KR101153911B1 - Ring Oscillator - Google Patents

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Abstract

본 발명은 클럭 발생기에 응용되는 링 오실레이터에 대한 것이며, 특히 온도의 변화에 따라 출력 데이터의 품질 저하가 발생하지 않도록 하여 클럭 발생기의 온도 변화에 따른 특성 변화가 적도록 하는 기술에 대한 것이다.The present invention relates to a ring oscillator applied to a clock generator, and more particularly, to a technique for reducing the characteristic change caused by the temperature change of the clock generator by preventing the degradation of output data due to the temperature change.

본 발명에 따르면 전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 온도가 높아짐에 따라 그에 대응하는 낮은 전압을 출력하고, 온도가 낮아짐에 따라 높은 전압을 출력하는 제어전압 발생회로와, 인에이블 신호의 입력으로 클럭 신호를 생성하되, 상기 제어전압 발생회로로부터 제어전압을 인가받아 상기 제어전압이 상대적으로 높으면 클럭 신호의 지연을 늘이고 상기 제어전압이 상대적으로 낮으면 클럭 신호의 지연을 줄이도록 작동하는 VCO를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 오실레이터를 제공한다.According to the present invention as a means for solving the above technical problem, the present invention is a control voltage generating circuit for outputting a low voltage corresponding to the increase in temperature, and outputs a high voltage as the temperature decreases, and enable Generates a clock signal as an input of a signal, and receives a control voltage from the control voltage generating circuit and increases a delay of a clock signal when the control voltage is relatively high and decreases a delay of a clock signal when the control voltage is relatively low. It provides a ring oscillator characterized in that it comprises a VCO.

이와 같은 구성에 따라, 바이폴러 트랜지스터를 포함하는 제어전압 발생회로의 특성을 이용하여 최소한의 저렴한 회로구성을 추가하는 것만으로 온도 증가에 따라 발생하는 클럭 신호의 지연현상을 보상할 수 있게 되었다.
According to such a configuration, it is possible to compensate for the delay phenomenon of the clock signal caused by the increase in temperature only by adding a minimum inexpensive circuit configuration by using the characteristics of the control voltage generation circuit including the bipolar transistor.

링 오실레이터, 전압제어, 지연, 온도Ring Oscillator, Voltage Control, Delay, Temperature

Description

링 오실레이터 {Ring Oscillator} Ring Oscillator             

도 1은 종래의 링 오실레이터의 구성을 도시한 도면, 1 is a view showing the configuration of a conventional ring oscillator,

도 2는 본 발명에 따른 링 오실레이터에 채용되는 VCO(Voltage Controled Oscilloscope)의 동작원리를 설명하기 위한 회로도,2 is a circuit diagram for explaining the operation principle of the VCO (Voltage Controlled Oscilloscope) employed in the ring oscillator according to the present invention,

도 3은 도 2에 공급되는 제어전압을 생성하는 제어전압 생성회로의 구성예를 도시한 도면, 그리고,3 is a diagram showing an example of the configuration of a control voltage generation circuit for generating the control voltage supplied to FIG. 2;

도 4는 본 발명에 따른 링 오실레이터의 VCO와 제어전압 생성회로를 구성하는 구성예를 도시한 도면이다. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the VCO and control voltage generation circuit of the ring oscillator according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

41 : VC041: VC0

42 : 제어전압 생성회로
42: control voltage generation circuit

본 발명은 클럭 발생기에 응용되는 링 오실레이터에 대한 것이며, 특히 온도 의 변화에 따라 출력 데이터의 품질 저하가 발생하지 않도록 하여 클럭 발생기의 온도 변화에 따른 특성 변화가 적도록 하는 기술에 대한 것이다.The present invention relates to a ring oscillator applied to a clock generator, and more particularly, to a technique for reducing the characteristic change caused by the temperature change of the clock generator by preventing the quality of the output data from occurring due to the temperature change.

