KR20010050569A

KR20010050569A - 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법

Info

Publication number: KR20010050569A
Application number: KR1020000055526A
Authority: KR
Inventors: 전효식; 김한석; 최준식
Original assignee: 구자홍; 엘지전자 주식회사
Priority date: 1999-09-21
Filing date: 2000-09-21
Publication date: 2001-06-15

Abstract

본 발명은 주위 빛의 간섭에 영향을 받지 않고 광량을 정확하게 검지하여 이상동작에 의해 불빛이 깜박이거나 정상적으로 발광하지 않을 경우 전원 공급을 차단하여 조명시스템을 보호하도록 한 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 마그네트론에 고압을 공급하여 마이크로 웨이브를 발생시키고, 이것에 의해 공진기내의 무전극 전구를 발광시켜 발생하는 빛을 발산토록 하는 제1단계와, 상기에서 발산되는 광량을 검출하는 제2단계와, 상기에서 광량이 검출되면 정상으로 판단하여 마그네트론을 발진시켜 지속적으로 빛을 발산시키는 제3단계와, 상기 제2단계에서 광량이 검출되지 않으면 무전극 전구의 이상 또는 웨이브가이드의 파손으로 판단하여 고압발생을 억제하여 마그네트론의 발진을 차단시켜 조명시스템을 보호하는 제4단계와, 상기 제3단계에서 마그네트론 발진시 발산되는 빛이 중단되는지를 지속적으로 검출하는 제5단계와, 상기에서 발산되던 빛이 갑자기 중단되면 상기 제4단계로 진행하여 마그네트론의 발진을 차단시키는 제6단계로 동작하여, 전구의 수명을 늘리고, 화재가 일어나지 않도록 하고, 아울러 웨이브가이드가 손상되는 것을 방지하여 마이크로 웨이브가 밖으로 누설되지 않도록 함으로써 인체와 장비등에 영향을 끼치지 않도록 한 것이다.

Description

마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법{SELF-PROTECTION APPARATUS AND METHOD FOR MICROWAVE LIGHTING SYSTEM}

본 발명은 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서 이상 동작 검지시 전원공급을 차단하여 사고를 방지하도록 한 것으로, 특히 주위 빛의 간섭에 영향을 받지 않고 광량을 정확하게 검지하여 이상동작에 의해 불빛이 깜박이거나 정상적으로 발광하지 않을 경우 전원 공급을 차단하여 조명시스템을 보호하도록 한 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법에 관한 것이다.

근래에 마이크로 웨이브를 이용한 무전극 전구를 가지는 조명시스템이 개발되고 있으며, 그 수명이 길고 발광 효율이나 특성이 좋기 때문에 주목을 끌고 있다.

도 1은 일반적인 마이크로 웨이브 조명시스템에 대한 구성도로서, 이에 도시된 바와 같이, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마그네트론(100)과, 외부의 전원을 고압으로 승압시켜 상기 마그네트론(100)으로 발생시키는 고압 발생부(500)와, 내부에 무전극 전구(200)를 가지며, 공급되는 마이크로 웨이브를 공진시키고, 상기 무전극 전구(200)에서 마이크로 웨이브 에너지를 빛으로 변환하고 그 변환된 빛을 최대한 밖으로 배출시키는 공진기(300)와, 상기 마그네트론(100)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 공진기(300)로 안내해주는 웨이브 가이드(400)와, 상기 마그네트론(100)에 차가운 공기를 공급하여 자체 발열시 식혀주기 위한 냉각수단(700)으로 구성된다.

도 2는 종래 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치에 대한 블럭 구성도로서, 이에 도시된 바와같이, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마그네트론(100)과, 내부에 무전극 전구(200)를 가지며, 상기 마그네트론(100)으로 부터 공급되는 마이크로 웨이브를 공진시키고 상기 전구에서 마이크로 웨이브 에너지를 빛으로 변환하고 그 변환된 빛을 최대한 밖으로 배출토록 하는 공진기(300)와, 상기 마그네트론(100)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 공진기(300)로 안내해주는 웨이브 가이드(400)와, 외부의 전원을 고압으로 승압시켜 상기 마그네트론(100)에 공급하는 고압 발생부(500)와, 상기 마그네트론(100)과 고압 발생부(500)에서 자체 발생하는 열에 의해 과열되는 것을 방지하기 위하여 식혀주는 냉각부(700)와, 상기 공진기(300)로 부터 방사되는 빛을 전달하는 광파이버(80)와, 상기 광파이버(80)로 부터의 빛의 방사여부를 검출하여 펄스신호를 발생시키는 펄스 발생부(90)와, 상기 펄스 발생부(90)에서 검출된 펄스신호의 유무에 따라 상기 마그네트론(100)에 고압을 인가하는 고압 발생부(500)를 제어하고, 상기 냉각부(700)의 동작을 제어하는 제어부(600)로 구성된다.

