KR100291995B1 - 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

개시된 내용은 방전광원장치의 공진공동(共振空胴) 속으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 감지하여 마그네트론의 발진을 억제시키는 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치에 관한 것이다.

개시된 마이크로파 누설감지 장치는, 공진공동의 금속망으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 수신하는 마이크로파수신 안테나와, 수신한 마이크로파 에너지를 전기적 에너지로 변환·출력하는 마이크로파감지수단과, 전기적신호를 파형 정형화하여 출력하는 신호처리수단과, 이 파형의 레벨과 설정된 기준값을 비교하여 고압발생수단을 통해 마그네트론의 발진·억제여부를 결정하는 마이크로 프로세서를 포함하며;

이에 따라 공진공동의 금속망 파손에 의한 마이크로파 에너지로부터의 인체에 치명적인 영향을 받지 않고, 또한 전력의 소모 및 발광효율의 저하를 미연에 방지할 수가 있는 이점이 있다.

Description

무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법 및 장치{Method for sensing leakage of micro wave in discharge light source of non-electrode and apparatus thereof}

본 발명은 무전극 마이크로파 방전광원 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마이크로파의 공진공동(共振空胴)속에 배치된 무전극 전구를 가지는 마이크로파 방전광원 장치에서 특히 공진공동 속으로부터의 인체에 치명적인 마이크로파의 누설량을 감지하여 이 장치 및 인체를 보호하도록 하는 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법 및 장치에 관한 것이다.

근래에, 마이크로파 공진공동속에 배치된 무전극 전구를 가지는 무전극 마이크로파 방전광원 장치가 개발되고 있으며, 그 수명이 길고 발광효율이 좋기 때문에 주목을 끌고 있다.

이와 같은 무전극 마이크로파 방전광원 장치는 공진공동 벽면의 대부분을 광투과성부재로 형성한 마이크로파 공진공동을 갖는 것으로서, 예를 들면, 일본국 공개특허공보 제 56-126250호에 의해 공지되어 있다.

도 1은 일본국 공개특허공보 제 56-126250호에 기재된 그와 같은 무전극 마이크로파 방전광원 장치의 하나를 표시하며, 도 2는 도 1의 무전극 마이크로파 방전광원 장치를 정면에서 본 단면도를 표시한 것이다.

상기 장치에 있어서, 안테나(100a)를 가지는 마그네트론(100)은 마그네트론(100)에 의하여 발생된 마이크로파를 마이크로파공급포트(102a)를 통하여 공진공동(102)에 공급하는 환기공(101a)을 가지는 도파관(101)의 끝에 배치되어 있으며, 공진공동(102)은 광반사 회전 대칭내면을 가지는 포물선 형상의 광반사판(102b)과 마이크로파에는 불통하나 광선은 투과하며, 공진공동(102)의 전면을 형성하는 금속망(102c)으로 형성되어 있다.

공진공동(102) 내에 배치되어 플라즈마 발생매체가 그 속에 봉입된 구형(求刑) 무전극 방전관구(103)는 공진공동(102)의 전면을 덮은 금속망(102c)을 통하여 광선을 방사하는데, 마이크로파가 방전관구(103)속으로 방사되면 먼저 관구속에 봉입된 가스가 공진공동(102) 속으로 방사된 마이크로파로 인하여 방전되며, 이와 같이하여 방전관구(103)의 내면이 가열되고, 방전관구(103)의 내면에 증착된 수은과 같은 금속이 가스로 증발되며, 결국 방전관구(103) 내의 방전이 금속가스의 방전으로 되어, 금속의 종류에 고유한 방출 스펙트럼을 가지는 광선이 방전금속가스로부터 방출된다. 방출된 광선은 공동벽, 즉 포물선 형상의 광반사판(102b)에 의하여 반사되어서 전면망, 즉 금속망(102c)의 전면을 통하여 앞쪽으로 방사된다.

이 장치는 또한, 마그네트론(100)과 방전관구(103)를 냉각하기 위하여 하우징(105)의 말단 벽에 냉각팬(104)을 가진다.

