KR20010019862A - Duty cycle generator - Google Patents

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KR20010019862A
KR20010019862A KR1019990036517A KR19990036517A KR20010019862A KR 20010019862 A KR20010019862 A KR 20010019862A KR 1019990036517 A KR1019990036517 A KR 1019990036517A KR 19990036517 A KR19990036517 A KR 19990036517A KR 20010019862 A KR20010019862 A KR 20010019862A
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duty cycle
voltage
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nmos
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KR1019990036517A
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Inventor
류인효
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윤종용
삼성전자 주식회사
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    • H03K3/01Details
    • H03K3/017Adjustment of width or dutycycle of pulses

Abstract

PURPOSE: A generator of duty cycle is provided to produce exactly 50% duty cycles without doubling the frequency of the voltage control oscillator through an amplifying process. CONSTITUTION: A generator of 50% duty cycle includes three inverters(10,20,30) connected in parallel between a power supply voltage source(VDD) and an earth voltage source(GND). Each inverter(10,20,30) includes a PMOS transistor(MP1,MP2,MP3) and a NMOS transistor(MN1,MN2,MN3) whose current lines are connected in a series. Here, the node(N3) of the drains of the third PMOS(MP3) and the third NMOS(MN3) makes a feedback loop by being connected to the node(N1) shared by the gates of the first PMOS(MP1) and the first NMOS(MN1). And a control voltage(Vctrl) occurs at the third node(N3) connected both to the drains of the third PMOS(MP3) and the first NMOS(MN3) of the third invertor(30). This control voltage(Vctrl) is feedbacked to the gates of the first PMOS(MP1) and first NMOS(MN1) of the first invertor(10). Between the control voltage(Vctrl) and the ground voltage(GND), the first resistance(R1) and the first capacitor(C1) come in a series. An input signal of the generator of 50% duty cycle is given to the first node(N1) and the second node(N2) produces an output signal.

Description

듀티 사이클 발생기{DUTY CYCLE GENERATOR}Duty cycle generator {DUTY CYCLE GENERATOR}

본 발명은 시스템 클럭 발생기에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 50% 듀티 사이클 발생기에 관한 것이다.The present invention relates to a system clock generator, and more particularly to a 50% duty cycle generator.

데이터의 정확한 송수신을 위해서는 출력되는 데이터의 각 비트의 유지 시간이 일정하여야 한다. 이렇게 하려면 데이터의 전송 주파수와 동일한 주파수를 갖는 정확한 50% 듀티 사이클(duty cycle)을 가지는 시스템이 필요하다.In order to transmit and receive data accurately, the retention time of each bit of output data must be constant. This requires a system with an accurate 50% duty cycle with the same frequency as the transmission frequency of the data.

도 1은 듀티 사이클을 구하는 방법을 보여주기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 듀티 사이클은 어떤 주기 신호가 있을 때, T1/(T1+T2)로 정의된다. 따라서, 50% 듀티 사이클이란, T1과 T2가 같은 경우를 의미한다.1 is a diagram illustrating a method of obtaining a duty cycle. Referring to Fig. 1, the duty cycle is defined as T1 / (T1 + T2) when there is a certain periodic signal. Thus, the 50% duty cycle means that T1 and T2 are the same.

종래에는, 이 시스템 클럭을 만들기 위해 전압 제어 발진기를 전송 주파수의 두 배의 주파수로 발진시키고, 주파수 분주기로 이 신호의 주파수를 반으로 낮추는 방법을 사용한다. 그러나, 종래의 방법은 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시켜야 하는 부담이 따르는 문제가 있다.Conventionally, a method of oscillating a voltage controlled oscillator at a frequency twice the transmission frequency and using the frequency divider to reduce the frequency of this signal in half to make this system clock is used. However, the conventional method suffers from the burden of oscillating the voltage controlled oscillator at twice the frequency.

따라서, 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시키지 않고도 정확한 50% 듀티 사이클을 발생시킬 수 있는 시스템이 요구된다.Thus, what is needed is a system that can generate an accurate 50% duty cycle without oscillating the voltage controlled oscillator at twice the frequency.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시키지 않고도 정확한 50% 듀티 사이클을 발생시킬 수 있는 듀티 사이클 발생기를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a duty cycle generator capable of generating an accurate 50% duty cycle without oscillating a voltage controlled oscillator at twice the frequency, which has been proposed to solve the above-mentioned problems.

