KR20010020037A - 플라즈마 표시소자 제조방법 - Google Patents

플라즈마 표시소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20010020037A
KR20010020037A KR1019990036722A KR19990036722A KR20010020037A KR 20010020037 A KR20010020037 A KR 20010020037A KR 1019990036722 A KR1019990036722 A KR 1019990036722A KR 19990036722 A KR19990036722 A KR 19990036722A KR 20010020037 A KR20010020037 A KR 20010020037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
partition
electrode
layer
forming
firing
Prior art date
Application number
KR1019990036722A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100333413B1 (ko
Inventor
박철
김동천
Original Assignee
구자홍
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, 엘지전자 주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019990036722A priority Critical patent/KR100333413B1/ko
Publication of KR20010020037A publication Critical patent/KR20010020037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100333413B1 publication Critical patent/KR100333413B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/16—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided inside or on the side face of the spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H01J2211/361—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like characterized by the shape
    • H01J2211/363—Cross section of the spacers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 표시소자 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 표시소자 제조방법은 격벽층과 희생층의 적층전에 상기 격벽층에 전극층을 형성함에 의해 격벽전극이 마련된다.
이러한 제조방법에 의해 고종횡비의 격벽을 갖는 플라즈마 표시소자에 격벽전극을 형성하는 것이 가능해 진다.

Description

플라즈마 표시소자 제조방법{Method of Fabricating Plasma Display Panel Device}
본 발명은 플라즈마 표시소자 제조방법에 관한 것으로, 특히 고종횡비를 갖는 격벽에 격벽전극을 형성하는 플라즈마 표시소자 제조방법에 관한 것이다.
최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 "LCD"라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; 이하 "PDP"라 함)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들중 PDP는 단순구조에 의한 제작의 용이성, 휘도 및 발광 효율의 우수, 메모리 기능 및 160。 이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40 인치이상의 대화면을 구현할수 있는 장점을 가지고 있다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 PDP는 어드레스 전극(2)을 실장한 하부유리판(14)과, 상기 하부 유리판(14)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 벽전하(Wall Charge)를 형성하는 유전체층(18)과, 유전체층(18)의 상부에 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(8)과, 플라즈마 방전으로 발생된 빛에 의해 여기되어 발광하는 형광체(6)와, 상부유리판(16)의 상부에 형성된 투명전극(4)과, 상기 상부유리판(16) 및 투명전극(4)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 벽전하를 형성하는 유전체층(12)과, 유전체층(12)의 상부에 도포된 방전에 의한 스퍼터링으로부터 유전체층(12)을 보호하는 보호막(10)을 구비한다. 어드레스 전극(2) 및 투명전극(4)에 소정의 구동전압(예를들어 200V)이 인가되면, 방전셀의 내부에는 어드레스전극(2)에서 방출된 전자에 의해 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이를 상세히 설명하면, 전극에서 방출된 전자가 방전셀에 봉입된 He+Xe 가스 또는 Ne+Xe 가스의 원자와 충돌하여 상기 가스의 원자들을 이온화 시켜면서 2차전자의 방출이 일어나며 이때의 2차전자는 가스의 원자들과 충돌을 반복하면서 차례로 원자를 이온화 해간다. 즉, 전자와 이온이 배로 증가하는 애벌런치(Avalanche)과정에 들어간다. 상기 애벌런치 과정에서 발생된 빛이 적색(Red; 이하 "R"라 함), 녹색(Green; 이하 "G"라 함), 청색(Blue;이하 "B"라 함)의 형광체를 여기 발광하게 되며 상기 형광체에서 발광된 R,G,B의 빛은 보호막(10), 유전체층(12) 및 투명전극(4)을 경유하여 상부유리판(16)으로 진행되어 문자 또는 그래픽을 표시하게 된다. 한편, 상기 격벽(8)은 스트라이프(stripe) 형상으로 형성되어 각각의 방전셀을 분할함과 아울러, 형광체(6)에서 발광된 빛을 상부유리판(16) 쪽으로 반사시키게 된다.