그러나, 이와 같은 무전극 마이크로파 방전광원 장치에서는 금속망(102c)에 금속 세선(細線)(이하, 소선(素線) 이라 칭함)을 망으로 한 그물을 사용하는 것이 일반적이었기 때문에 소선의 교차부에서의 전기적인 접촉저항에 의한 마이크로파 손실에 의해 금속망(102c)이 가열되어 끊어질 위험이 있는 동시에, 방전관구(103)의 전력주입 효율이 나쁘며, 발광효율이 나쁘다고 하는 결점이 있었다.

또한, 이와 같은 그물망은 기계적으로 약하며, 외력이 가해졌을 경우 마이크로파 공진공동(102)이 변형하여 마이크로파의 공진조건을 유지할 수 없게 되어, 마이크로파 전력이 공진공동(102)내에 입사되기 어려워지므로 방전관구(103)의 방전으로의 전력이 떨어질 염려도 있었다. 또한 공진공동(102)의 변형에 수반해서 금속망(102c)의 소선 간격이 불 균일해지고, 특히 소선 간격이 소망스럽지 못하게 커진 것으로부터는 마이크로파가 공진공동(102) 밖으로 누설되어 인체에 치명상을 입히게 되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 금속망의 소선에 의해 야기되는 전력주입 효율의 저하 및 발광효율의 저하를 회피하기 위한 하나의 방법으로서, 금속망으로부터 방사되는 광선의 양을 감지하여 무전극 마이크로파 방전광원 장치를 제어하는 도 3과 같은 장치가 공개되어 있다.

도 3은 종래의 무전극 방전광원 장치에서 방전관구의 모니터 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 여기서 도 1, 도 2와 같은 구성성분에 관해서는 동일한 번호를 부여하여 표시하고 그 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

도 3에 따르면, 공진공동(102)의 금속망(102c)으로부터 방사되는 빛을 전달하는 광파이버(106)와, 광파이버(106)로부터의 빛의 방사여부를 검출하여 펄스신호를 발생하는 광검출부(107)와, 광검출부(107)에서 검출된 펄스신호의 유무에 따라 마그네트론(100)에 가속 고전압을 인가하는 고압발생부(109)를 제어하는 마이크로 프로세서(108)로 구성된다.

이와 같이 구성된 종래의 무전극 방전광원 장치에서 방전관구의 모니터 장치를 이하를 통해 구체적으로 설명한다.

먼저, 무전극 방전광원 장치에 포함되는 공진공동(102)의 금속망(102c)으로 방사되는 빛이 광파이버(106)를 통해 광검출부(107)에 전달된다.

광검출부(107)는 광파이버(106)로부터의 빛이 전달되면 펄스신호를 발생하여 마이크로 프로세서(108)에 제공하고 빛이 없을 경우에는 펄스신호를 발생하지 않는다.

그리고, 마이크로 프로세서(108)는 광검출부(107)에서 펄스신호가 입력될 경우에는 고압발생부(109)를 통해 마그네트론(100)을 정상적으로 기동시키고 펄스신호가 없으면 방전관구(103)에 이상이 있는 것으로 판단하여 고압발생부(109)의 가속 고전압의 공급을 중단시켜 마그네트론(100)의 발진을 억제시켜 주게된다.

전술한 종래 기술에 따른 무전극 방전광원 장치에서 방전관구의 모니터 장치는, 광파이버를 이용하여 방전관구가 발광할 경우에 일정한 펄스 신호를 출력하여 마그네트론을 정상적으로 기동시키고 방전관구가 발광하지 않을 경우에는 고압발생부를 통해 마그네트론의 기동을 정지시켜 주게 됨을 알 수 있다.

그러나, 전술한 종래의 무전극 방전광원 장치에서 방전관구의 모니터 장치는, 공진공동의 금속망에 약간의 파손이 있더라도 방전관구가 약하게 발광하여 광파이버로 통해 전달됨으로써, 마이크로 프로세서가 정상적인 동작으로 판단하여 계속적으로 마그네트론을 정상적으로 발진시킴으로써, 전력의 효율 및 발광효율이 극히 저하되고, 또한 상기 금속망의 파손부분으로부터 마이크로파 에너지가 다량 누설되어 인체에 치명적인 결과를 초래하게 되는 문제점이 있었다.