도 1은 듀티 사이클을 구하는 방법을 보여주기 위한 도면;1 is a diagram illustrating a method of obtaining a duty cycle;

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 50% 듀티 사이클 발생기를 보여주기 위한 도면;2 shows a 50% duty cycle generator in accordance with a preferred embodiment of the present invention;

도 3A는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 입력 신호를 보여주기 위한 도면;3A is a diagram to show an input signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2;

도 3B는 도 3A의 입력 신호에 따른 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 출력 신호를 보여주기 위한 도면;3B is a diagram for showing an output signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2 in accordance with the input signal of FIG. 3A;

도 3C는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 제어 전압(Vctrl)을 보여주기 위한 도면;3C is a diagram to show the control voltage Vctrl of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2;

도 4A는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 입력 신호를 보여주기 위한 도면;4A is a diagram to show an input signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2;

도 4B는 도 4A의 입력 신호에 따른 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 출력 신호를 보여주기 위한 도면; 그리고4B is a diagram for showing an output signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2 according to the input signal of FIG. 4A; And

도 4C는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 제어 전압(Vctrl)을 보여주기 위한 도면.4C is a diagram to show the control voltage Vctrl of the 50% duty cycle generator shown in FIG.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 제 1 인버터 20 : 제 2 인버터10: first inverter 20: second inverter

30 : 제 3 인버터 40 : 제 1 전류원30: third inverter 40: first current source

50 : 제 2 전류원 100 : 50% 듀티 사이클 발생기50: second current source 100: 50% duty cycle generator

상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 듀티 사이클 발생기는: 전원 전압을 공급하기 위한 제 1 전압원과; 접지 전압을 공급하기 위한 제 2 전압원과; 상기 제 1 및 제 2 전압원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 1 인버터와; 상기 제 1 및 제 2 전압원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 2 인버터와; 상기 제 1 전압원에 직렬로 연결된 제 1 전류원과; 상기 제 2 전압원에 직렬로 연결된 제 2 전류원과; 상기 제 1 및 제 2 전류원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 3 인버터와; 상기 제 1 인버터의 상기 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 2 인버터의 상기 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 입력 신호를 받아들이기 위한 제 1 노드와; 상기 제 2 인버터의 상기 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 출력 신호를 발생하기 위한 제 2 노드와; 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 1 인버터의 상기 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 제어 전압을 발생하고, 이를 상기 제 1 인버터로 피드백하기 위한 제 3 노드; 그리고 상기 제 3 노드와 상기 제 2 전압원 사이에 직렬로 연결된 제 1 저항과 제 1 캐패시터를 포함한다. 여기서, 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들은 상기 제 3 노드의 전압을 충전 또는 방전하여 상기 제어 전압을 발생하기 위한 스위치 역할을 수행한다.According to a feature of the invention for achieving the object of the invention as described above, the duty cycle generator comprises: a first voltage source for supplying a power supply voltage; A second voltage source for supplying a ground voltage; A first inverter comprising a first PMOS transistor and a first NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second voltage sources; A second inverter including a second PMOS transistor and a second NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second voltage sources; A first current source connected in series with said first voltage source; A second current source connected in series with said second voltage source; A third inverter including a third PMOS transistor and a third NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second current sources; A drain connected to the drains of the first PMOS transistor and the first NMOS transistors of the first inverter and the gates of the second PMOS transistor and the second NMOS transistors of the second inverter in common to receive an input signal; 1 node; A second terminal connected in common with the drains of the second PMOS transistor and the second NMOS transistors of the second inverter and the gates of the third PMOS transistor and the third NMOS transistors of the third inverter to generate an output signal; 2 nodes; The drains of the third and third NMOS transistors of the third inverter and the gates of the first and first NMOS transistors of the first inverter are commonly connected to generate a control voltage. A third node for feeding back to the first inverter; And a first resistor and a first capacitor connected in series between the third node and the second voltage source. Here, the third PMOS transistor and the third NMOS transistors of the third inverter serve as a switch for generating the control voltage by charging or discharging the voltage of the third node.