도 2 내지 도 5를 참조하여 종래기술에 따른 격벽의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다. 격벽은 페이스트(Paste) 또는 슬러리(Slurry)를 유전체층이 형성된 유리기판상에 스크린 프린터법, 샌드블라스트법, 첨가법 및 몰드법등에 의해 제조되어진다. 이하, 상기 방법들에 대해서 살펴보기로 한다.
도 2를 참조하면, 스크린 프린트법(Screen Print Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.
유리기판(14)의 상부에 스크린(도시되지 않음)을 정위치 시킨다. (제1 단계) 유전체후막(18)이 형성된 유리기판(14)에 패턴을 형성하기 위해 스크린(도시되지 않음)을 정위치 시킨다. 페이스트(20)를 소정의 두께로 유리기판에 도포한후, 소정시간 건조시킨다. (제2 단계) 스크린의 상부에 페이스트(20)를 위치시킨후 롤러(도시되지 않음) 등을 이용하여 페이스트(20)를 유리기판(14)의 상부에 소정의 두께로 도포한후, 건조시킨다. 이 경우, 도 2의 (a)에 도시된바와같이 소정의 높이를 갖는 페이스트(20)가 형성되어 있다. 제1 및 제2 단계를 반복 수행하여 소정의 두께를 갖는 격벽(8)을 형성한다. (제3 단계) 제1 및 제2 단계를 반복적으로 수행함에 의해 도 2의 (b),(c)에 도시된 바와같이 격벽(8)의 높이가 증가하게 된다. 이에따라, 도 2의 (d)에 도시된 바와같이 소정의 두께(예를들어, 150 - 200㎛)를 갖는 격벽을 형성하게 된다. 상기 스크린 프린팅법은 공정이 간단하고 제조단가가 낮은 장점이 있으나, 스크린과 기판의 위치조정을 하고 인쇄와 건조를 수회 되풀이하는 공정이 필요로 하게되어 제조시간이 많이 소요될뿐만 아니라 반복작업시 스크린과 기판의 위치가 어긋나 격벽의 형상정도가 저하되므로 고해상도의 격벽을 제작하는데 어려움이 있다.
도 3을 참조하면, 샌드 블라스트법(Sand Blast Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.
유리기판(14)의 상부에 페이스트(20), 라미네이트(24)를 순차적으로 도포한다 (제11 단계) 도 3의 (a)에 도시된 바와같이 유리기판(14)의 상부에 소정두께(예를들어, 150 - 200㎛)로 페이스트(20)를 도포한다. 이어서, 도 3의 (b)에 도시된 바와같이 페이스트(20)의 상부에 라미네이트(24)를 적층한다. 이때, 라미네이트는 포토 레지스트 또는 슬러리에 유기물 또는 무기물을 소정비율로 첨가하여 테이프(Tape)의 형태로 제작된 것을 의미하며, 상기 유기물 또는 무기물의 조성에 의해 감광성을 가지게 된다. 사진식각법에 의해 패턴을 형성한다. (제12 단계) 도 3의 (c)에 도시된 바와같이 라미네이트(24)의 상부에 마스크(22)를 정위치시킨후 패턴을 형성한다. 이어서, 도 3의 (d)에 도시된 바와같이 사진식각법에 의한 패턴의 불필요한 부분을 식각한다. 상기 패턴에 연마제를 분사하여 패턴이 형성되지 않은 부분의 페이스트(20)를 제거시킨다. (제13 단계) 도 3의 (e)에 도시된 바와같이 연마제를 분사하여 불필요한 부분의 페이스트(20)를 제거시킨다. 상기 페이스트 상부의 라미네이트(24)를 제거한다. (제14 단계) 도 3의 (f)에 도시된 바와같이 페이스트(20) 상부의 라미네이트(24)를 제거하여 격벽(8)을 형성한다. 상기 샌드 블라스트법은 대면적의 기판에 격벽을 용이하게 형성할수 있는 장점이 있으나, 고속으로 날아가는 연마제는 방향성이 약하여 격벽의 측면을 연마시키게 되므로 격벽의 높이가 제한되는 문제점이 도출되고 있다.