이와같이 구성된 종래기술에 대하여 살펴보면 다음과 같다.

도 1에서, 외부에서 교류전원이 공급되면 고압 발생부(500)에서 그 교류전원을 고압으로 승압시켜 마그네트론(100)으로 공급하게 된다.

그러면 상기 마그네트론(100)은 고압에 의해 발진하여 마이크로 웨이브를 생성하고, 그 생성된 마이크로 웨이브를 웨이브 가이드(400)로 발생시킨다.

상기 웨이브 가이드(400)에 의해 안내되는 마이크로 웨이브는 공진기(300)내에 설치되는 무전극 전구(200)로 전달된다. 여기서 상기 무전극 전구(200)는 플라주마 발생매체가 봉입되어 있다.

이에 상기 무전극 전구(200)는 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하여 빛을 발산하게 되고, 그 발산된 빛을 공진기(300)가 최대한 많이 밖으로 배출시키게 되고, 이 배출되는 빛에 의해 주변이 밝게 되는 것이다.

상기에서와 같은 동작을 수행할 때 마그네트론(100)과 고압 발생부(500)는 자체 발열되어 과열된다.

따라서 일정시간이 경과하면 냉각수단(700)이 구동되어 상기 마그네트론(100)과 고압 발생부(500)로 차가운 공기를 공급하여 식혀줌으로써, 과열되는 것을 방지한다.

상기에서와 같이 동작하는 조명시스템이 비정상적으로 동작할 경우 보호하기 위하여, 도 2에서와 같이, 광파이버(80)와 펄스 발생부(90)를 설치한다.

따라서 공진기(300)에서 방사되는 빛을 광파이버(80)에서 받아 펄스 발생부(90)로 전달하여 준다.

그러면 상기 펄스 발생부(90)는 상기 광파이버(80)로부터의 빛이 전달되는 펄스신호를 발생하여 제어부(600)로 제공하고, 상기 광파이버(80)로부터 빛이 전달되지 않으면 상기 제어부(600)로 펄스신호를 발생하지 않는다.

이후, 상기 제어부(600)는 상기 펄스 발생부(90)에서 펄스신호가 입력될 경우에는 고압 발생부(500)로 구동시켜 고압을 마그네트론(100)으로 공급하도록 하여 상기 마그네트론(100)이 정상적으로 구동되도록 한다.

그리고 상기 제어부(600)는 펄스 발생부(90)에서 펄스신호가 입력되지 않을 경우에는 무전극 전구(200)에 이상이 있는 것으로 판단하여 상기 고압 발생부(500)가 구동되지 않도록 하여 고압의 공급을 중단시켜 마그네트론(100)의 발진을 억제시켜 주도록 한다.

이와 같은 동작을 할 때 제어부(600)는 고압 발생부(500)가 구동될 때, 상기 고압 발생부(500)와 마그네트론(100)의 자체 발열에 의해 과열되는 것을 방지하기 위하여 냉각부(700)를 구동시켜 상기 고압 발생부(500)와 마그네트론(100)을 식혀준다.

이와같이 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치는 광파이버(80)를 이용하여 무전극 전구(200)가 발광할 경우에 일정한 펄스신호를 출력하여 제어부(600)에서 마그네트론(100)을 정상적으로 기동시키고, 상기 무전극 전구(200)가 발광하지 않을 경우에는 고압 발생부(500)를 통해 마그네트론(100)의 기동을 정지시켜 주게 된다.

그러나, 상기에서와 같은 종래기술에서 공진기를 통해 출력되는 빛의 세기가 약하더라도, 즉 조그만 빛만 있어도 펄스를 발생하여 비정상 발광 때에도 정상 동작으로 오인하는 경우가 있다.

