KR20010010961A - 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법 - Google Patents

전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법 Download PDF

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한연수
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김영남
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Abstract

본 발명은 PVA-ADC를 이용해 제조된 아노드판위에 전계방출용 스페이서를 플릿글라스를 이용하여 형성함에 있어 아노드판 위에 존재하는 얇은 PVA-ADC 막에 의해 발생되는 스페이서의 탈리를 방지하며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부위를 제외한 다른 부위에 형광체 입자가 존제하지 않도록 하는 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법을 제공한다.
그 고순도 형광막 형성 방법은, ITO 코팅 그라스를 이용한 블랙매트릭스와 형광체 패턴 형성에 있어, 블랙매트릭스 형성후 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 보호한 후 적, 녹, 청색의 형광체 패턴을 완료하고 포지티브형 감광성 고분자막을 제거함으로서 스페이서가 들어갈 위치와 다른 부위에 PVA-ADC막을 남기지 않아 프리트글라스의 접착력을 향상시키며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부분을 제외한 다른 부분에 형광체 입자가 존재하는 것을 막을 수 있는 것을 특징으로 한다. 이때, 포지티브형 감광성 고분자는, 노블락-나프토키논(novalac-naphthoquinone)계인 것이 바람직하며, 상기 감광성막의 제거시 사용되는 용매는 아세톤(acetone), 알코올(alcohol)류와 같은 유기용매이다.

