KR20010060365A - 고체촬상소자 및 그것을 이용한 촬상 시스템 - Google Patents

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KR20010060365A
KR20010060365A KR1020000069218A KR20000069218A KR20010060365A KR 20010060365 A KR20010060365 A KR 20010060365A KR 1020000069218 A KR1020000069218 A KR 1020000069218A KR 20000069218 A KR20000069218 A KR 20000069218A KR 20010060365 A KR20010060365 A KR 20010060365A
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모리시타 요이찌
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Abstract

고체촬상소자에서, 다수의 수직전하 전송로를 수평방향에 대해, 광전변환 영역 내에서는 피치(A)로 배열하고, 수평전하 전송로에 신호를 입력하는 부분에서는 피치(A)보다도 좁은 피치(B)로 배열한다. 광전변환 영역을 분할한 각 광전변환 블록 내의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 블록마다 배치한다. 각 판독 앰프는, 수직전하 전송로의 피치변화에 의해 확보한 영역에 동일 형상으로 서로 평행이동의 위치관계가 유지되도록 배치한다. 이렇게 하여, 얼라인먼트나 이온 주입각의 영향을 받기 어렵고, 고속에서의 신호 판독이 가능한 고체촬상소자를 실현한다.

Description

고체촬상소자 및 그것을 이용한 촬상 시스템{Charge coupled device and imaging system using the same}
본 발명은 고체촬상소자 및 이것을 이용한 촬상 시스템에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 고속판독이 가능한 고체촬상소자에 적합한 소자구조를 제공한다.
촬상소자에서 화상 데이터를 고속으로 판독하는 하나의 수단으로서, 광전변환 영역을 다수의 구역으로 분할하여, 각 구역으로부터 병렬로 전하를 판독하는 방법이 있다. 예컨대, 특개평 3-224371호 공보에서는, 판독 앰프를 서로 미러대칭(선대칭)으로 배치한 구조(도 10)가 제안되어 있다. 이 고체촬상소자에서는 화소부(31, 32)에서 행렬 형상으로 배치된 각 화소로부터, 수평전하 전송로(33)와, 수평전하 전송로의 양단에 배치된 판독 앰프(34, 35)의 순서를 통해, 신호가 출력된다.
그러나, 판독 앰프(34, 35)를 서로 미러대칭으로 배치하면, 트랜지스터 레벨에서는 소스(S)와 드레인(D)을 게이트(G)를 중심으로 하여, 미러대칭으로 배치해야만 한다(도 11(b)). 이 때문에, 반도체 제조의 마스크 맞춤 공정에서 발생한 얼라인먼트 어긋남이, 불순물 이온 주입공정에서의 주입각 의존성의 영향과 더불어, 균일한 입출력 특성을 가지는 판독 앰프의 제작을 곤란하게 한다.
판독 앰프의 특성의 차이는, 화상을 재현한 경우, 화상이 블록화하여 관찰되는 불균형을 발생시킨다. 또, 판독한 데이터를 조합하여 한 장의 화상으로서 표시할 때에, 화상 데이터의 교환정렬이 필요하기 때문에, 신호처리가 복잡화한다. 도 11(a)의 배치에서는, 리소그래프 공정의 마스크 어긋남 등은 다른 앰프에 대해 동등하게 영향을 미치기 때문에, 앰프 사이의 특성차를 발생시키는 원인은 되지 않는다. 그러나, 도 11(b)의 배치에서는, 제조공정에서의 이온 주입이나 마스크 맞춤의 어긋남이 다른 앰프간에서 다른 효과를 발생시켜, 앰프간의 특성차를 발생시킨다.
