrate constituting the envelope 40 is not damaged Will be limited.

이와 같이, 봉입부착 온도에 도달하기까지의 기간에 엔벌로프(40) 내에 건조가스를 유통시키기 때문에 봉입부착재가 연화함으로써 엔벌로프(40)의 바깥둘레부가 기밀하게 된 단계에서는 엔벌로프(40) 내에 건조가스가 충전되어 있다. 그리고 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간동안 유지한다. 이 봉입부착조건은 유리기판재료와 봉입부착재의 적합성에 의해 결정되지만, 저융점 유리를 이용하는 경우에는, 약 450℃에서 10∼20분 정도이다.Since the drying gas flows through the envelope 40 during the period until the sealing temperature reaches the sealing attachment temperature, in the stage where the sealing material is softened and the outer peripheral portion of the envelope 40 becomes airtight, Dry gas is charged. Then, the sealing temperature is maintained for a predetermined time while the drying gas is being filled. The conditions for the sealing are determined depending on the suitability of the glass substrate material and the sealing material, but when using a low-melting glass, it is about 10 to 20 minutes at about 450 ° C.

이와 같이 건조 가스를 내부공간에 충전한 상태로 봉입함으로써, 형광체의 열에 대한 열화가 방지된다.By sealing the drying gas filled in the inner space in this manner, deterioration of the heat of the phosphor is prevented.

또 건조가스가 충전되어 있는 상태로 봉입부착온도를 소정시간 유지하는 동시에, 터보분자 펌프(72b)로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면서 봉입한다. 또 터보분자 펌프(72b)를 작동시킬 때에는 로터리 펌프(72c)를 동시에 작동시켜 터보분자 펌프(72b) 내의 배압을 내린다.In addition, while the drying gas is being filled, the sealing temperature is maintained for a predetermined time, and the sealing gas is sealed while being exhausted from the inside of the envelope 40 by the turbo molecular pump 72b. When the turbo molecular pump 72b is operated, the rotary pump 72c is simultaneously operated to lower the back pressure in the turbo molecular pump 72b.

배기는 가열로(71) 내부가 봉입부착재의 연화온도에 도달한 후에 시작하는 것이 바람직하다. 봉입부착재의 연화온도에 도달할 때까지는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부의 기밀성이 그다지 없으므로 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기하더라도 그 내부를 높은 진공도로 할 수 없지만, 봉입부착재가 연화된 후에는 양 패널(10, 20) 사이의 바깥둘레부가 기밀 봉입되는 동시에, 접착재층(73a)도 연화되어 접속관(73)과 통기공(21a)의 접속부분도 기밀 봉입되므로 엔벌로프(40) 내부로부터 배기하면 높은 진공도(1.33 ×10-4MPa 정도(수Torr 정도))로 감압되기 때문이다.It is preferable that the exhaust is started after the inside of the heating furnace 71 reaches the softening temperature of the sealing member. Until the softening temperature of the enclosure attachment material is reached, the airtightness of the outer periphery between the panels 10 and 20 is not so high, so even if exhausted from the inner space of the envelope 40, the inside thereof can not be made a high degree of vacuum. The outer peripheral portion between the panels 10 and 20 is airtightly sealed and the adhesive layer 73a is also softened so that the connecting portion between the connecting pipe 73 and the vent hole 21a is also hermetically sealed. 40), the pressure is reduced to a high degree of vacuum (about 1.33 × 10 -4 MPa (about several Torr)).

이와 같이 엔벌로프(40)의 내부공간으로부터 배기함으로써 양 패널(10, 20)은 외측으로부터 균일하게 가압된 상태가 된다. 흡인배기는 엔벌로프(40) 내와 가열로 내의 압력차에 의해서 봉입부착재가 압축되어, 2장의 전면 패널과 배면 패널이 접근하여 전면 패널과 격벽이 접촉하는 정도이면 되므로 약간 흡인배기하는(예를 들어, 0.08 MPa 정도) 것 만으로 충분하다.By exhausting from the inner space of the envelope 40 in this way, the both panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside. Aspiration exhaust may be caused by a pressure difference in the envelope 40 and the heating furnace which compresses the sealing adhesive so that the two front and back panels approach each other and contact the front panel with the partition wall. 0.08 MPa or so) is sufficient.