도 4를 참조하면, 첨가법(Additive Method)에 따른 격벽 제조방법이 도시되어 있다.
유리기판(14)의 상부에 라미네이트(24)를 적층한다. (제21 단계) 도 4의 (a)에 도시된 바와같이 유리기판(14)의 상부에 소정의 두께를 갖는 라미네이트(24)를 적층한다. 이때, 라미네이트는 포토 레지스트 또는 슬러리에 유기물 또는 무기물을 소정비율로 첨가하여 테이프(Tape)의 형태로 제작된 것을 의미하며, 상기 유기물 또는 무기물의 조성에 의해 감광성을 가지게 된다. 사진식각법에 의해 패턴을 형성한다. (제22 단계) 도 4의 (b)에 도시된 바와같이 라미네이트(24)의 상부에 마스크(22)를 이용하여 패턴을 형성한다. 이어서, 도 4의 (c)에 도시된 바와같이 사진식각법에 의해 형성된 패턴의 불필요한 부분을 식각한다. 라미네이트(24)가 제거된 부분에 페이스트(20)를 도포한후, 페이스트(20)와 인접한 라미네이트(24)를 제거한다. (제23 단계) 도 4의 (d)에 도시된 바와같이 라미네이트(24)가 제거된 부분에 소정의 두께로 페이스트(20)를 도포한다. 제21 내지 제23 단계를 반복수행하여 소정의 두께(예를들어, 150 - 200㎛)를 갖는 격벽(8)을 형성하게 된다. (제24 단계) 제21 내지 제23 단계를 반복 수행함에 의해 도 4의 (e)에 도시된 바와같이 소정의 두께를 갖는 격벽(8)을 형성하게 된다. 첨가법(Additive)은 미세한 형상의 격벽형성이 가능하고 대면적의 기판제작에 적합한 장점이 있으나, 격벽의 높이가 100㎛ 이상의 패턴을 도포할 경우 제조시간이 길게 소요될뿐만 아니라 격벽용 페이스트와 감광성 페이스트의 완전한 분리가 어려워 찌꺼기가 남게되는 문제점이 있다. 또한, 형성된 패턴이 허물어지거나 소성시에 격벽에 균열이 발생하는 문제점들이 도출되고 있다.
도 5를 참조하면, 몰드를 이용한 격벽 제조방법이 도시되어있다.
하부기판(14)의 상부에 전극패턴(28)을 형성한다. (제31 단계) 도 5의 (a)에 도시된 바와같이 하부기판(14)의 상부에 전극패턴(28)을 형성한다. 이 경우, 전극패턴(28')은 방전공간의 하부에 위치하도록 배치되어 있다. 하부기판(14)의 상부에 격벽형상의 홈을 갖는 몰드(26)를 접합시킨다. (제32 단계) 도 5의 (b)에 도시된 바와같이 하부기판(14)의 상부에 접합층(27)을 부착시킨다. 이어서, 접합층(27)의 상부에 몰드(26)를 정위치 시킨후 접합층(27)에 부착시킨다. 이에따라, 하부기판(14)에 몰드(26)가 밀착 고정되어진다. 상기 몰드(26)의 격벽형상의 홈에 격벽재를 충진시킨다. (제33 단계) 상기 하부기판(14)이 부착된 몰드(26)를 격벽재(20')에 침전시킴에 의해 몰드(26)의 격벽형상의 홈에는 격벽재(20')가 충진되게 된다. 몰드(26)를 제거한후, 격벽을 형성한다. (제34 단계) 몰드(26) 및 격벽재(20')를 소정의 온도로 소성하여 몰드(26)를 제거할수 있게 된다. 이때, 몰드(26)와 하부기판(14)이 분리되므로 격벽(8)을 형성하게 된다. 몰드법은 몰드에 격벽재를 충진할 경우 격벽재가 몰드에 균일하게 충진되기 어려울뿐만 아니라 소성시에 몰드의 잔류물이 격벽과 하부기판상에 잔존하게 되는 문제점이 도출되고 있다.