또한, 상기 금속망의 파손에 의한 마이크로파 에너지의 누설을 회피하는 하나의 방법으로서, 서로 교차하는 소선을 그 교차하는 곳에서 접촉저항이 없이 전기적으로 결합하는 것도 생각되지만, 그것에는 별도의 망을 형성함에 있어 어려움이 뒤따르고 또한 비용이 상당히 많이 드는 문제점이 있다.

따라서, 비용면에서 저가의 방전광원 장치를, 그리고 신뢰성 면에서는 보다 효율적인 방전광원 장치를 필요로 하는 바, 이러한 모든 방전광원 장치에 있어서 금속망의 형성에 따른 어려움 없이 상기한 공진공동의 밖으로 누설되는 마이크로파 에너지를 검지하여 마그네트론의 발진을 억제하는 것이 바람직하다.

따라서, 본 발명은 전술한 종래의 기술에서, 광파이버를 이용함에 의해 발생되는 마이크로파 에너지의 누설과 접촉저항이 없는 금속망의 사용에 따른 비용상승 및 설계의 어려움을 배제한 것으로, 본 발명의 한 견지로서, 금속망의 파손에 의해 공진공동으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 감지하여 마그네트론의 발진을 억제하도록 하는 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법 및 장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 일반적인 무전극 방전광원 장치의 일부를 절개하여 보인 개략적인 사시도이고,

도 2는 상기 무전극 방전광원 장치를 정면에서 본 단면도이고,

도 3은 상기 무전극 방전광원 장치에서 방전관구의 모니터 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이고,

도 4는 본 발명에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치의 설명에 제공되는 실시 예를 나타내는 블록도이고,

도 5는 도 4의 마이크로파 감지부를 보다 상세하게 나타내는 회로 구성도이다.

〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100 : 마그네트론 100a : 안테나

101 : 도파관 101a : 환기공

102 : 공진공동 102a : 마이크로파 공급포트

102b : 광반사판 102c : 금속망

103 : 방전관구 104 : 냉각팬

200 : 마이크로파수신 안테나 201 : 마이크로파 감지부

202 : 신호처리부 203 : 마이크로 프로세서

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법은, 도파관으로부터 마이크로파 공급포트를 통해 마이크로파 에너지가 공급되고 상기 공급된 마이크로파 에너지를 공진공동에서 빛의 에너지로 변환하여 방사하는 마이크로파 방전광원 시스템에 있어서:

(1) 상기 공진공동으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 측정하는 단계;

(2) 상기 측정한 마이크로파 에너지의 양을 기 설정된 기준값과 비교하는 단계; 및

(3) 상기 비교 결과 누설되는 마이크로파 에너지의 양이 설정값 보다 크면 마이크로파의 발진을 억제시키는 단계를 포함한다.

또한, 본 발명의 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치에 의하면, 도파관으로부터 마이크로파 공급포트를 통해 마이크로파 에너지가 공급되는 공진공동과, 이 공진공동내에 배치되어 마이크로파 에너지를 빛의 에너지로 바꾸는 방전관구와, 이 방전관구로부터의 빛을 반사시키는 광반사판과, 상기 공진공동의 전면에 형성되어 마이크로파 에너지를 차단하고 빛을 통과시키는 금속망으로 이루어진 마이크로파 방전광원 장치에 있어서:

(1) 상기 공진공동의 외부 적소에 일정거리를 두고 설치되어 상기 금속망으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 수신하는 마이크로파수신 안테나;

(2) 상기 마이크로파수신 안테나에서 수신한 마이크로파 에너지를 전기적 에너지로 변환·출력하는 마이크로파감지수단;

(3) 상기 마이크로파감지수단에서 얻어진 전기적신호를 파형 정형화하여 출력하는 신호처리수단; 및

(4) 상기 신호처리수단으로부터 얻어진 파형의 레벨에 따라 고압발생수단을 통해 마그네트론의 발진·억제여부를 결정하는 마이크로 프로세서를 포함한 것을 특징으로 한다.

