KR20010042267A

KR20010042267A - 하전입자빔 노광장치 및 노광방법

Info

Publication number: KR20010042267A
Application number: KR1020007010805A
Authority: KR
Inventors: 사토타카마사
Original assignee: 히로시 오우라; 주식회사 아도반테스토
Priority date: 1999-02-03
Filing date: 2000-02-03
Publication date: 2001-05-25
Also published as: WO2000046846A1; GB2351427A; JP2000223412A; GB0024174D0; GB2351427B; DE10080405T1

Abstract

BAA 방식의 래스터 스캔을 행하는 편향기에 인가하는 신호를 발생시키는 회로를 개량하여, 스루풋(throughput)을 향상시킨 BAA 방식의 하전입자빔 노광장치를 실현한다. 하전입자빔원과, 양측에 전극을 가지는 복수의 개구가 배열된 블랭킹·어퍼쳐·어레이(BAA)와, 하전입자빔의 편향기와, 하전입자빔의 집속렌즈와, 편향기를 제어하는 편향제어회로와, BAA의 각 전극을 제어하는 노광제어회로를 구비하는 하전입자빔 노광장치에 있어서, 스캔신호를 발생하는 회로를 구성하는 정전류원(46)으로서, 디지털-아날로그 변환기(DAC)등의 전류값이 가변의 것을 사용하고, 스캔 속도를 가변으로 하며, 그 위에 실제의 스캔속도를 측정하여, 소정의 스캔속도가 되도록 정전류원의 전류값을 설정한다.

Description

하전입자빔 노광장치 및 노광방법 {CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD}

도 1은, 전자빔 노광장치의 종래예의 구성을 나타내는 도이다. 도 1에 있어서, 참조번호 1은 프로세서를, 2는 자기 디스크를, 3은 자기 테이프 장치를 나타내고, 이들의 장치는 버스{(bus)(4)}를 거쳐서 서로 접속되며, 또한 버스(4)및 인터페이스 회로(5)를 각각 거쳐서 데이터 메모리(6)및 스테이지 제어회로(7)에 접속되어 있다.

한편, 8은 광체(筐體)로, 내부에는 전자총(9), 렌즈(10), 블랭킹 전극(11), 렌즈(12), 서브 디플렉터(부편향기)용 전극(14), 렌즈(15), 메인 디플렉터(주편향기)용 코일(16)및 스테이지(17)가 배치되어 있다. 시료(100)는 스테이지(17)위에 재치(載置)되어 있고, 스테이지(17)는 스테이지 제어회로(7)의 출력 신호에 의해 X 방향 및 Y방향으로 이동 제어된다. 또, 실제로는, 빔 성형용의 편향기나 어퍼쳐, 초점을 미세조정하기 위한 코일 등 그 외에도 다수의 요소가 설치되어 있지만, 여기서는 도시 및 설명을 생략한다.

또한, 상기 데이터 메모리(6)로부터 판독 출력된 데이터는, 패턴 발생 회로(19)를 통해서 패턴 보정 회로(20)에 공급된다. 패턴 보정 회로(20)는, 블랭킹 신호를 앰프(21)를 거쳐서 블랭킹 전극(11)에 인가하고, 또한 각각 DA컨버터(DAC)(24)및 (26)과, 앰프(25)및 (27)을 거쳐서 전극(14)및 코일(16)로 신호를 인가한다.

전자총(9)에 의해 방사된 전자빔은, 렌즈(10)를 통과하고, 블랭킹 전극(11)에 의해 투과 또는 차단되며, 예컨대 3μm 이하의 평행한 임의의 숏(shot) 사이즈의 구형(矩形) 빔에 더 정형(整形)된 후, 서브 디플렉터용 전극(14) 및 메인 디플렉터용 코일(16)에 의해 편향됨과 동시에, 투영렌즈(15)를 통과하여 시료표면에 더 집속된다. 서브 디플렉터의 편향가능영역은 메인 디플렉터의 편향가능영역보다 작고, 응답 속도는 반대로 서브 디플렉터에 의한 정정(整定)시간이 메인 디플렉터에 의한 정정시간보다 짧다.

참조번호 18은, 조사된 전자빔이 시료(100)에서 반사되어 산란하는 것에 의해 발생한 산란전자를 검출하는 반사전자 검출기이며, 28은 반사전자 검출기의 출력을 처리하는 반사전자 검출회로이다. 시료(100)에는, 위치맞춤을 위한 마크가 설치되어 있고, 이 마크를 전자빔으로 주사하면 마크의 에지(edge)부분에서 전자빔의 산란 상태가 변화하고, 반사 전자 검출기가 검출하는 산란전자의 량이 변화하기 때문에, 반사전자 검출 회로를 감시하는 것에 의해 마크의 에지를 검출할 수가 있다. 이것을 이용하여 위치맞춤을 행한다.

상기한 바와 같이, 서브 디플렉터의 응답속도쪽이 메인 디플렉터의 응답속도보다 빠르기 때문에, 통상은 메인 디플렉터에 의한 메인 편향 범위를, 서브 디플렉터에 의한 편향범위보다 작은 복수의 서브 편향범위로 분할하며, 메인 디플렉터에 의한 편향위치를 각 서브 편향범위의 중심이 되도록 설정한 후에, 서브 편향범위 내를 서브 디플렉터에 의한 편향위치를 변화시키면서 패턴 노광을 행한다. 1개의 서브 편향범위의 노광이 종료하면, 메인 디플렉터에 의한 편향위치를 변경하여 다음 서브 편향범위의 노광을 행한다. 이밖에, 스테이지(17)를 연속적으로 이동하면서 노광을 행하는 연속이동방식 등도 있다. 이 경우는, 메인 디플렉터에 의한 편향위치를 스테이지(17)의 이동에 동기하여 변화시키면서 서브 편향범위내를 순차 노광한다.

노광방식에는, 서브 편향범위 또는 원하는 범위를 미소한 전자빔으로 주사하고, 패턴에 대응하여 전자빔을 온·오프 제어하는 래스터 스캔방식이나, 노광패턴을 기본적인 블록으로 나누어, 각 블록에 대응하는 개구(어퍼쳐)를 통과시켜 성형한 전자빔을 노광함으로써 패턴을 노광하는 블록 노광방식 등이 있다. 현상(現狀)의 전자빔 노광장치에서는, 래스터 스캔의 사용은 빈틈없이 모두 칠하는 것에만 한정되어 있다.