본 발명은 상기 종래의 문제를 해결하기 위해, 반도체 제조의 마스크의 맞춤 어긋남이나 이온 주입각도에 영향을 받기 어려운 구조를 가지고, 또 다수의 앰프에서 신호를 판독하여 한 장의 화상으로서 표시하는 경우에도, 신호처리가 간단한 고체촬상소자의 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 고체촬상소자의 구성예를 도시한 도면,
도 2는 도 1의 영역(P)의 확대도,
도 3은 본 발명의 고체촬상소자의 다른 구성예를 도시한 도면,
도 4는 도 2의 영역(Q)의 확대도,
도 5의 (a), (b) 모두 수직전하 전송로의 선로폭을 설명하기 위한 평면도,
도 6은 본 발명의 촬상 시스템의 구성예를 도시한 블록도,
도 7은 본 발명의 고체촬상소자의 수직전하 전송로와 그 윗쪽의 구조를 도시한 부분 절취 사시도,
도 8 (a), (b) 모두 본 발명의 고체촬상소자의 수직전하 전송로의 굴곡부 근방의 예를 도시한 평면도,
도 9는 본 발명의 고체촬상소자의 수직전하 전송로의 굴곡부 근방의 다른 예를 도시한 평면도,
도 10은 종래의 고체촬상소자의 구성예를 도시한 도면,
도 11은 얼라인먼트나 이온 주입각의 어긋남에 의한 앰프 형상의 차이를 도시하기 위한 도면으로, 도 11(a)에서는 서로 평행이동에 의한 위치관계를 가지는한 쌍의 트랜지스터를, 도 11(b)에서는 서로 미러 대칭(선대칭)인 위치관계를 가지는 한 쌍의 트랜지스터를 각각 예시하여 상기 차이를 나타내고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 고체촬상소자는 수직방향 및 수평방향을 따라 행렬 형상으로 배치된 다수의 광전 변환부 및 상기 광전 변환부의 열을 따라 신장하는 다수의 수직전하 전송로를 포함하는 광전변환 영역과, 상기 다수의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로를 포함하는 고체촬상소자에서, 상기 다수의 수직전하 전송로를 수평방향에 대해, 상기 광전변환 영역내에서는 피치(A)로 배열하고, 상기 수평전하 전송로에 신호를 입력하는 부분에서는 상기 피치(A)보다도 좁은 피치(B)로 배열한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고체촬상소자에서는, 광전변환 영역에서의 수직전하 전송로의 피치(A)에 대해, 수평전하 전송로에 신호를 입력하는 부분에서의 수직전하 전송로의 피치(B)가 좁아지게 된다(A>B). 따라서, 수직전하 전송로의 라인수가 N인 때에, (N-1)×(A-B)로 나타낸 폭을 가지는 공간(S)이 발생한다. 이 공간(S)은 판독 앰프를 배치하는 영역으로 이용할 수 있다. 그리고, 광전변환 영역을 다수의 구역으로 분할하여 구역마다 판독 앰프를 배치하는 경우에도, 상기 공간(S)을 이용하면, 다수의 판독 앰프를 한쪽으로부터 다른쪽에 서로 평행이동으로 이동할 수 있는 관계가 유지되도록 배치할 수 있다. 서로, 평행이동으로 이동할 수 있는 위치관계는, 예컨대, 도 11(a)에 예시되어 있다.
이와 같이 배치하면, 제조공정에서의 얼라인먼트 어긋남이나 불순물의 주입각도의 영향을 제어할 수 있다. 또, 주변회로나, 그 회로에 이르는 배선도 동일 패턴으로 할 수 있기 때문에, 이들 회로나 배선에 의한 특성차도 해소하기 쉬워진다. 또, 신호처리에 관해서도, 하나의 판독 앰프에 대응하는 광전변환 영역의 각 구역(광전변환 블록)을 서로 동일형상에서, 대응하는 화소의 수평판독방향도 동일하게 배치할 수 있다. 따라서, 화소를 미러대칭으로 배치한 경우에 필요한 데이터 교환정렬의 번잡함이 해소된 고체촬상소자를 얻을 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에서는, 고체촬상소자는 광전변환 영역을 수직방향을 따라 분할한 구역마다(바꾸어 말하면, 광전변환 블록마다), 이 구역 내의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프가 배치된다. 이 경우는, 상기 공간(S)을 이용함으로써, 수평방향에 대해 광전변환 영역을 분할한 구역의 폭 이하의 간격에, 상기 구역 내의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 배치하는 것이 바람직하다. 이 바람직한 양태는, 광전변환 블록의 수평방향으로의 배치수를 제한하지 않는 구조를 실현한다. 또, 구체적으로는, 광전변환 영역을 분할한 구역(광전변환 블록), 이 구역으로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 하나의 고체촬상 블록으로서 실질적으로 동일 형상의 다수의 고체촬상 블록을 수평방향을 따라 배열하면 된다. 균일한 화상을 얻기 쉽기 때문이다.