선택적으로, 상기 마이크로파감지수단은,

(1) 상기 마이크로파수신 안테나에서 수신한 마이크로파 에너지를 필터링하는 필터수단; 및

(2) 상기 필터링된 마이크로파 에너지를 정류하고 평활 하여 상기 신호처리수단에 전압원으로 제공하는 정류수단을 포함한 것을 특징으로 한다.

이와 같이하면, 공진공동의 금속망이 파손되어 그 부분에서 마이크로파 에너지가 누설되더라도 마이크로파감지수단이 누설되는 마이크로파 에너지를 감지하여 신호처리수단을 통해 마이크로 프로세서에 제공함으로써, 마그네트론의 발진이 억제됨을 알 수 있다.

그 결과, 금속망의 파손에 의한 마이크로파 에너지로부터의 인체에 치명적인 영향을 받지 않고, 또한 전력의 소모 및 발광효율의 저하를 미연에 방지할 수 있는 이점이 있다.

그리고, 본 발명의 실시 예로는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서는 가장 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하고자 한다.

이 바람직한 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 기타의 목적, 특징 및 이점은 예시할 목적으로 도시한 첨부 도면과 관련해서 본 발명에 의한 실시 예를 가지고 이하의 설명으로부터 보다 명백해질 것이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법 및 장치의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.

또한, 설명에 사용되는 각 도면에 있어서, 같은 구성성분에 관해서는 동일한 번호를 부여하여 표시하고 그 중복되는 설명을 생략하는 것도 있다.

도 4는 본 발명에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치의 설명에 제공되는 실시 예를 나타내는 블록도이다.

본 실시 예에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치는, 대략 2.45GHz의 마이크파 에너지를 안테나(100a)를 통해 방사하는 마그네트론(100)과, 상기 방사된 마이크로파 에너지를 안내하는 환기공(101a)을 갖는 마이크로파 안내장치로서의 도파관(101)과, 도파관(101)의 단부에 설치되어 그 도파관(101)으로부터 마이크로파 공급포트(102a)를 통해 마이크로파 에너지를 공급받는 공진공동(102)과, 공진공동(102)내에 배치되며 플라즈마 발생매체가 그 속에 봉입되어 공진공동(102)에 공급된 마이크로파 에너지를 빛의 에너지로 바꾸는 구형의 방전관구(103)와, 이 방전관구(103)로부터 발산된 빛을 외부로 반사시키는 포물선 형상을 갖는 광반사판(102b)과, 공진공동(102)의 전면에 형성되어 마이크로파 에너지는 차단하고 빛을 통과시키는 금속망(102c)과, 공진공동(102)의 외부 적소에 소정의 거리를 두고 설치되어 금속망(102c)으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 수신하는 마이크로파수신 안테나(200)와, 상기 수신한 마이크로파 에너지를 전기적인 에너지로 변환하여 출력하는 마이크로파감지부(201)와, 상기 전기적인 에너지를 파형 정형화하여 출력하는 신호처리부(202)와, 신호처리부(202)에서 출력된 파형의 레벨에 따라 고압발생부(204)를 스위칭 제어하여 마그네트론(100)의 발진 및 억제여부를 결정하는 마이크로 프로세서(203)로 구성된다.

상기에서, 마이크로파 감지부(201)는 도 5에 나타내는 바와 같이, 마이크로파수신 안테나(200)에서 수신한 마이크로파 에너지를 저항(R1, R2)과 콘덴서(C1)로 필터링하여 출력하는 필터부(201a)와, 상기 필터링된 마이크로파 에너지를 다이오드(D1)를 통해 반파정류하고 저항(R3, R4) 및 콘덴서(C2)를 통해 평활 하여 전압원(V1)으로 출력하는 정류부(201b)로 구성된다.