즉, 마그네트론은 정상적으로 발진하여 마이크로 웨이브를 방사하고 있으나, 어떠한 문제, 예컨데 공진기의 일부가 파손 또는 찌그러져 마이크로 웨이브가 외부로 누설 또는 무전극 전구에 집중되지 않았거나 무전극 전구 자체의 이상으로 비정상 동작을 하고 있는 상태에서 마이크로 웨이브 일부만 무전극 전구에 전달되어 약하게 발광하여도 정상동작으로 인식하여 계속 발진을 하게 된다. 이것에 의해 여분의 마이크로 웨이브가 마그네트론에 되돌아와 마그네트론의 수명을 단축시키며 심할 경우 화재를 불러일으키는 문제점을 내재하고 있다.

또한, 상기 공진기의 파손부분으로 부터 마이크로 웨이브 에너지가 다량 누설되어 인체에 치명적인 결과를 초래할 뿐 아니라 전력의 소모가 발생되는 문제점이 있었다.

그리고, 주위의 빛이 강할 경우 주위 빛과의 간섭에 의해 전구에서 나오는 빛을 정확하게 검지할 수 없고, 광파이버가 공진기의 온도가 올라감에 따라 광파이버의 열적 변화가 서서히 발생하여 검지성능이 떨어지는 문제점이 있다.

상기에서와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 마이크로 웨이브 조명 시스템에 있어서 주위 빛의 간섭에 영향을 받지 않고 광량을 정확히 검지할 수 있도록 한 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 광량을 정확하게 검지하여 이상동작에 의해 불빛이 깜빡이거나 정상적으로 발광하지 않을 경우 전원 공급을 차단하여 사고를 방지하도록 한 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치 및 방법을 제공함에 있다.

도 1은 일반적인 마이크로 웨이브 조명 시스템의 구성도.

도 2는 종래 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치에 대한 블럭 구성도.

도 3은 본 발명 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치에 대한 블럭 구성도.

도 4는 본 발명 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호방법에 대한 동작 흐름도.

도 5는 도 3에서, 웨이브 가이드에 장착되는 광량 검지센서의 구조도.

***** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *****

70 : 관통홀 80 : 광파이버

90 : 펄스 발생부 100: 마그네트론

200 : 무전극 전구 300 : 공진기

400 : 웨이브 가이드 500 : 고압 발생부

600 : 제어부 700 : 냉각부

800 : 광량 검지센서 900 : 센서신호 처리부

1000 : 리플레시

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 고압 발생시 마그네트론이 공진기 속의 무전극 전구로 마이크로 웨이브를 공급하고, 이 공급된 마이크로 웨이브의 에너지를 무전극 전구가 빛의 에너지로 변환시켜 방사하는 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서, 상기 공진기의 외부 적소에 대략 근접 설치되어 상기 공진기로 부터 발산되는 광량을 검출하는 광량 검지센서와, 상기 광량 검지센서에서 검출된 광신호를 파형 정형화하여 출력하는 센서신호 처리부와, 상기 센서신호 처리부에서 출력되는 광신호와 기 설정된 기준값을 비교하여 무전극 전구 및 웨이브가이드의 이상여부를 판단하고, 그에따라 마그네트론의 발진동작을 제어하여 조명시스템을 보호하도록 하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 한다.

상기에서 광량 검지센서는 유리나 금속으로 보호되어 있는 포토 트랜지스터, 포토 다이오드 또는 광도셀 중 어느 하나의 소자를 사용하도록 한 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 마그네트론에 고압을 공급하여 마이크로 웨이브를 발생시키고, 이것에 의해 공진기내의 무전극 전구를 발광시켜 발생하는 빛을 발산토록 하는 제1단계와, 상기에서 발산되는 광량을 검출하는 제2단계와, 상기에서 광량이 검출되면 정상으로 판단하여 마그네트론을 발진시켜 지속적으로 빛을 발산시키는 제3단계와, 상기 제2단계에서 광량이 검출되지 않으면 무전극 전구의 이상 또는 웨이브가이드의 파손으로 판단하여 고압발생을 억제하여 마그네트론의 발진을 차단시켜 조명시스템을 보호하는 제4단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명은 고압 발생시 웨이브 가이드를 통해 공진기내의 무전극 전구로 안내되는 마이크로 웨이브를 빛으로 변환시켜 방사하는 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서, 상기 웨이브 가이드의 적소에 관통홀을 형성하고, 상기 홀에 부착되는 광량 검지센서와, 상기 광량 검지센서로부터 입력된 신호를 처리하여 이상동작으로 판단할 경우 자동으로 전원공급을 차단하여 보호하도록 하는 센서신호 처리부를 포함하여 구성한다

