JPH11121734A - 固体撮像素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 全画素読みだし方式の固体撮像素子（ＣＣ
Ｄ）において、画素及び画素間部の微細化を図ると共
に、転送電極間の寄生容量を減少させて電荷転送効率，
ダイナミックレンジ等の向上，高速駆動の向上を図る。 【解決手段】 マトリックス状に配列された複数の受光
部２と、各受光部２列に対応して３層の転送電極〔７
Ａ，７Ｂ，７Ｃ〕を有する垂直転送レジスタ３を備え、
第１層目の転送電極７Ａが、シャント配線１４を介さず
に駆動パルス供給線１９に直接接続され、垂直方向に隣
り合う受光部２間に配列された第２層目と第３層目の転
送電極〔７Ｂ，７Ｃ〕が重ならず、かつ、第２層目と第
３層目の各転送電極〔７Ｂ，７Ｃ〕がシャント配線１４
を介して駆動パルス供給線１８，１７に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、全画素読み出し方
式のＣＣＤ固体撮像素子に適した固体撮像素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、全画素読み出し方式のＣＣＤ
固体撮像素子の撮像領域の要部を示す。このＣＣＤ固体
撮像素子４１は、例えばインタ−ライン転送（ＩＴ）型
とした場合、マトリックス状に配列された複数の光電変
換を行う受光部４２と各受光部列に対抗するＣＣＤ構造
の複数の垂直転送レジスタ４３からなる撮像領域４４
と、図示せざるも、垂直転送レジスタ４３から転送され
た信号電荷を出力部に転送するための水平転送レジスタ
を有して構成される。

【０００３】垂直転送レジスタ４３は、図１１（図１０
のＥ−Ｅ線上の断面）及び図１２（図１０のＦ−Ｆ線上
の断面）に示すように、シリコン基体４５の転送チャネ
ル領域上に、ＳｉＯ₂ 等によるゲート絶縁膜４６を介し
て、第１層目の多結晶シリコン層からなる第１層転送電
極４７Ａ、第２層目の多結晶シリコン層からなる第２層
転送電極４７Ｂ及び第３層目の多結晶シリコン層からな
る第３層転送電極４７Ｃが、電荷転送方向に繰り返し配
列されて構成される。４８は層間絶縁膜である。第１層
転送電極４７Ａ、第２層転送電極４７Ｂ及び第３層転送
電極４７Ｃは、それぞれ複数の垂直転送レジスタ４３に
対して共通に形成される。そして、垂直方向に隣り合う
受光部４２間では、第１層転送電極４７Ａ、第２層転送
電極４７Ｂ及び第３層転送電極４７Ｃは、順次重なって
形成される。

【０００４】従って、図１０のＦ−Ｆ線上の受光部４２
間では、図１２に示すように第１層，第２層及び第３層
の転送電極４７Ａ，４７Ｂ及び４７Ｃが重なった状態で
形成される。この場合、第１層転送電極４７Ａ，第２層
転送電極４７Ｂ及び第３層転送電極４７Ｃの順にその電
極幅が狭く形成される。

【０００５】前記垂直転送レジスタ４３は、３相の駆動
パルスφ₁ 〜φ₃ により駆動されるもので、第１層転送
電極４７Ａ、第２層転送電極４７Ｂ及び第３層転送電極
４７Ｃに、それぞれ駆動パルスφ₁ ，φ₂ ，φ₃ が印加
される。なお、図１１及び図１２では、遮光用のＡｌ層
等は図示を省略している。

【０００６】上述の全画素読みだし方式のＣＣＤ固体撮
像素子には、ＶＧＡ（Video Graphics Array）フォーマ
ットに対応した３３万画素のものから、ＸＧＡ（Extend
ed Graphics Array ）に対応した８０万画素、さらに解
像度の高い１３０万画素などいくつかの種類があるが、
画素数が増えるに従って、フレームレートは低下するの
が一般的である。フレームレートの向上を目的として、
垂直転送レジスタ４３を高速で駆動しようとした場合、
多結晶シリコン層からなる第１，第２，第３の転送電極
４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃの遅延が問題となる場合があ
る。この問題を解決する方法としてシャント配線によっ
て遅延を防止する方法が考えられている。