VLSI 공정 기술이 향상됨에 따라 회로는 온도 변화에 의해 점점 더 많은 영향을 받게 된다. 클럭 발생기 등에 사용되는 링 오실레이터(Ring Oscillator)는 이러한 온도 변화에 영향을 많이 받는 회로이다.As VLSI process technology improves, circuits are increasingly affected by temperature changes. Ring oscillators used in clock generators and the like are circuits affected by such temperature changes.

종래의 링 오실레이터는 현재 온도에 따라서는 주파수가 2배 이상까지 변하게 되는 문제로 실제 정밀도가 낮은 클럭으로도 사용하기 힘든 상황이다.The conventional ring oscillator is a problem that the frequency changes by more than two times depending on the current temperature, it is difficult to use even a clock with a low accuracy.

도 1은 종래에 사용되는 링 오실레이터의 기본 구조를 도시한 것이다. 도시한 바와 같이 종래의 링오실레이터는 신호 PWDN과 클럭 Clock를 입력받는 NOR게이트(11)와, NOR게이트(11)의 출력을 지연시켜 다시 클럭신호를 출력하는 짝수개의 인버터들(12,13,14,15)로 구성된다. NOR게이트(11)와 인버터들(12,13,14,15)는 피드백 루프를 형성한다.1 shows the basic structure of a ring oscillator used in the related art. As shown, a conventional ring oscillator has an NOR gate 11 receiving a signal PWDN and a clock clock, and even-numbered inverters 12, 13, 14 which delay the output of the NOR gate 11 and output the clock signal again. And 15). The NOR gate 11 and the inverters 12, 13, 14, and 15 form a feedback loop.

이 회로에서는 PWDN 신호가 '1'에서 '0'으로 되면, 그 신호는 하나의 NOR 게이트와 4개의 인버터를 거치면서 클럭 신호를 출력하고 NOR 게이트로 입력 '1'을 입력하게 된다. 그러면, NOR게이트로 입력된 신호 '1'에 따라 하나의 NOR 게이트와 4개의 인버터를 거치면서 클럭 신호가 '0'으로 출력되면서 입력 '0'이 다시 NOR 게이트에 제공되어 처음의 상태로 복귀하게 된다. 이처럼 PWDN이 '0'인 동안에는 위와 같은 작업의 반복에 따라 클럭 신호가 생성되게 된다.In this circuit, when the PWDN signal goes from '1' to '0', the signal outputs the clock signal through one NOR gate and four inverters and inputs the input '1' to the NOR gate. Then, the clock signal is outputted as '0' through one NOR gate and four inverters according to the signal '1' input to the NOR gate, and the input '0' is provided to the NOR gate again to return to the initial state. do. As such, while the PWDN is '0', the clock signal is generated as the above operation is repeated.

이때, 발생하는 클럭의 주기는 다음의 수학식 1으로 표현된다. At this time, the generated clock cycle is represented by the following equation (1).                         

Figure 112003029749176-pat00001
Figure 112003029749176-pat00001

수학식 1로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 클럭의 주기(T)는 인버터의 지연시간(Tinv)에 의해 영향을 많이 받는다는 사실을 확인할 수 있다. As can be seen from Equation 1, it can be confirmed that the period (T) of the clock is greatly affected by the delay time (T inv ) of the inverter.

또한, 인버터의 지연시간은 온도에 의해 영향받는 정도가 가장 크므로, 온도의 변화에 따라 인버터의 지연시간이 조금만 바뀌게 되어도 클럭의 주기(T)는 심하게 변하게 된다. 실제로 종래의 링오실레이터는 온도가 변화함에 따라 신호지연이 늘어나게 되어 신호 주기가 2배 이상 증가하게 되는 경우도 있다. 그 결과 제어처리의 정밀도를 실현할 수 없게 되는 문제를 발생시킨다.
In addition, since the delay time of the inverter is most affected by the temperature, even if the delay time of the inverter is slightly changed according to the temperature change, the clock cycle T is severely changed. In fact, in the conventional ring oscillator, the signal delay is increased as the temperature is changed, and thus the signal period may be more than doubled. As a result, there arises a problem that the precision of the control process cannot be realized.