이하, 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치에 대한 블럭 구성도로서, 이에 도시한 바와같이, 마이크로 웨이브를 발생시키는 마그네트론(100)과, 내부에 무전극 전구(200)를 가지며, 상기 마그네트론(100)으로 부터 공급되는 마이크로 웨이브를 공진시키고 상기 전구에서 마이크로 웨이브 에너지를 빛으로 변환시켜 최대한 밖으로 빛을 배출토록 하는 공진기(300)와, 상기 마그네트론(100)에서 발생된 마이크로 웨이브를 상기 공진기(300)로 안내해주는 웨이브 가이드(400)와, 외부의 전원을 고압으로 승압시켜 상기 마그네트론(100)에 공급하는 고압 발생부(500)와, 상기 마그네트론(100)과 고압 발생부(500)에서 자체 발생하는 열에 의해 과열되는 것을 방지하기 위하여 식혀주는 냉각부(700)와, 상기 공진기(300)의 외부 적소에 대략 근접 설치되어 상기 공진기로 부터 발산되는 광량을 검출하는 광량 검지센서(800)와, 상기 광량 검지센서(800)에서 검출된 광신호를 파형 정형화하여 출력하는 센서신호 처리부(900)와, 상기 센서신호 처리부(900)에서 출력되는 광신호와 기 설정된 기준값을 비교하여 무전극 전구 및 웨이브가이드의 이상여부를 판단하고, 그에따라 마그네트론의 발진동작을 제어하는 제어부(600)로 구성한다.

그리고, 도 4은 본 발명 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호방법에 대한 동작 흐름도로서, 이에 도시한 바와같이, 마그네트론에 고압을 공급하여 마이크로 웨이브를 발생시키고, 이것에 의해 공진기내의 무전극 전구를 발광시켜 발생하는 빛을 발산토록 하는 제1단계와, 상기에서 발산되는 광량을 검출하는 제2단계와, 상기에서 광량이 검출되면 정상으로 판단하여 마그네트론을 발진시켜 지속적으로 빛을 발산시키는 제3단계와, 상기 제2단계에서 광량이 검출되지 않으면 무전극 전구의 이상 또는 웨이브가이드의 파손으로 판단하여 고압발생을 억제하여 마그네트론의 발진을 차단시켜 조명시스템을 보호하는 제4단계와, 상기 제3단계에서 마그네트론 발진시 발산되는 빛이 중단되는지를 지속적으로 검출하는 제5단계와, 상기에서 발산되던 빛이 갑자기 중단되면 상기 제4단계로 진행하여 마그네트론의 발진을 차단시키는 제6단계로 이루어진다.

도 5는 본 발명 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치에 대한 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이, 고압 발생시 웨이브 가이드(400)를 통해 공진기(300)내의 무전극 전구(200)로 안내되는 마이크로 웨이브를 빛으로 변환시켜 방사하는 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서, 상기 웨이브 가이드(400)의 적소에 관통홀을 형성하고, 상기 홀에 부착되는 광량 검지센서(800)와, 상기 광량 검지센서(800)로부터 입력된 신호를 처리하여 이상동작으로 판단할 경우 자동으로 전원공급을 차단하여 보호하도록 하는 센서신호 처리부(900)를 포함하여 구성한다.

이와같이 구성된 본 발명의 동작 및 작용 효과에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저, 제어부(600)에서 구동신호가 입력되면 고압 발생부(500)는 외부로 부터의 교류전원을 승압시키고, 그 승압된 고압을 마그네트론(100)으로 공급한다.(도 3에서, S101)

그러면 상기 마그네트론(100)은 고압에 의해 발진하여 매우 높은 주파수를 갖는 마이크로 웨이브를 웨이브 가이드(400)를 통해 공진기(300)내의 무전극 전구(200)에 집중시킨다.(S102)

이것에 수반하여 무전극 전구(200)가 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하여 빛을 발생시킨다.

이와같이 동작하는 마이크로 웨이브 조명시스템에서, 공진기(300)의 내부에 위치해 있는 무전극 전구(200)가 고장나거나 웨이브 가이드(400)가 외력이 가해져 찌그러지거나 파손되는 경우, 이 모든 조건에서는 무전극 전구(20)의 빛의 발산효율이 극히 떨어지거나 또는 발산하지 않게 된다.

즉, 무전극 전구(200)에 이상이 있는 경우에 빛 자체가 발광하지 않고, 또한 웨이브 가이드(400)에 외력이 가해져 찌그러진 경우나 파손된 경우 마그네트론(100)에서 발생되는 마이크로 웨이브가 공진기(300)내의 무전극 전구(200)에 집중이 되지 않아 그 무전극 전구(200)의 빛이 아주 미약하게 발산하거나 발산하지 않게 된다.