【０００７】このシャント配線構造は、多結晶シリコン
よりシート抵抗の小さいＡｌやＷＳｉ等を用いた、いわ
ゆるシャント配線を各垂直転送レジスタ４３上に形成
し、このシャント配線と、対応する各転送電極４７Ａ，
４７Ｂ，４７Ｃとを接続し、各転送電極４７Ａ，４７
Ｂ，４７Ｃに、シャント配線を介して駆動パルスを印加
する構造のものであり、駆動パルス波形の「なまり」に
よる特性の劣化を防ぐ技術として、ＨＤ（高品位）ＴＶ
用のＣＣＤ固体撮像素子等で実用化されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うに、画素間部では、図１２に示すように、３層の多結
晶シリコン層による転送電極４７Ａ，４７Ｂ及び４７Ｃ
が重なった構造では、微細化が進むにつれて、最上層の
転送電極４７Ｃが細くなり、断線する可能性が高くな
る。また、転送電極４７Ａ〜４７Ｃが重なっている面積
が多いため寄生容量が大きく、クロックパルスの相互干
渉により転送効率や、ダイナミックレンジの減少などの
問題が発生する可能性がある。

【０００９】本発明は、かかる電極構造による問題を解
決し、電荷転送効率やダイナミックレンジが向上し、Ｃ
ＣＤの高速駆動が可能となり、画素及び画素間部の微細
化が可能となる固体撮像素子を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像素
子は、第１層目の転送電極を、シャント配線を介さずに
直接駆動パルス供給線に接続し、受光部間の第２層目と
第３層目の転送電極を重ならないように配置して、シャ
ント配線を介して駆動パルス供給線に接続する構成とす
る。

【００１１】第１層目の転送電極は、第２層目以上の転
送電極と比較して電極幅が広いために、シャント配線を
接続しなくとも伝搬遅延が起こり難い。又、第２層目，
第３層目の転送電極は、シャント配線するので伝搬遅延
が防止できる。更に、受光部間での第２層目と第３層目
の転送電極が重ならないので、寄生容量が小さくなり、
電荷転送効率やダイナミックレンジの向上等、垂直転送
レジスタの特性が向上すると共に、受光部間の転送電極
の線幅が細くならないため、画素の微細化が可能とな
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明に係る固体撮像素子は、マ
トリックス状に配列された複数の受光部と、各受光部列
に対応して３層の転送電極を有する垂直転送レジスタを
備え、第１層目の転送電極が、シャント配線を介さずに
駆動パルス供給線に直接接続され、第２層目と第３層目
の転送電極が垂直方向に隣り合う受光部間で重ならず、
かつ、第２層目と第３層目の各転送電極がシャント配線
を介して駆動パルス供給線に接続された構成とする。

【００１３】本発明は、上記固体撮像素子において、第
２層目および第３層目の各転送電極が、水平方向に複数
に分割された構成とする。

【００１４】本発明は、上記固体撮像素子において、第
２層目及び第３層目の各転送電極が、水平方向の２つの
垂直転送レジスタに共通するように分割された構成とす
る。

【００１５】以下、本発明の固体撮像素子について図面
を参照して説明する。図１〜図７は、本発明の一実施の
形態の固体撮像素子に関するもので、全画素読み出し方
式のインターライン転送（ＩＴ）型ＣＣＤ固体撮像素子
に適用した場合を示している。

【００１６】図１は、一実施の形態に係るＣＣＤ固体撮
像素子１の概略構成を示したものである。このＣＣＤ固
体撮像素子１は、マトリックス状に配列された光電変換
を行う複数の受光部（画素）２と各受光部列に対応した
ＣＣＤ構造の複数の垂直転送レジスタ３からなる撮像領
域４と、撮像領域４の一端に配され、垂直転送レジスタ
３からの信号電荷が転送されるＣＣＤ構造の水平転送レ
ジスタ５と，水平転送レジスタ５の最終段に接続された
出力部６とからなる。

【００１７】このＣＣＤ固体撮像素子１では、受光部２
に入射した光により発生した信号電荷が、垂直転送レジ
スタ３に読み出された後、後述する３相の駆動パルスφ
₁ ，φ₂ ，φ₃ により水平転送レジスタ５に転送され、
さらに、その信号電荷が水平転送レジスタ５内を、例え
ば２相の駆動パルスで転送され、出力部６から信号とし
て出力される。