상술한 종래의 격벽 제조방법들에 의해서는 고종횡비의 격벽을 형성하기 어려운 문제점이 있다.
한편, 상기와 같은 격벽에 전극을 형성할 필요가 있을 경우 이러한 필요를 충족시키기 어려운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 고종횡비를 갖는 격벽에 격벽전극을 형성하는 플라즈마 표시소자 제조방법을 제공 하는데 있다.
도 1은 종래의 플라즈마 표시장치의 구조를 도시한 사시도.
도 2는 스크린 프린트법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.
도 3은 샌드 블라스트법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.
도 4는 첨가법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.
도 5는 몰드법에 의한 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 표시소자의 격벽 제조방법을 수순에 따라 도시한 도면.
도 7은 도 6의 격벽에 형성된 전극을 상세하게 도시한 도면.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＞
2,28 : 어드레스 전극 4 : 투명전극
6 : 형광체 8,38 : 격벽
10 : 보호층 12,18 : 유전체층
14,34 : 하부유리판 16 : 상부유리판
20 : 페이스트 22 : 마스크
24 : 라미네이트 26 : 몰드
30 : 희생층 32,32' : 격벽층
36 : 감광재 40 : 적층구조물 편
42 : 측면지지편 44 : 얼라인 키
50 : 적층구조물
52 내지 60 : 전극패턴
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 플라즈마 표시소자 제조방법은 격벽층과 희생층의 적층전에 상기 격벽층에 전극층을 형성하여 격벽전극을 마련한다.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 표시소자 제조방법을 설명하기위한 도면이 도시되어 있다.
격벽층(32)의 양면에 제1 및 제2 전극(52,54)을 형성한다. (제41 단계) 격벽층(32)은 저온소결체 그린시트를 소정의 온도(예를들면, 400 - 600℃)로 소성함에 의해 완전소결되게 형성된다. 저온소결체 그린시트는 닥터 블레이드법에 의해 형성되게 된다. 이를 상세히 설명하면, 저온소결체 그린시트는 세라믹분말과 유기 바인더가 소정의 비율로 혼합한 슬러리를 닥터 블레이드법을 이용하여 얇은막의 형태로 제작된다. 이 경우, 세라믹 분말로는 SiO2, PbO, CdO, B2O3, ZnO 또는 Al2O3등이 사용된다. 또한, 도 6의 (a)에 도시된 바와같이 격벽층(32)의 일측면에 제1 전극(52)을 인쇄한다. 이때, AC PDP에 적용시 제1 전극(52)은 주사/유지전극으로 사용할수도 있을 것이다. 이어서, 도 6의 (b)에 도시된 바와같이 격벽층(32)의 타측면에 제2 전극(54)을 인쇄한다. 이때, AC PDP에 적용시 제2 전극(54)은 공통유지전극으로 사용할수도 있을 것이다. 다음으로, 격벽층(32)을 소성함에 의해 격벽층(32)의 양면에 제1 및 제2 전극(52,54)을 형성하게 된다. 또한, 설계자의 의도에 따라 제1 및 제2 전극(52,54)의 패턴은 다양한 형태로 구현할수 있을 것이다. 또한, 설계자의 의도에 따라 제1 및 제2 전극(52,54)의 상부에 유전층(도시되지 않음)과 보호층(도시되지 않음)을 순차적으로 형성할수도 있을 것이다.