이때, 리플레시(1000)에 근접되어 설치된, 바람직하게는, 빛의 발산을 방해하지 않는 리플레시의 하단부 또는 상단부, 또는 좌우 주변에 근접하게 설치된 광량 검지센서(800)가 무전극 전구(200)에서 발산되는 빛의 에너지를 검출하고, 이 검출한 빛의 에너지를 전기적인 신호로 변환시켜 센서신호 처리부(900)로 공급한다.(S103)

여기서 광량 검지센서(800)로는 포토 트랜지스터, 포토 다이오드 또는 광도셀 중 어느 하나를 사용한다.

상기 센서신호 처리부(900)는 광량 검출센서(800)에서 입력되는 빛의 에너지에 따른 전기적인 신호를 파형 정형화하여 제어부(600)로 공급한다.

그러면 제어부(600)는 입력된 파형의 레벨(광량의 세기)과 그 광량의 세기에 대한 기 설정된 기준값을 비교한다.(S104)

비교 결과, 입력 파형의 레벨이 크면, 즉 광량의 세기가 기 설정된 기준값 보다 크면 무전극 전구(200), 웨이브 가이드(400) 및 마그네트론(100)이 정상적인 것으로 판단하여 고압 발생부(500)를 구동한다.(S106)

이것에 의해 마그네트론(100)은 고압 발생부(500)로 부터 고압을 입력받아 지속적으로 마이크로 웨이브를 발생시켜 웨이브 가이드(400)를 통해 공진기(300)속의 무전극 전구(200)로 집중시키도록 한다.(S107)

그리고, 입력 파형의 레벨이 기 설정된 기준값 보다 작으면 광량이 검출되지 않은 것으로 하여, 무전극 전구(200)의 고장 또는 웨이브 가이드(400)의 파손과 같은 이상으로 판단한다.(S108)

이렇게 무전극 전구의 고장 또는 웨이브가이드의 파손으로 판단시 하여 고압 발생부(500)의 동작을 억제한다.(S109)

따라서 마그네트론(100)은 고압 발생부(500)로 부터 고압을 입력받지 못하여 발진동작을 중단한다.(S110)

또한, 제어부(600)는 입력 파형의 레벨이 크면, 즉 광량의 세기가 기 설정된 기준값 보다 큰 상태에서 지속적으로 광량이 검출되는지를 체크한다.(S105)

지속적으로 체크하다가 갑자기 광 검출이 되지않으면, 이 또한 무전극 전구의 이상 또는 웨이브가이드의 파손등으로 판단하여 S108단계로 진행하여 고압 발생부(500)의 동작을 차단시켜 마그네트론(100)의 발진동작을 중단시킨다.

따라서 무전극 전구(200)가 불완전 동작에 의해 전구 온도가 상승하는 것을 방지함으로써 전구의 수명이 단축되는 것을 방지하고, 아울러 화재가 일어날 수 없도록 하여 마이크로 웨이브 조명시스템을 보호하도록 한다.

아울러 웨이브가이드가 손상되는 것을 방지하여 마이크로 웨이브가 밖으로 누설되지 않도록 하여 인체와 장비등의 영향을 방지하도록 한다.

그리고, 공진구(300)의 내부에 위치에 있는 무전극 전구(200)가 고장나거나 공진기(300)에 외력이 가해져 찌그러지거나 파손되는 경우 마그네트론(100)에서 발생되는 마이크로 웨이브가 공진기(300)내의 무전극 전구(200)에 집중되지 않아 불빛이 깜박이거나 어두워지게 되고 이러한 상태로 계속해서 시간이 경과하게 되면 결국 메쉬(Mesh) 형태로된 공진기(300)가 손상을 입고 발생되는 마이크로 웨이브 전체가 누설되어 인체에 치명적인 결과를 초래 한다.

이를 방지하기 위하여, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이브 가이드(400)에 관통홀(70)을 형성하되 광량 검지센서(800)와 정확히 결합되어 주위의 빛에 간섭을 받지 않고, 무전극 전구(200)에서 나오는 빛만을 정확히 검지할 수 있도록 한다.

이렇게 하여 검지한 빛을 광량 검지센서(800)가 빛에 대응하는 신호로 바꾸어 센서신호 처리부(900)로 공급하고, 상기 센서신호 처리부(900)는 입력된 신호를 처리하여 제어부(600)로 공급한다.