【００１８】図２は、本実施の形態の要部、特に、図１
のＣＣＤ固体撮像素子１の撮像領域４における、垂直転
送レジスタ３のシャント配線を施した転送電極構造を示
す。ＣＣＤ固体撮像素子１が全画素読み出し方式のた
め、垂直転送レジスタ３上の転送電極７は、３層の多結
晶シリコン層で形成される。即ち、垂直転送レジスタ３
は、図３（図２のＡ−Ａ線上の断面）に示すように、シ
リコン基体１１の転送チャネル領域上に、例えばＳｉＯ
₂ によるゲート絶縁膜１２を介して、第１層目の多結晶
シリコン層からなる第１層転送電極７Ａと、第２層目の
多結晶シリコン層からなる第２層転送電極７Ｂと、第３
層目の多結晶シリコン層からなる第３層転送電極７Ｃ
が、電荷転送方向に繰り返し配列されて構成される。

【００１９】各第１層，第２層及び第３層転送電極７
Ａ，７Ｂ及び７Ｃは、層間絶縁膜１３によって相互に絶
縁される。第１層，第２層及び第３層転送電極７Ａ，７
Ｂ及び７Ｃで１ビットの転送部が形成され、この第１
層，第２層及び第３層転送電極７Ａ，７Ｂ及び７Ｃが、
各受光部２に対応して形成される。

【００２０】一方、図２に示すように、第１層転送電極
７Ａは、垂直方向に隣り合う受光部２間を通って、水平
方向の各垂直転送レジスタ３全てに対して共通に形成さ
れる。また、第２層転送電極７Ｂ及び第３層転送電極７
Ｃは、それぞれ垂直方向に隣り合う受光部２間で接続さ
れるが、第２層転送電極７Ｂと第３層転送電極７Ｃが重
ならないように形成される。

【００２１】すなわち、第２層転送電極７Ｂは、垂直方
向の受光部２間で連結されるように水平方向に隣り合う
２列の垂直転送レジスタ３に対して共通に形成され、
又、第３層転送電極７Ｃも、同様に垂直方向の受光部２
間で連結されるように水平方向に隣り合う２列の垂直転
送レジスタ３に対して共通に形成される。これら複数に
分割されたそれぞれの第２層転送電極７Ｂ及び第３層転
送電極７Ｃが水平方向に交互に形成される。

【００２２】すなわち、２つの転送転送レジスタ３に共
通に形成した第２層及び第３層の各転送電極７Ｂ及び７
Ｃは、その垂直方向の受光部２間での連結部が水平方向
に交互に配されるように形成される。例えば図５（図２
のＣ−Ｃ線上の断面）あるいは図６（図２のＤ−Ｄ線上
の断面）に示すように、垂直方向の受光部２間では、第
１層転送電極７Ａを下層とし、第２層転送電極７Ｂある
いは第３層転送電極７Ｃを上層とする２層構造となる。

【００２３】そして、図２に示すように、第１層転送電
極７Ａをシャント配線１４を介さずに、駆動パルス供給
線、いわゆるバスライン１９に直接に接続し、他の第２
層転送電極７Ｂ，第３層転送電極７Ｃを、シャント配線
１４〔１４Ｂ，１４Ｃ〕を介してバスライン１８，１７
に接続する。

【００２４】第１層転送電極７Ａは、第２層転送電極７
Ｂ，第３層転送電極７Ｃに比べて電極幅が広く形成され
ているので、その分、抵抗が低くなり、伝搬遅延が生じ
難い。従って第１層転送電極７Ａは、水平方向に延長さ
れた各一端を、バスライン１９に接続しても伝搬遅延が
ほとんど生じないので、製作上煩雑となるシャント配線
を設ける必要はない。