격벽층(32)과 희생층(30)을 교번적으로 적층하여 적층구조물 편(40)을 형성한다. (제42 단계) 상기 희생층(30)은 추후 상기 격벽층(32)과 선택적으로 제거가 가능한 재료를 이용하여 적층한다. 상기에 설명한 바와같은 통상의 세라믹 격벽재료는 저온 소결체 이므로 400 - 600℃에서 소결이 가능한 재료이다. 희생층의 한 예로 상기 격벽재보다 높은 소성온도를 갖는 고온소결체를 사용한다. 이는 세라믹 파우더에 금속분말등을 혼합하여 얻는 것이 가능하다. 이외에도 폴리머등 다른 재료의 사용도 가능하나 여기에서는 금속분말로 구성된 그린시트를 이용하는 희생층에 대하여 설명한다. 고온소결체 그린시트는 금속분말을 소정의 비율로 혼합한 슬러리를 닥터 블레이드법을 이용하여 얇은막의 형태로 제작된다. 이 경우, 금속분말로는 융점(Melting Point)이 3382℃인 텅스텐(W), 융점이 1668℃인 타이타늄(Ti), 융점이 1453℃인 니켈(Ni), 융점이 2610℃인 몰리브데늄(Mo) 및 융점이 1852℃인 지르코늄(Zr) 등이 사용될 수 있다. 통상적으로, 소성온도는 융점의 2/3 정도의 온도에 해당하므로 고온소결체 그린시트의 재료로 니켈(Ni)을 사용할 경우 그 소성온도는 900∼100℃가 된다. 한편, 희생층(30)의 재질로는 격벽층(32)과 서로 다른 재질이고 제거하기 용이한 재질이 바람직하다. 이들 격벽층(32)과 희생층(30)을 교번적으로 적층함에 의해 도 6의 (c)에 도시된 바와같은 적층구조물(50)을 형성하게 된다. 상기 적층구조물을 저온 소결체인 격벽층이 소결되는 온도로 열처리하게 되면 격벽층은 소결되지만 희생층은 부분 소결되므로 결합력이 약한 상태로 남아 추후 제거가 용이하나 열처리는 적층구조물을 형성하기 전이나 그 이후에 하는 것도 가능하다. 이 경우, 격벽층(32)의 두께는 격벽의 폭(Barrier rib width;Bw)에 해당하며, 희생층(30)의 두께는 방전공간의 폭(Discharge Space width;Dw)에 해당된다.
한편, 적층구조물(50)을 길이방향으로 소정의 두께로 절단하여 적층구조물 편(40)을 형성한다. 도 6의 (d)에 도시된 바와같이 적층구조물(50)의 길이 방향으로 소정의 두께(예를들면, 0.5 - 5㎜)로 점선을 따라 절단하여 제1 내지 제n 적층구조물 편(401내지 40n)을 형성하게 된다. 이 경우, 길이방향의 절단 두께는 격벽 높이에 대응하게 되므로, 설계자의 의도에 따라 격벽의 높이(예를들면, 0.5 - 5㎜)를 조절할수 있게 된다. 이에따라, 종래의 격벽 높이가 200㎛ 이하로 제한되는데 반하여 본 발명에 의하면 수㎜의 높이를 갖는 격벽을 형성하는 것이 가능해진다. 이때, 소정의 폭을 갖도록 절단된 제1 내지 제n 적층구조물 편(401내지 40n)이 도 6의 (e)에 도시되어 있다.
적층구조물 편(40)중 하부기판(34)에 접촉될 격벽층(32)에 전극 콘택부(56)를 형성한다. (제42 단계) 도 6의 (e)에 도시된 바와같이 하부기판(34)에 접촉될 격벽층(32)에 전극 콘택부(56)를 인쇄한후 적층구조물 편(40)을 소성함에 의해 전극 콘택부(56)를 형성하게 된다. 이때, 전극콘택부(56)는 하부기판(34)에 접촉되는 격벽면에 형성되며, 제1 및 제2 전극(52,54)과 각각 연결되어 있다. 또한, 설계자의 의도에 따라 제1 및 제2 전극(52,54) 인쇄후 격벽층(32)을 소정의 폭으로 절단한후 격벽층(32)에 전극콘택부(56)를 형성할수도 있을 것이다.