도 2a와 도 2b는, 서브 디플렉터에 인가하는 신호를 설명하는 도이고, 도 2a는 블록 노광방식의 경우의 구성예를, 도 2b는 래스터 스캔(래스터 주사)방식의 경우의 구성예를 나타낸다. 또, 여기서는 설명을 간단히 하기 위해서 X방향과 Y 방향의 2조의 전극으로, 한쪽이 접지된 예를 나타내었지만, 실제로는 후술하는 바와 같이 8개의 전극이 설치되며, 각각 편향 신호가 인가된다.

도시한 바와 같이, 서브 디플렉터용 전극(l4)은, X방향의 편향전극(14la, 14lb) 및 Y방향의 편향코일(142a, 142b)로 구성된다. 블록 노광방식의 경우에는, 지시되는 X좌표와 Y좌표에 전자빔을 편향하는 벡터 스캔(vector scan)이라고 하는 편향을 행하기 때문에, 도 2a에 나타내는바와 같이, DAC(241)에서 X좌표 데이터에 대응하는 전류신호를 발생하고, 변환회로(251)에서 전류신호를 전압신호로 변환하여 X방향의 편향전극(14la)에 인가하고, DAC(242)에서 Y좌표 데이터에 대응하는 전류신호를 발생하며, 변환회로(252)에서 전류신호를 전압신호로 변환하여 Y방향의 편향전극(142a)에 인가하고 있다. 변환회로(251, 252)는, 편향전극으로 인가하는 신호의 구동회로(드라이버)로서 작용하는 앰프의 기능도 포함한다.

Y방향에 래스터 스캔을 행하는 경우에는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 도 2a의 구성에 더하여, 정전류원(定電流源)(261)이 출력하는 전류를 용량(263)에 공급한다. 이에 의해, 용량(263)의 전압은 시간과 함께 일정한 율로 증가한다. 정전류원(261)으로부터 용량(263)에의 전류공급 경로의 도중에는, 스위치(262)가 설치되어 있고, 스캔(주사)중은 정전류원(261)으로부터 용량(263)에 전류가 공급되며, 스캔이 종료하면 용량(263)에 축적된 전하를 방전하도록 동작한다. 용량(263)의 전압과 변환회로(252)의 출력하는 전압신호는, 가산회로(264)에서 가산되고, 앰프(265)를 거쳐서 Y방향의 편향전극(l42a)에 인가된다.

예컨대, 빈틈없이 모두 칠하는 등의 경우에는, 스캔의 개시위치를 나타내는 X좌표 데이터와 Y좌표 데이터를 설정한 후에, 스캔 폭에 상당하는 시간만 스캔을 행한다. 이 경우, Y좌표 데이터를 스캔 개시위치보다 전(前)에 설정하고, 스캔을 개시하여 소정시간후로부터 전자빔을 온으로 하며, 종료 위치에 상당하는 시간후에 전자빔을 오프로 한다. 이와 같은 스캔을 X좌표 데이터를 소정값씩 변경하면서 행하는 것으로, 소정범위를 빈틈없이 모두 칠할 수 있다. 정전류원(261)과 용량(263)이 변경되는 것은 없고, 스캔 시의 노광은, 스캔 개시로부터의 시간으로 제어되어 있었다.

도 2a와 도 2b에서는, X방향과 Y방향의 2조의 전극으로, 한쪽이 접지된 예를 나타내었지만, 이것에서는 2조의 전극의 중심부근만으로 원하는 전계가 얻어질 뿐이다. 그 때문에, 편향된 전자빔이 진행함에 따라, 중심에서 어긋나면 비뚤어진 전계의 영향을 받고 원하는 편향이 행하여지지 않게 된다. 그래서, 실제로는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 전극의 개수를 증가시켜, 각 전극(145a∼148a) 및 (145b∼148 b)에 인가하는 전압을 조정하고 원하는 편향량이 얻어지도록 하고 있다. 이러한 전극을 사용하는 경우, 전극마다 X좌표 데이터와 Y좌표 데이터에 대응하는 전압에 대하여 소정의 연산을 행한다. 그 때문에, 예컨대 도 2a에 나타낸 벡터 스캔방식의 경우에는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 변환회로(251, 252)의 출력을 연산하는 연산회로(250)를 설치하고, 그 연산결과를 앰프(253)를 거쳐서 대응하는 부편향전극에 인가하고 있다.

이상이, 종래의 일반적인 전자빔 노광장치의 구성에 관한 개략 설명이다. 상기한 바와 같이, 전자빔 노광장치는 스텝퍼 등의 광 노광기술에 비해서 해상력(解像力)이 우수하지만, 스루풋(throughput)이 낮고, 생산효율이 불충분하다고 하는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 블랭킹·어퍼쳐·어레이(BAA)방식이 제안되어 있다.

도 3은, BAA방식으로 사용하는 블랭킹·어퍼쳐·어레이(BAA)(30)를 나타내는 도이다. BAA(30)는, 양측에 전극(32, 33)을 가지는 다수의 개구(31)를 도시한 바와 같이 배열한 것이며, 예컨대 도 1의 렌즈(12)의 밑으로 배치하며, 똑같은 전자빔이 입사하도록 한다. 개구(30)의 부분을 통과하는 전자빔은, 전극(32, 33)에 전압을 인가하지 않을 때에는 그대로 통과하여 시료(100)상에 조사(照射)되지만, 전극(32, 33)에 전압을 인가한 때에는 빔의 방향이 구부러지며, 시료(100)에 조사되지 않는다. 즉, 전극(32, 33)에 전압을 인가하는지의 여부로, 개구(31)를 통과하는 빔의 온·오프를 제어할 수 있다.