(실시예)(Example)

이하 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면 도 2 내지 도 4C를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 through 4C.

본 발명의 신규한 50% 듀티 사이클 발생기는 전원 전압원과 접지 전압원 사이에 병렬로 연결된 제 1 내지 제 3 인버터를 포함한다. 이 인버터들은 각각 전류 통로가 직렬로 연결된 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터를 포함한다. 특히, 제 3 인버터와 전원 전압원, 그리고 제 3 인버터와 접지 전압원 사이에는 제 3 인버터를 충전 또는 방전시키기 위한 제 1 및 제 2 전류 공급원이 각각 연결된다. 이 제 3 인버터의 충전 또는 방전된 결과에 따라 제어 전압이 발생되며, 이 제어 전압은 제 1 인버터로 피드백 되어 최종적인 출력 전압이 50%의 듀티 사이클을 가지도록 제어한다.The novel 50% duty cycle generator of the present invention includes first to third inverters connected in parallel between a power supply voltage source and a ground voltage source. These inverters each include a PMOS transistor and an NMOS transistor in which current paths are connected in series. In particular, first and second current sources for charging or discharging the third inverter are connected between the third inverter and the power supply voltage source and between the third inverter and the ground voltage source, respectively. The control voltage is generated according to the result of charging or discharging of the third inverter, and the control voltage is fed back to the first inverter to control the final output voltage to have a duty cycle of 50%.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)를 보여주기 위한 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터로 이루어진 제 1 내지 제 3 인버터(inverter)들(10, 20, 30)을 포함한다. 제 1 인버터(10)는 전류 통로가 직렬로 연결된 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)로 구성되고, 제 2 인버터(20)는 전류 통로가 직렬로 연결된 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2)와 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)로 구성되며, 제 3 인버터(30)는 전류 통로가 직렬로 연결된 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3)와 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)로 구성된다.2 is a diagram illustrating a 50% duty cycle generator 100 according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the 50% duty cycle generator 100 according to the present invention includes first to third inverters 10, 20, and 30 composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor. The first inverter 10 includes a first PMOS transistor MP1 and a first NMOS transistor MN1 having a current path connected in series, and the second inverter 20 has a second PMOS transistor (with a current path connected in series). The third inverter 30 includes a third PMOS transistor MP3 and a third NMOS transistor MN3 having a current path connected in series.

제 1 내지 제 3 인버터(10, 20, 30)들은 각각 전원 전압(VDD)과 접지 전압(GND) 사이에 병렬로 연결된다. 특히, 제 3 인버터(30)를 구성하고 있는 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3)의 소오스와 전원 전압(VDD) 사이에는 제 1 전류 공급원(40)이 연결된다. 그리고, 제 3 인버터(30)의 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)의 소오스와 접지 전압(GND) 사이에는 제 2 전류 공급원(50)이 연결된다.The first to third inverters 10, 20, and 30 are connected in parallel between the power supply voltage VDD and the ground voltage GND, respectively. In particular, the first current source 40 is connected between the source of the third PMOS transistor MP3 constituting the third inverter 30 and the power supply voltage VDD. The second current source 50 is connected between the source of the third NMOS transistor MN3 of the third inverter 30 and the ground voltage GND.

제 1 인버터(10)를 구성하고 있는 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1) 및 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 드레인의 연결점(즉, 제 1 노드(N1))은, 제 2 인버터(20)를 구성하고 있는 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2) 및 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)의 게이트들과 공통으로 연결된다. 마찬가지로, 제 2 인버터(20)를 구성하고 있는 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2) 및 제 2 NMOS 트랜지스터(MN2)의 드레인의 연결점(즉, 제 2 노드(N2))은, 제 3 인버터(30)를 구성하고 있는 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3) 및 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)의 게이트들과 공통으로 연결된다.The connection point (ie, the first node N1) of the drain of the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 constituting the first inverter 10 constitutes the second inverter 20. Are connected to the gates of the second PMOS transistor MP2 and the second NMOS transistor MN2. Similarly, the connection point (that is, the second node N2) of the drain of the second PMOS transistor MP2 and the second NMOS transistor MN2 constituting the second inverter 20 connects the third inverter 30. The gates of the third PMOS transistor MP3 and the third NMOS transistor MN3 are commonly connected.