또, 광전변환 블록의 경계에서도, 수직전하 전송로를 수평방향에 피치(A)로 배열하면, 화상의 비틀림 등의 해소에 유리하다.
수직전하 전송로의 수평방향에 대한 폭은, 광전변환 영역의 단부로부터 수평전하 전송로의 단부에 걸쳐 실질적으로 일정하게 하는 것이 바람직하지만, 광전변환 영역의 단부로부터 수평전하 전송로의 단부에 걸쳐 서서히 또는 단계적으로 증가시켜도 좋다.
상기 수직전하 전송로의 전형적인 양태에서는, 평면으로 보아 관찰했을 때에 꺽임부분(굴곡부분)이 관찰된다. 이 경우는, 굴곡부분에서 전송열화가 발생하는 경우가 있는데, 이 전송열화는 몇가지의 방법으로 억제할 수 있다.
예컨대, 적어도 수직전하 전송로의 굴곡부분에 수직전하 전송로의 다른 부분과는 독립하여 전송구동 펄스를 인가할 수 있게 배선된 다수의 전송전극을, 상기 수직전하 전송로상에 배치하면 된다. 이 배치를 채용하면, 굴곡부분에 독립하여 적절한 전송 펄스를 부여할 수 있게 된다.
또, 통상적으로는 수직전하 전송로의 굴곡부분은 전송전극의 아래쪽에 존재하는 것보다 전송전극 사이의 아래쪽에 위치하도록 다수의 전송전극을 배치하는 것이 바람직하다. 그러나, 굴곡부분이 소정 전송전극의 아래쪽에 위치하는 경우에서도, 이 소정의 전송전극에 의해 전송구동 펄스가 인가되는 전송로 길이는, 상기 소정 전송전극에 인접하는 전송전극에 의해 전송구동 펄스가 인가되는 전송로 길이보다도 짧게 하면 된다.
또, 굴곡부분의 굴곡각은 최대 45도 이하로 하는 것이 바람직하다. 다수의 수직전하 전송로의 피치를 서서히 감소시키면서, 이 한 그룹의 수직전하 전송로를 양단으로부터 중앙으로 좁혀가는 경우, 양단의 수직전하 전송로에서 굴곡각이 최대가 된다. 이 전형적인 일 형태를 적용하는 광전변환 블록에서는, 블록단부의 수직전하 전송로의 굴곡각을 45도 이하로 하면 된다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도 1에서 도 8을 이용하여 설명한다.
(실시형태 1)
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 관한 CCD형 고체촬상소자의 구성을 도시한 것이다. 이 고체촬상소자에서는 각 광전변환 블록(11, 12…13)에 행렬 형상(매트릭스 형상, 2차원 어레이 형상)으로 포토 다이오드(광전 변환부)(1)가 형성되어 있고, 포토 다이오드의 열 사이에서 수직전하 전송로(VCCD)(2)가 열방향으로 신장하고 있다.
이 고체촬상소자에서는 각 광전변환 블록(11, 12…13)과 수평전하 전송로(HCCD)(17, 18…19)의 사이에, 수직/수평 변환부(V-H 변환부)(14, 15…16)가 형성되어 있다. 각 수평전하 전송로는, 판독 앰프(31a, 31b…31c)에 접속되어 있다. 판독 앰프는 수직전하 전송로의 좁힘에 의해 발생한 공간을 이용하여, 수평전하 전송로의 최종단에 가장 인접하여 배치되어 있다. 이 때문에, FDA(플로우팅 디퓨젼 앰프)의 기생용량을 크게 저감하여, 앰프의 고감도화를 실현할 수 있다. 각 광전변환 블록 영역에서 생성된 신호전하는, 수직전하 전송로로부터 수평전하 전송로를 지나 판독 앰프로 전송되어 간다.
이 고체촬상소자의 수직전하 전송로(2)는, 각 광전변환 블록 내에서는, 수평방향에 대해 동일 간격을 유지하게 배치되어 있다. 또, 각 블록의 경계(이음새)부분(3)에서도, 수직전하 전송로의 수평방향의 간격은 일정하게 유지되어 있다. 따라서, 이 고체촬상소자에서는, 광전변환 영역 전역에서, 수직전하 전송로의 수평방향의 간격은 동일하다. 한편, V-H 변환부(14, 15…16) 내에서는, 수평전하 전송로의 간격은 일정하지 않다.