적층구조물 편(40)을 하부기판(34)의 상부에 정렬시킨다. (제43 단계) 먼저, 격벽층(32)의 제1 및 제2 전극(52,54)들 각각에 신호를 인가하는 제1 및 제2 전극리드부(58,60)를 하부기판(34)의 상부에 형성한다. 이에따라, 제1 전극(52)에는 제1 전극리드부(58)에서 전송되는 신호가 인가되게 되며 제2 전극(54)에는 제2 전극리드부(60)에서 전송되는 신호가 인가되게 된다. 이때, 제1 전극(52)과 제1 전극리드부(58), 제2 전극(54)과 제2 전극리드부(60)는 전극 콘택부(56)에 의해 각각 전기적으로 연결되게 된다. 이어서, 하부기판(34) 상의 격벽층(32)에 대면되는 위치에 스트라이프 형태로 프릿 글래스(Frit glass : 도시하지 않음)를 도포한다. 이어서, 하부기판(34)에 적층구조물 편(40)의 정확히 정렬될 수 있도록 얼라인키(Align Key;44)를 마련한다. 적층구조물 편(40)을 하부기판(34)의 상부에 정렬한다. 이때, 얼라인키(44)는 프릿 글래스로 이루어지며 하부기판(34) 위에 단속적으로 돌출되는 돌기 형태로 형성될수도 있을 것이다. 도 6의 (f)에 도시된 바와같이 하부기판(34) 상에 형성된 얼라인키(44)를 이용하여 적층구조물 편(40)을 정확하게 정렬시킴에 의해 격벽층(32)이 스트라이프 형상의 프릿 글래스(도시되지 않음)의 상부에 위치하게 된다. 또한, 도 6의 (g)에 도시된 바와같이 하부기판(34)의 상부에 정렬된 적층구조물 편(40)의 길이방향에 대향되는 양 측면에는 측면지지편(42)을 정렬시키게 된다. 이때, 측면지지편(42)은 전극이 형성되지 않은 격벽층(32')과 희생층(30)이 교번적으로 적층되어 형성되게 된다.
적층구조물 편(40)의 격벽층(32)을 하부기판에 접합시킨다. (제43 단계) 하부기판(34)의 상부에 고착된 적층구조물 편(40) 및 측면지지편(42)들간의 밀착성을 높이기위해 도 6의 (h)에 도시된 바와같이 4면에 일정한 힘을 인가한다. 이와동시에 소정의 온도(예를들면, 400 - 600℃)로 적층구조물 편(40) 및 측면지지편(42)을 소성시키게 된다. 이 경우, 소성온도는 프릿 글래스의 용융온도와 동일하거나 크며 희생층(30)의 소성온도 이하의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이에따라, 격벽층(32)과 프릿 글래스의 접합이 이루어져 적층구조물 편(40)의 격벽층(32)이 하부기판에 부착된다. 이때, 희생층(30)은 유기물성분만 제거되고 부분소성이 일어나게 된다.