양 패널(10, 20)이 외측으로부터 균일하게 가압되면 도 3에 도시된 바와 같이 배면 패널(20) 상의 격벽 정상부와 전면 패널(10)은 전체적으로 밀착된 상태가 된다. 그리고 이 상태에서 온도를 내리면 봉입부착재가 연화점 이하의 온도가 되어 경화함으로써 엔벌로프(40)의 봉입부착이 이루어진다. 따라서 봉입부착 후의 엔벌로프(40)에서는 격벽 정상부와 전면 패널(10)이 전체적으로 밀착된 상태가 유지되어 있게 된다.When both the panels 10 and 20 are uniformly pressed from the outside, the top of the partition wall on the back panel 20 and the front panel 10 are in a state of close contact as shown in FIG. When the temperature is lowered in this state, the sealing member is cured at a temperature equal to or lower than the softening point, so that the envelope 40 is sealed. Therefore, in the envelope 40 after the sealing, the top of the barrier rib and the front panel 10 are kept in a state in which they are in close contact with each other.

또 상기 봉입부착공정에서, 봉입부착재의 연화온도보다 약간 높은 봉입부착온도로 단숨에 승온하는 것은 아니고, 봉입부착온도보다 낮은 온도로 일정시간, 예를 들어 350℃ 정도로 30분 정도 가열하여 바인더재를 번 아웃해 두면 형광체의 열화를 억제하는 데에 효과적이다.In addition, in the above-mentioned sealing step, the temperature is not raised at a sealing attachment temperature slightly higher than the softening temperature of the sealing material, but the sealing material is heated at a temperature lower than the sealing temperature for a predetermined time, for example, It is effective in suppressing deterioration of the phosphor.

그 후 제 1 실시예와 마찬가지의 진공배기공정ㆍ봉입부착공정ㆍ봉입공정을거쳐 PDP가 완성된다.Thereafter, the PDP is completed through a vacuum evacuation process, a sealing process, and a sealing process similar to those of the first embodiment.

〈실시예 6〉&Lt; Example 6 &gt;

다음으로, 상기 실시예에 기초하여 각 제조공정을 행하여 실시예에 관한 PDP를 제작한 실시예에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Next, embodiments in which the PDP according to the embodiment is manufactured by performing each manufacturing process based on the above-described embodiment will be described in detail.

본 실시예에서는 실시예 4와 같은 온도·압력 프로파일에 따라서 PDP를 제작하였다. 게터(76)는 봉입하여 일단 실온에까지 강온된 단계에서 게터관(74)에 수납하고, 게터에는 활성화온도가 280℃인 바나듐, 티탄, 철계 합금입자를 이용하였다.In this embodiment, a PDP was fabricated in accordance with the same temperature and pressure profile as in Example 4. The getter 76 was enclosed and stored in the getter tube 74 at the stage where the temperature was once lowered to room temperature, and vanadium, titanium, and iron-based alloy particles having an activation temperature of 280 占 폚 were used.

종래의 진공배기공정에서는 엔벌로프 내의 압력을 1.3 ×10-11∼1.3 ×10-10MPa까지 감압하려면 2시간 정도 걸리지만, 상기 실시예의 진공배기공정에서는 1시간 정도로 해당 압력까지 감압할 수 있다.In the conventional vacuum evacuation process, it takes about 2 hours to reduce the pressure in the envelope to 1.3 × 10 -11 to 1.3 × 10 -10 MPa. In the vacuum evacuation process of the embodiment, the pressure can be reduced to about 1 hour.

이상과 같이 하여 제작한 PDP는 바깥둘레부의 플로팅이 적고, 방전특성도 종래의 클립 등으로 누르는 방법보다 균일한 특성이 얻어졌다. 또 바깥둘레부에서의 잡음 레벨도 수dB에서 10dB 정도 낮게 억제되었다. 또 방전개시전압도 약 5V에서 10V 정도 낮아지고, 방전전류가 수%에서 10% 정도이고, 효율이 수%에서 약 10% 정도로 향상되었다.The PDP produced in the above-described manner had less floating in the outer periphery, and the discharge characteristics were more uniform than those in the case of pressing with a conventional clip or the like. In addition, the noise level at the outer periphery was suppressed down to several dB to 10 dB. Also, the discharge starting voltage was lowered by about 10 V from about 5 V, the discharge current was about 10% to about 10%, and the efficiency was improved from several% to about 10%.