도 2는, 도 1의 영역 P근방의 확대도이다. 광전변환 영역에서는 수직전하 전송로(2)는 피치(A)를 유지하도록 배열되어 있다. 수평전하 전송로에 접하는 단부에서는, 수직전하 전송로(2)는 피치(B)(A>B)를 유지하도록 배열되어 있다. 여기에서, 피치(B)는 피치(A)보다도 예컨대 40∼80%의 범위만큼 좁게 하면 된다. 또, 신호전하는, 전송전극(41∼54)으로의 구동 펄스의 인가에 의해, 수직전하 전송로 내를 순차적으로 도시된 아래쪽으로 전송되어 간다. 전송전극은, 예컨대 실리콘 다결정막에 의해 형성된다.
수직전하 전송로를 급격히 꺽어 구부리면, 전송열화가 발생할 우려가 있다. 바람직한 꺽임 각도(θ)는 45도 이하이다. 또, 전송로에 비틀림이 발생한 부분에서전송열화가 발생하지 않도록, 이 부분에는 독립 펄스를 인가할 수 있게 배선하면 된다. 도 2의 형태에서는, 적어도 전극(43, 44)에 다른 전극과는 독립하여 펄스를 인가할 수 있는 배선을 구비한 전극구조로 하는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 도시된 아래쪽의 수평전하 전송로에 가까워짐에 따라 수직전하 전송로가 좁혀져가는 사다리꼴 형상의 V-H 변환부를 이용함으로써, 빈 영역(31d)이 발생하고, 이 빈 영역에 앰프를 배치할 수 있게 된다. 이 고체촬상소자에서는, 수평전하 전송로에서의 전하전송 방향이 동일방향이다. 그리고, 이 전송로의 후단에, 동일형상의 앰프는 구성부재가 동일한 위치관계를 유지하도록 배치된다(도 11(a) 참조).
이 고체촬상소자에서, 신호가 전송되어 가는 한 쌍의 영역, 예컨대, 광전변환영역(11), V-H 변환부(14), 수평전하 전송로(17) 및 독출 앰프(31a)로 이루어진 소자 내 영역을 하나의 고체촬상 블록으로 보면, 소자전체로서는 고체촬상 블록이 수평방향으로 늘어선 구조로 되어 있다. 이들의 고체촬상 블록은, 동일형상이고, 서로 순차적으로 평행이동한 위치관계를 유지하고 있다. 이들의 고체촬상 블록은, 또 피치상에서 외부와 접속하는 패드에 이르는 배선 패턴을 제외하고는, 기본적으로 완전히 동일 형상으로 할 수 있다. 따라서, 화상의 균일성을 유지하는 데 있어서, 현격히 유리하다.
이렇게 하여 얻은 고체촬상소자는, 반도체 제조의 마스크의 맞춤 어긋남이나 이온주입 각도에 영향받기 어려워, 다수의 앰프에서 신호를 판독하여 한 장의 화상으로서 표시하는 경우에도 신호처리가 간단하다.
상기 형태에서는, 각 요소가 충분히 합리적으로 배치되어 있지만, 굳이 말자하면, 전송전극(41∼54)을 형성하기 위해 이용되고 있는 영역(31e)에까지 앰프를 배치할 수 있으면, 앰프 배치 가능영역을 더 넓힐 수 있다. 그러나, 이 공간(31e)은 다음에 나타낸 실시형태에 의해 이용가능하게 된다.
(실시형태 2)
도 3은 본 발명의 실시형태 2에 관한 CCD형 고체촬상소자의 구성을 도시한 것이다. 이 고체촬상소자에서도 실시형태 1과 마찬가지로, 포토 다이오드(1), 수직전하 전송로(2)를 배치한 광전변환 블록(21, 22…23)마다, 수평전하 전송로(27, 28…29) 및 판독앰프(32a, 32b…32c)가 배치되어 있다. 또, 각 광전변환 블록과 수평전송 전극과의 사이에 V-H 변환부(24, 25…26)가 형성되어 있다.
이 고체촬상소자에서는 수직전하 전송로(2)를 따라 배선(20)이 형성되어 있다. 이 배선은 적당히 형성된 콘택트 홀을 통해, 아래쪽의 전송전극(도시하지 않음)에 구동펄스를 공급한다. 콘택트 홀은 채용된 구동 패턴을 따라 소정 간격으로 형성된다.