Description

전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법{METHOD OF FORMING HIGH PURITY PHOSPHOR SCREEN FOR FIELD DISCHARGE DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법에 관한 것으로, PVA-ADC를 이용해 제조된 아노드판위에 전계방출용 스페이서를 플릿글라스를 이용하여 형성함에 있어 아노드판 위에 존재하는 얇은 PVA-ADC 막에 의해 발생되는 스페이서의 탈리를 방지하며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부위를 제외한 다른 부위에 형광체 입자가 존제하지 않도록 하는 형광막 형성 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피(Photolithography) 법에 의해 형광면 형성에 사용되는 수요성 감광성 고분자는 폴리 비닐알콜(poly vinyl alcohol)과 암모늄다이크로메이트(ammonium dichromate)를 혼합(이하 PVA-ADC라 칭함)하여 사용된다.
ITO코팅 그라스의 스크린막 형성방법에 있어서 감광제로서 PVA-ADC을 적용시킴에 있어, 1) PVA-ADC, 물, 형광체, 각종 첨가제로 구성되는 형광체 슬러리를 제조하고, 2) ITO 코팅 그라스에 형광체 슬러리 코팅, 건조, 노광, 현상하여 형광체 패턴을 형성시키며, 3) 적, 녹, 청색, 형광체 각각에 대하여 1회씩 실시하여 풀칼라 형광막을 제조한다.
상술한 ITO 코팅 그라스를 이용하여 형광체 페턴을 형성시킬 때, 감광제로서 PVA-ADC를 적용시킬 경우 발생되는 문제점은 다음과 같다.
즉, 아노드의 형광체 페턴 자리 이외의 부분에 얇은 PVA-ADC 피막이 잔류하게 되어 배기시 많은 가스를 발생하게 되며, 또한, PVA-ADC와 그라스와의 접착력에 의해 ITO층이 없는 스페이서 자리의 경우 더 많은 PVA-ADC가 잔류하게 되고, 이는 플릿그라스를 이용한 스페이서 형성시 플릿그라스의 부착력을 약화 시키게 된다.
보다 상세하게는 전계방출용 스페이서를 프리트글라스를 이용하여 아노드판 위에 부착시킴에 있어 PVA-ADC를 이용한 포토리소그래피(Photolithography) 법의 경우, PVA-ADC와 그라스와의 접착력에 의해 얇은 피막이 형성되어 프리트글라스의 부착력을 떨어뜨리게 되고, 배기시 오염물질을 방출하게 된다. 따라서 형광체가 들어갈 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자를 이용해 보호한 후 형광체 페턴을 형성하고 그 다음 이러한 고분자패턴을 아세톤, 알코올류와 같은 유기 용매를 사용하여 제거함으로써 스페이서가 들어갈 위치와 다른 부위에 PVA-ADC 막을 남기지 않아 프리트글라스와의 접착력을 향상시키며, 배기시 가스의 량을 줄일 수가 있었다. 또한 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 보호하여 적, 녹, 청색의 형광체 패턴을 형성하고 포지티브형 감광성 고분자막을 제거함으로서 형광체가 위치할 부위를 제외한 다른 부위에 형광체 입자가 존재하는 것을 방지 할 수 있었다.
따라서, 본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, PVA-ADC를 이용해 제조된 아노드판위에 전계방출용 스페이서를 플릿글라스를 이용하여 형성함에 있어 아노드판 위에 존재하는 얇은 PVA-ADC 막에 의해 발생되는 스페이서의 탈리를 방지하며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부위를 제외한 다른 부위에 형광체 입자가 존제하지 않도록 하는 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시예에 따른 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법은, ITO 코팅 그라스를 이용한 블랙매트릭스와 형광체 패턴 형성에 있어, 블랙매트릭스 형성후 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 보호한 후 적, 녹, 청색의 형광체 패턴을 완료하고 포지티브형 감광성 고분자막을 제거함으로서 스페이서가 들어갈 위치와 다른 부위에 PVA-ADC막을 남기지 않아 프리트글라스의 접착력을 향상시키며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부분을 제외한 다른 부분에 형광체 입자가 존재하는 것을 막을 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 포지티브형 감광성 고분자는, 노블락-나프토키논(novalac-naphthoquinone)계인 것이 바람직하며, 상기 감광성막의 제거시 사용되는 용매는 아세톤(acetone), 알코올(alcohol)류와 같은 유기용매이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법은, 블랙매트릭스 형성후 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 먼저 보호한 후, 적, 녹, 청색의 형광체 패턴을 통상의 방법으로 완료하고 포지티브형 감광성 고분자막을 제거하는 것이다.
이때, 상기 포지티브형 감광성 고분자는, 노블락-나프토키논(novalac-naphthoquinone)계를 사용하였으며, 상기 감광성막은, 아세톤(acetone), 알코올(alcohol)류와 같은 유기용매를 이용하여 제거하였다.
상세하게 설명하면, ITO 코팅 그라스를 이용한 블랙매트릭스와 형광체 패턴 형성에 있어 블랙매트릭스 형성하고, 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 보호한 후, 형광체 패턴을 형성한다.
형광체 패턴 형성에 있어서는, 종래와 같이 1) PVA-ADC, 물, 형광체, 각종 첨가제로 구성되는 형광체 슬러리를 제조하고, 2) ITO 코팅 그라스에 형광체 슬러리 코팅, 건조, 노광, 현상하여 형광체 패턴을 형성시키며, 3) 적, 녹, 청색, 형광체 각각에 대하여 1회씩 실시하여 풀칼라 형광막을 제조한다.
이와 같이 하여 형광체 패턴이 완성되면, 포지티브형 감광성 고분자막을 아세톤이나 알코올류를 사용하여 제거함으로써 형광면의 제조가 완료된다.
그 결과, 본 발명에 의해서 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분에 남아 있는 형광체 입자(전사)의 량을 줄일 수 있었으며, PVA-ADC 잔류 피막을 현저히 줄임으로서 배기시 가스의 량을 현저히 줄일 수 있고, PVA-ADC를 이용해 제조된 아노드판위에 전계방출용 스페이서를 프리트글라스를 이용하여 형성함에 있어 아노드판 위에 존재하는 얇은 PVA-ADC 막에 의해 발생되는 스페이서의 탈리를 방지하고, 스페이스의 부착력이 크게 향상될 수 있었다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법의 구성과 작용에 의하면, 전계방출 표시소자용 형광막 제조시 형광체가 들어갈 위치를 제외한 다른 부분을 포지티브형 감광성 고분자를 이용하여 보호한 후 형광체 패턴을 형성함으로써 PVA-ADC 잔류막에 의한 스페이서의 탈리를 방지하며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 불필요한 부분에 형광체를 남기지 않아 고순도 형광막을 제조할 수 있는 등의 효과가 있다.

Claims (3)

  1. ITO 코팅 그라스를 이용한 블랙매트릭스와 형광체 패턴 형성에 있어,
    블랙매트릭스 형성후 형광체 패턴이 형성될 위치를 제외한 다른 부분들을 포지티브형 감광성 고분자막으로 보호한 후 적, 녹, 청색의 형광체 패턴을 완료하고 포지티브형 감광성 고분자막을 제거함으로서 스페이서가 들어갈 위치와 다른 부위에 PVA-ADC막을 남기지 않아 프리트글라스의 접착력을 향상시키며, 배기시 가스의 량을 줄이고, 형광체가 위치할 부분을 제외한 다른 부분에 형광체 입자가 존재하는 것을 막을 수 있는 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 포지티브형 감광성 고분자는, 노블락-나프토키논(novalac-naphthoquinone)계인 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 감광성막의 제거시 사용되는 용매는 아세톤(acetone), 알코올(alcohol)류와 같은 유기용매인 것을 특징으로 하는 전계방출 표시소자용 고순도 형광막 형성 방법.
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