또 상기한 바와 같이 하여 건조가스를 유통시킨 후에 봉입부착한 PDP와, 종래와 같이 건조가스를 유통시키는 일 없이 대기존재 하에서 봉입부착한 PDP 형광체의 발광강도(휘도/색도 좌표의 y값)가 개선되는데, 패널을 파괴하여 Xe 엑시머램프(파장 173nm)를 조사하여 비교평가하면, 특히 청색형광체의 발광강도가약 10% 정도 개선되어 있었다. 건조가스는 비반응성인 것이 똑같이 개선효과가 인정되었지만, 특히 건조공기가 우수하였다.Further, the PDP in which the dry gas is circulated after the above-mentioned flow and the light emission intensity (y value of the luminance / chromaticity coordinate) of the PDP phosphor sealed and adhered in the presence of the atmosphere without circulating the dry gas When the panel was broken and the Xe excimer lamp (wavelength: 173 nm) was irradiated and evaluated, the emission intensity of the blue phosphor was improved by about 10%. The dry gas was non-reactive, and the same improvement effect was recognized, but the dry air was particularly good.

또 상기 각 실시예에서는 봉입부착공정 및 배기공정을 같은 장치에서 행하였지만, 이것에 한정되지 않고 봉입부착공정과 배기공정을 별개의 장치에서 행할 수도 있다.Further, in each of the above-described embodiments, the sealing attachment step and the exhausting step are performed in the same apparatus, but the present invention is not limited to this, and the sealing attachment step and the exhausting step may be performed in separate apparatuses.

또 봉입부착공정에서는 엔벌로프 전체를 가열하는 것은 아니고, 봉입부착부분에 레이저 광선 등의 열원을 선택적으로 조사하고, 그 부분을 선택적으로 가열하여 봉입할 수 있다. 이 경우, 형광체는 직접 가열되지 않기 때문에 건조가스를 방전공간 내에 도입하지 않더라도 봉입부착공정에 수반되는 형광체의 열에 대한 열화는 그다지 생기지 않을 것으로 예상된다.In addition, in the sealing and attaching step, the entire envelope is not heated, but a heat source such as a laser beam is selectively irradiated to the sealed portion, and the portion can be selectively heated and sealed. In this case, since the phosphor is not directly heated, it is expected that the deterioration of the heat of the phosphor accompanied by the sealing and adhering process is not expected even if the drying gas is not introduced into the discharge space.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부 끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법으로서, 상기 배기단계는, 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프의 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 충전하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프의 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.As described above, according to the present invention, an envelope forming step of forming an envelope by disposing a second substrate on a surface of a first substrate on which a partition wall for blocking light-emitting cells is formed on a main surface of the first substrate, An enveloping step of enclosing the outer circumferential portions of both substrates in the rope with an encapsulating material; an evacuation step of evacuating the gas inside the envelope; and an encapsulating step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas Wherein the exhausting step comprises a sub-step of evacuating the inside of the envelope, and a step of filling a purge gas containing substantially no gas into the envelope with respect to the discharge gas as a substantial component And a sub-step of evacuating the interior of the envelope thereafter.

또 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법으로서, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프의 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.An envelope forming step of forming an envelope by disposing a second substrate on a surface of the first substrate on which a partition wall for blocking the light emitting cells is formed on the main surface of the first substrate; A sealing step of sealing the periphery of the envelope with an encapsulating material; an evacuation step of evacuating gas inside the envelope; and a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas Wherein the evacuating step includes a sub-step of evacuating the inside of the envelope, and a sub-step of evacuating the inside of the envelope while flowing a cleaning gas containing substantially no gas to the discharge gas into the envelope, The method comprising the steps of:

이들의 제조방법에 의하면, 종래와 같이 단순히 엔벌로프의 내부를 배기할 뿐만아니라 상기한 바와 같이 세정가스를 충전하고나서 또는 유통시키면서 이것을 배기하므로 종래의 제조방법에 비하여 엔벌로프 내의 불순물 가스농도를 신속히(단시간에) 저농도까지 제거할 수 있다. 이러한 효과는 가스방전패널이 고정밀한 것일수록 유효하다. 왜냐하면 일반적으로 고정밀한 것일수록 불순물 가스의 농도를 저감시키는 데에 시간이 걸리기 때문이다.According to these manufacturing methods, not only the inside of the envelope is simply discharged as in the prior art but also the exhaust gas is discharged while filling or circulating the cleaning gas as described above, so that the concentration of the impurity gas in the envelope can be rapidly (In a short time) to a low concentration. This effect is more effective when the gas discharge panel is highly precise. This is because, in general, the higher the precision, the longer it takes to reduce the concentration of the impurity gas.