【００２５】一方、シャント配線１４〔１４Ｂ，１４
Ｃ〕は、例えばＡｌ，ＷＳｉ等からなり、全ての垂直転
送電極レジスタ３上において、その垂直方向の全長に渡
って層間絶縁膜１３を介して形成される。シャント配線
１４Ｂ及び１４Ｃは、垂直転送レジスタ３の配列方向に
順次繰り返して、即ち交互に形成される。そしてシャン
ト配線１４Ｂは、図３に示すように、垂直転送レジスタ
３上で、層間絶縁膜１３のコンタクトホール１３Ｂを通
じて第２層転送電極７Ｂに接続され、又、図４に示すよ
うに、シャント配線１４Ｃは同様にして、垂直転送レジ
スタ３上で層間絶縁膜１３Ｃのコンタクトホール１３Ｃ
を通じて、第３層転送電極７Ｃに接続される。図２にお
いて１６Ｂ及び１６Ｃは、そのコンタクト部を示す。

【００２６】これらのシャント配線１４Ｂ，１４Ｃは、
それぞれ、例えば水平転送レジスタ５とは反対側の撮像
領域４の外側に形成した、例えばＡｌによるバスライン
１８，１７に接続され、第１層転送電極７Ａに直接接続
するバスライン１９と共に，それぞれ３相の駆動パルス
φ₃ ，φ₂ 及びφ₁ が印加される。なお図２では、Ａｌ
による遮光層等の図示を省略している。

【００２７】、図７は、ＣＣＤ固体撮像素子１の受光部
２及び垂直転送レジスタ３を含む部分の半導体構造の一
例を示す断面図であり、第１導電形、例えばＮ形のシリ
コン基板２２上の第２導電形、即ち、第１のＰ形ウエル
領域２３内に、Ｎ形の不純物拡散領域２４，垂直転送レ
ジスタ３を形成するＮ形転送チャネル領域２６及びＰ形
のチャネルストップ領域２７が形成され、さらに、上記
Ｎ形の不純物拡散領域２４上にＰ形の正電荷蓄積領域２
８が形成され、Ｎ形の転送チャネル領域２６の直下には
第２のＰ形ウエル領域２９が形成されて前述のシリコン
基体１１が構成される。

【００２８】ここで、Ｎ形の不純物拡散領域２４とＰ形
ウエル領域２３とのＰＮ接合ｊによるフォトダイオード
ＰＤによって、受光部（光電変換部）２が構成される。
そして、シリコン基体１１の転送チャネル領域２６、チ
ャネルストップ領域２７及び読み出しゲート３１上に、
ゲート絶縁膜１２を介して前述した３層の多結晶シリコ
ンからなる転送電極７〔７Ａ，７Ｂ，７Ｃ〕が形成さ
れ、さらにシャント配線１４〔１４Ｂ，１４Ｃ〕が形成
される。

【００２９】上述の構成のＣＣＤ固体撮像素子１によれ
ば、垂直方向に隣り合う受光部２間において、第２層転
送電極７Ｂと第３層転送電極７Ｃが重ならず、転送電極
構造としては、第１層転送電極７Ａと第２層転送電極７
Ｂ又は第１層転送電極７Ａと第３層転送電極７Ｃの２層
構造であるため、この受光部２間での第１層，第２層及
び第３層転送電極７Ａ，７Ｂ及び７Ｃの線幅は細くなら
ない。即ち、２層構造であるため、従来の３層構造の場
合に比較して、上部層の転送電極幅が広くできる。従っ
て、画素及び画素間部の微細化が可能となり、全画素読
み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子の画素の高集積化を図
ることができる。

【００３０】また、第２層転送電極７Ｂ及び第３層転送
電極７Ｃが受光部２間で重ならないように水平方向に関
して複数に分割されているので、第２層及び第３層転送
電極７Ｂ，７Ｃの断線の発生確率も縮小し、垂直転送レ
ジスタ３の特性が劣化されず、固体撮像素子１の製造歩
留りが安定する。

【００３１】上部層の第２層転送電極７Ｂ及び第３層転
送電極７Ｃが、シャント配線１４Ｂ及び１４Ｃに接続さ
れているので、伝搬遅延が大幅に緩和され、ＣＣＤ構造
の垂直転送レジスタ３の高速駆動が可能となる。

【００３２】水平方向に関して、第２層及び第３層転送
電極７Ｂ及び７Ｃが分断され、受光部２間では第２層及
び第３層転送電極７Ｂ及び７Ｃが重ならない構造になっ
ているので、転送電極７Ａ，７Ｂ，７Ｃ間のカップリン
グ容量が減少し、垂直転送レジスタ３を駆動するクロッ
ク波形の乱れが減少し、電荷転送効率やダイナミックレ
ンジ（取扱い電荷量に相当する）を向上することができ
る。