BAA방식에 있어서의 노광에서는, 스캔에 대응하는 전자빔의 편향과 BAA(30)의 온·오프 패턴을 동기시켜 변화시킨다. 도 4a 내지 도 4c는, BAA방식에 있어서의 노광을 설명하는 도이고, 9개의 개구(31)가 3열3행에 배열되어 있는 경우의 예이다. 우선, 도 4a에 나타내는 바와 같이, BAA(30)를 통과한 빔이 B1의 위치에 조사되도록 편향된다. 이 때, 개구(Ll, R2)만이 온이고, 다른 개구는 오프라고 하면, 개구(Ll, R2)를 통과한 빔이 시료(100)위의 P1(Ll, R2)의 위치에 조사된다. 다음에, 조금 스캔이 진행하여, BAA(30)를 통과한 빔이 B2의 위치에 조사되도록 편향된다. 여기서, 개구(L2,R2), (Ll,Rl), (Ll,R3)만이 온이고 다른 개구는 오프라고 하면, 개구(L2,R2),(Ll,R1),(L1,R3)를 통과한 빔만이 시료(100)위의 P1(L2,R2), P 2(Ll,Rl), P3(Ll,R3)의 위치에 조사된다. 여기서, 도 4a와 도 4b에서의 편향량은, P1(L2,R2)은 P1(Ll,R2)과 같은 위치가 되도록 변화하고 있다고 한다. 스캔이 더 진행하여, BAA(30)를 통과한 빔이 B3의 위치에 조사되도록 편향된다. 여기서, 개구(L3,R2),(L2,Rl),(L2,R3),(Ll,Rl),(Ll,R2),(Ll,R3)가 온이고 다른 개구는 오프라고 하면, 이들의 개구를 통과한 빔만은 시료(100)위의 P1(L3,R2), P2(L2,Rl), P3(L2, R3), P4(Ll,Rl), P5(Ll,R2), P6(Ll,R3)의 위치에 조사된다. 여기서 도 4b와 도 4c에서의 편향량은, P1(L3,R2)은 P1(L2,R2)과, P2(L2,Rl)는 P2(Ll,R1)와, P3(L2,R3)은 P3(L1, R3)과 같은 위치가 되도록 변화하고 있다고 한다.

도시하지 않고 있지만, 다음에는 도 4c의 열(列)(L2)의 패턴을 L1에, 열(Ll)의 패턴을 L2에, L1에는 새로운 패턴을 인가하고, 동시에 빔의 스캔을 진행시킨다. 이러한 동작을 행하는 것에 의해, 스캔 범위의 길이로 BAA(30)의 개구의 행(行)의 폭에서 임의의 패턴을 노광할 수가 있다. 이 때, 각 점에 관해서 개구의 열수(列數)만큼의 노광이 행하여진다. 또, 도 3의 개구(31)는 지그재그 형상으로 배치되어 있고, 도 3에 있어서 세로방향으로 스캔을 행함으로써, 각 행의 스폿(spot)의 사이가 메워져 똑같은 노광을 행할 수 있도록 하고 있다.

이상과 같이, BAA방식은, 임의의 패턴을 자유롭게 노광할 수가 있다고 하는 이점과 함께, 스캔신호를 연속적으로 변화하면 좋기 때문에, 벡터 스캔의 경우에 필요한 빔의 정정시간이 없고, 고속의 스캔이 가능하고, 높은 효율로 노광할 수 있다고 하는 이점이 있다. 그 위에, 동일한 스폿이 복수회 노광되기 때문에, 노광 에너지도 높다.

BAA방식의 스캔은, 예컨대, 서브 디플렉터용 전극(l4)을 이용하여 행하여진다. 도 5는, BAA방식의 스캔의 메인 편향 범위와 서브 편향 범위에 대한 적용방법의 예를 나타내는 도이다. 도시와 같이, 메인 편향 범위(F)는, 복수의 서브 편향 범위 (SF1, SF2,···)로 구성된다. SF11, SF12,···, SF22는 1회 스캔 범위를 나타낸다. SF11에서는 아래에서 위로 향하여 스캔이 행하여지고, SF12에서는 X좌표를 변화시킨 후, 위에서 아래로 향하여 스캔이 행하여진다.

상기한 바와 같이, 현상의 전자 빔 노광 장치에는, 래스터 스캔의 사용은 빈틈없이 모두 칠한 것으로만 한정되어 있다. 빈틈없이 모두 칠한 경우에는, 스캔의 개시와 종료를 시간 제어하고, 그 동안 전자빔을 온으로 하는 것만으로 좋았다. 도 2b의 래스터 스캔용 제어 회로에서는, 정전류원(261)의 출력전류나 용량(263)의 용량값의 편차에 의해, 용량(263)의 전압값의 시간변화율이 다르다. 이것은 스캔 속도에 오차를 생기게 한다. 또한, 소정의 전압을 편향기에 인가하여도 정전 편향기의 편차 등에 의해서 실제의 편향위치가 다르다. 이것도 스캔 속도에 오차를 생기게 한다. 실제의 스캔속도는 이와 같이 각종의 요인에 의해 영향받아 오차를 갖지만, 상기와 같은 빈틈없이 모두 칠하기 위한 스캔이면, 스캔 속도에 오차가 있더라도, 스캔의 개시와 종료를 시간제어하면, 특히 문제는 생기지 않았다.

그러나, BAA방식의 경우에는, 스캔에 따라서 각 블랭킹 어퍼쳐를 정확히 온·오프 제어할 필요가 있다. 일반적으로, 각 블랭킹 어퍼쳐의 온·오프 제어는, 클록에 동기하여 패턴 데이터를 판독출력하고, 패턴 데이터에 따른 신호를 각 블랭킹 어퍼쳐에 인가함으로써 행한다. 따라서, 스캔 속도가 소정의 값인 것이 필요하다. 그 때문에, 상기와 같은 빈틈없이 모두 칠하기 위한 래스터 스캔 회로는 사용할 수 없었다.

거기서, BAA방식에서의 스캔을 행하는 데는, 도 7의 회로를 사용하여, Y 좌표 데이터를 순차 변화시켜 스캔을 행할 필요가 있었다. 실제의 전자 빔 노광 장치에서는, 조사 위치의 위치 정밀도는 대단한 고정밀도가 요구된다. 그 때문에, 도 7의 회로에서 지시되는 X 및 Y좌표 데이터는, l6비트(bit)정도의 데이터 폭을 가지는 것이 필요하다. 현재, 실용화되어 있는 디지털-아날로그 변환기(DAC)에서는, 12비트정도의 것은 비교적 고속인 것이 있지만, 16비트의 것은 충분한 동작속도의 것이 없는 것이 실정이다. 그 때문에, Y좌표 데이터를 변화시키는 속도도 DAC(242)의 동작 속도에 의해 제한되는 것으로 되며, 래스터 스캔을 고속으로 행할 수 없다고 하는 문제가 생기고 있다. 이래서는, BAA방식이더라도 스루풋은 향상되지 않고, 생산효율이 낮다고 하는 문제가 있다.