또 세정가스를 충전하고 나서 배기하는 경우에는 충전 직후에 배기하는 것보다 잠시 시간을 두고 배기하도록 하는 편이 바람직하다.In addition, when exhausting the exhaust gas after filling the cleaning gas, it is preferable that the exhaust gas is exhausted within a period of time rather than the exhaust gas immediately after the exhaust gas.

여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것으로 할 수 있다. 또 봉입부착재로서는 납합금을 이용할 수도 있다.Here, in the sealing step, the entire envelope is heated to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the encapsulating material through the sealing adhesive between the first substrate and the second substrate, and the pressure inside the envelope is higher than the external pressure It is possible to make it to be sealed by cooling after that. As the sealing material, a lead alloy may be used.

이로 인하여 엔벌로프는 내외의 압력차에 의해 양 기판이 외측으로부터 균일하게 눌려진 상태로 봉입부착재가 경화되어 봉입부착되므로 격벽 정상부와 이것과 대향하는 기판과의 틈이 거의 없는 상태에서 봉입부착이 이루어진다.As a result, the envelope is sealed and adhered to the envelope in a state in which both substrates are uniformly pressed from the outside by the pressure difference between the envelope and the envelope, so that sealing is performed in a state in which there is almost no gap between the top of the envelope and the substrate facing this.

여기에서, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프의 내부와 연통시킨 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것으로 할 수 있다.Here, the step of storing the getter in the container communicated with the inside of the envelope may be provided between the sealing step and the evacuation step.

이로 인하여 더욱 신속하게 불순물 가스를 엔벌로프 내로부터 제거할 수 있게 된다.This makes it possible to remove the impurity gas from the envelope more quickly.

여기에서, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것으로 할 수 있다. 또 상기한 바와 같이 게터를 이용하는 경우에는 그 활성화 온도가 상기 배기단계에서의 가열온도의 범위 내에 들어가는 것으로 하는 것이 바람직하다.Here, the evacuation step may be performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. When the getter is used as described above, it is preferable that the activation temperature is within the range of the heating temperature in the exhaust step.

이로 인하여 보다 신속하게 엔벌로프 내부로부터 외부로 불순물을 제거할 수 있게 된다.This makes it possible to more quickly remove impurities from the inside of the envelope to the outside.

여기에서, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은, 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각으로 할 수 있다.Here, the cooling in the above-mentioned sealing step may be performed by heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point.

이로 인하여 일단 실온부근까지 냉각하고 나서 배기 베이킹온도까지 다시 가열하는 공정을 거치지 않는 만큼 다음 배기단계로 빨리 이행할 수 있게 된다.As a result, it is possible to quickly shift to the next evacuation step, since it is not required to once again cool to the vicinity of the room temperature and then to heat up to the exhaust baking temperature again.

여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조가스를 엔벌로프의 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것으로 할 수 있다.Here, the sealing step includes a sub-step of heating the entire envelope to a temperature above the softening point or the melting point of the encapsulating material while passing the drying gas through the encapsulating material between the first substrate and the second substrate into the envelope, And a sub-step of heating the envelope to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the envelope, and lowering the pressure inside the envelope to an external pressure, and then cooling the envelope by sealing.

이로 인하여 봉입부착단계를 엔벌로프 내부에 건조가스를 충전한 상태에서 행하게 되므로 형광체의 열에 대한 열화를 억제할 수 있다.As a result, the sealing step is performed in a state in which the drying gas is filled in the envelope, so that deterioration of the heat of the phosphor can be suppressed.

여기에서, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것으로 할 수 있다.Here, in the sealing step, the enclosed attachment member is interposed between the first substrate and the second substrate to heat the enclosed sealing portion of the envelope to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the sealing sealing material, The pressure can be made lower than the pressure, and then cooled and then sealed.

여기에서, 상기 세정가스에는 방전가스를 이용하는 것이 가장 바람직하다.Here, it is most preferable to use a discharge gas as the cleaning gas.