【００３３】第１層転送電極７Ａは、シャント配線と接
続せずに、バスライン１９に直接接続するために、シャ
ント配線と接続するためのコンタクトホールを形成する
必要がない。

【００３４】一方、シャント配線との接続が比較的容易
な第２層転送電極７Ｂ及び第３層転送電極７Ｃのみ、垂
直転送電極レジスタ３上でシャント配線１４Ｂ及び１４
Ｃと接続するので、この時のコンタクトホール１３Ｂ及
び１３Ｃは、図３及び図４に示すように、それぞれ第２
層転送電極７Ｂ上あるいは第３層転送電極７Ｃ上の層間
絶縁膜１３上にのみ形成するだけで良いため、コンタク
トホール１３Ｂ及び１３Ｃの加工を簡単にし、精度よ
く、かつ確実に第２層転送電極７Ｂとシャント配線１４
Ｂとの接続及び第３層転送電極７Ｃとシャント配線１４
Ｃとの接続ができる。

【００３５】従って、デザインルールの難易度が軽減さ
れ、製造歩留りが向上し、３層の転送電極７Ａ〜７Ｃを
有する垂直転送レジスタ３上に、シャント配線１４構造
とした全画素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子１の実
用化を可能とし、例えば、ＨＤ（高品位）ＴＶ用の全画
素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子等に適用して好適
である。

【００３６】図８は、本発明の他の実施の形態の要部を
示す。この実施の形態では、第２層，第３層転送電極７
Ｂ，７Ｃとシャント配線１４Ｂ，１４Ｃとのコンタクト
部１６Ｂ，１６Ｃを減らして、垂直転送レジスタ３上の
各転送電極７Ｂ，７Ｃを例えば、１つ置きにコンタクト
した場合である。なお、２つ置き、あるいはそれ以上の
間隔でコンタクトすることも可能である。

【００３７】シャント配線１４Ｂ，１４Ｃを、シリコン
と反応し易い金属材料で形成した場合、シャント配線１
４Ｂ，１４Ｃがシリサイド化して抵抗値が上がる恐れが
ある。しかし、図８に示すように、コンタクト部１６
Ｂ，１６Ｃの数を減らすことにより、シャント配線１４
Ｂ，１４Ｃ自体の抵抗値が上がるのを抑制することがで
きる。

【００３８】図９は、本発明のさらに他の実施の形態の
要部を示す。この実施の形態では、第２層転送電極７Ｂ
が水平方向に関して、２列の垂直転送レジスタ３を共通
とした、いわゆる２つ１組とした電極部７Ｂ₁ と、１列
の垂直転送レジスタ３のみの電極部７Ｂ₂ とを交互に配
するようにして形成され、第３層転送電極７Ｃは３列の
垂直転送レジスタ３を共通した、いわゆる３つ１組とし
た電極部が互いに分割して形成される。

【００３９】そして、これらの第２層転送電極７Ｂ〔７
Ｂ₁ ，７Ｂ₂ 〕と第３層転送電極７Ｃは、垂直方向に隣
り合う受光部２間において、第２層転送電極７Ｂと第３
層転送電極７Ｃが重ならないように、即ち、第１層及び
第２層転送電極７Ａ及び７Ｂの２層構造，第１層及び第
３層転送電極７Ａ及び７Ｃの２層構造となるように形成
される。その他の構成は、図２と同様であるので、同一
符号を付して重複説明を省略する。

【００４０】かかる図９の構成においても、図２の実施
の形態と同様の効果を奏するものである。

【００４１】本発明は、インターライン転送電極（Ｉ
Ｔ）型に限らず、フレームインターライン転送（ＦＩ
Ｔ）型のＣＣＤ固体撮像素子にも、同様にして適用でき
る。

【００４２】

【発明の効果】本発明の固体撮像素子によれば、垂直方
向に隣り合う受光部間において、第２層目の転送電極と
第３層目の転送電極が重ならず、電極構造として第１層
目と第２層目、又は、第１層目と第３層目の２層構造で
あるので、第１層目，第２層目及び第３層目の転送電極
の線幅が細くならず、画素及び画素間部の微細化が可能
となり、固体撮像素子の画素の高集積化を促進できる。