그리고, 제 3 인버터(10)의 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3) 및 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)의 드레인들이 만나는 연결점은 제 1 인버터(10)의 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1) 및 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트들에 연결되는 피드백 루프를 형성한다. 여기서, 제 3 인버터(10)의 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3) 및 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)의 드레인들이 만나는 연결점인 제 3 노드(N3)에서는 제어 전압(Vctrl)이 발생되며, 이 제어 전압(Vctrl)은 제 1 인버터(10)의 제 1 PMOS 트랜지스터(MP1) 및 제 1 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트로 피드백 된다. 이 제어 전압(Vctrl)과 접지 전압(GND) 사이에는 제 1 저항(R1)과 제 1 캐패시터(C1)가 직렬로 연결된다. 상기 제 1 노드(N1)에는 본 발명에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)의 입력 신호가 인가되며, 제 2 노드(N2)에는 본 발명에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)의 출력 신호가 발생된다.In addition, a connection point where the drains of the third PMOS transistor MP3 and the third NMOS transistor MN3 of the third inverter 10 meet each other may be connected to the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor (1) of the first inverter 10. Forming a feedback loop connected to the gates of MN1). Here, the control voltage Vctrl is generated at the third node N3, which is a connection point where the drains of the third PMOS transistor MP3 and the third NMOS transistor MN3 of the third inverter 10 meet. Vctrl is fed back to the gates of the first PMOS transistor MP1 and the first NMOS transistor MN1 of the first inverter 10. The first resistor R1 and the first capacitor C1 are connected in series between the control voltage Vctrl and the ground voltage GND. An input signal of the 50% duty cycle generator 100 according to the present invention is applied to the first node N1, and an output signal of the 50% duty cycle generator 100 according to the present invention is applied to the second node N2. Is generated.

먼저, 상기 제 1 노드(N1)를 통해 만약 50% 미만의 듀티 사이클을 가지는 신호가 입력되었을 경우의 상기 50% 듀티 사이클 발생기(100)의 동작은 다음과 같다.First, the operation of the 50% duty cycle generator 100 when a signal having a duty cycle of less than 50% is input through the first node N1 is as follows.

도 3A는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 입력 신호를 보여주기 위한 도면이고, 도 3B는 도 3A의 입력 신호에 따른 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 출력 신호를 보여주기 위한 도면이다. 그리고, 도 3C는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 제어 전압(Vctrl)을 보여주기 위한 도면이다.FIG. 3A is a diagram for showing an input signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2, and FIG. 3B is a diagram for showing an output signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2 according to the input signal of FIG. 3A. Drawing. 3C is a diagram for illustrating a control voltage Vctrl of the 50% duty cycle generator illustrated in FIG. 2.

도 3A를 참조하면, 입력 신호는 20%의 듀티 사이클을 가진다. 이 경우, 상기 제 2 노드(N2)에서의 듀티 사이클은 50% 보다 작게 되며, 제어 전압(Vctrl)의 레벨은 올라가게 된다. 여기서, 제 3 인버터(30)의 제 3 PMOS 트랜지스터(MP3) 및 제 3 NMOS 트랜지스터(MN3)는 스위치 역할을 수행한다. 앞에서 설명한 바와 같이, 상기 제어 전압(Vctrl)의 레벨이 어느 정도 올라가게 되면 제 1 노드(N1)에서 제 1 트랜지스터(MN1)의 저항 값이 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2)의 저항 값 보다 작아지게 된다. 그 결과 제 1 노드(N1)의 전압 레벨의 평균값은 초기보다 작아지게 된다. 따라서, 제 2 노드(N2)의 듀티 사이클은 커지게 된다.Referring to Figure 3A, the input signal has a duty cycle of 20%. In this case, the duty cycle at the second node N2 is smaller than 50%, and the level of the control voltage Vctrl is increased. Here, the third PMOS transistor MP3 and the third NMOS transistor MN3 of the third inverter 30 serve as a switch. As described above, when the level of the control voltage Vctrl increases to some extent, the resistance value of the first transistor MN1 becomes smaller than the resistance value of the second PMOS transistor MP2 at the first node N1. . As a result, the average value of the voltage levels of the first node N1 becomes smaller than the initial stage. Therefore, the duty cycle of the second node N2 becomes large.