한편, 격벽층(32)과 프릿 글래스는 진공상태, 질소분위기 소성 또는 환원 분위기에서 소성된다. 이를 상세히 설명하면, 진공소성은 유리기판(34)을 진공챔버 내에 넣은 후, 진공챔버(Vacuum chamber) 내의 공기를 빼내어 기압을 대략 10-2Torr 이하로 하여 프릿글래스의 용융온도로 유리기판(34)을 가열하게 된다. 이 경우, 진공챔버 내에 산소가 거의 존재하지 않기 때문에 희생층(30)은 산화되지 않는다. 질소분위기 소성은 노(furnace) 내에 유리기판(34)을 장착한 다음, 노 내로 질소를 주입하면서 프릿글래스의 용융온도로 가열하여 격벽층(32)과 플릿글래스가 부착된다. 이와 같은 질소분위기 소성은 산소와 희생층(30)의 접촉을 차단하기 때문에 적층구조물(40) 및 측면지지편(42)의 희생층(30)이 산화되는 것을 방지하게 된다. 환원 분위기 소성은 노 내부를 수소 등을 주입하여 환원 분위기로 유지시켜 희생층(30)의 산화를 방지하게 된다. 이와 같이 진공상태, 질소 분위기 또는 환원 분위기를 유지하는 진공챔버 또는 노 내부에 유리기판(34)을 넣어 두고 소정의 온도로 열을 가하게 된다. 이 과정에서, 프릿 글래스가 용융되어 적층구조물 편(40) 및 측면지지편의 격벽층(32)이 유리기판(34)에 부착된다. 여기에서, 격벽층(32)과 프릿글래스의 합착공정은 저온 공정에 의해 이루어 지므로 고온에 의한 유리기판(34)의 손상 또는 변형을 방지하게 된다. 또한, 희생층(30)은 부분소결되므로 도 8에 도시된 바와같이 입자간의 결합력이 약해 부스러지기 쉬운 상태로 남게 되어 이후의 공정에서 제거하기가 용이해진다. 또한, 측면지지편(42)들이 적층구조물 편(40)의 양측에서 격벽층(32)과 연접되도록 유리기판(34) 상에 부착된다.
희생층(30)을 제거한다. (제44 단계) 도 6의 (i)에 도시된 바와같이 격벽(38)의 상부에 감광재(36)를 사용한 패턴을 형성한후, 소성되지 않은 희생층(30)을 제거하게 된다. 이를 상세히 설명하면, 유리기판(34)을 금속재료만이 에칭(etching)되는 에칭용액에 침전시켜 희생층(32)을 제거시키게 된다. 에칭용액은 금속재료만을 선택적으로 에칭시키는 어떠한 용액으로도 가능하다. 이러한 에칭용액의 한 예로는 과산화수소(H2O2)를 포함한 액칭용액에 금속재료를 침전시켜 에칭시키게 되면 아래의 화학식1과 같이 산화과정을 통하여 금속재료가 에칭된다.
M(금속원소) + H2O2→ MOxO + H2O + H2↑
상기 화학식 1에 나타난 바와같이, 희생층(30)은 산화과정을 통하여 에칭되므로 이미 산화된 산화물에는 에칭이 잘 되지 않게 된다. 이에 따라, 저온소성과정에서 희생층(30)이 산화되지 않도록 진공상태, 환원 분위기 또는 질소 분위기를 유지하는 것이 바람직하다. 이러한 에칭과정에서 격벽층(32)은 SiO2, PbO, CdO, B2O3, ZnO 또는 Al2O3등의 혼합 파우더로 이루어 지므로 과산화수소(H2O2)에 대한 에칭속도가 금속재료에 비하여 현저하게 떨어지게 된다. 이로인해, 에칭시 희생층(32)만이 선택적으로 에칭된다. 에칭과정에 의해 희생층(32)이 제거되면 도 6의 (h)에서와 같이 유리기판(34) 상에 격벽(38)이 완성된다. 한편, 희생층(32)은 에칭에 의한 제거방법 뿐만 아니라 압축공기, 고압수류 등에 의해서도 선택적으로 제거될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 전극들이 형성된 플라즈마 표시소자가 도시되어 있다. 상기 제1 및 제2 전극(52,54)은 도 6의 (a), (b)과정에 의해 격벽층(32)의 양면에 전극들(52,54; 이하 "격벽전극"이라 한다)이 형성되게 된다. 또한, 전극 콘택부(56)는 도 6의 (e)과정에 의해 하부기판(34)과 접촉되는 격벽층(32)의 일면에 형성되게 된다. 또한, 제1 및 제2 전극리드부(58,60)는 도 6의 (f)과정에 의해 상기 격벽전극(52,54)에 대응하는 하부기판(34) 상에 형성된다. 이러한 과정에 의해 격벽전극 및 전극콘택부(56)가 형성된 격벽층(32)을 전극리드부(58,60)가 형성된 하부기판(34)에 정렬 및 부착함에 의해 격벽전극을 갖는 플라즈마 표시소자를 구현할수 있게 된다.