【００４３】第２層目及び第３層目の転送電極がシャン
ト配線に接続されているので、クロックパルスの伝搬遅
延が大幅に緩和され、垂直転送レジスタの高速駆動が可
能になる。

【００４４】第２層目及び第３層目の転送電極が、垂直
方向に隣り合う受光部間で重ならないように、水平方向
に分割して形成されているので、転送電極の断線の発生
確率も減少し、垂直転送レジスタの特性が劣化せず製造
の歩留りが安定する。

【００４５】垂直方向に隣り合う受光部間では、電極構
造として第２層目と第３層目が重ならず、第１層目と第
２層目、又は第１層目と第３層目の２層構造であるの
で、第１層目、第２層目及び第３層目の転送電極間の寄
生容量が減少し、クロックパルスのカップリングが減
り、電荷転送効率や取扱いダイナミックレンジが向上す
る。

【００４６】垂直方向に隣り合う受光部間での第１層目
の転送電極の電極幅が第２層目以上の転送電極に比べて
大きく、その分抵抗が小さくなって、第１層目の転送電
極の伝搬遅延が起こり難いことを利用して、第１層目の
転送電極にはシャント配線を設けず、シャント配線との
接続が比較的容易な第２層目以上の転送電極にのみシャ
ント配線を接続することにより、デザインルールの難易
度を軽減することができ、固体撮像素子の歩留りが向上
することができる。

【００４７】従って、３層の転送電極を有する垂直転送
レジスタをシャント配線構造とした固体撮像素子の実用
化を可能にする。そして、本発明は、ＨＤ（高品位）Ｔ
Ｖ用の全画素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子に適用
して好適ならしめる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る固体撮像素子の概略配置図であ
る。

【図２】本発明に係る固体撮像素子の電極構造説明図で
ある。

【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ断面図である。

【図５】図２のＣ−Ｃ断面図である。

【図６】図２のＤ−Ｄ断面図である。

【図７】本発明に係る固体撮像素子の断面構造説明図で
ある。

【図８】本発明の他の構成例である。

【図９】本発明のさらに他の構成例である。

【図１０】全画素読み出し方式のＣＣＤ固体撮像素子の
撮像領域要部説明図である。

【図１１】図１０のＥ−Ｅ断面図である。

【図１２】図１０のＦ−Ｆ断面図である。

【符号の説明】

１，４１ 固体撮像素子、２，４２ 受光部、３，４３
垂直転送レジスタ、４，４４ 撮像領域、５ 水平転
送レジスタ、６ 出力部、７〔７Ａ，７Ｂ，７Ｃ〕，４
７〔４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ〕 転送電極、１１，４５
シリコン基体、１２，４６ ゲート絶縁膜、１３，４
８ 層間絶縁膜、１４〔１４Ｂ，１４Ｃ〕 シャント配
線、１６〔１６Ｂ，１６Ｃ〕 コンタクト部、１７，１
８，１９ バスライン、２２ Ｎ形シリコン基板、２３
第１のＰ形ウエル領域、２４ Ｎ形不純物拡散領域、
２６ Ｎ形転送チャネル領域、２７ Ｐ形チャネルスト
ップ領域、２８ Ｐ形正電荷蓄積領域、２９ 第２のＰ
形ウエル領域、３１ 読み出しゲート、

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マトリックス状に配列された複数の受光部
   と、 該各受光部列に対応して３層の転送電極を有する垂直転
   送レジスタを備え、 前記第１層目の転送電極が、シャント配線を介さずに駆
   動パルス供給線に直接接続され、 第２層目と第３層目の前記転送電極が垂直方向に隣り合
   う受光部間で重ならず、かつ、第２層目と第３層目の各
   転送電極がシャント配線を介して駆動パルス供給線に接
   続されて成ることを特徴とする固体撮像素子。
2. 【請求項２】前記第２層目および第３層目の各転送電極
   が、水平方向に複数に分割されて成ることを特徴とする
   請求項１に記載の固体撮像素子。
3. 【請求項３】前記第２層目及び第３層目の各転送電極
   が、水平方向の２つの前記垂直転送レジスタに共通する
   ように分割されて成ることを特徴とする請求項１に記載
   の固体撮像素子。