본 발명은 전술한 바와 같이, 종래의 링오실레이터가 온도의 변화에 따라 민감하게 반응하게 되는 문제를 극복하기 위한 것으로서, VCO(Voltage Controlled Oscillator)와 바이폴라의 특성을 적용하여 링오실레이터를 구현함으로써 온도에 대한 주파수 변동을 최소화한 링오실레이터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
As described above, the present invention is to overcome the problem that the conventional ring oscillator reacts sensitively to a change in temperature, and implements a ring oscillator by applying characteristics of a voltage controlled oscillator (VCO) and a bipolar. It is an object of the present invention to provide a ring oscillator with a minimum frequency variation.

전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 온도가 높아짐 에 따라 그에 대응하는 낮은 전압을 출력하고, 온도가 낮아짐에 따라 높은 전압을 출력하는 제어전압 발생회로와, 인에이블 신호의 입력으로 클럭 신호를 생성하되, 상기 제어전압 발생회로로부터 제어전압을 인가받아 상기 제어전압이 상대적으로 높으면 클럭 신호의 지연을 늘이고 상기 제어전압이 상대적으로 낮으면 클럭 신호의 지연을 줄이도록 작동하는 VCO를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 오실레이터를 제공한다.As a means for solving the above technical problem, the present invention provides a control voltage generation circuit for outputting a low voltage corresponding to the increase in temperature, and outputs a high voltage as the temperature decreases, and an input of an enable signal. A VCO generating a clock signal, the VCO being operated to receive a control voltage from the control voltage generating circuit and to increase the delay of the clock signal if the control voltage is relatively high and to reduce the delay of the clock signal if the control voltage is relatively low. A ring oscillator is provided.

이러한 구성의 링 오실레이터를 제공함으로써, 온도의 증가에 따라 클럭 신호의 지연이 발생하는 것을 방지할 수 있다. By providing the ring oscillator of such a configuration, it is possible to prevent the delay of the clock signal from occurring with increase in temperature.

또한, 전술한 구성에서, 상기 제어전압 발생회로는 바이폴러 트랜지스터를 포함하여, 바이폴러 트랜지스터의 온도가 높아짐에 따라 낮은 전압을 출력하도록 작동하는 것이 바람직하다. In addition, in the above-described configuration, it is preferable that the control voltage generation circuit includes a bipolar transistor to operate to output a low voltage as the temperature of the bipolar transistor is increased.

이와 같은 구성에 따라, 바이폴러 트랜지스터의 특성을 이용하여 최소한의 저렴한 회로구성을 추가하는 것만으로 온도 증가에 따라 발생하는 클럭 신호의 지연현상을 보상할 수 있게 되었다.According to such a configuration, it is possible to compensate for the delay phenomenon of the clock signal caused by the temperature increase only by adding a minimum inexpensive circuit configuration by using the characteristics of the bipolar transistor.

특히, 상기 바이폴러 트랜지스터의 출력 전압은 이미터와 베이스 사이의 전압인 것이 바람직하며, 상기 제어전압 발생회로는 신호증폭기를 포함하고 있으며, 상기 신호증폭기의 증폭비는 온도 증가에 따라 발생하는 상기 VOC의 지연량을 보상할 수 있도록 설정되도록 하는 것이 더욱 바람직하다.In particular, the output voltage of the bipolar transistor is preferably a voltage between the emitter and the base, the control voltage generation circuit includes a signal amplifier, the amplification ratio of the signal amplifier is the VOC generated as the temperature increases It is more preferable to set so as to compensate for the delay amount of.

이하, 본 발명에 따른 링오실레이터를 첨부된 도면을 참고하여 더욱 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a ring oscillator according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.                     

도 2는 본 발명에 따라 제공되는 링오실레이터를 구성하는데 사용되는 VCO(Voltage Controlled Oscillator)의 구성을 도시한 도면이다. 도 2의 VCO는 전압 제어 오실레이터로서, 입력클럭 CLKin을 지연시켜 출력클럭CLKout을 생성하는 직렬연결된 다수의 인버터(21)와, 각 인버터(21)의 출력단마다 접속되어 형성된 PMOS트랜지스터(22) 및 모스커패시터(23)들로 구성되고, 각 PMOS트랜지스터(22)의 게이트단에는 제어전압 Vctrl이 입력되어 제어전압에 따라 지연량이 달라지는 방식이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a voltage controlled oscillator (VCO) used to configure a ring oscillator provided according to the present invention. The VCO of FIG. 2 is a voltage controlled oscillator, which includes a plurality of serially connected inverters 21 for delaying an input clock CLKin to generate an output clock CLKout, and a PMOS transistor 22 and a MOS connected to each output terminal of the inverter 21. Consists of the capacitors 23, the control voltage V ctrl is input to the gate terminal of each PMOS transistor 22, the delay amount varies depending on the control voltage.

제어전압 Vctrl의 전압이 높아질수록 PMOS의 저항이 커지게 되므로, 그에 따라 RC값이 커지고 이 RC값에 비례하는 지연량도 증가하게 된다. 또한 제어전압 Vctrl의 전압이 낮아질수록 PMOS의 저항은 작아지게 되어 그에 따라 RC값이 작아지고 이 RC값에 비례하는 지연량도 감소하게 된다.As the voltage of the control voltage V ctrl increases, the resistance of the PMOS increases, thereby increasing the RC value and increasing the delay proportional to this RC value. In addition, as the voltage of the control voltage V ctrl decreases, the resistance of the PMOS decreases, so that the RC value decreases and the delay amount proportional to this RC value decreases.

따라서, 온도가 높아져서 인버터에 의한 지연량이 증가하게 되면 제어전압 Vctrl의 전위를 낯춤으로써 지연량을 줄일 수 있도록 할 수 있다. 즉, 온도에 따라서 늘어나는 인버터의 지연량을 보상할 수 있는 것이다.Therefore, when the temperature increases and the amount of delay caused by the inverter increases, the amount of delay can be reduced by lowering the potential of the control voltage V ctrl . That is, it is possible to compensate for the delay amount of the inverter that increases with temperature.

도 3은 도 2의 PMOS트랜지스터로 공급되는 제어전압 Vctrl을 발생하는 제어전압 발생회로를 도시한 것이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제어전압 발생회로는 전류공급원(31)과, 전류원에 연결된 바이폴러 트랜지스터(32)와, 바이폴라 트랜지스터(32)의 이미터 및 베이스 공통단자의 전압을 증폭하여 제어전압 Vctrl를 출력하는 신호증폭기(33)로 구성된다. FIG. 3 illustrates a control voltage generation circuit for generating a control voltage V ctrl supplied to the PMOS transistor of FIG. 2. As shown in FIG. 3, the control voltage generation circuit amplifies the voltage of the current supply source 31, the bipolar transistor 32 connected to the current source, and the emitter and base common terminals of the bipolar transistor 32 to control the voltage. The signal amplifier 33 outputs V ctrl .

도 3의 회로 구성에 따르면, 전류공급원(31)으로부터 공급되는 전원에 의해 바이폴라 트랜지스터(32)의 베이스 단으로는 일정한 전압이 출력되며, 이 전압은 적절한 증폭률을 가진 신호증폭기(33)에 의해 증폭되어 VCO의 제어전압으로 출력된다. 이때, OP앰프의 증폭률 K는 VCO의 출력 특성을 고려하여 적절한 값으로 정해진다. According to the circuit configuration of FIG. 3, a constant voltage is output to the base terminal of the bipolar transistor 32 by the power supplied from the current supply source 31, and this voltage is amplified by the signal amplifier 33 having an appropriate amplification factor. And outputs the control voltage of the VCO. At this time, the amplification factor K of the OP amplifier is set to an appropriate value in consideration of the output characteristics of the VCO.

한편, 도 3의 제어전압 발생회로의 구성에 사용된 바이폴라 트랜지스터(32)의 베이스와 이미터 사이의 전압 VBE 은 온도가 높으면 낮은 전압을 생성하고 온도가 낮으면 높은 전압을 생성하는 특성을 가지고 있다.Meanwhile, the voltage V BE between the base and the emitter of the bipolar transistor 32 used in the control voltage generation circuit of FIG. 3 has a characteristic of generating a low voltage when the temperature is high and generating a high voltage when the temperature is low. have.

예를 들면, 보통, 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 이미터 사이의 전압 VBE 는 온도 증가에 따라 대략 -2mV/K만큼 변화한다.For example, usually, the voltage V BE between the base and the emitter of a bipolar transistor varies by approximately -2 mV / K with increasing temperature.

따라서, 이와 같은 구성의 제어전압 발생회로의 출력전압은 바이폴라 트랜지스터의 특성에 따라 온도가 증가할 수록 낮은 전압을 출력하는 특성을 가지게 된다. Therefore, the output voltage of the control voltage generating circuit having such a configuration has a characteristic of outputting a lower voltage as the temperature increases according to the characteristics of the bipolar transistor.

도 4는 도 2의 VCO(41)와 도 3의 제어전압 발생회로(42)를 접속하여 구성한 링오실레이터의 구성을 도시한 블럭도이다. 4 is a block diagram showing the configuration of a ring oscillator constructed by connecting the VCO 41 of FIG. 2 and the control voltage generation circuit 42 of FIG.

이와 같은 구성의 링오실레이터는 인에이블 단자의 시작신호에 따라 작동하다가 전체 회로의 온도가 상승하게 되면 VCO의 지연량이 늘어나게 되는 원인을 제공하게 된다. 그렇지만, 온도가 상승하게 됨에 따라 바이폴라 트랜지스트의 출력에 의존하는 제어전압 발생회로는 더욱 낮은 제어전압을 출력하게 되고, 그에 따라 VCO의 PMOS트랜지스터 저항을 낮추어 링오실레이터의 출력 신호인 클럭 신호의 예상되는 지연량 만큼을 보상하게 된다.The ring oscillator having such a configuration operates according to the start signal of the enable terminal, and causes the delay of the VCO to increase when the temperature of the entire circuit increases. However, as the temperature rises, the control voltage generation circuit, which depends on the output of the bipolar transistor, outputs a lower control voltage, thereby lowering the PMOS transistor resistance of the VCO, which is expected to cause the clock signal that is the output signal of the ring oscillator. The amount of delay is compensated for.

이상과 같이, 본 발명에 따른 링오실레이터의 구성예와 그 작동원리 등을 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않는다. As mentioned above, although the structural example of the ring oscillator which concerns on this invention, its operation principle, etc. were demonstrated, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment.

예를 들면, 본 발명에서는 바이폴라 트랜지스터의 VBE 전압이 온도 증가에 따라 낮아진다는 원리를 이용하였으나, 바이폴라 트랜지스터 대신 온도 증가에 따라 낮아지는 전압을 출력하는 다른 소자를 이용할 수도 있으며, 또 바이폴라 트랜지스터를 사용하더라도 VBE 를 제어전압으로 사용하지 않고 온도 증가에 따라 낮아지는 다른 전압을 제어전압으로 사용할 수도 있다.
For example, although the present invention uses the principle that the V BE voltage of a bipolar transistor decreases with increasing temperature, other elements may be used instead of the bipolar transistor to output a voltage lowering with increasing temperature, and a bipolar transistor may be used. Even if V BE is not used as a control voltage, another voltage lowered with increasing temperature may be used as the control voltage.

이상과 같은 구성의 본 발명에 따라, 온도 변화에 민감하게 반응하는 링오실레이터의 출력 특성을 보상할 수 있게 되어, 온도 증가에도 불구하고 일정한 온도특성을 가지는 정확한 클럭 주파수를 만들어 낼 수 있게 되었다.
According to the present invention of the above configuration, it is possible to compensate the output characteristics of the ring oscillator sensitive to temperature changes, it is possible to produce an accurate clock frequency having a constant temperature characteristics despite the increase in temperature.