이와 같이 이루어진 본 발명에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치를 도 4 및 도 5를 참조하여 이하를 통해 보다 구체적으로 설명한다

먼저, 무전극 방전광원 장치를 기동시키기 위해 마이크로 프로세서(203)가 고압발생부(204)를 구동시키면 고압발생부(204)는 가속용 고전압, 예컨대 4.2KV의 고압을 발생하여 하우징(105) 내에 설치된 마그네트론(100)에 공급된다.

마그네트론(100)은 고압발생부(204)에서 발생된 가속 고전압에 의해 발진하여 그의 안테나(100a)를 통해 매우 높은 주파수, 예컨대 2.45GHz의 마이크로파 에너지를 환기공(101a)을 갖는 도파관(101) 및 공진공동(102)의 마이크로파 공급포트(102a)를 통해 공진공동(102) 내에 설치되고 플라즈마 발생매체가 봉입된 방전관구(103)에 전달한다. 이것에 수반하여 방전관구(103)는 전술한 바와 같이 마이크로파 에너지를 흡수하여 빛을 발산하게 되고, 그 빛은 포물선 형상을 갖는 광반사판(102b)에서 반사되어 공진공동(102)의 전면에 형성된 금속망(102c)을 통해 외부로 발산된다. 이때 마이크로파 에너지는 금속망(102c)에 의해 차단된다.

이와 같이 동작하는 무전극 방전광원 장치에서, 상기한 공진공동(102)의 금속망(102c)에 외력이 가해지거나 또는 소선의 교차부에서 접촉저항에 의한 마이크로파 에너지의 손실에 의해 금속망(102c)이 가열되어 끊어질 경우 또는 기타의 원인에 의해 파손되어 그 부분에서 인체에 치명적인 마이크로파 에너지가 다량 또는 미소하게 누설되며, 이것에 의해 방전관구(103)의 빛의 발산효율이 극히 떨어지게 된다.

이때, 금속망(102c)과 일정 거리를 두고 설치된, 바람직하기로, 빛의 발산을 방해하지 않는 금속망(102c)의 하단부 또는 상단부 또는 좌우 주변에 설치된 마이크로파수신 안테나(200)가 누설되는 마이크로파 에너지를 수신하여 마이크로파 감지부(201)에 제공한다.

마이크로파 감지부(201)는 상기 수신한 마이크로파 에너지를 필터링하여 전기적 에너지로 변화하고 이를 정류하여 출력한다.

즉 마이크로파 감지부(201)는 도5에 나타내는 바와 같이, 필터부(201a)와 정류부(201b)를 포함한다.

따라서, 마이크로파수신 안테나(200)에서 수신된 마이크로파 에너지는 필터부(201a)의 저항(R1, R2)과 콘덴서(C1)를 통해 필터링되고, 정류부(201b)의 다이오드(D1)에서 반파정류 된 후 콘덴서(C2)를 통해 평활되어 전압원(V1)으로서 신호처리부(202)에 공급된다.

신호처리부(202)는 마이크로파 감지부(201)에서 입력되는 마이크로파 에너지의 누설량에 따른 전압원(V1)을 파형 정형화하여 마이크로 프로세서(203)에 공급한다.

마이크로 프로세서(203)는 입력된 파형의 레벨과 기 설정된 기준값을 비교하여 입력 파형의 레벨이 작으면 마이크로파 에너지의 누설이 없는 것으로 판단하여 계속 고압발생부(204)를 통해 마그네트론(100)을 발진시키고, 입력 파형의 레벨이 기준값 보다 크면 마이크로파 에너지의 누설로 판단하여 고압발생부(204)를 스위칭시켜 가속 고전압 발생을 중단시킨다. 이것에 의해 마그네트론(100)의 발진이 억제된다.

한편, 비교 예로서, 종래의 기술, 즉 다시 말해서 광파이버를 이용하여 방전관구의 동작 여부만을 모니터링하는 것과는 달리, 본 발명은 공진공동의 금속망이 파손되어 그 부분에서 인체에 치명적인 영향을 주는 마이크로파 에너지가 누설될 경우 이를 감지하여 마그네트론의 발진을 억제시켜 주게됨을 알 수 있다.