상술한 바와같이, 본 발명의 플라즈마 표시소자 제조방법은 고종횡비의 격벽을 갖는 플라즈마 표시소자에 격벽전극을 형성하는 것이 가능한 장점이 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자 라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 격벽층 및 희생층을 적층한후 이를 기판에 접합한후 상기 희생층을 제거하는 격벽을 형성하는 플라즈마 표시소자 제조방법에 있어서,
    상기 격벽층과 희생층의 적층전에 상기 격벽층에 전극층을 형성하여 격벽전극을 마련하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽층에 격벽전극을 형성하는 단계가,
    상기 격벽층의 일측면에 제1 전극을 형성하는 단계와,
    상기 격벽층의 타측면에 제2 전극을 형성하는 단계와,
    상기 제1 및 제2 전극을 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽층에 형성된 격벽전극에 연결되도록 상기 기판과 접촉되는 격벽층의 일면에 전극콘택부를 형성하는 단계와,
    상기 전극콘택부를 소성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 격벽층과 희생층의 적층물을 기판에 접합하기 전에 상기 하부기판에 상기 격벽전극에 대응하도록 전극리드부를 형성하는 단계와,
    상기 하부기판에 프릿글래스를 도포하는 단계와,
    상기 하부기판에 얼라인키를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전극층의 상부에 유전층 및 보호층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자 제조방법.
KR1019990036722A 1999-08-31 1999-08-31 플라즈마 표시소자 제조방법 KR100333413B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990036722A KR100333413B1 (ko) 1999-08-31 1999-08-31 플라즈마 표시소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990036722A KR100333413B1 (ko) 1999-08-31 1999-08-31 플라즈마 표시소자 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010020037A true KR20010020037A (ko) 2001-03-15
KR100333413B1 KR100333413B1 (ko) 2002-04-24

Family

ID=19609544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990036722A KR100333413B1 (ko) 1999-08-31 1999-08-31 플라즈마 표시소자 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100333413B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100333413B1 (ko) 2002-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100295112B1 (ko) 플라즈마표시장치용하부기판
JP3860673B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR100333413B1 (ko) 플라즈마 표시소자 제조방법
KR100326859B1 (ko) 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법
KR100326532B1 (ko) 표시소자용 스페이서 부재의 제조방법
KR100612511B1 (ko) 격벽전극을 갖는 플라즈마 표시소자 및 그 제조방법
JP3472415B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR100414055B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법
JP3125126B2 (ja) プラズマディスプレイパネルの障壁形成方法
KR100335464B1 (ko) 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법
KR100293512B1 (ko) 플라즈마표시장치용격벽제조방법
JP3057891B2 (ja) プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP3152628B2 (ja) 導体膜上への透明厚膜誘電体の形成方法
KR100444514B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 및 그의 제조방법
JP2004288401A (ja) 平板型表示装置
KR100226862B1 (ko) 칼라 플라즈마 디스플레이 패널의 하판구조 및 전극 형성방법
KR20040012432A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP3539078B2 (ja) プラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法
JPH08129958A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
KR100433220B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 제조방법
JPH11135026A (ja) プラズマディスプレイパネル
JP2001185038A (ja) プラズマ表示装置用基板
JPH11162362A (ja) プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR100582199B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 하판 및 그의 제조방법
KR20000055634A (ko) 플라즈마 표시장치용 격벽 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070329

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee