KR20010014984A - 단결정 부재의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
절단 및 연마 등의 공정없이 단결정 기판으로 사용가능한 단결정 부재를 직접적으로 얻을 수 있는 신규한 단결정 부재의 제조방법이 개시된다. 단결정 기판(1)상에 비정질막을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피를 이용하여 상기 비정질막을 선택적으로 제거하여 창부(3)를 형성한다. 계속하여, 소정의 원소가 과포화상태로 용해된 용액으로 상기 창부를 접촉(contacting)시켜 상기 원소를 구성요소로서 함유하는 단결정을 상기 창부로부터 상기 단결정 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 에피텍셜 성장시킨다. 이어서, 소정의 시간이 경과된 후에, 상기 과포화용액(5)으로 상기 창부의 접촉을 종료함으로써 상기 에피텍셜 성장을 중단하고, 소정의 크기 및 형상을 갖는 단결정 부재(6)를 얻는다.
Description
본 발명은 단결정 부재의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 및 산화물단결정 기판에 바람직하게 사용될 수 있는 단결정 부재의 제조방법에 관한 것이다.
실리콘집적회로, 각종광학장치(optical device), 전자장치 및 태양전지 등의 장치에는 반도체 및 산화물재료로 이루어진 단결정 기판이 사용된다.
이들 기판들은 다음과 같은 방법에 의해 제조된다.
큰 단결정들은 인상법(crystal pulling mehtod, Czochralski method), 수평/수직 브리지만(Bridgman)법 및 부유대용융법(floating zone-melting method)등에 의해 반도체 및 산화물재료로 이루어진 대형 단결정을 성장시킨 후, 결정절단기등의 기계적방법으로 상기 단결정 부재를 주어진 크기로 절단하여 제조한다.
더욱이 상기 방법으로 제조된 단결정 기판을 전자/광학장치에 사용하고자 할 경우에는 상기 단결정 기판의 표면을 경면연마(mirror polish)하여야 한다.
그런, 상기 단결정의 직경이 커지게 되면, 상기 단결정을 절단하기 위한 장치도 대형화되고 복잡해지는 문제점이 있다.
더욱이 상기 단결정에는 상술한 절단공정에 견딜 수 있는 기계적 강도가 요구되고, 이에 따라 단결정 기판은 큰 두께를 가져야 한다. 그러므로, 상기 종래의 방법은 단결정을 제조하는 데 충분한 이용효율을 갖도록 할 수 없다.
또한, 절단시 상기 단결정 기판에 큰 전단응력(shearing stress)이 작용하기 때문에, 상기 단결정 기판이 손실되거나, 상기 단결정 기판의 절단면에 깊은 파쇄층(fractured layer)이 형성된다.
더욱이, 전자/광학장치에 사용하기 위해서는 경면연마가 필수적이고, 다수의 공정단계가 요구되어지는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 상기 절단 및 연마 등의 공정없이 단결정 기판으로 사용가능한 단결정 부재를 직접적으로 얻을 수 있는 신규한 단결정 부재의 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 단결정 부재의 제조방법의 바람직한 실시예에 따라 수행되는 제1단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 단계 후에 수행되는 제2 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 단계 후에 수행되는 제3 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 도 3의 단계 후에 수행되는 제4 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 단결정 부재의 제조방법의 다른 실시예에 따라 수행되는 제1 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 도 5의 단계 후에 수행되는 제2 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 도 6의 단계 후에 수행되는 제3 단계를 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1, 11 : 단결정 기판 2 : 비정질막
3 : 창부 4, 14 : 단결정
4A, 4B, 14A, 14B : 단결정의 측면
5 : 과포화용액 6, 16 : 단결정 부재
13 : 철부 17 : 단결정 부재의 근원
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 단결정 기판을 준비하는 단계, 상기 단결정 기판의 표면 상에 씨드(seed) 결정부를 형성하는 단계, 상기 씨드 결정부를 과포화상태의 소정의 원소를 포함하는 용액으로 접촉(contacting)시켜 상기 원소를 구성요소로서 함유하는 단결정을 상기 씨드 결정부로부터 상기 단결정 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 선택적으로 에피텍셜 성장시킨 것에 의하여 단결정 부재를 제조하는 단계를 포함하는 단결정 부재의 제조방법을 제공한다.
따라서, 본 발명에서는 단결정 기판의 표면상에 씨드 결정부를 형성하고, 상기 씨드 결정부로부터 수직방향으로 선택적으로 에피텍셜 성장시켜 씨드 결정부재가 얻어진다.
그러므로, 상기 씨드 결정부재의 크기 및 형상을 적당하게 선택함으로써, 상기 단결정 부재의 단면형상이 결정된다. 따라서, 상기 단결정 기판의 표면에 수직방향으로 선택적 에피텍셜 성장을 적당하게 조절함으로써, 소정의 크기 및 형상을 갖는 단결정 부재를 얻을 수 있다.
본 발명에 의하면, 소정의 크기 및 형상을 갖는 상기 단결정 부재는 단지 선택적인 에피텍셜 성장에 의해 얻어질 수 있다. 그러므로, 단결정 부재를 단결정 기판에 사용하는 경우에는 소정의 크기 및 형상을 갖는 단결정 기판을 직접적으로 얻을 수 있고, 종래의 절단공정 및 연마공정이 필요하지 않다.
그러므로, 상기 단결정의 절단시 상기 단결정의 손실 및 파손층의 형성과 같은 문제들을 피할 수 있고, 또한, 복잡한 기계가 요구되지 않으며, 요구되는 단결정 부재의 제조공정을 단순화할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 제조방법에 있어서, 상기 단결정 부재는 단결정 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 에피텍셜 성장시켜 얻어지고, 상기 단결정 기판에 전위(dislocation)가 존재하는 경우에도, 상기 전위의 대부분이 상기 단결정 부재로부터 외부로 나간다. 따라서, 상기 단결정 부재는 적은 전위를 가지며, 그러므로 전위로 인한 제한이 없는 상태가 된다.
그 결과, 상기 단결정 기판의 결정성에 영향을 주지 않고, 우수한 결정성을 갖는 단결정 부재를 얻을 수 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명에 따른 단결정 부재의 제조방법의 바람직한 실시예를 도시한 공정도이다. 상기 실시예는 상기 단결정 부재를 단결정 기판의 표면상에 형성된 비정질막을 선택적으로 제거하여 형성된 창부로부터 성장시키는 것을 특징으로 한다.
우선 도 1을 참조하면, 비정질막(2)은 화학기상증착(CVD)방법을 이용하여 단결정 기판(1)상에 형성된다. 이어서, 포토리소그래피와 같은 미세제조기술을 이용하여 상기 비정질막(2)의 소정위치를 부분적으로 제거하여, 도 2에 도시된 바와 같은 창부(windows)(3)를 형성한다.
이어서, 상기 창부(3)를 소정의 원소를 과포화상태로 함유하는 과포화용액(5)으로 접촉(contact)시킨다. 이 때, 상기 과포화용액(5)의 온도를 점차 낮추면, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 창부(3)를 씨드 결정부로 하여 상기 원소를 구성요소로 함유하는 단결정(4)이, 상기 단결정 기판(1)의 표면과 수직한 방향으로 선택적으로 에피텍셜 성장한다.
그리고, 소정의 시간이 경과한 후, 상기 단결정(4)과 상기 과포화용액(5)과의 접촉을 종료하고, 도 4에 도시된 바와 같이 단결정 부재(6)가 상기 단결정 기판(1)의 표면에 얻어진다.
상기 단결정 부재에 작은 외력(external force)이 가해지면, 쉽게 쪼개어 분리된 단결정 부재를 얻을 수 있다.
상기 창부(3)의 깊이는 바람직하게는 0.01∼10㎛이며, 더 바람직하게는 0.1∼1㎛이다. 이에 따라, 상기 창부(3)는 씨드 결정으로서 효과적으로 작용할 수 있고, 단결정의 선택적 에피텍셜 성장을 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 상기 창부(3)는 도 2에 도시된 바와 같이 상기 단결정 기판(1)의 표면이 노출되도록 형성된다. 이에 따라 상기 단결정 기판(1)의 표면상에 형성된 단결정(4)이 상기 단결정 기판(1)의 결정방위를 인계함에 따라, 상기 단결정(4)의 선택적인 에피텍셜 성장이 가능하고, 대형의 단결정 부재(6)를 용이하게 형성할 수 있다.
상기 창부(3)의 저면(3A)의 크기 및 형상은 요구되는 단결정 부재(6)의 단면형상 및 단면의 크기에 따라 임의로 선택된다. 본 발명에 따라 단결정 기판을 직접적으로 형성하는 경우에는 상기 저면(3A)은 선형(linear)으로 형성된다. 즉, 상기 창부(3)를 선형으로 형성함으로써, 직사각 단면을 갖는 단결정 기판을 직접적으로 얻을 수 있다.
상기 단결정 기판(1)의 표면의 일부가 노출되도록 선형의 창부(3)를 형성함에 있어서, 상기 창부(3)의 장방향(long direction)은 상기 단결정 부재의 성장동안 상기 단결정 부재(6)의 특이면(singular face)의 결정축방향과 실질적으로 수직하도록 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 단결정의 선택적인 에피텍셜 성장동안 면들(facets)(4A, 4B)이 상기 창부(3)의 측방향에 형성되므로, 상기 에피텍셜 성장은 상기 면들과 수직한 방향으로 일어나지 않으며, 상기 단결정이 상기 단결정 기판(1)의 표면에 수직한 방향으로 에피텍셜 성장된다. 그러므로, 상기 직사각 단면부를 갖는 상기 단결정 부재는 효율적으로 용이하게 형성될 수 있다.
예로서, 다이아몬드 구조 또는 징크-블렌드(zinc-blende)구조를 갖는 단결정물질을 성장시키는 경우에는 상기 특이면의 결정축방향은 <111>방향 및 이와 등가적인 방향이거나, 또는 <100>방향 및 이와 등가적인 방향이기 때문에 상기 창부(3)의 길이??향은 성장한 단결정 부재의 측면(4A, 4B)이 <111>방향 및 이와 등가적인 방향이거나, 또는 <100>방향 및 이와 등가적인 방향이 되도록 형성된다.
이 경우, 상기 "특이면(singular face)"이라는 단어는 가장 느린 성장속도를 갖는 면을 의미한다.
상기 단결정 기판(1)으로 사용될 수 있는 단결정재료는 성장되는 단결정 부재의 종류에 따라서 임의적으로 선택될 수도 있다. 본 발명에 있어서, 상기 단결정 부재를 에피텍셜 성장으로 형성하므로, 상기 단결정 기판(1)의 상부층을 구성하는 상기 단결정 재료는 상기 단결정 부재(6)와 동일한 것이 바람직하지만, 반드시 동일한 물질로 제한되는 것은 아니다.
예로서, 실리콘 단결정 부재를 제조하는 경우에는, 상기 단결정 기판(1)은 실리콘 단결정이 될 수도 있지만, 상기 실리콘 단결정 부재를 에피텍셜 성장시키는 것이 가능한 단결정 기판이라면, 상기 실리콘 단결정 이외에 단결정 물질이 사용될 수도 있다.
또한, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 단결정 부재를 제조하는 경우에는 상기 단결정 기판(1)의 상층은 상기 단결정 부재와 동일한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어지는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 단결정 기판(1)은 상기 단결정 부재와 동일한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 구성될 수도 있고 또는 임의의 기판 상에 상기 단결정 부재와 동일한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 적층한다. 이외에, 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체와 거의 동일한 격자상수를 갖는 다른 결정물질이 사용될 수 있다.
또한, 산화물단결정 부재를 제조하는 경우에 있어서, 상기 단결정 기판(1)의 상층은 바람직하게는 상기 단결정 부재와 동일한 산화물로 이루어진다. 구체적으로, 상기 단결정 기판은 상기 단결정 부재와 동일한 산화물을 사용할 수 있고, 또는 상기 단결정 부재와 동일한 산화물은 상기 임의의 기판 상에 적층될 수도 있다. 이외에, 상기 단결정 기판(1)은 에피텍셜 성장이 가능한 반도체 단결정 또는 금속단결정으로 구성될 수 있다.
상기 비정질막(2)으로 사용될 수 있는 물질은 한정되지 않는다. 본 발명의 목적을 달성하기 위하여는 어떤 물질도 상기 비정질막으로 사용될 수 있다. 예로서, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 탄소막 또는 텅스텐막이 상기 비정질막으로 사용될 수 있다.
또한, 산화물 단결정 부재를 제조함에 있어서 산화물 단결정 기판을 사용하는 경우에는 비정질막 대신에 백금, 팔라듐(palladium) 또는 탄탈륨 등의 고융점 금속이 사용될 수도 있다.
과포화용액(5)은 단결정 부재를 구성하는 원소를 과포화로 함유하는 것이 필요하다. 예로서, 실리콘 단결정 부재를 제조하는 경우에, 상기 과포화용액(5)은 실리콘을 과포화로 함유한다. 또한, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 단결정 부재를 제조하는 경우, Ⅲ족원소를 과포화용액(5)의 용매로 사용할 때, 상기 용액(5)은 과포화된 Ⅴ족 원소를 포함한다. 다른 경우, 상기 과포화 용액(5)은 Ⅲ족 원소 및 Ⅴ족 원소를 과포화로 포함한다.
그 다음에, 상기 과포화용액(5)은 소정의 용매 중에 상기 실리콘 등의 원소를 용해시켜 형성된다. 상기 용매 물질로는 Sn, In, Ga, Au, Bi 등이 사용될 수 있다.
상기 단결정(4)을 선택적인 에피텍셜 성장시키기 위한 수단으로는 제한되지 않는다. 그러나, 히터이송법(travelling heater method) 또는 온도구배응고법(gradient freeze method)이 바람직하게 이용될 수 있다. 상기 방법들에 따르면, 과포화용액(5)에 대한 단결정(4)에는 양(positive)의 온도기울기가 적용된다. 그러므로, 용액성장에 대하여 전형적으로 발생하는 조성적 과냉각은 억제될 수 있고, 원하는 크기 및 형상을 갖는 단결정 부재가 용이하게 제조될 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 단결정 부재의 제조방법을 나타내기 위한 공정도이다. 본 실시예에 있어서, 씨드 결정부는 도 5에 도시된 바와 같이 직사각 형상의 철부를 형성하도록 절단된다.
상술한 방법에 있어서, 우선 단결정 기판(11)의 표면에 포토리소크라피(photolithography) 및 에칭 등을 수행하여 상기 단결정 기판(11)의 표면을 부분적으로 제거하여 도 5에 도시된 바와 같은 철부(convex portion)(13)를 형성한다. 이어서, 상기 철부(13)는 소정의 원소를 과포화로 함유하는 과포화용액(5)으로 접촉된다. 그 다음에, 상기 과포화용액은 점차로 냉각되고, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 원소를 구성요소로 함유하는 상기 단결정(14)은 씨드로서 제공되는 상기 철부로부터 상기 단결정 기판(11)에 수직방향으로 선택적으로 에피텍셜 성장된다.
이어서, 소정의 시간이 경과된 후에 상기 과포화용액(5)과의 접촉이 종료되고, 도 7에 도시한 바와 같이 상기 단결정 기판(11) 상에 단결정 부재(16)가 얻어진다.
상기 철부(13)의 높이는 바람직하게는 10㎛∼5㎜이며, 더 바람직하게는 10㎛∼1㎜이다. 이에 따라, 상기 철부(13)는 씨드로서 작용할 수 있고, 상기 단결정(14)의 선택적인 에피텍셜 성장이 효과적으로 수행될 수 있으며, 대형(large size)의 상기 단결정 부재(16)를 용이하게 제조할 수 있다.
상기 철부(13)의 상부표면(13A)의 크기 및 형상은 얻어진 상기 단결정 부재의 크기 및 단면형상에 의존한다. 그러나, 본 발명에 따라 단결정 기판을 직접적으로 얻기 위해서는 상기 상부표면(13A)은 긴 직사각 형상을 갖는 것이 바람직하다. 즉, 상기와 같은 철부를 사용함으로써, 직사각 단면을 갖는 상기 단결정 기판을 직접적으로 제조할 수 있다.
더욱이, 상술한 길이방향의 철부를 제조함에 있어서, 전술한 창부의 형성에서와 유사한 이유 때문에 상기 철부의 길이방향은 상기 단결정(14)의 특이면의 수직방향에 실질적으로 수직인 것이 바람직하다.
상기 단결정 기판(11)에 사용되는 물질로서, 도 1 내지 도 4에 도시된 실시예에서와 동일한 물질이 사용될 수도 있다. 상기 단결정(14)을 선택적으로 에피텍셜 성장시키기 위한 구체적 수단으로서도 상술한 실시예에서와 동일한 수단들이 사용될 수도 있다.
이하 본 발명을 하기 실시예로서 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
본 실시예에 있어서, 상기 성장은 도 1 내지 도 4에 도시된 공정을 통하여 수행되었다.
상기 단결정 기판(1)으로서 0.4㎜의 두께를 갖는 갈륨-비소(GaAs)(100) 단결정 기판이 사용되었다. 이어서, 상기 이산화규소로 이루어진 상기 비정질막(2)이 화학기상증착방법을 이용하여 상기 단결정 기판(1) 상에 0.4㎛의 두께로 형성되었다. 그리고, 상기 비정질막(2)을 포토리소그래피를 이용하여 선택적으로 제거하여, 선형의 긴 창부(3)를 형성하였다. 상기 각각의 창부(3)는 3㎝의 길이와 0.3㎜의 폭을 갖는다.
이어서, 상기 창부(3)를 750℃에서 비소(As)를 과포화로 함유하는 갈륨(Ga)금속용매로 이루어진 과포화용액(5)으로 접촉시켰다. 그리고, 상기 과포화용액(5)을 점차로 냉각시켜 상기 창부(3)로부터 상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정(4)을 선택적으로 에피텍셜 성장시켰다.
20시간이 경화된 후에 상기 과포화용액으로 상기 창부를 접촉시키는 것을 종료함으로써 에피텍셜 성장을 정지시키고, 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재를 얻었다. 상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재는 각각 2㎝의 길이와 3㎝의 폭 및 0.3㎜의 두께를 갖는다.
상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재의 결정성이 X-ray 토포그래피(topography)법으로 특성화될 때, 상기 성장된 부재는 거의 전위가 없고, 우수한 결정성을 갖는 것이 확인되었다.
실시예 2
본 실시예에 있어서, 성장은 도 5 내지 도 7에 도시된 공정을 통하여 수행되었다.
상기 단결정 기판(11)으로서 상기 실시예 1에서 사용된 0.4㎜의 두께를 갖는 갈륨-비소(GaAs)(100) 단결정 기판이 사용되었다. 이어서, 포토리소그래피 기술을 이용하여 상기 단결정 기판(11)을 선택적으로 제거하여, 직사각 단면을 갖는 선형의 긴 철부들(13)을 형성하였다. 상기 철부들(13)은 각각 0.1㎜의 높이를 갖고, 상기 철부의 상부 표면은 각각 3㎝의 길이와 0.3㎜의 폭을 갖는다.
계속하여, 상기 철부(13)를 750℃에서 비소(As)를 과포화로 함유하는 갈륨(Ga) 금속용매로 이루어진 과포화용액(5)으로 접촉시켰다. 그리고, 상기 과포화용액(5)을 점차로 냉각시켜 상기 철부(13)로부터 상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정(14)을 선택적으로 에피텍셜 성장시켰다.
20시간이 경화된 후에 상기 과포화용액으로 상기 철부를 접촉시키는 것을 종료함으로써 에피텍셜 성장을 정지시키고, 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재를 얻었다. 상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재는 각각 2㎝의 길이와 3㎝의 폭 및 0.3㎜의 두께를 갖는다.
상기 갈륨-비소(GaAs) 단결정 부재의 결정성이 X-ray 토포그래피(topography)법으로 특성화될 때, 상기 성장된 부재는 거의 전위가 없고, 우수한 결정성을 갖는 것이 확인되었다.
상기 실시예 1 및 실시예 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 단결정 부재는 거의 전위가 없고, 우수한 결정성을 갖는 것이 확인되었다. 더욱이, 판상의 단결정 부재는 절단 및 연마 없이 단지 에피텍셜 성장을 통하여 얻어질 수 있고, 이에 따라 상기 단결정 부재를 단결정 기판으로서 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 전위가 없고 우수한 결정성을 갖는 단결정 부재를 단지 선택적인 에피텍셜 성장을 통하여 원하는 크기 및 형상으로 얻을 수 있다. 그러므로, 절단 및 연마 없이 단결정 기판에 사용할 수 있는 단결정 부재를 에피텍셜 성장만으로도 용이하게 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (12)
- 단결정 기판을 준비하는 단계;상기 단결정 기판의 표면 상에 씨드(seed) 결정부를 형성하는 단계;상기 씨드 결정부를 과포화상태의 소정의 원소를 포함하는 용액으로 접촉(contacting)시켜 상기 원소를 구성요소로서 함유하는 단결정을 상기 씨드 결정부로부터 상기 단결정 기판의 표면에 대하여 수직방향으로 선택적으로 에피텍셜 성장시킨 것에 의하여 단결정 부재를 제조하는 단계를 포함하는 단결정 부재의 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 씨드 결정부는 상기 단결정 기판의 표면상에 비정질막을 형성한 후, 상기 비정질막을 선택적으로 제거하여, 상기 단결정 기판의 표면이 노출되도록 형성한 창(window)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 창은 선형(linear)인 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제3항에 있어서 상기 창부는 상기 창부의 장방향(long direction)이 상기 단결정 부재의 성장동안 특이면의 결정축방향과 거의 수직이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 씨드 결정부는 상기 단결정 기판의 표면에 형성된 철부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제5항에 있어서 상기 철부는 선형인 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 철부는 상기 철부의 장방향이 상기 단결정 부재의 성장동안 상기 단결정 부재의 특이면의 결정축방향과 거의 수직이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택적인 에피텍셜 성장은 히터(heater)이송법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택적인 에피텍셜 성장은 온도구배응고법(temperature gradient freeze method)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 기판은 실리콘 단결정 기판이고, 상기 단결정 부재는 실리콘 단결정 부재인 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 기판은 상기 단결정 기판의 표면부에 Ⅲ-Ⅴ족 화합물반도체를 포함하며, 상기 단결정 부재는 상기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단결정 기판은 상기 단결정 기판의 표면부에 산화물을 포함하고, 상기 단결정 부재는 상기 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단결정 부재의 제조방법.
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