도 3의 영역(Q) 근방의 확대도인 도 4에 도시한 바와 같이, 배선(20)은 V-H 변환부에서도, 수직전하 전송로(2)를 따라 배치되어 있다. 이 때문에, 각 전송전극(41∼54)을 수평방향으로 연결할 필요가 없어지게 되어, 고체촬상 블록 사이의 V-H 변환부에서, 분할한 전송전극(45∼54)을 형성할 수 있다. 따라서, 이 형태를 이용하면, 실시형태 1에서는 데드 스페이스이었던 영역(32e)을 영역(32d)과 함께 판독 앰프의 배선에 이용할 수 있다.
이상에서는 두 실시형태를 예시하여 본 발명의 고체촬상소자에 대해서 설명했지만, 이 소자의 더 바람직한 형태나 응용예에 대해, 이하, 설명을 더 계속한다.
V-H 변환부에서는, 수직전하 전송로의 폭을 소위, 협대역 효과를 방지하기 위해, 동일 폭으로 하면 된다. 도 5(a)를 참조하면, 이 전송로에서는 광전변환 영역에서의 폭(U1)과 수평전하 전송로에 접속하는 부분에서의 폭(V1)이 같다(U1=V1). 또, V-H 변환부 내에 임의의 장소에서의 폭(W1)도 같다(U1=W1=V1).
협대혁 효과를 방지하기 위해서는, 도 5(b)에 도시한 바와 같이, 전송로의 폭을 광전변환 영역에서부터 수평전하 전송로와 가까워짐에 따라 넓게 해도 좋다(U2<W2<V2). 여기에서는, 전송로의 폭을 서서히 넓힌 예를 나타냈지만, 폭은 단계적으로 넓혀도 상관없다.
이와 같이, U≤V의 관계가 성립하도록, 전송로의 폭을 설계하는 것이 바람직하지만, 더 구체적으로는 V는 U를 기준으로 하여, 1.0∼1.5배가 가장 적합하다.
또, 도 6에 상기 고체촬상소자를 이용한 촬상 시스템의 일례를 도시한다. 다수의 판독 앰프로부터 전송로(61, 62…63)를 통해 병렬적으로 판독된 신호는, CDS(상관 2중 샘플링), 게인 조정, ADC(아날로그·디지털 변환)을 행한 후에, 또 다른 판독 앰프에 의한 이음새 부분 보정과, 병렬판독에 의한 병렬 데이터의 직렬변환, 색처리 등을 행하여, 메모리 컨트롤을 통해 모니터로의 표시나 메모리로의 축적이 행해진다. 이에 따라, 경계가 없는 균일한 화상을 얻을 수 있다.
도 7은 상기 고체촬상소자의 수직전하 전송로(70)와 그 윗쪽에 배치한 수직전송전극(71, 72, 73)의 단면 사시도이다. 이 수직전하 전송로(70)는 윗쪽에서 관찰하면, 폭(W)을 가지는 전송로(70)에서의 꺽임각(θ)의 굴곡점(F)이 전송전극(72, 73) 사이에 존재한다(도 8(a)). 이와 같이, 전극 사이에 상당하는 위치에서 전송로를 굴곡시키면 전송열화가 발생하기 어렵다. 한편, 전송로(70)의 굴곡점(F)을 전송전극(72)의 아래쪽에 배치하면, 이 전송전극(72)의 아래쪽에서 전송열화가 발생하기 쉬워진다(도 8(b)). 또, 도 7에서는 전송전극(71∼73)을 2층의 폴리 실리콘막으로 구성한 예를 나타냈지만, 전극은 3이상의 층구성으로 해도 좋다. 또, 전송전극의 적층순서도 도 7에 도시한 형태에 한정되지 않는다. 전송전극(72)을 양 이웃의 전송전극(71, 73)의 윗쪽에서 형성해도 상관없다.
