KR20010078759A - Ｍｏｃｖｄ에 의해 헤테로금속-산화물 필름을 성장시키기위한 전구체 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 MOCVD 기술에 의해 스트론튬 탄탈 및 스트론튬 니오븀 산화물을 증착시키기 위한 다음 화학식의 금속유기 전구체에 관한 것이다.
SR[M(OR1)6-xLx]2
상기 화학식에서,
x는 1 내지 6이고,
M은 Ta 또는 Nb이고,
R1은 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
L은 화학식 I의 알콕사이드 그룹이다.
화학식 I
상기 화학식 I에서,
n은 0 또는 1이고,
X는 N 또는 O이고,
R2및 R3은 동일하거나 상이하고, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
R4는 치환되지 않거나 치환된 직쇄상 또는 측쇄상 알킬쇄이다.
Description
설명
본 발명은 MOCVD에 의해 헤테로금속 산화물 필름을 제조하기 위한 신규한 전구체, 특히 스트론튬 탄탈/니오븀 산화물 필름을 성장시키기 위한 전구체에 관한 것이다.
강유전성 금속 산화물(스트론튬 비스무트 탄탈레이트(SrBi2Ta2O9또는 SBT) 및 스트론튬 비스무트 니오베이트(SrBi2Nb2O9또는 SBN))은 인가된 전압에 의해 역전될 수 있는 특정 방향에서 순수한 전기 쌍극자를 갖는다. 이러한 강유전성 재료는, 전력을 끊은 후에도 이들이 비휘발성 강유전성 랜덤 액세스 메모리(NVFERAM)의 캐패시터 층으로서 컴퓨터 공학에서 다양한 잠재적 용도를 유발하는 잔류 편광(예: 전하)으로 잔류한다. NVFERAM은 또한 극도로 신속하게(10-9초의 100분의 1) 스위칭될 수 있고, 이들은 내방사선성이므로, 군사용품 및 우주용품에 특히 적합하다.
산화비스무트 층 사이에 샌드위치된 강유전성 슈도-페로브스카이트 격자를 포함하는 층상 페로브스카이트 스트론튬 비스무트 탄탈레이트 SrBi2Ta2O9(SBT)의 박막은 비휘발성 강유전성 컴퓨터 메모리의 캐패시터 층으로서 다양한 잠재적 용도를 갖는다. Pb(Zr,Ti)O3와 같은 다른 강유전성 산화물에 기초하는 캐패시터와 대조적으로, 무시할만한 편광 피로를 나타내는 SBT에 기초하는 것들은 통상의 Pt-전극 공학기술에 완전히 상용성이고, 매우 얇을 경우에도 우수한 전기적 특성을 유지한다.
SBT 박막은 졸겔, 금속유기 침착법, 펄스화된 레이져 융식 및 금속유기 화학 증착법(MOCVD)를 포함하는 각종 기술에 의해 침착되어 왔다. MOCVD는 다른 침착 기술에 비하여, 큰 면적 성장을 위한 잠재력, 우수한 필름 균일성 및 조성 조절 및 장치 치수 2㎛ 미만에서 우수한 순응 단계 피복면적을 제공하는 것과 같은 다수의 잇점을 갖는다. MOCVD 기술은 또한 현존하는 규소 CVD 공정과 완전히 상용성이다.
그러나, 실현되는 MOCVD의 완전한 잠재력을 위해, 필요한 물리적 특성 및 분해 특성을 갖는 전구체를 입수해아 하는 것이 필수적이다. 기판 상에서 전구체 증기화와 분해 사이에 적합한 온도 영역이 존재하고, 전구체는 상용성이고 예비반응되지 않아야 하며, 이들은 분해되어 유사한 기판 온도에서 목적하는 금속 산화물의 순수한 필름을 형성해야 한다는 것이 중요하다. 사실, 전구체는 또한 저독성이어야 하고, 주위 환경 조건하에서 비교적 안정해야 한다.
따라서, SBT 및 SBN의 MOCVD는 적합한 금속유기 전구체의 부족으로 인해 엄격하게 제한받아 왔다. 통상의 전구체에는 일반적으로 상용성이지 않고, 매우 상이한 물리적 특성 및/또는 분해 특성을 갖는 Sr(thd)2(여기서, thd는 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트이다), Bi(C6H5)3및 Ta(OPri)4(thd)가 포함된다. 이러한문제를 경감시키기 위한 노력으로, Sr/Ta 헤테로금속 알콕사이드[Sr{Ta(OPri)6}2]가 Bi(OBut)3과 배합된, SBT에 대한 전구체로서 연구되어 왔다. 이러한 접근법의 잠재적인 잇점은 전구체 중의 스트론튬과 탄탈의 비율이 침착된 SBT 필름에 필요한 비율에 적합하다는 것이지만, 스트론튬 및 탄탈 알콕사이드 종은 전구체 증발 및 운반 동안 분배될 가능성이 있다. 또 다른 단점은 [Sr{Ta(OR)6}2] 전구체가 비교적 불포화되어, 이들을 수분의 공격에 민감하도록 하고, 용액계 액체 주입 MOCVD에서 이들의 자가 수명을 단축시키는 것이다.
본 발명의 목적은 상기한 결점을 해결할 수 있는, SBT 및 SBN의 MOCVD를 위한 신규한 금속유기 전구체를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 국면에 따라서, 하기 화학식의 금속유기 전구체가 제공된다:
Sr[M(OR1)6-xLx]2
상기 화학식에서,
x는 1 내지 6이고,
M은 Ta 또는 Nb이고,
R1은 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
L은 화학식 I의 알콕사이드 그룹이다.
상기 화학식 I에서,
n은 0 또는 1이고,
X는 N 또는 O이고,
R2및 R3은 동일하거나 상이하고, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
R4는 치환되지 않거나 치환된 직쇄상 또는 측쇄상 알킬쇄이다.
제2 국면에 따라서, 본 발명은 MOCVD 기술로 금속유기 전구체를 사용하여 하기 화학식의 스트론튬 금속 산화물로 이루어진 박막 또는 당해 스트론튬 금속 산화물을 함유하는 박막을 침착시키는 방법을 제공한다.
Sr[M(OR1)6-xLx]2
상기 화학식에서,
x는 1 내지 6이고,
M은 Ta 또는 Nb이고,
R1은 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
L은 화학식 I의 알콕사이드 그룹이다.
화학식 I
상기 화학식 I에서,
n은 0 또는 1이고,
X는 N 또는 O이고,
R2및 R3은 동일하거나 상이하고, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,
R4는 치환되지 않거나 치환된 직쇄상 또는 측쇄상 알킬쇄이다.
바람직하게는, x는 1 또는 2이다. R4에 대한 임의의 치환체는 아미노, 알킬아미노 또는 알콕시 그룹을 포함할 수 있다.
침착 기술은 통상의 MOCVD 또는, 더 바람직하게는 액체 주입 MOCVD를 포함할 수 있다. 액체 주입 MOCVD에 의해 필름을 침착시키기 위한 용매는 바람직하게는 테트라하이드로푸란이다.
알콕시 그룹 OR1은 바람직하게는 에톡시 그룹이지만, OR1이, 예를 들어 이소-프로폭시 또는 3급 부톡시 그룹인 본 발명의 화합물이 또한 유용할 수 있다. 본 발명의 바람직한 전구체는 화학식 Sr[M(OR1)5L]2또는 Sr[M(OR1)4L2]2의 전구체(여기서, M, R1및 L은 상기 정의한 바와 같다)이다.
바람직하게는, L은 디메틸 아미노알콕사이드 그룹, 특히 디메틸 아미노에톡사이드(OCH2CH2NMe2또는 DMAE), 디메틸 아미노프로폭사이드(OCH(CH3)CH2NMe2또는 DMAP) 또는 비스-디메틸 아미노프로폭사이드(OCH(CH2NMe2)CH2NMe2또는 비스-DMAP)이다. 또한, L은 알콕시 알콕사이드 그룹, 특히 -CH2CH2OMe, -OCH(CH3)CH2OMe 또는 -OCH(OMe)CH2OMe일 수 있다.
상기한 전구체는 또한 다수의 비스무트(Bi) 공급원과 배합 사용되어 스트론튬 비스무트 탄탈 및 스트론튬 비스무트 니오븀 금속 산화물을 침착시킬 수 있다.
비스무트 공급원으로 적합한 전구체에는 트리페닐 비스무트(Bi(C6H5)3), Bi(thd)3, Bi(OCH2CH2NMe2)3및 Bi(OCMe2CH2OMe)3이 포함된다.
입수가능한 가장 안정하고 휘발성인 Bi 알콕사이드 공급원 중의 하나인 Bi(OCMe2CH2OMe)3전구체가 공전구체로서 특히 적합하다.
Bi 전구체는 개별적으로 증발되거나 Sr[M(OR1)6-xLx]2와 단일 용액으로 배합될 수 있다. 후자의 경우에, 비스무트 전구체는 화학식 BiL3(여기서, L은 스트론튬 금속 산화물 전구체와 관련하여 상기한 바와 같은 디알킬 아미노알콕사이드 또는 알콕시 알콕사이드 그룹이다)를 가질 수 있다. 바람직하게는, 비스무트 전구체의 디알킬 아미노알콕사이드 또는 알콕시 알콕사이드 그룹은 스트론튬 금속 산화물 전구체의 경우와 동일하다. 단일 용액은 에테르 또는 사이클릭 에테르(예: THF) 또는 탄화수소(예: 헥산 또는 헵탄)와 같은 유기 용매일 수 있다.
본 발명의 전구체는 MOCVD에 의해 기판 상에 스트론튬 금속 산화물 강유전성 필름을 침착시키는 방법에 사용될 수 있다. 적합한 기판은, 예를 들어 Si(100)이다. 강유전성 필름은, 특히 비휘발성 강유전성 랜덤 액세스 메모리를 제조하는데 사용될 수 있다.
금속 알콕사이드와, OCH2CH2NMe2또는 OCH2CH2OMe와 같은 질소 또는 산소 공여체 작용화 리간드와의 혼합물을 함유하는 MOCVD 전구체 용액을 사용하면, 다른 산화물 및 혼합 산화물 시스템으로 쉽게 성장될 수 있다. 최근에, TiO2를 저비율로 첨가함으로써 벌크 Ta2O5의 유전율이 상당히 증가될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이는 개선된 성능의 Ta2O5계 DRAM에 대한 잠재력을 제공한다. 본원에 기술된 전구체 용액은 혼합된 Ta2O5/TiO2의 MOCVD에 사용하기에 적합할 것이다. 적합한 전구체 배합물은 Ta(OR)4DMAE 및 Ti(OR)2(L)2(여기서, R은 바람직하게는 Et이거나, 또한 Pri, Prn, But, Bun등일 수 있고, L은 DMAE, DMAP 또는 비스-DMAP 등이다)이다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조로 하여, 단지 실시예에 의해 추가로 기술된다:
도 1은 신규한 전구체 Sr[Ta(OEt)5(비스-DMAP)]2의 분자 구조를 도시한 것이고,
도 2는 본 발명의 2개의 스트론튬 탄탈 전구체를 사용하여 MOCVD에 의해 성취된 기판 온도에 대한 성장률을 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 2개의 스트론튬 탄탈 전구체를 사용하여 MOCVD에 의해 성취된 주입률에 대한 성장률을 도시한 도면이고,
도 4는 본 발명의 2개의 스트론튬 탄탈 전구체를 사용하여 MOCVD에 의해 성취된 산소 유동에 대한 성장률을 도시한 도면이다.
본 발명은 Sr/Ta 및 Sr/Nb 원자가 단일 분자 전구체 내에 더욱 강력하게 결합하는 방식으로 시험한다. 단일 알콕사이드 그룹을 질소 또는 산소 "공여체-작용화" 알콕사이드(즉, L)로 치환시키면 매우 양성적으로 하전된 금속 중심의 배위수를 증가시킨다. 1차 구조적으로 특성화된 Sr/Ta 이중 금속 알콕사이드, [Sr{Ta(OEt)5(비스-dmap)}2]의 결정 구조는 첨부된 도 1에 예시된다.
작용화 알콕사이드(예: DMAE)는 금속 중심 사이의 브릿징 및 킬레이트화 리간드로서 작용한다. 이는 상당한 휘발성을 갖는 전구체를 유도하고, 유기 용매에 대한 이들의 높은 용해도는 액체 주입 MOCVD에서 이들의 사용을 지지한다.
본 발명의 Sr/Ta 및 Sr/Nb 알콕사이드 전구체는 배위수 6으로 더욱 완전하게 포화되어 수분의 공격에 덜 민감하도록 하는 Sr 중심과 함께 더욱 강력하게 결합된 2개의 금속 원자를 갖는다. 비스-DMAP의 경우에, Sr 중심은 배위수 8로 더욱 더 완전히 포화될 수 있다.
통상의 비스무트 전구체, 예를 들어 Bi(C6H5)3및 Bi(thd)3은 본 발명의 헤테로금속 알콕사이드 전구체와 함께 사용되어 SBT 또는 SBN을 침착시킨다. 또한, 산소 또는 질소 공여체 작용화 리간드(L), 예를 들어 DMAE 또는 DMAP로 치환된 단일 알콕사이드 그룹(즉, -OR 그룹)을 갖는 비스무트 알콕사이드는 비스무트 전구체로서 사용될 수 있다. 바람직하게는, 입수가능한 가장 안정하고 휘발성인 Bi 알콕사이드 공급원 중의 하나인 비스무트 전구체 Bi(OCMe2CH2OMe)3은 공전구체로서 사용된다. 상기한 알콕사이드 그룹을 함유하는 비스무트 전구체를 사용하면, 동일한 공여체 작용화 리간드를 갖는 Bi 전구체를 스트론튬 금속 산화물 전구체로서 사용되도록 하여 단일 전구체 용액을 스트론튬 비스무트 탄탈레이트 또는 스트론튬 비스무트 비오베이트 필름을 제조하는데 사용되도록 함으로써, MOCVD 공정과 장치를 크게 단순화시킬 수 있다.
본 발명은 또한 하기 실시예에 의해 추가로 기술된다.
실시예
전구체 합성 및 특성화
(I) Sr[Ta(OEt)
5
(dmae)]
2
[Sr{Ta(OEt)6}2]의 샘플(16.9g, 17mmol)을 n-헥산(500ml)에 용해시키고, 비스-dmaeH(3.1g, 34mmol)를 교반하면서 가한다. 혼합물을 3시간 동안 환류 비등시킨 다음, 냉각시킨다. n-헥산 용매를 진공하에 제거하여 담황색 오일을 수득하고, 이를 90 내지 100℃(0.2mmHg)에서 진공 증류로 정제하여 무색 액체로서 생성물을 수득한다(수율: 72%).
IR(nujol mull. NaCI 플레이트): 3350 s(브로드), 2890 s(브로드), 1645 m(브로드), 1434 w, 1305 m, 1265 s, 1120-1070 s(v 브로드), 1000 m, 905 s, 825 m.
1H NMR(C6D6): a(ppm) 1.64(t, CH 3, 30H), 2.63(m, N-CH 3, N-CH 2, 16H), 4.71(m, OCH2CH3, OCH2CH2N, 24H).
(II) Sr[Ta(OEt)
5
(비스-dmap)]
2
[Sr{Ta(OEt)6}]의 샘플(16.9g, 17mmol)을 n-헥산(500ml)에 용해시키고, 비스-dmapH(5g, 34mmol)를 교반하면서 가한다. 혼합물을 3시간 동안 환류 비등시킨 다음, 냉각시키고, 용매를 진공하에 제거한다, 생성된 담황색 오일을 185 내지 190℃(0.2mmHg)에서 진공 증류하여 무색 액체를 수득하고, 이를 정치시켜 고화시켜, 백색 왁스질 고체를 수득한다(수율: 60%). n-헥산으로부터 재결정화하고, 20℃에서 2주 동안 저장하여, 무색 결정으로서 생성물을 수득한다.
IR(Nujol mull. NaCI 플레이트): 3400 s(브로드), 2900 s(브로드), 1600 w(브로드), 1440 s, 1410 w, 1380 s, 1320 m, 1265 s, 1150-1050 s(v 브로드), 1000 m, 910 s, 835 m, 820 m.
1H NMR(C6D6): a(ppm) 1.29(t, CH 3, 30H), 2.18(m, N-CH3, N-CH 2, 32H),4.51(m, OCH 2CH3, OCH 2비스-dmap, 22H).
C34H84N4O12Ta2Sr에 대한 미세분석:
계산치: C, 34.3, H, 7.1, N, 4.7;
이론치: C, 34.1, H, 7.1, N, 4.8.
(III) 스트론튬 탄탈 산화물 박막의 MOCVD
SrTa2O6의 박막을 테트라하이드로 용매 중의 [Sr{Ta(OEt)5(dmae)}2] 또는 [Sr{Ta(OEt)5(비스-dmap)}2]의 0.1mol 용액을 사용하여 액체 주입 MOCVD에 의해 침착시킨다. 필름은 250 내지 550℃의 기판 온도 범위에서 MOCVD 반응기를 사용하여 Si(100) 단일 결정 기판 위에 침착시킨다. 하기 표 1은 2개의 전구체에 대해 스트론튬 탄탈레이트를 침착시키는데 사용되는 성장 조건을 예시한다.
첨부된 도 2는 기판 온도에 대한 성장률의 의존성을 예시한다.
오거 전자 스펙트로스코피(AES)에 의해 전구체 [Sr{Ta(OEt)5(dmae)}2]를 사용하여 제조된 필름을 분석하면, 필름이 하기 표 2에 제시된 바와 같이 대략적인 조성 SrTa2O6을 갖는다는 것을 알 수 있다.
본 발명의 이중 알콕사이드 화합물은 단일 액체 주입 MOCVD 반응기 상에서 스트론튬 탄탈레이트 및 스트론튬 니오베이트의 성장용으로 사용될 수 있다. 반응기는 Sr/Ta, Sr/Nb 및 Bi(OR)3전구체의 증기화 및 운반을 위한 2개의 유입구 라인 뿐만 아니라 산소 가스와 같은 산화제용 유입구를 갖는다. 첨부된 도 3은 스트론튬 전구체 SrTa2(OEt)10(DMAE)2및 SrTa2(OEt)10(dmap)2를 사용하여 MOCVD의 주입률에 대한 스트론튬 탄탈레이트 필름의 성장률을 예시한다. 도 4는 동일한 전구체를 사용하여 산소 유동에 대한 스트론튬 탄탈레이트의 성장률을 예시한다.
Claims (42)
- 하기 화학식의 금속유기 전구체.Sr[M(OR1)6-xLx]2상기 화학식에서,x는 1 내지 6이고,M은 Ta 또는 Nb이고,R1은 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,L은 화학식 I의 알콕사이드 그룹이다.화학식 I상기 화학식 I에서,n은 0 또는 1이고,X는 N 또는 O이고,R2및 R3은 동일하거나 상이하고, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,R4는 치환되지 않거나 치환된 직쇄상 또는 측쇄상 알킬쇄이다.
- 제1항에 있어서, x가 1 또는 2인 금속유기 전구체.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, R4가 아미노, 알킬아미노 또는 알콕시 그룹으로 치환된 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 에톡시 그룹인 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 이소-프로폭시 그룹인 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 3급 부톡시 그룹인 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 화학식 Sr{M(OR1)5L}2의 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 화학식 SR{M(OR1)4L2}2의 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, L이 디메틸아미노알콕사이드 그룹인 금속유기 전구체.
- 제9항에 있어서, L이 디메틸아미노에톡사이드인 금속유기 전구체.
- 제9항에 있어서, L이 디메틸아미노프로폭사이드인 금속유기 전구체.
- 제9항에 있어서, L이 비스-디메틸아미노프로폭사이드인 금속유기 전구체.
- 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, L이 알콕시알콕사이드 그룹인 금속유기 전구체.
- 제13항에 있어서, L이 -OCH2CH2CH3인 금속유기 전구체.
- 제13항에 있어서, L이 -OCH(CH3)CH2CH3인 금속유기 전구체.
- 제13항에 있어서, L이 -OCH(CH3)CH2OCH3인 금속유기 전구체.
- 하기 화학식의 금속유기 전구체.Sr{Ta(OEt)5(비스-dmap)}2상기 화학식에서,비스-dmap는 비스-디메틸아미노프로폭사이드이다.
- 하기 화학식의 금속유기 전구체.Sr[Ta(OEt)5(dmae)]2상기 화학식에서,dmae는 디메틸아미노에톡사이드이다.
- MOCVD[금속유기화학증착(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)] 기술로 금속유기 전구체를 사용하여 하기 화학식의 스트론튬 금속 산화물로 이루어진 박막 또는 당해 스트론튬 금속 산화물을 함유하는 박막을 침착시키는 방법.Sr[M(OR1)6-xLx]2상기 화학식에서,x는 1 내지 6이고,M은 Ta 또는 Bn이고,R1은 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,L은 화학식 I의 알콕사이드 그룹이다.화학식 I상기 화학식 I에서,n은 0 또는 1이고,X는 N 또는 O이고,R2및 R3은 동일하거나 상이하고, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹이고,R4는 치환되지 않거나 치환된 직쇄상 또는 측쇄상 알킬쇄이다.
- 제19항에 있어서, x가 1 또는 2인 방법.
- 제19항 또는 제20항에 있어서, R4가 아미노, 알킬아미노 또는 알콕시 그룹으로 치환된 방법.
- 제19항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 에톡시그룹인 방법.
- 제19항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 이소-프로폭시 그룹인 방법.
- 제19항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 있어서, 알콕시 그룹 OR1이 3급 부톡시 그룹인 방법.
- 제19항 내지 제24항 중의 어느 한 항에 있어서, 스트론튬 금속 산화물 전구체가 화학식 Sr{M(OR1)5L}2의 전구체인 방법.
- 제19항 내지 제24항 중의 어느 한 항에 있어서, 스트론튬 금속 산화물 전구체가 화학식 Sr{M(OR1)4L2}2의 전구체인 방법.
- 제19항 내지 제26항 중의 어느 한 항에 있어서, L이 디메틸아미노알콕사이드 그룹인 방법.
- 제27항에 있어서, L이 디메틸아미노에톡사이드인 방법.
- 제27항에 있어서, L이 디메틸아미노프로폭사이드인 방법.
- 제27항에 있어서, L이 비스-디메틸아미노프로폭사이드인 방법.
- 제19항 내지 제26항 중의 어느 한 항에 있어서, L이 알콕시알콕사이드 그룹인 방법.
- 제31항에 있어서, L이 -OCH2CH2OCH3인 방법.
- 제31항에 있어서, L이 -OCH(CH3)CH2OCH3인 방법.
- 제31항에 있어서, L이 -OCH(OCH3)CH2OCH3인 방법.
- 제19항에 있어서, 금속유기 전구체가 하기 화학식의 전구체인 방법.Sr[Ta(OEt)5(비스-dmap)]상기 화학식에서,비스-dmap는 비스-디메틸아미노프로폭사이드이다.
- 제19항에 있어서, 금속유기 전구체가 하기 화학식의 전구체인 방법.Sr[Ta(OEt)5(dmae)]2상기 화학식에서,dmae는 디메틸아미노에톡사이드이다.
- 제19항 내지 제36항 중의 어느 한 항에 있어서, 비스무트 금속유기 전구체를 포함함으로써 스트론튬 비스무트 탄탈 금속 산화물 또는 스트론튬 비스무트 니오븀 금속 산화물을 침착시키는 방법.
- 제37항에 있어서, 비스무트 전구체가 Bi(C6H5)3, Bi(thd)3, Bi(OCH2CH2NMe2)3및 Bi(OCMe2CH2CH2OMe)3으로부터 선택되는 방법.
- 제37항 또는 제38항에 있어서, 비스무트 및 스트론튬 전구체가 개별적으로 증발되는 방법.
- 제37항 또는 제38항에 있어서, 비스무트 및 스트론튬 전구체가 MOCVD용 단일 용액으로 배합되는 방법.
- 제40항에 있어서, 비스무트 전구체가 스트론튬 전구체와 동일한 리간드 L을 갖는 방법.
- 제40항 또는 제41항에 있어서, 전구체 용액이 에테르, 사이클릭 에테르 및 탄화수소로부터 선택된 유기 용매인 방법.
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