이것은 배기 단계 후에 행하는 봉입단계에서 봉입되는 방전가스에 대하여 세정가스가 불순물 가스가 될 가능성이 전혀 없기 때문이다.This is because there is no possibility that the cleaning gas becomes an impurity gas with respect to the discharge gas sealed in the sealing step performed after the exhausting step.

여기에서, 상기 방전가스에는 희가스를 이용할 수 있다.Here, rare gas may be used for the discharge gas.

여기에서, 상기 희가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중 어느 하나를 적어도 포함하는 것으로 할 수 있다.Here, the rare gas may include at least one of helium, neon, argon, and xenon.

여기에서, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되는 것으로 할 수 있다.Here, the light emitting cell may be formed by intersecting the electrode group arranged on the first substrate and the electrode group arranged on the second substrate with a predetermined distance therebetween.

본 발명의 가스방전패널의 제조방법은, 텔레비전, 컴퓨터의 모니터 등의 화상표시로서 이용되는 PDP 등을 제조하는 경우에 이용할 수 있다.The method of manufacturing a gas discharge panel of the present invention can be used when manufacturing a PDP or the like used as an image display of a television, a computer monitor, or the like.

Claims (47)

발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입하는 봉입단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서,An envelope forming step of forming an envelope by disposing a second substrate on a surface of the first substrate on which a partition wall for blocking the light emitting cells is formed on the main surface of the first substrate; And a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas, and a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharge gas, As a result, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와,Wherein the evacuating step comprises a sub-step of evacuating the envelope, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정 가스를 충전하는 서브단계와,A sub-step of filling the inside of the envelope with a cleaning gas containing substantially no gas as a impurity for the discharge gas, 그 후 엔벌로프 내부를 진공배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And then vacuuming the interior of the envelope. &Lt; Desc / Clms Page number 13 &gt; 발광 셀끼리를 차단하는 격벽이 주표면에 형성된 제 1 기판의 상기 격벽측 표면 상에 제 2 기판을 대향 배치함으로써 엔벌로프를 형성하는 엔벌로프 형성단계와, 상기 엔벌로프에서의 양 기판의 바깥둘레부끼리를 봉입부착재로 봉입부착하는 봉입부착단계와, 상기 엔벌로프 내부의 가스를 배기하는 배기단계와, 상기 엔벌로프 내부에 방전가스를 봉입부착하는 봉입부착단계를 구비하는 가스방전패널의 제조방법에 있어서,An envelope forming step of forming an envelope by disposing a second substrate on a surface of the first substrate on which a partition wall for blocking the light emitting cells is formed on the main surface of the first substrate; An enveloping step of sealing the inside of the envelope with an encapsulating material; an evacuation step of evacuating gas inside the envelope; and a sealing step of sealing the inside of the envelope with a discharging gas In the method, 상기 배기단계는 엔벌로프 내를 진공배기하는 서브단계와,Wherein the evacuating step comprises a sub-step of evacuating the envelope, 그 후 엔벌로프 내부에 방전가스에 대하여 불순물이 되지 않는 가스를 실질적인 성분으로 하는 세정가스를 유통시키면서 엔벌로프 내부를 배기하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And a sub-step of evacuating the inside of the envelope while flowing a cleaning gas containing substantially no gas into the envelope as the impurity against the discharge gas. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판의 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다도 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the sealing step includes heating the entire envelope between the first substrate and the second substrate with a sealing adhesive material to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the sealing member and lowering the pressure inside the envelope to a pressure higher than the external pressure , And after that, it is sealed by cooling. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다도 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the enveloping step includes heating the envelope to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the encapsulating member through the encapsulation member between the first substrate and the second substrate and making the pressure inside the envelope lower than the external pressure, And then sealing and adhering by cooling. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 5항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 6항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 8항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 11항에 있어서,12. The method of claim 11, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 12항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조 가스를 엔벌로프의 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the sealing step includes a sub-step of heating the entire envelope to a temperature above the softening point or melting point of the sealing member while passing the drying gas through the envelope between the first substrate and the second substrate through the sealing member, And a sub-step of heating at a temperature equal to or higher than the softening point or the melting point of the adherend, lowering the pressure inside the envelope to an external pressure, and then cooling the envelope by sealing. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 건조 가스를 엔벌로프 내부에 유통시키면서 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도까지 가열하는 서브단계와, 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 서브단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the sealing step includes a sub-step of heating the envelope to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the sealing member while passing the drying gas through the envelope between the first substrate and the second substrate through the sealing member, And a sub-step of heating at a temperature higher than the softening point or melting point of the ash, lowering the pressure inside the envelope to an external pressure, and then cooling the envelope by sealing. 제 21항에 있어서,22. The method of claim 21, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 22항에 있어서,23. The method of claim 22, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프의 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the exhausting step. 제 21항에 있어서,22. The method of claim 21, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 22항에 있어서,23. The method of claim 22, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 23항에 있어서,24. The method of claim 23, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 24항에 있어서,25. The method of claim 24, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 21항에 있어서,22. The method of claim 21, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 22항에 있어서,23. The method of claim 22, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 25항에 있어서,26. The method of claim 25, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 26항에 있어서,27. The method of claim 26, 상기 봉입부착단계에서의 냉각은 연화점 또는 융점 이하의 온도에서의 가열냉각인 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cooling in the sealing and attaching step is heating and cooling at a softening point or a temperature equal to or lower than the melting point. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of attaching and sealing the envelope is performed by heating the enclosed attachment portion of the envelope between the first substrate and the second substrate to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the envelope attachment material and making the pressure inside the envelope lower than the external pressure And then cooling and then sealing the gas discharge panel. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 봉입부착단계는 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 봉입부착재를 개재시켜 엔벌로프의 봉입부착부를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이상의 온도로 가열하는 동시에, 엔벌로프 내부의 압력을 외부의 압력보다 낮게 하고, 그 후에 냉각함으로써 봉입부착하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of attaching and sealing the envelope is performed by heating the enclosed attachment portion of the envelope between the first substrate and the second substrate to a temperature equal to or higher than the softening point or melting point of the envelope attachment material and making the pressure inside the envelope lower than the external pressure And then cooling and then sealing the gas discharge panel. 제 33항에 있어서,34. The method of claim 33, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 34항에 있어서,35. The method of claim 34, 상기 봉입부착단계와 배기단계 사이에 엔벌로프 내부와 연통된 용기 내에 게터를 수납하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.And storing the getter in a container communicated with the inside of the envelope between the sealing step and the evacuation step. 제 33항에 있어서,34. The method of claim 33, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 34항에 있어서,35. The method of claim 34, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 35항에 있어서,36. The method of claim 35, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 36항에 있어서,37. The method of claim 36, 상기 배기단계는 엔벌로프 전체를 봉입부착재의 연화점 또는 융점 이하의 온도로 가열하면서 행하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the step of evacuating is performed while heating the entire envelope at a temperature equal to or lower than the softening point or the melting point of the encapsulating material. 제 1항 내지 제 40항 중 어느 한 항에 있어서,41. The method according to any one of claims 1 to 40, 상기 세정가스는 방전가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the cleaning gas is a discharge gas. 제 41항에 있어서,42. The method of claim 41, 상기 방전가스는 희가스로 된 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the discharge gas is a rare gas. 제 42항에 있어서,43. The method of claim 42, 상기 희가스는 헬륨, 네온, 아르곤 및 크세논 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the rare gas comprises at least one of helium, neon, argon, and xenon. 제 1항 내지 제 40항 중 어느 한 항에 있어서,41. The method according to any one of claims 1 to 40, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the light emitting cell is formed by intersecting the electrode group arranged in parallel with the first substrate and the electrode group arranged in parallel with the second substrate with a predetermined distance therebetween. 제 41항에 있어서,42. The method of claim 41, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the light emitting cell is formed by intersecting the electrode group arranged in parallel with the first substrate and the electrode group arranged in parallel with the second substrate with a predetermined distance therebetween. 제 42항에 있어서,43. The method of claim 42, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the light emitting cell is formed by intersecting the electrode group arranged in parallel with the first substrate and the electrode group arranged in parallel with the second substrate with a predetermined distance therebetween. 제 43항에 있어서,44. The method of claim 43, 상기 발광 셀은 제 1 기판에 병설된 전극군과, 제 2 기판에 병설된 전극군이 일정한 거리를 두고 서로 이간 교차함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스방전패널의 제조방법.Wherein the light emitting cell is formed by intersecting the electrode group arranged in parallel with the first substrate and the electrode group arranged in parallel with the second substrate with a predetermined distance therebetween.
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