그러나, 도 9에 도시한 바와 같이, 굴곡점을 전극 바로 아래에 형성해도, 전송 패킷을 예컨대, 소위 2·3 전송 등으로 행하고, 또 전송전극(72)의 패킷 길이를 양단의 전극(71, 73)보다도 짧게 하면, 전송열화를 억제할 수 있다(L1>L2, L3>L2). 구체적으로는, 패킷 폭(W)이 1∼3㎛이면, L2는 다른 전송전극의 길이(L)보다도 1㎛정도 짧으면 된다. 또, 전하용량을 확보하기 위해서는, 같은 패킷 폭(W)이 1∼3㎛인 때, L1및 L3은 다른 전송전극의 길이(L)보다도 3㎛ 정도 긴 것이 바람직하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 병렬판독에 의해 신호전하를 고속으로 판독하고, 또 반도체 제조의 마스크 맞춤공정에서의 얼라인먼트 어긋남이나 불순물 도프의 주입각도 의존성에 의한 앰프 입출력 특성의 오차의 제어가 용이한고체촬상소자를 제공할 수 있다. 또, 판독앰프를 포함한 고체촬상 블록을 동일형상이고, 또 평행하게 배열할 수 있기 때문에, 한 화면에 표시한 경우에, 미러 대칭 등으로 판독한 경우에 필요한 데이터의 교환정렬을 생략할 수 있기 때문에, 신호처리가 용이해진다.

Claims (13)

  1. 수직방향 및 수평방향을 따라 행렬 형상으로 배치된 다수의 광전 변환부 및 상기 광전 변환부의 열을 따라 신장하는 다수의 수직전하 전송로를 포함하는 광전 변환영역과, 상기 다수의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로와, 상기 수평전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 판독 앰프를 포함하는 고체촬상소자에서,
    상기 다수의 수직전하 전송로를 수평방향에 대해, 상기 광전변환 영역 내에서는 피치(A)로 배열하고, 상기 수평전하 전송로에 신호를 입력하는 부분에서는 상기 피치(A)보다도 좁은 피치(B)로 배열한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서,
    수평전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 판독 앰프를 더 포함하고, 광전변환영역을 수직방향을 따라 분할한 영역마다, 그 구역 내의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 배치한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  3. 제2항에 있어서,
    수평방향에 대해, 광전변환영역을 분할한 구역의 폭 이하의 간격에, 상기 구역 내의 수직전하 전송로로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 배치한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  4. 제2항에 있어서,
    광전변환 영역을 분할한 구역, 이 구역으로부터 신호를 받아들이는 수평전하 전송로 및 판독 앰프를 하나의 고체촬상 블록으로 하여, 실질적으로 동일 형상의 다수의 상기 고체촬상 블록을 수평방향을 따라 배열한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  5. 제2항에 있어서,
    광전변환 영역을 분할한 구역의 경계에서도, 수직전하 전송로를 수평방향으로 피치(A)로 배열한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    수직전하 전송로의 수평방향에 대한 폭을, 광전변환영역의 단부로부터 수평전하 전송로의 단부에 걸쳐 실질적으로 일정하게 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    수직전하 전송로의 수평방향에 대한 폭을, 광전변환영역의 단부로부터 수평전하 전송로의 단부에 걸쳐 서서히 또는 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    적어도 수직전하 전송로의 굴곡부분에, 상기 수직전하 전송로의 다른 부분과는 독립하여 전송 구동펄스를 인가할 수 있게 배선된 다수의 전송전극을, 상기 수직 전하 전송로상에 배치한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    수직전하 전송로의 굴곡부분이 전송전극간의 아랫쪽에 위치하도록 다수의 전송전극을 배치한 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    수직전하 전송로의 굴곡부분이 소정 전송전극의 아랫쪽에 위치하고, 상기 소정 전송전극에 의해 전송 구동펄스가 인가되는 전송로 길이가, 상기 소정 전송전극에 인접하는 전송전극에 의해 전송 구동펄스가 인가되는 전송로 길이보다도 짧은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    수직전하 전송로에 전송구동 펄스를 인가하는 다수의 전송전극에 전기적으로 접속하는 배선을, 상기 수직전하 전송로를 따라, 적어도 광전변환영역으로부터 상기 수직전하 전송로가 수평방향에 대해 피치(A) 미만의 영역에서 배열하고 있는 영역에 걸쳐 배치된 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    굴곡각이 최대가 되는 수직전하 전송로에서, 상기 굴곡각을 45도 이하로 하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  13. 제2항에 기재된 고체촬상소자와, 이 고차촬상소자의 각 구역의 판독 앰프로부터 얻은 출력을 합성하고, 상기 각 구역의 경계부분에 상당하는 이음새 부분의 화상을 보정하여 한 장의 화상을 표시하는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 촬상 시스템.
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