최종적으로, 상기 제어 전압(Vctrl)은 도 3C에 도시된 바와 같이 임의의 값(예를 들면, 1.674V)으로 안정화되며, 이 때 제 2 노드(N2)에서의 출력 신호는 도 3B에 도시된 바와 같이 50%의 듀티 사이클에 근접하게 된다. 앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)는 50% 미만의 듀티 사이클을 가지는 입력 신호가 입력되더라도, 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시키지 않고도 정확한 50% 듀티 사이클을 발생시킬 수 있다.Finally, the control voltage Vctrl is stabilized to an arbitrary value (for example, 1.674 V) as shown in FIG. 3C, wherein the output signal at the second node N2 is shown in FIG. 3B. As near to 50% duty cycle. As described above, the 50% duty cycle generator 100 according to the present invention performs an accurate 50% duty cycle without oscillating the voltage controlled oscillator at twice the frequency even when an input signal having a duty cycle of less than 50% is input. Can be generated.

다음으로, 상기 제 1 노드(N1)를 통해 만약 50% 이상의 듀티 사이클을 가지는 신호가 입력되었을 경우의 상기 50% 듀티 사이클 발생기(100)의 동작은 다음과 같다.Next, when a signal having a duty cycle of 50% or more is input through the first node N1, the operation of the 50% duty cycle generator 100 is as follows.

도 4A는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 입력 신호를 보여주기 위한 도면이고, 도 4B는 도 4A의 입력 신호에 따른 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 출력 신호를 보여주기 위한 도면이다. 그리고 도 4C는 도 2에 도시된 50% 듀티 사이클 발생기의 제어 전압(Vctrl)을 보여주기 위한 도면이다.4A is a diagram for showing an input signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2, and FIG. 4B is a diagram for showing an output signal of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2 according to the input signal of FIG. 4A. Drawing. 4C is a diagram illustrating the control voltage Vctrl of the 50% duty cycle generator shown in FIG. 2.

도 4A를 참조하면, 입력 신호는 80%의 듀티 사이클을 가진다. 이 경우, 상기 제 2 노드(N2)에서의 듀티 사이클은 50% 보다 크게 되며, 제어 전압(Vctrl)의 레벨은 낮아지게 된다. 상기 제어 전압(Vctrl)의 레벨이 어느 정도 낮아지게 되면 제 1 노드(N1)에서 제 1 트랜지스터(MN1)의 저항 값이 제 2 PMOS 트랜지스터(MP2)의 저항 값 보다 크게 된다. 그 결과 제 1 노드(N1)의 전압 레벨의 평균값은 초기보다 커지게 된다. 따라서, 제 2 노드(N2)의 듀티 사이클은 작아지게 된다.4A, the input signal has a duty cycle of 80%. In this case, the duty cycle at the second node N2 is greater than 50%, and the level of the control voltage Vctrl is lowered. When the level of the control voltage Vctrl is lowered to some extent, the resistance value of the first transistor MN1 is greater than the resistance value of the second PMOS transistor MP2 at the first node N1. As a result, the average value of the voltage levels of the first node N1 becomes larger than the initial stage. Therefore, the duty cycle of the second node N2 becomes small.