Claims (4)

온도가 높아짐에 따라 그에 대응하는 낮은 전압을 출력하고, 온도가 낮아짐에 따라 그에 대응하는 높은 전압을 출력하는 제어전압 발생회로와,A control voltage generating circuit for outputting a low voltage corresponding thereto as the temperature increases, and outputting a high voltage corresponding thereto as the temperature decreases, 인에이블 신호의 입력으로 클럭 신호를 생성하되, 상기 제어전압 발생회로로부터 제어전압을 인가받아 상기 제어전압이 높아짐에 따라 그에 대응하도록 클럭 신호의 지연을 늘이고, 상기 제어전압이 낮아짐에 따라 그에 대응하도록 클럭 신호의 지연을 줄이도록 작동하는 VCO를 포함하고,A clock signal is generated as an input of an enable signal, the control voltage is applied from the control voltage generating circuit, and the delay of the clock signal is increased to correspond to the control voltage as the control voltage increases, and accordingly, as the control voltage decreases. Includes a VCO that operates to reduce the delay of the clock signal, 상기 제어전압 발생회로는,The control voltage generation circuit, 전류공급원;Current source; 상기 전류공급원에 연결되어, 온도가 높아짐에 따라 그에 대응하는 낮은 전압을 출력하는 바이폴러 트랜지스터;및A bipolar transistor connected to the current source and outputting a low voltage corresponding to the increase in temperature; and 상기 바이폴러 트랜지스터의 이미터 및 베이스 사이의 전압을 증폭하여 제어전압을 출력하는 신호증폭기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 오실레이터. And a signal amplifier configured to output a control voltage by amplifying the voltage between the emitter and the base of the bipolar transistor. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바이폴러 트랜지스터의 출력 전압은 상기 이미터와 베이스 사이의 전압인 것을 특징으로 하는 링 오실레이터.And the output voltage of said bipolar transistor is the voltage between said emitter and base. 제1항 또는 제3항에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 신호증폭기의 증폭비는 온도 증가에 따라 발생하는 상기 VCO의 지연량을 보상할 수 있도록 설정된 것을 특징으로 하는 링 오실레이터.And the amplification ratio of the signal amplifier is set to compensate for the delay amount of the VCO generated as the temperature increases.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101991123B1 (en) 2018-06-26 2019-06-19 한림대학교 산학협력단 Sensor device including ring oscillator cell

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101585202B1 (en) * 2013-12-04 2016-01-25 이화여자대학교 산학협력단 Ring Voltage Controlled Oscillator

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950026101A (en) * 1994-02-28 1995-09-18 사또 후미오 Ring oscillation circuit
US5635877A (en) * 1993-04-30 1997-06-03 Sgs-Thomson Microelectronics Ltd. Low voltage high frequency ring oscillator for controling phase-shifted outputs
KR100213265B1 (en) * 1996-12-31 1999-08-02 윤종용 Oscillator circuit having sample hold
KR100247367B1 (en) * 1995-09-06 2000-03-15 가네꼬 히사시 Voltage controlled oscillator
KR100253667B1 (en) * 1991-11-12 2000-04-15 윌리엄 비. 켐플러 Linearized and delay-compensated all cmos vco
KR20030028560A (en) * 2000-08-04 2003-04-08 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 Timer circuit and semiconductor memory incorporating the timer circuit
KR100515032B1 (en) * 1997-12-30 2005-12-01 삼성전자주식회사 Voltage controlled oscillator

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100253667B1 (en) * 1991-11-12 2000-04-15 윌리엄 비. 켐플러 Linearized and delay-compensated all cmos vco
US5635877A (en) * 1993-04-30 1997-06-03 Sgs-Thomson Microelectronics Ltd. Low voltage high frequency ring oscillator for controling phase-shifted outputs
KR950026101A (en) * 1994-02-28 1995-09-18 사또 후미오 Ring oscillation circuit
KR100247367B1 (en) * 1995-09-06 2000-03-15 가네꼬 히사시 Voltage controlled oscillator
KR100213265B1 (en) * 1996-12-31 1999-08-02 윤종용 Oscillator circuit having sample hold
KR100515032B1 (en) * 1997-12-30 2005-12-01 삼성전자주식회사 Voltage controlled oscillator
KR20030028560A (en) * 2000-08-04 2003-04-08 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 Timer circuit and semiconductor memory incorporating the timer circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101991123B1 (en) 2018-06-26 2019-06-19 한림대학교 산학협력단 Sensor device including ring oscillator cell

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