본 발명은, 전자빔 노광장치 등의 하전입자빔 노광장치에 관하며, 특히 다수의 제어전극을 가지는 개구(開口)를 배열하고, 제어전극에 인가하는 신호로 각 개구를 통과하는 빔을 온(on)·오프(off)제어할 수 있는 블랭킹·어퍼쳐·어레이 (Blanking Aperture Array;BAA)를 구비하며, 하전입자빔의 주사에 동기하여 BAA를 제어하는 BAA방식의 하전입자빔 노광장치 및 그것을 사용한 노광방법에 관한 것이다.

반도체 집적회로는 미세가공 기술의 진보에 따라 한층 더 고집적화 되는 경향에 있으며, 미세가공 기술에 요구되는 성능은 점점 엄격한 것으로 되어오고 있다. 특히 노광기술에 있어서는, 종래 사용되어 있는 스텝퍼(stepper) 등에 사용되는 광 노광기술의 한계가 예상되고 있다. 전자빔 노광기술은, 광 노광기술 대신에 미세가공의 차세대를 짊어질 가능성이 높은 기술이다. 이하, 전자빔 노광을 예로서 설명을 행한다.

도 1은, 본 발명이 적용할 수 있는 전자빔 노광장치의 일례의 구성을 나타내는 도이다.

도 2a와 도 2b는, 종래예에 있어서의 서브 디플렉터(부편향기)와 그 구동신호 발생회로의 구성을 나타내는 도이다.

도 3은, 블랭킹·어퍼쳐·어레이(BAA)의 예를 나타내는 도이다.

도 4a 내지 도 4c는, BAA방식에 있어서의 노광을 설명하는 도이다.

도 5는, BAA방식에 있어서의 주사를 나타내는 도이다.

도 6은, 전자 빔 노광 장치에서 사용되는 다수 극(極)의 서브 디플렉터를 나타내는 도이다.

도 7은, 벡터 스캔용의 서브 디플렉터 구동신호 발생회로의 구성을 나타내는 도이다.

도 8은, 본 발명의 서브 디플렉터 구동신호 발생회로의 구성을 나타내는 도이다.

도 9는, 본 발명의 실시예의 전자빔 노광장치의 구성을 나타내는 도이다.

도 10은, 실시예의 서브 디플렉터 구동신호 발생회로의 회로 구성을 나타내는 도이다.

도 1la 내지 도 1lc는, 실시예의 서브 디플렉터 구동신호와, 스캔의 모양을 나타내는 도이다.

도 12a와 도 12b는, 실시예에 있어서의 스캔방향의 편향계수의 측정을 설명하는 도이다.

도 13은, 실시예에 있어서의 스캔의 경사의 측정을 설명하는 도이다.

도 14는, 실시예에 있어서의 스캔에 수직인 방향의 편향계수의 오차의 측정을 설명하는 도이다.

본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, BAA방식의 래스터 스캔을 행하는 편향기에 인가하는 신호를 발생시키는 회로를 개량하여, BAA방식의 하전입자빔 노광장치의 스루풋을 향상시키는 것을 목적으로 하고, 그 위에 그와 같은 하전입자빔 노광장치에 있어서 원하는 래스터 스캔이 행하여지도록 동작 조건을 설정하여 노광을 행하는 노광방법의 실현을 목적으로 한다.

도 8은, 본 발명의 하전입자빔 노광장치의 편향제어회로의 기본구성을 나타내는 도이다.

상기 목적을 실현하기 위해서, 본 발명의 하전입자빔 노광장치는, 스캔신호를 발생하는 회로를 구성하는 정전류원(46)으로서, 디지털-아날로그 변환기(DAC)등의 전류값이 가변의 것을 사용하고, 스캔속도를 가변으로 한다. 그 위에서, 실제의 스캔속도를 측정하여, 소정의 스캔속도가 되도록 정전류원의 전류값을 설정한다.

즉, 본 발명의 하전입자빔 노광장치는, 하전입자빔을 생성하는 하전입자빔 원과, 양측에 전극을 갖는 복수의 개구가 배열되고, 상기 전극에 인가하는 신호로 입사하는 상기 하전입자빔이 시료위에 조사되는지의 여부가 제어 가능한 블랭킹·어퍼쳐·어레이와, 블랭킹· 어퍼쳐·어레이를 통과한 하전입자빔을 편향하는 편향기와, 블랭킹·어퍼쳐·어레이를 통과한 하전입자빔을 시료위에 집속하는 집속렌즈와, 블랭킹·어퍼쳐·어레이를 통과한 하전입자빔이, 주사의 개시점과 종료점을 순차 변화시키면서, 시료위의 소정 범위를 주사하도록 편향기를 제어하는 편향제어 회로와, 노광패턴에 따라서, 블랭킹·어퍼쳐·어레이의 각 개구의 전극에 인가하는 신호를, 주사에 동기하여 제어하는 노광 제어회로를 구비하는 하전입자빔 노광장치에 있어서, 편향 제어회로는, 개시점의 제1의 좌표를 지시하는 디지털 데이터를, 대응하는 아날로그 전류 신호에 변환하는 디지털·아날로그 변환기{(DAC)(41)}와, 아날로그 전류 신호를 전압 신호에 변환하는 전류·전압 변환기(42)를 갖는 주사 위치 신호 발생 회로와, 개시점의 제2의 좌표를 지시하는 디지털 데이터를, 대응하는 아날로그 전류 신호에 변환하는 디지털·아날로그 변환기{(DAC)(43)}와, 아날로그 전류 신호를 전압신호에 변환하는 전류·전압 변환기(44)를 갖는 주사개시 위치신호 발생회로와, 출력전류를 변화시키는 것이 가능한 정전류원(46)과, 정전류원의 출력전류를 축적하는 용량(47)과, 정전류원의 출력전류의 용량에의 공급을 제어하는 전류공급 제어회로(45)를 구비하는 주사신호 발생회로와, 주사개시 위치신호 발생회로의 출력과 상기 주사신호 발생회로의 출력을 가산하는 주사신호 가산회로(48)와, 주사신호 연산회로와 주사위치신호 발생회로의 출력을 연산하는 연산회로(49)를 구비하며, 전류공급 제어회로(45)는, 주사거리와 주사시간에 따라서 정전류원(46)의 출력전류를 설정하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하전입자빔 노광장치에서는, 주사신호 발생회로가 정전류원(46)과 용량(47)으로 구성되고, 게다가 전류 공급 제어 회로(45)에 의해 정전류원(46)의 전류값이 가변이기 때문에, 실제로 측정한 주사거리와 주사시간에 따라서 정전류원(46)의 전류값을 설정하면, 소정의 주사(스캔)신호를 고정밀도로 발생시킬 수 있다. 따라서, BAA방식에도 사용할 수 있다.

또, 정전류원은 출력 전류를 정부(正負)의 범위로 변화시키는 것을 가능하게 하면, 교대로 역방향의 주사를 행할 수 있고, 도 5와 같은 노광이 가능하게 된다. 또한, 전류 공급 제어 회로로서 용량에 축적된 전하를 방전하는 스위치 회로를 설치하면, 한 방향의 주사가 되풀이 되도록 할 수 있게 된다.

정전류원으로서는, 디지털·아날로그 변환기(DAC)를 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 스캔중에는 DAC의 출력이 일정하며, DAC의 응답속도는 문제가 되지 않고, 저속의 DAC가 사용할 수 있다.

상기의 주사신호 발생회로를 구성하는 정전류원의 출력전류가 가변인 장치를 사용하여 노광을 행하는 노광방법은, 마크를 갖는 시료를 하전 입자 빔에서 주사하여 반사전자를 검출하고, 마크 에지의 제 1주사 타이밍을 구하는 스텝과, 시료를 주사 방향에 따라 이동하는 스텝과, 이동한 시료의 마크를 하전입자빔으로 주사하여 반사전자를 검출하며, 마크 에지의 제 2주사 타이밍을 구하는 스텝과, 이동량에 대응하는 가상 주사시간을 산출하는 스텝과, 제 1주사 타이밍과 제 2주사 타이밍의 차를 산출하여 실제주사시간을 산출하는 스텝과, 가상주사시간과 상기 실제주사시간을 비교하여, 비교 결과로부터 정전류원의 출력전류를 설정하는 스텝을 구비하며, 이렇게 하여 설정된 하전입자빔 노광장치에서 노광을 행하는 것을 특징으로 한다.

제 1주사 타이밍을 구하는 스텝으로부터 실제주사시간을 산출하는 스텝까지를, 주사에 수직인 방향이 다른 복수의 좌표로 복수회 행하고, 측정결과가 일치하는 것을 확인한다. 일치하지 않는 경우에는, 비뚤어진 주사가 되기 때문에, 수정이 필요하다.

또한, 다른 태양의 노광방법은, 마크를 가지는 시료를 하전 입자 빔에서 주사하여 반사 전자를 검출하고, 마크의 주사에 수직인 방향의 에지를 검출한 후, 하전 입자 빔이 주사에 수직인 방향으로 짧은 주사를 행하도록 주사위치신호를 주며, 마크의 주사에 평행한 방향의 에지의 제1의 위치를 검출하는 스텝과, 시료를 주사방향에 따라 이동하는 스텝과, 이동한 시료의 마크를 하전입자빔에서 주사하여 반사전자를 검출하고, 마크의 주사에 수직인 방향의 에지를 검출한 후, 하전입자 빔이 주사에 수직인 방향으로 짧은 주사를 행하도록 주사위치신호를 주며, 마크의 주사에 평행한 방향의 에지의 제2의 위치를 검출하는 스텝과, 이동량과 제 1과 제 2 위치 차의 관계로부터, 주사위치신호의 보정값을 산출하는 스텝을 구비하며, 주사 위치신호를 보정값만 보정하여 노광을 행하는 것을 특징으로 한다.

이 경우, 보정값을 주사에 수직인 방향의 다른 복수의 좌표에 관해 산출하고, 편향범위의 전면에서 보정을 행하는 것이 바람직하다.

또, 상기의 노광방법에 있어서, 1개의 마크를 이동하는 것은 아니고, 미리 위치 관계를 판명하고 있는 복수의 마크를 갖는 시료를 사용하는 것도 가능하다.

도 9는, 본 발명의 실시예의 전자빔 노광장치의 구성을 나타내는 도이고, 도 1의 CPU(1), 인터페이스 회로(5), 데이터 메모리(6), 패턴발생회로(19) 등을 제외한 부분에 대응하는 도이다. 실시예의 전자빔 노광장치는 BAA방식이고, 도 1의 것과는, 블랭킹 전극(11)과 그 드라이버(21)가 없고, 대신에 블랭킹·어퍼쳐·어레이{(BAA)(30)}와 그 구동회로(34)가 설치되어 있는 점, 서브 디플렉터{(부편향기) (14)}가 도 6에 나타낸 전극구성을 가지고, 그 구동신호 발생회로(40)가 DAC와 연산회로를 가지는 점이 다르다. BAA(30)는, 도 3에 나타낸 것으로, 그것을 사용한 노광방법에 관해서는, 도 4a 내지 도 4c를 참조하고 설명하였기 때문에, 여기서는 이것 이상의 설명은 생략한다. 또한, 서브 디플렉터(14)도 도 6에 나타낸 종래와 같은 구성을 갖기 때문에, 이것에 관해서도 설명을 생략한다. 그 위에, 스테이지(17)의 이동량을 검출하는 레이저 측장기(laser length measuring apparatus)(61)가 설치되어 있지만, 이것도 공지이다. 따라서, 여기서는, 서브 디플렉터(14)의 구동 신호 발생 회로에 관해서만 설명을 행한다.

도 10은, 실시예의 서브 디플렉터(14)의 구동신호 발생회로(40)의 구성을 나타내는 도이고, 이와 같은 회로가, 8개의 전극에 대응하여 설치되어 있다. 도시와 같이, 서브 디플렉터(14)의 구동신호 발생회로(40)는, X좌표 데이터를 아날로그 전류신호로 변환하는 DAC(4l)과, 오퍼앰프(operational amplifier)와 저항으로 구성되며, DAC(41)의 출력 전류를 전압신호로 변환하는 전류-전압 변환회로(42)와, Y좌표 데이터를 아날로그 전류신호로 변환하는 DAC(43)와, 오퍼앰프와 저항으로 구성되며, DAC(43)의 출력전류를 전압신호로 변환하는 전류-전압 변환회로(44)와, 스캔계수를 아날로그 전류신호로 변환하는 DAC(46)와, DAC(46)의 출력전류가 공급되는 용량(condenser)(47)과, 오퍼앰프(50)로 구성되며, 용량(47)의 전압을 증폭하는 증폭 회로와, 리셋 신호에 따라서 용량(47)의 전압을 접지하는 스위치(51)와, 오퍼앰프와 저항으로 구성되며, 전류-전압 변환회로(44)의 출력전압과 오퍼앰프(50)의 출력전압을 소정의 비율로 가산하는 가산회로(48)와, 오퍼앰프와 저항으로 구성되며, 전류-전압 변환회로(42)의 가산회로(48)의 출력전압을 소정의 비율로 가산하는 가산회로(49)를 가진다. 가산회로(48,49)의 가산비율은 저항의 비율로 결정된다. 스캔계수의 설정이 DAC(46)의 전류값을 결정하기 때문에, 스캔계수를 설정하는 제어부가 도 8의 전류공급 제어회로(45)에 상당한다.

도 6에 나타낸 구조의 서브 디플렉터(14)에서는, X좌표와 Y좌표에 대응하는 X편향 전압과 Y편향 전압을 서브 디플렉터의 각 전극의 조(組)에 있어서의 X방향과 Y방향의 편향에의 기여율에 따른 가중(加重)으로 가산한 전압이 각 전극의 조에 인가된다. 가산 회로(49)에 있어서의 가산의 가중은, 저항의 비율로 결정되기 때문에, 저항을 적당히 설정하는 것으로, 원하는 가중이 실현된다. 또한 가산회로(48)에 있어서의 가산의 가중도 마찬가지로 설정되지만, 여기서는 1대1로, 증폭율도 1이라고 한다.

DAC(46)의 출력 전류를 Ⅰ로 하고, 용량(47)의 용량값을 C로 하고, 1스캔의 시간을 T로 하면, 시간의 변화에 따라 용량(47)의 전압은 연속하여 변화하고, 1스캔 동안의 전압값의 변화(△V)는, I ×T/C이다(다만, C는 충분히 크다고 한다.). 따라서, △V가 스캔량에 대응하는 전압차가 되도록 I를 설정하면, 소정폭의 스캔이 행하여지는 것으로 된다. 전압값의 변화(△V)에 대하여 스캔폭(L)은 비례하고, L=×△V=×I ×T/C로 나타내어지고,를 편향계수라고 한다. 리셋신호에 의해 용량(47)의 전압을 접지하면 오퍼앰프(50)의 출력은 제로이고, 스캔 개시의 Y 좌표에 상당하는 Y좌표 데이터를 DAC(43)에 주었을 때의 전류-전압 변환 회로(44)의 출력 전압을 V1로 하면, 스캔 개시시의 전압은 V1이고, 스캔 종료시의 전압은 V1+△V이다. 이것에 의해, 소정의 개시 위치로부터 종료 위치까지 스캔이 행하여진다.

여기서, DAC(46)는, 도 1la에 나타내는 바와 같이, 전류를 출력하는 상태로부터 전류를 받아들이는 상태까지 변화 가능하다. 따라서, 전류-전압 변환회로(44)의 출력전압을 V1로 하면, 즉, 가산회로(48)의 초기전압을 V1로 하면, 출력전류를 플러스의 소정값으로 설정하면, 용량(47)의 전압은 서서히 증가하여, 스캔의 종료 시점에서 가산 회로(48)의 전압은 V1+△V가 된다. 다음에 출력 전류를 마이너스의 소정값으로 설정하면, 용량(47)의 전압은 서서히 감소하고, 스캔의 종료시점에서 가산회로(48)의 전압은 Vl으로 되돌아간다. 이것을 되풀이함과 함께, 스캔마다 DAC(41)에 인가하는 X좌표 데이터를 소정값(스캔폭에 대응한 값)씩 변화시키면, 도 1lb에 나타내는 바와 같은 스캔이 행하여지는 것으로 된다. 이 스캔은, 도 5에 나타낸 스캔과 같다. 이 경우, DAC(46)의 출력 전류를 변화시키는 것은 스캔마다이고, DAC(46)의 출력 전류를 빈번히 변화시킬 필요는 없기 때문에, DAC(46)의 응답 속도는 고속일 필요는 없다.

또한, 스캔이 종료할 때마다 스위치(51)를 온하면, 도 11c에 나타내는 바와 같은 한 방향의 스캔을 되풀이하는 것으로 된다.

서브 디플렉터의 편향량은, 전극의 간격이나 형상에 영향을 받는다. 또한, DAC나 전류-전압 변환회로에도 오차가 있다. 그 때문에, 전극의 간격이나 형상에 오차가 있으면, 가령 소정의 X좌표 데이터를 주더라도 소정의 X방향의 편향위치가 되지 않고, 소정의 Y좌표 데이터를 주더라도 소정의 Y방향의 편향위치가 되지 않으며, 소정의 스캔계수를 주더라도 스캔속도는 소정값이 되지 않는다. 그래서, 장치마다 실제의 편향량의 오차를 측정하여 보정하는 것이 필요하다. 또한, 전극의 간격 등은 경시(經時)변화하기 때문에, 이러한 측정을 수시로 행하여 보정하는 것이 필요하다. 그 때문에, DAC(41)에 주는 X좌표 데이터, DAC(43)에 주는 Y좌표 데이터, 및 DAC(43)에 주는 스캔계수는, 이러한 보정을 한 데이터인 것이 요구된다. 이하, 본 실시예에 있어서의 오차의 측정 방법에 관해서 설명한다.

DAC(41)에 주는 X좌표 데이터 및 DAC(43)에 주는 Y좌표 데이터에 관해서는, 미리 위치가 측정된 위치맞춤 마크를, X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터를 변화시키면서 반사전자 검출회로(28)의 출력을 관찰하여 찾고, X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터의 보정치를 구한다. 이것은 종래와 마찬가지다.

다음에, 스캔신호 발생회로의 보정에 관해서 도 12a와 도 12b를 참조하여 설명한다. 위치맞춤 마크(M)를 가지는 참조시료를 스테이지(17)위에 재치하고, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 마크(M)가 서브 편향범위내에 위치하도록 스테이지(17)를 이동한다. 이 상태로 마크(M)위를 스캔하도록, X좌표 데이터를 X1에 설정한다. 이 경우, 전자빔이 마크(M)위를 통과하면 좋기 때문에, X1은 마크(M)의 폭 만큼의 오차가 허용된다. 이 때의 마크(M)의 Y좌표를 Y1로 한다. 스캔계수를 설정하여 스캔을 행하면, 반사전자 검출회로(28)의 출력은, 도 12b에 나타내는 바와 같이 변화한다. 스캔 스타트 플러그(flag)로부터 반사전자 검출신호가 일어서기까지의 시간을 제1의 타이밍으로서 기억한다. 또, 이 때의 스캔은, BAA(30)의 1개의 개구만을 온으로 하든지 또는 스캔에 수직인 방향의 1열 만큼의 개구를 온으로 하여 행한다. 다음에, 스테이지(17)를 스캔방향으로 Y2 좌표까지 이동하여, 마찬가지의 측정을 행하고, 스캔 스타트 플러그로부터 반사전자 검출신호가 일어서기까지의 시간을 제 2의 타이밍으로서 기억한다. 제 1과 제 2의 타이밍의 차를 △T1으로 하면, Y2와 Y1의 차를 △Tl으로 나눈 값이 실제의 스캔속도이다. 설계상의 스캔속도와 실제의 스캔속도의 비만큼 스캔계수를 변화시키면, 설계값과 같은 스캔속도가 된다.

또, X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터의 보정값을 구하는 공정과, 스캔계수를 설정하는 공정은, 어느 쪽을 먼저 행하더라도 좋다.

이상과 같이 하여, 원하는 X좌표 및 Y좌표로부터 소정의 스캔 속도로 스캔을 행할 수 있도록 되기 때문에, 클록에 따라서 판독 출력한 패턴 데이터를 블랭킹 어퍼쳐로 인가하면 소정의 패턴을 노광할 수 있다.

또한, 상기의 측정을 X1이외의 복수의 X좌표로 행하도록 하여도 좋다. X좌표에 따라서 △L에 차가 생길 때에는 스캔이 비뚤어지고 있는 것을 의미하기 때문에, 장치의 보정이 필요하다.

상기의 예에서는, X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터에 관해서는, X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터를 변화시키면서 위치맞춤 마크의 에지를 검출하여 보정값을 구하였지만, 이것에는 X좌표 데이터 및 Y좌표 데이터를 변화시켜 스캔과 같은 동작을 행하여 위치맞춤 마크의 에지를 검출할 필요가 있다. 전술한 바와 같이, 비트수가 큰 DAC(41, 43)는 고속동작이 어렵기 때문에, 이러한 조작에는 상당한 시간을 요한다. 그래서, 다음에 설명하는 예에서는, 스캔신호 발생회로가 발생하는 스캔신호를 이용한 스캔에서 X좌표 데이터의 보정값을 산출한다.

도 13에 나타내는 바와 같이, 정방형의 위치맞춤 마크(M)를 가지는 참조시료를 스테이지(17)위에 재치하고, 마크(M)가 서브 편향범위내에 위치하도록 스테이지(17)를 이동한다. 이 상태에서 마크(M)위를 스캔하도록, X좌표 데이터는 X1을 설정한다. 이 때의 X1은, 전자빔이 마크(M)위를 통과하면 좋기 때문에 마크(M)의 폭 만큼의 오차가 허용된다. 따라서, 설계값에 따라서 X1을 설정하면 좋다. 이 때의 마크(M)의 Y좌표를 Y1로 한다. 스캔 계수를 설정하여 스캔을 행하고, 반사전자 검출 신호가 일어선 후, 즉시 X좌표 데이터를 Xl을 중심으로 하여 변화시켜, 마크(M)의 스캔에 평행한 에지의 X좌표를 검출한다. 다음에, 스테이지(17)를 스캔방향으로 Y2좌표까지 이동하여, 마찬가지의 측정을 행하고, Y2좌표에 있어서의 마크(M)의 스캔에 평행한 에지의 X좌표를 검출한다. 2개의 X좌표가 일치하지 않은 때에는, 스테이지의 이동좌표와 전자빔의 편향기의 편향좌표가 경사져 있는 것을 의미한다. 경사는, X좌표의 차와 Y1과 Y 2의 차의 비에 의해 구하여 지기 때문에, 도시하지 않은 스테이지 이동 기구의 회전 기구를 이용하여 조정한다.

다시, 마크(M)를 도 14에 나타내는 M1∼M9의 위치로 이동한 상태에서 상기의 측정을 행하고, 마크의 스캔에 평행한 에지의 X좌표를 검출한다. 상기한 바와 같이 경사의 조정이 되어 있기 때문에, 가로 열 마크의 X좌표는 동등할 것이다. 세로 열 마크의 X좌표의 차와 마크의 이동량으로부터, X좌표 데이터의 보정값을 산출한다.

또, 상기의 도 13에서의 측정시에는, 도 12a와 도 12b에서 설명한 것과 마찬가지로, 마크(M)의 스캔에 수직인 에지의 Y좌표의 검출이 행하여지기 때문에, 스캔 계수의 설정을, X좌표 데이터의 보정값을 산출하는 공정과 병용하여 행하여도 좋다.

또, 도 14에 나타낸 각 위치까지 마크를 이동하지 않고, 도시와 같이 배치한 9개의 마크를 가지는 시료를 준비하여 측정을 하여도 좋다. 그 경우, 9개 마크의 위치가 정확한 것이 바람직하지만, 정확히 배치하는 것이 어려운 경우에는, 9개 마크를 형성한 후에 그 위치를 정확히 측정하여 놓고, 상기의 측정에서 검출한 위치와 그 차를 산출하도록 하여도 좋다.

어쨌든, 실시예의 전자빔 노광장치에는, 스캔의 도중에서 X좌표 데이터를 변화시키는 것으로, 마크의 스캔에 수직인 방향의 에지를 되풀이하여 검출할 수가 있기 때문에 그들의 평균을 산출함으로써 고정밀도로 에지 위치를 검출할 수 있다.

이상과 같이 하여 보정된 X좌표 데이터, Y좌표 데이터 및 스캔계수를 사용하여 편향과 래스터 스캔을 행하면, 소정의 위치로부터 소정의 스캔속도로 스캔이 행하여지기 때문에, 1클록에 동기하여 판독 출력한 패턴 데이터를 각 블랭킹 어퍼쳐에 인가하면, 소정의 패턴을 노광할 수가 있다.

이상, 서브 디플렉터로 스캔을 행하는 실시예를 설명하였지만, 메인 디플렉터에서 스캔을 행하는 경우에도, X좌표 데이터와 Y방향의 스캔신호를 합성하는 회로를 가지는 경우에는 본 발명이 적용 가능하다.

이상 설명한바와 같이, 본 발명에 의하면, BAA방식의 하전입자빔 노광장치에서 행하는 스캔을 동반하는 노광을 고정밀도 또한 고속으로 행하는 것이 가능하게 되고, 스루풋이 향상된다. 이에 의해, 고집적의 반도체 장치 등을 실현하는 것이 가능하게 된다.

Claims

하전입자빔을 생성하는 하전입자빔원과,

양측에 전극을 가지는 복수의 개구가 배열되며, 상기 전극에 인가하는 신호로 입사하는 상기 하전입자빔이 시료위에 조사(照射)되는지의 여부가 제어가능한 블랭킹·어퍼쳐·어레이와,

그 블랭킹·어퍼쳐·어레이를 통과한 상기 하전입자빔을 편향하는 편향기와,

상기 블랭킹·어퍼쳐·어레이를 통과한 상기 하전입자빔을 시료위에 집속하는 집속렌즈와,

상기 블랭킹·어퍼쳐·어레이를 통과한 상기 하전입자빔이, 주사의 개시점과 종료점을 순차 변화시키면서, 상기 시료위의 소정 범위를 주사하도록 상기 편향기를 제어하는 편향제어회로와,

노광패턴에 따라서, 상기 블랭킹·어퍼쳐·어레이의 각 개구의 전극에 인가하는 신호를, 상기 주사에 동기하여 제어하는 노광제어회로를 구비하는 하전입자 빔 노광장치에 있어서,

상기 편향제어회로는,

상기 개시점의 제1의 좌표를 지시하는 디지털 데이터를, 대응하는 아날로그 전류신호로 변환하는 디지털·아날로그 변환기(DAC)와, 상기 아날로그 전류신호를 전압신호로 변환하는 전류·전압변환기를 가지는 주사위치 신호발생회로와,

상기 개시점의 제2의 좌표를 지시하는 디지털 데이터를, 대응하는 아날로그 전류신호로 변환하는 디지털·아날로그 변환기(DAC)와, 상기 아날로그 전류신호를 전압신호로 변환하는 전류·전압변환기를 가지는 주사개시 위치신호 발생회로와,

출력전류를 변화시키는 것이 가능한 정전류원과, 그 정전류원의 출력전류를 축적하는 용량과, 상기 정전류원의 출력전류의 상기 용량에의 공급을 제어하는 전류공급 제어회로를 구비하는 주사신호 발생회로와,

상기 주사개시 위치신호 발생회로의 출력과 상기 주사신호 발생회로의 출력을 가산하는 주사신호 가산회로와,

그 주사신호 연산회로와 상기 주사위치 신호발생회로의 출력을 연산하는 연산회로를 구비하며,

상기 전류공급 제어회로는, 주사거리와 주사시간에 따라서 상기 정전류원의 출력전류를 설정하는 것을 특징으로 하는 하전입자빔 노광장치.
제1항에 있어서,

상기 정전류원은 출력전류를 정부(正負)의 범위로 변화시키는 것이 가능하고, 교대로 역방향의 주사가 행하여지는 하전입자빔 노광장치.
제1항에 있어서,

상기 전류공급 제어회로는, 상기 용량에 축적된 전하를 방전하는 스위치 회로를 구비하며, 한 방향의 주사가 되풀이되는 하전입자빔 노광장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 정전류원은 디지털·아날로그 변환기(DAC)인 하전입자빔 노광장치.
제1항에 기재된 하전입자빔 노광장치를 사용한 노광방법에 있어서,

마크를 가지는 상기 시료를 상기 하전입자빔으로 주사하여 반사전자를 검출하고, 상기 마크 에지(edge)의 제1주사 타이밍을 구하는 스텝과,

상기 시료를, 주사방향에 따라 이동하는 스텝과,

이동한 상기 시료의 상기 마크를 상기 하전입자빔으로 주사하여 반사전자를 검출하며, 상기 마크 에지의 제2주사 타이밍을 구하는 스텝과,

상기 이동량에 대응하는 가상 주사 시간을 산출하는 스텝과,

상기 제1주사 타이밍과 상기 제2주사 타이밍의 차를 산출하여 실제주사시간을 산출하는 스텝과,

상기 가상주사시간과 상기 실제주사시간을 비교하여, 비교 결과로부터 상기 정전류원의 출력전류를 설정하는 스텝을 구비하며,

이렇게 하여 설정된 하전입자빔 노광장치로 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제5항에 있어서,

상기 제1주사 타이밍을 구하는 스텝으로부터 상기 실제주사시간을 산출하는 스텝까지를, 주사에 수직인 방향이 다른 복수의 좌표로 복수회 행하는 노광방법.
제1항에 기재된 하전입자빔 노광장치를 사용한 노광방법에 있어서,

마크를 가지는 상기 시료를 상기 하전입자빔으로 주사하여 반사전자를 검출하고, 상기 마크의 주사에 수직인 방향의 에지를 검출한 후, 상기 하전 입자 빔이 주사에 수직인 방향으로 짧은 주사를 행하도록 상기 주사위치신호를 주며, 상기 마크의 주사에 평행한 방향의 에지의 제1의 위치를 검출하는 스텝과,

상기 시료를, 주사 방향에 따라 이동하는 스텝과,

이동한 상기 시료의 상기 마크를 상기 하전입자빔으로 주사하여 반사전자를 검출하고, 상기 마크의 주사에 수직인 방향의 에지를 검출한 후, 상기 하전입자빔이 주사에 수직인 방향으로 짧은 주사를 행하도록 상기 주사위치신호를 주며, 상기 마크의 주사에 평행한 방향의 에지의 제2의 위치를 검출하는 스텝과,

상기 이동량과 상기 제1과 제2의 위치의 차의 관계로부터, 상기 주사위치신호의 보정값을 산출하는 스텝을 구비하며,

상기 주사위치신호를 상기 보정값만 보정하여 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
제7항에 있어서,

상기 보정값을, 주사에 수직인 방향이 다른 복수의 좌표에 관해서 산출하고, 편향범위의 전면(全面)에서 보정을 행하는 노광방법.