이 결과에서, 본 발명에 의하면 공진공동의 금속망 파손에 의한 마이크로파 에너지로부터의 인체에 치명적인 영향을 받지 않고, 또한 전력의 소모 및 발광효율의 저하를 미연에 방지할 수 있는 이점이 있다.

이상에서와 같이, 본 실시 예에서는 공진공동의 금속망 파손에 의해 누설되는 2.45GHz의 매우 높은 마이크로파 에너지를 감지하여 고압발생수단의 가속 고전압을 차단시킴으로써, 무전극 방전광원 장치에서 마이크로파 에너지의 누설에 따른 인명 피해가 발생되지 않고 또한 불 동작에 의한 전력의 소모가 발생되지 않는다.

이 적용례에 의하면, 비용 면에서는 저가의 무전극 방전광원 장치를, 그리고 신뢰성 면에서는 보다 효율적인 방전광원 장치를 제공하는 것이 가능하다.

그리고, 상기에서 본 발명의 특정한 실시 예가 설명 및 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.

이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 첨부된 특허청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.

상술한 설명으로부터 분명한 것은, 본 발명에 따른 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치에 따르면, 광원장치에서 금속망이 파손되어 그 부분에서 마이크로파가 누설될 때에 이를 감지하여 마그네트론의 발진을 억제시킴으로써, 마이크로파 에너지의 누설에 따른 인명 피해를 미연에 방지할 수 있고, 또한 상기의 이유로 인한 방전관구의 발산효율 저하 때에 발생되는 전력의 소모를 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

1. 도파관으로부터 마이크로파 공급포트를 통해 마이크로파 에너지가 공급되고 상기 공급된 마이크로파 에너지를 공진공동(共振空胴)속에서 빛의 에너지로 변환하여 방사하는 마이크로파 방전광원 시스템에 있어서:

   (1) 상기 공진공동으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 측정하는 단계;

   (2) 상기 측정한 마이크로파 에너지의 양을 기 설정된 기준값과 비교하는 단계; 및

   (3) 상기 비교 결과 누설되는 마이크로파 에너지의 양이 상기 기준값 보다 크면 마이크로파의 발진을 억제시키는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 방법.
2. 도파관으로부터 마이크로파 공급포트를 통해 마이크로파 에너지가 공급되는 공진공동과, 이 공진공동(共振空胴)내에 배치되어 마이크로파 에너지를 빛의 에너지로 바꾸는 방전관구와, 이 방전관구로부터의 빛을 반사시키는 광반사판과, 상기 공진공동의 전면에 형성되어 마이크로파 에너지를 차단하고 빛을 통과시키는 금속망으로 이루어진 마이크로파 방전광원 장치에 있어서:

   (1) 상기 공진공동의 외부 적소에 일정 거리를 두고 설치되어 상기 금속망으로부터 누설되는 마이크로파 에너지를 수신하는 마이크로파수신 안테나;

   (2) 상기 마이크로파수신 안테나에서 수신한 마이크로파 에너지를 전기적 에너지로 변환·출력하는 마이크로파감지수단;

   (3) 상기 마이크로파감지수단에서 얻어진 전기적신호를 파형 정형화하여 출력하는 신호처리수단; 및

   (4) 상기 신호처리수단으로부터 얻어진 파형의 레벨에 따라 고압발생수단을 통해 마그네트론의 발진 및 억제여부를 결정하는 마이크로 프로세서를 포함한 것을 특징으로 한 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 마이크로파감지수단은,

   (1) 상기 마이크로파수신 안테나에서 수신한 마이크로파 에너지를 필터링하는 필터수단; 및

   (2) 상기 필터링된 마이크로파 에너지를 정류하고 평활하여 상기 신호처리수단에 전압원으로 제공하는 정류수단을 포함한 것을 특징으로 한 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 마이크로파수신 안테나를 상기 금속망을 투과한 빛의 발산을 방해하지 않는 상기 금속망의 하단부 또는 상단부 중 어느 한 부분에 위치시키는 것을 특징으로 한 무전극 방전광원 램프의 마이크로파 누설감지 장치.