그에 따라, 상기 제어 전압(Vctrl)은 도 4C에 도시된 바와 같이 임의의 값(예를 들면, 1.271V)으로 안정화되며, 이 때 제 2 노드(N2)에서의 출력 신호는 도 4B에 도시된 바와 같이 50%의 듀티 사이클에 근접하게 된다. 앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 50% 듀티 사이클 발생기(100)는 50% 이상의 듀티 사이클을 가지는 입력 신호가 입력되더라도, 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시키지 않고도 정확한 50% 듀티 사이클을 발생시킬 수 있다.Accordingly, the control voltage Vctrl is stabilized to an arbitrary value (for example, 1.271 V) as shown in FIG. 4C, where the output signal at the second node N2 is shown in FIG. 4B. As near to 50% duty cycle. As described above, even if an input signal having a duty cycle of 50% or more is input, the 50% duty cycle generator 100 according to the present invention generates an accurate 50% duty cycle without oscillating the voltage controlled oscillator at twice the frequency. You can.

이상에서, 본 발명에 따른 회로의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the circuit according to the present invention are shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely described, for example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. .

이상과 같은 본 발명에 의하면, 50% 미만 또는 50% 이상의 듀티 사이클을 가지는 입력 신호가 입력되더라도, 전압 제어발진기를 두 배의 주파수로 발진시키지 않고도 정확한 50% 듀티 사이클을 발생시킬 수 있다.According to the present invention as described above, even if an input signal having a duty cycle of less than 50% or more than 50% is input, it is possible to generate an accurate 50% duty cycle without oscillating the voltage controlled oscillator at twice the frequency.

Claims (2)

듀티 사이클 발생기에 있어서:For duty cycle generators: 전원 전압을 공급하기 위한 제 1 전압원과;A first voltage source for supplying a power supply voltage; 접지 전압을 공급하기 위한 제 2 전압원과;A second voltage source for supplying a ground voltage; 상기 제 1 및 제 2 전압원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 1 인버터와;A first inverter comprising a first PMOS transistor and a first NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second voltage sources; 상기 제 1 및 제 2 전압원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 2 인버터와;A second inverter including a second PMOS transistor and a second NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second voltage sources; 상기 제 1 전압원에 직렬로 연결된 제 1 전류원과;A first current source connected in series with said first voltage source; 상기 제 2 전압원에 직렬로 연결된 제 2 전류원과;A second current source connected in series with said second voltage source; 상기 제 1 및 제 2 전류원 사이에 전류 통로가 직렬로 연결된 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터를 포함하는 제 3 인버터와;A third inverter including a third PMOS transistor and a third NMOS transistor connected in series with a current path between the first and second current sources; 상기 제 1 인버터의 상기 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 2 인버터의 상기 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 입력 신호를 받아들이기 위한 제 1 노드와;A drain connected to the drains of the first PMOS transistor and the first NMOS transistors of the first inverter and the gates of the second PMOS transistor and the second NMOS transistors of the second inverter in common to receive an input signal; 1 node; 상기 제 2 인버터의 상기 제 2 PMOS 트랜지스터 및 제 2 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 출력 신호를 발생하기 위한 제 2 노드와;A second terminal connected in common with the drains of the second PMOS transistor and the second NMOS transistors of the second inverter and the gates of the third PMOS transistor and the third NMOS transistors of the third inverter to generate an output signal; 2 nodes; 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들의 드레인들과, 상기 제 1 인버터의 상기 제 1 PMOS 트랜지스터 및 제 1 NMOS 트랜지스터들의 게이트들과 공통으로 연결되어 제어 전압을 발생하고, 이를 상기 제 1 인버터로 피드백하기 위한 제 3 노드; 그리고The drains of the third and third NMOS transistors of the third inverter and the gates of the first and first NMOS transistors of the first inverter are commonly connected to generate a control voltage. A third node for feeding back to the first inverter; And 상기 제 3 노드와 상기 제 2 전압원 사이에 직렬로 연결된 제 1 저항과 제 1 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 발생기.And a first capacitor and a first capacitor connected in series between the third node and the second voltage source. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 3 인버터의 상기 제 3 PMOS 트랜지스터 및 제 3 NMOS 트랜지스터들은 상기 제 3 노드의 전압을 충전 또는 방전하여 상기 제어 전압을 발생하기 위한 스위치 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 듀티 사이클 발생기.And the third PMOS transistors and third NMOS transistors of the third inverter serve as a switch for generating the control voltage by charging or discharging the voltage of the third node.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030215A (en) * 2011-06-10 2014-03-11 로저스코포레이션 Direct drive waveform generator

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