이후, 상기 제어부(600)는 상기 신호를 분석하여 불빛이 깜박이거나 기준값보다 어둡다고 판단되면 고압 발생부(500)의 전원 공급을 차단한다.

상기 광량 검지센서(800)는 유리나 금속으로 보호되어 있는 포토 트랜지스터, 포토 다이오드 또는 광도셀 중 어느 하나의 소자를 사용한다.

결국, 이상동작에 의해 불빛이 깜박이거나 정상적으로 발광하지 않을 경우 전원 공급을 차단하여 사고를 방지하도록 한다.

이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 광 검출이 안되거나 광 검출이 되고 있던 중 갑자기 광검출이 되지 않을 때 무전극 전구의 고장이거나 웨이브가이드의 파손등 이상으로 판단하여 고압발생을 억제하여 마그네트론의 발진을 차단시켜 조명시스템을 보호하도록 함으로써, 전구의 수명을 늘리고, 화재가 일어나지 않도록 하고, 더 나아가 웨이브가이드가 손상되는 것을 방지하여 마이크로 웨이브가 밖으로 누설되지 않도록 함으로써 인체와 장비등에 영향을 끼치지 않도록 한 효과가 있다.

Claims

고압 발생시 마그네트론이 공진기 속의 무전극 전구로 마이크로 웨이브를 공급하고, 이 공급된 마이크로 웨이브의 에너지를 무전극 전구가 빛의 에너지로 변환시켜 방사하는 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서, 상기 공진기의 외부 적소에 대략 근접 설치되어 상기 공진기로 부터 발산되는 광량을 검출하는 광량 검지센서와, 상기 광량 검지센서에서 검출된 광신호를 파형 정형화하여 출력하는 센서신호 처리부와, 상기 센서신호 처리부에서 출력되는 광신호와 기 설정된 기준값을 비교하여 무전극 전구 및 웨이브가이드의 이상여부를 판단하고, 그에따라 마그네트론의 발진동작을 제어하여 조명시스템을 보호하도록 하는 제어부를 포함한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
제1항에 있어서, 광량 검지센서는 리플레시의 하단부 또는 상단부, 또는 좌우 주변에 근접하게 설치하도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
고압 발생시 웨이브 가이드를 통해 공진기내의 무전극 전구로 안내되는 마이크로 웨이브를 빛으로 변환시켜 방사하는 마이크로 웨이브 조명시스템에 있어서, 상기 웨이브 가이드의 적소에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 삽입되는 광량 검지센서와, 상기 광량 검지센서로부터 입력된 신호를 처리하여 이상동작으로 판단할 경우 자동으로 전원공급을 차단하여 보호하도록 하는 센서신호 처리부를 더 포함한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
제3항에 있어서, 광량 검지센서는 주위의 빛에 간섭 받지않고, 무전극 전구에서 나오는 빛만을 정확히 검지할 수 있도록 웨이브 가이드에 정확히 결합하도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
제1항 또는 제3항에 있어서, 광량 검지센서는 유리 또는 금속으로 보호되어 있는 소자를 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
제1항 또는 제3항에 있어서, 광량 검지센서는 포토 트랜지스터, 포토 다이오드 또는 광도셀 중 어느 하나의 소자를 사용하도록 한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호장치.
마그네트론에 고압을 공급하여 마이크로 웨이브를 발생시키고, 이것에 의해 공진기내의 무전극 전구를 발광시켜 발생하는 빛을 발산토록 하는 제1단계와, 상기에서 발산되는 광량을 검출하는 제2단계와, 상기에서 광량이 검출되면 정상으로 판단하여 마그네트론을 발진시켜 지속적으로 빛을 발산시키는 제3단계와, 상기 제2단계에서 광량이 검출되지 않으면 무전극 전구의 이상 또는 웨이브가이드의 파손으로 판단하여 고압발생을 억제하여 마그네트론의 발진을 차단시켜 조명시스템을 보호하는 제4단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호방법.
제7항에 있어서, 상기 제3단계에서 마그네트론 발진시 발산되는 빛이 중단되는지를 지속적으로 검출하다가 발산되던 빛이 갑자기 중단되면 무전극 전구 이상 또는 웨이브가이드 파손으로 판단하여 마그네트론 발진을 차단시키는 단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 마이크로 웨이브 조명시스템의 보호방법.