KR20010005472A - 소재 처리용 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
소재용 플라즈마 처리 장치가 제안된다. 이 장치는 메탈 전극, 상기 메탈 전극에 연결되는 제 1 측면과 다른 제 2 측면으로 이루어지고 제 1 측면을 통해 상기메탈전극에 결합된 적어도 하나의 캐필러리를 갖는 캐필러리 유전 전극, 상기 메탈 전극 및 캐필러리 유전 전극의 제 1 측면을 둘러싸는 제 1 및 제 2 끝단을 갖는 차폐체, 상기 메탈 전극으로 가스를 공급하는 가스공급기를 포함한다.
Description
본 발명은 플라즈마 방전 장치에 관한 것으로, 특히 캐필러리 전극 방전(CED; Capillary Electrode Discharge) 플라즈마 샤워(plasma shower)를 이용한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명은 넓은 영역의 응용들에 적당하고, 특히 대기압(atmospheric pressure) 또는 고압(high pressure)하에서 소재(workpiece)의 플라즈마 처리에 적당하며, 소재의 크기에 상관없이 가상적으로 제한되며 넓은 응용들을 제공한다.
일반적으로 플라즈마 방전은 많은 다른 산업분야에서 다양한 소재의 표면을 처리하는데 널리 이용되었다.
특히 인쇄회로기판(PCB), 리드프레임, 마이크로소자, 웨이퍼와 같은 전자부품을 에칭(etching) 또는 세정하기 위한 스테이션(station)이 종래의 화학적 세정 장치에 비해 좋은 장점을 제공하기 때문에 전자산업분야에 응용되어 왔다. 예를들면, 상기 플라즈마 공정은 오픈된 화학 용기대신에 밀폐된 공간에서 이루어진다. 따라서 상기 플라즈마 공정은 종래의 화학 공정보다 위험하거나 독성이 약하다. 플라즈마 공정 및 장치와 관련된 종래기술의 일례가 미국 특허 USP 5,766,404에 개시되었다.
관련된 종래기술의 다른 예가 "Journal of applied polymer science" 에 개시되었다(Surface modification of polytetrafluoroethylene by Ar+ irradiation for improved adhesion to other materials, p1913 ∼1921,1987). 상기 플라즈마 공정은 습식성을 개선하기 위한 노력으로 플라스틱 소재의 표면상 또는 소재의 본딩에 적용되었다.
그러나 모든 종래 기술의 플라즈마 공정들은 그 종래기술의 플라즈마 공정이 단지 진공 상태에서 이루어질 수 있기 때문에 처리 챔버내에서 수행되어야 한다. 따라서 상기 챔버내에서 처리되기위한 소재가 너무 클 때 종래기술의 플라즈마 공정은 그 소재를 처리하는데 사용될 수 없다. 그 결과, 종래기술의 플라즈마 공정들은 응용에 있어서 매우 제한된다.
따라서 본 발명은 종래기술의 단점 및 공정 제약으로 인한 문제점을 제거하기 위한 것으로 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 대기압 또는 고압하에서 박막의 증착 또는 표면변형, 에칭(etching), 세정, 멸균, 세척, 에칭(etching), 표면변형 또는 박막의 증착에 적용될 수 있는 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전(CE) 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치의 단면도
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치의 단면도
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워 헤드들을 나타낸 도면
도 3c는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치의 단면도
도 4는 도 1에 형성된 캐필러리 전극 방전 플라즈마를 예시하는 사진
도 5는 도 2에 형성된 캐필러리 전극 방전 플라즈마를 예시하는 사진
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치의 단면도
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 처리의 멸균 능력을 예시하는 도면
도 8a 및 도 8c는 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 처리의 멸균 능력의 다른 예를 예시하는 사진
도 9는 인체에 대한 멸균으로의 적용을 예시하는 사진
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 메탈 전극 12 : 캐필러리 유전 전극
13 : 차폐체 14 : 가스 공급기
15 : 전원 공급기 16 : 캐필러리 전극 방전 플라즈마 방전
17 : 소재 18 : 가스 튜브
19 : 부가 가스 공급기
상기한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 소재용 플라즈마 처리 장치는 메탈 전극, 상기 메탈 전극에 연결되는 제 1 측면과 제 2 측면으로 이루어지고 적어도 하나의 캐필러리를 포함하는 캐필러리 유전 전극, 그 메탈 전극 및 제 2 측면을 제외한 캐필러리 유전 전극을 둘러싸며 제 1 및 제 2 끝단을 갖는 차폐체, 그리고 그 메탈 전극으로 가스를 공급하는 가스공급기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 형태로서 소재용 플라즈마 처리 장치는 메탈전극, 그 메탈 전극으로 둘러싸이며 제 1 및 제 2 끝단을 갖는 캐필러리 튜브(tube), 그 제 2 끝단을 제외한 캐필러리 튜브와 메탈 전극을 둘러싸는 차폐체, 그 캐필러리 튜브의 제 1 끝단에 가스를 공급하는 가스 공급기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 형태로서 소재용 플라즈마 처리 장치는 제 1 및 제 2 끝단 및 중간단으로 구성된 메탈 전극, 적어도 상기 메탈 전극의 제 1 끝단과 중간단을 둘러싸며, 상기 제 1 끝단과 제 2 끝단으로부터 플라즈마 방전을 공급하는 캐필러리 유전 전극, 그 메탈 전극의 제 3 끝단으로 가스를 공급하는 가스공급기를 포함한다.
본 발명의 추가 형태로서 소재용 플라즈마 처리 장치는 제 1 내지 제 3 측면들로 구성된 유전체, 그 유전체의 제 3 측면내에서 그 유전체의 중심에 향하고 서로 이웃하는 적어도 한 쌍의 제 1 및 제 2 캐필러리 유전 전극, 상기 유전체의 제 3 측면을 포함하는 캐필러리상에 형성된 메탈전극, 상기 유전체의 제 1 또는 제 2 측면에 가스를 공급하는 가스공급기를 포함한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전(CED;Capillary Electrode Discharge) 플라즈마 샤워를 이용하여 플라즈마를 처리하는 장치의 도식적 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리용 장치는 메탈전극(11), 캐필러리 유전 전극(12), 차폐체(shield body)(13), 가스공급기(14), 전원공급기(15), 가스튜브 (18), 보조 가스공급기(19)를 포함하여 구성된다.
특히 상기 메탈 전극(11)은 전원공급기(15)에 연결되고, 이 전원공급기(15)는 상기 메탈 전극(11)에 직류(DC) 또는 고주파 전위(RF;radio frequency potential)를 공급한다. 상기 RF 전위가 인가되는 경우에 있어서 그것은 10KHz 내지 200MHz의 주파수 범위내에 있는 것이 바람직하다.
그리고 상기 캐필러리 유전 전극(12)은 제 1 및 제 2 측면을 가지며 위 전극의 제 1 측면(상측면)을 통해 그 메탈 전극(11)에 연결된다. 상기 캐필러리 유전 전극(12)은 적어도 하나의 캐필러리를 갖는다. 예로서, 캐필러리의 수는 일부터 수천까지의 영역일 수 있다. 상기 캐필러리 유전 전극(12)의 두께는 2mm 내지 300mm의 영역일 수 있으며 각캐필러리의 직경은 바람직하게는 200㎛ 내지 30mm의 범위이다.
상기 메탈 전극(11)은 캐필러리 유전 전극(12)내에 캐필러리들과 실질적으로 정렬되는 기저면에서 하나 또는 그 이상의 홀(hole)을 갖는 메탈 실린더(Metal Cylinder)의 형태로 형성된다. 상기 캐필러리 유전 전극(12)의 일측면은 차폐체(13)내에서 메탈 전극(11)과 결합되고, 반면에 캐필러리 유전 전극(12)의 또 다른 측면은 그 차폐체(13)의 외부에 구성되고 그 소재(17)로 노출된다.
미국 특허(USP 5,872,426)는 구멍 뚫린 유전체를 이용한 글로우 플라즈마 방전 장치(glow plasma discharge device)를 기술하고 있다.
상기 차폐체(13)는 메탈 전극(11)과 캐필러리 유전 전극(12)을 둘러싸고, 이는 불필요한 지역에서 발생되는 플라즈마 방전을 방지하기 위함이다. 상기 차폐체(13)는 유전 물질로 이루어져 있으며, 또한 사용자가 편리하게 잡을 수 있도록 그 표면에 그립(grip)이 구성되어 있다.
상기 메탈 전극(11)에 공급된 가스는 캐필러리를 통과한다. 위 고전계는 캐필러리 유전 전극(12)에 걸쳐 유지되므로 상기 캐필러리내에서는 고밀도 플라즈마 방전 빔이 발생된다. 상기 가스는 플라즈마 장치의 특정 응용에 종속하여 반응 가스이거나 또는 운반(carrier) 가스일 수 있다. 예로서, 상기 플라즈마 장치가 박막 증착 또는 에칭 공정에 이용될 때, 적절한 반응 가스가 원하는 화학 반응을 위해 선택된다. 따라서 소재를 향하여 캐필러리 전극 방전 플라즈마 방전이 형성된다.
부가적으로 보조 가스공급기(14)는 플라즈마 방전에 의해 처리되기 위해 그캐필러리 유전전극(12)과 소재(17) 사이의 공간으로 제공될 수 있다.
상기 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치에 의해 처리되기 위한 소재는 카운터 전극(counter electrode)으로 작용할 수 있다. 따라서, 메탈, 세라믹, 플라스틱과 같이 가상적으로 어떤 종류의 물질로 만들어진 소재들(17)은 본 발명의 장치에 의해 처리될 수 있다. 그 소재(17)는 일반적으로 위 메탈 전극(11)에 대해 접지 전위를 갖는다.
상기 가스 튜브(18)는 메탈 또는 유전 물질로 이루어지고, 더욱이 메탈 전극 (11)에 연결된다. 그래서 위 가스 공급기(14)로부터 가스 튜브(18)를 통하여 메탈 전극(11)으로 가스가 공급된다.
예로서, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 발생된 캐필러리 전극 방전 플라즈마용 사진이 도 4에 나타나 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 장치는 복수개의 캐필러리 유전 전극을 갖고 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 사워를 이용한 플라즈마 처리 장치는 메탈전극(21), 캐필러리 튜브(22), 차폐체(23), 가스 공급기(24), 전원공급기(25)를 포함한다.
상기 메탈 전극(21)은 DC 또는 RF 전위가 인가될 수 있고 제 1 및 제 2 끝단을 갖는 그 캐필러리 튜브(22)의 중간단(middle portion)을 둘러싼다. 그리고 상기메탈 전극(21)에 공급되는 전위의 주파수들은 10㎑ ∼ 200㎒의 영역에 있다.
상기 캐필러리 튜브(22)의 제 1 끝단은 가스 공급기(24)에 결합되는 반면 제 2 끝단은 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 향해 노출된다. 상기 차폐체(23)는 제 2 끝단을 제외한 캐필러리 튜브(22)와 메탈 전극(21)을 덮고, 이는 캐필러리 튜브(22)의 제 2 끝단을 제외한 부분에서의 불필요한 플라즈마 방전을 억제한다. 상기 차폐체(23)는 유전물질로 이루어지며, 처리를 위해 그 차폐체(23)상에 그립(도시 생략)이 형성될 수 있다. 상기 캐필러리 튜브(22)의 두께는 바람직하게는 2㎜ ∼ 300㎜의 범위이고, 그것의 직경은 200㎛ ∼ 30㎜의 범위내에 있다.
상기 가스로는 운반가스 또는 반응 가스가 그 장치의 특정 응용에 종속하여 그 장치를 위해 공급될 수 있다. 또한 제 1 실시예와 유사하게 도 2에 나타낸 소재는 카운터 전극으로 작용하고 일반적으로 메탈전극(21)에 대해 접지전위에 있다.
본 발명의 장치를 사용하여 메탈, 세라믹 또는 플라스틱 같은 물질로 만들어진 소재가 처리될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 장치로부터 발생된 캐필러리 전극 방전 플라즈마 방전을 예시하고 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 사용한 플라즈마 처리를 위한 장치의 다양한 형태들을 보여주는 다이어그램들이다. 예를 들면, 도 3a에 도시된 원형의 장치(30)는 고정된 소재나 원형 소재에 적당하다. 반면에 플레이트(plate) 또는 롤 시트(roll of sheet)와 같은 소재(33)는 직사각형태의 장치(31)를 가지고 적절히 처리할 수 있다. 정상적으로는, 이러한 소재들은 한번에 처리되지 않고, 도 3b에 도시된 바와 같이 선형 이동 장치(32)에 놓여 선형 이동하면서 처리된다. 웹 공정(web process)용 소재는 선형 이동 장치를 구비한 직사각형태의 장치에 의해 처리될 수 있다.
병같은 용기는 제 3 실시예를 예시하는 도 3c에 나타낸 실린더형 장치를 이용하여 처리될 수 있다. 그리고 전원과 연결된 부분과 가스(37)를 공급받는 부분을 제외한 메탈 튜브(36)의 전표면에 복수개의 홀들이 형성되어진다. 그 메탈 튜브(36)상의 홀들은 캐필러리 유전 전극(35)내의 캐필러리들과 매치(match)된다. 그리고 메탈 튜브(36)는 메탈전극(34)으로 동작한다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 캐필러리 유전 전극(35)은 메탈 튜브(36)와 연결되며 또한 메탈 튜브(36)를 둘러싼다. 상기 캐필러리 유전 전극(35)은 또한 차폐체(shield body)의 기능을 수행한다. 그 결과로, 캐필러리 전극 방전 플라즈마 방전(38)은 소재(39)의 내벽(inner wall)을 향하여 캐필러리 유전 전극(35)의 전표면으로부터 방사된다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치를 예시하는 단면도이다. 제 4 실시예에서, 도 6에 도시된 환상면체(도넛츠형) 표면으로부터 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워가 방사되기 때문에 소재의 전표면은 동시에 처리된다. 즉 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 유전체(61), 상기 유전체(61) 내의 적어도 한 쌍의 캐필러리들(62), 상기 캐필러리들(62)상의 메탈전극 (63), 전원공급기(64)를 포함한다.
여기서 상기 유전체(61)는 실린더 형태이고 그 내부에 캐필러리들(62)을 갖는다. 그리고 위 유전체(61)의 두께는 2mm ∼ 300mm이고, 그 캐필러리들(62)의 직경은 200㎛ ∼ 30mm이다.
또한 가스 공급기(도시 생략)는 위 장치의 유전체(61)의 상면 또는 저면 중 어느 한 면으로부터 가스를 그 장치에 공급한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 소재(66)의 전표면이 동시에 처리되도록 장치 내부에 위치된다. 그 소재(66)가 카운터 전극으로 작용하면 모든 메탈 전극(63)들은 DC 또는 RF 전위를 공급받는다. 또한 RF 전위는 10㎑ ∼ 200㎒ 범위의 주파수를 갖는다. 그리고 그 소재(66)가 접지전위가 아니면, 각 이웃한 메탈 전극(63)은 양자택일적으로 접지전위와 DC/RF 전위를 공급받는다.
도 7a와 도 7b는 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 처리의 소독 능력의 일예를 예시하는 사진이다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워에 의해 처리된 제 1 샘플은 어떠한 박테리아 성장도 포함하지 않는다. 한편 도 7b에 도시된 바와 같이, 종래의 AC 배리어형(barrier type) 플라즈마로 처리된 제 2 샘플내에는 미생물 성장이 관찰된다. 따라서 소독하는데 있어서 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워에 의한 소재의 처리는 종래의 AC 배리어형 플라즈마 처리보다 더 효과적이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 처리의 소독 능력의 다른 예를 나타낸 도면이다. 각각 세 개의 오물 샘플은 수중에서 부유 및 여과시키어 부스러기를 제거한다. 위 샘플의 스포어 스테인(spore stain)은 샘플에 존재하는 엔도스포아 (endospore)를 확인하기 위한 현미경 슬라이드에 고정되어 표본 조사된다. 이어 각각 6 분동안 상기 제 2 샘플이 종래의 AC 배리어형 플라즈마에 의해 처리되는 동안 제 1 샘플은 캐필러리 전극 방전 플라즈마에 의해 처리된다. 상기 제 3 샘플은 플라즈마에 노출되지 않는다. 모든 샘플을 면봉으로 모으고 살균된 증류수로 하여금 스며들게 한다. 이어 1㎖의 증류수에 면봉을 담그고 이러한 면봉을 LB 세균 배양기내(효소 추출 및 팁톤)에 줄지어 놓고, 37℃에서 18 시간동안 인큐베이트한다. 그 때 각 샘플이 관측된다. 도 8a에 도시된 바와 같이, 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 가지고 처리된 제 1 샘플은 단일 박테리아 세포이며 미생물 성장은 나타나지 않는 반면, 제 1 샘플과는 다르게 도 8b와 도 8c에 각각 나타낸 바와 같이, 제2 및 제3 샘플은 도 부분 혹은 전체적으로 미생물 성장이 나타난다.
도 9 는 인간의 몸을 소독하는데 있어서의 응용을 예시하는 사진이다. 도 9 에 예시된 바와 같이 본 발명의 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워에 의해 발생된 플라즈마가 열에 의하지 않으면, 인체(human body)의 주위를 세정하거나 소독하는데 이용할 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 처리 장치는 대기압 또는 고압하에서 소재를 플라즈마 처리하는데 이용할 수 있으므로, 소재의 크기에 무관하게 공정의 제약을 받지 않는 효과가 있다.
그리고 멸균 공정에서 본 발명에 따른 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용하여 처리하면 종래의 AC 배리어형 플라즈마 처리보다 더 효과적이다.
본 발명은 발명의 기술적 범주를 벗어나지 않는 범위내에서 통상의 지식을 가진자에 의거 캐필러리 전극 방전 플라즈마 샤워를 이용한 플라즈마 장치 및 방법의 다양한 변조 변화가 가능함은 명백하다. 따라서 본 발명은 발명의 변조 및 변화를 커버하는 범주내에서 발명의 기술적 사상 및 그 들의 등가를 포함한다.
Claims (29)
- 메탈 전극;상기 메탈 전극에 연결되는 제 1 측면과 제 2 측면으로 이루어지고 적어도 하나의 캐필러리를 포함하는 캐필러리 유전 전극;상기 메탈 전극 및 캐필러리 유전 전극의 제 1 측면을 둘러싸며 제 1, 2 끝단을 갖는 차폐체;상기 메탈 전극에 가스를 공급하는 가스공급기를 포함함을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 전극에 10㎑∼200㎒의 RF 전위를 공급하는 전원공급기를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 차폐체의 제 1 끝단은 상기 가스공급기로부터 메탈 전극에 가스를 공급하도록 공동(cavity)으로 이루어지고, 상기 차폐체의 제 2 끝단은 원형 또는 다각형 형태인 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 차폐체의 제 1 끝단은 사용자가 잡을 수 있도록 한 그립을 포함하고, 상기 차폐체는 유전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 전극은 직류 전위나 RF 전위 중 하나를 공급받는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 소재는 카운터 전극으로 이용하고, 메탈, 세라믹, 플라스틱 및 인체 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 메탈 전극에 대하여 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 차폐체는 상기 캐필러리 유전 전극의 제 2 측면을 제외한 영역으로의 플라즈마 방전을 억제하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 캐필러리 유전 전극은 2㎜∼300㎜의 두께이며, 200㎛∼30㎜의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 캐필러리 유전 전극의 제 2 측면과 소재 사이의 공간에 보조 가스를 공급하는 보조 가스 공급기를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 메탈 전극은 실린더 형태이고, 상기 메탈 전극은 상기 캐필러리 유전 전극의 제 1 측면과 연결되는 표면에 적어도 하나의 홀을 구비하며, 상기 홀은 상기 캐필러리 유전 전극의 적어도 하나의 캐필러리와 정렬되며, 상기 메탈 전극은 상기 가스가 흐르도록 할로우를 구비하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 차폐체의 제 1 끝단과 연결되는 가스 튜브를 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 메탈 전극;상기 메탈 전극에 의해 둘러싸이며 제 1, 2 끝단으로 구성된 캐필러리 튜브;상기 제 2 끝단을 제외한 캐필러리 튜브와 메탈 전극을 둘러싸는 차폐체;상기 캐필러리 튜브의 제 1 끝단에 가스를 공급하는 가스공급기를 포함함을특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 메탈 전극에 RF 전위를 공급하는 전원공급기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 차폐체는 상기 소재를 향하는 원형 또는 다각형 형태인 제 1 측면을 포함하고 사용자가 잡을 수 있도록 그립을 가지며, 그리고 유전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 메탈 전극은 직류 전위 또는 RF 전위 중 하나를 공급받는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 소재는 카운터 전극으로 이용되며, 메탈, 세라믹, 그리고 플라스틱 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 메탈 전극에 대하여 접지된 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 차폐체는 상기 캐필러리 튜브의 제 2 끝단을 제외한 영역으로의 플라즈마 방전을 억제하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 캐필러리 튜브는 2㎜∼300㎜의 두께를 갖고 형성되고, 200㎛∼30㎜의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 가스는 상기 캐필러리 튜브의 제 1 끝단을 통해 상기 캐필러리 튜브내로 공급되는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 및 제 2 끝단과 중간단으로 구성된 메탈 전극;상기 메탈 전극의 제 1 끝단과 중간단을 둘러싸며 상기 제 1 끝단과 중간단으로부터 플라즈마 방전을 공급하는 캐필러리 유전 전극;상기 메탈 전극의 제 2 끝단으로 가스를 공급하는 가스공급기를 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 메탈 전극은 실린더 형태이고, 상기 가스가 흐르도록 내부에 공간이 형성되었으며, 직류 전위나 RF 전위 중 하나를 공급받는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 소재는 카운터 전극으로 이용되고, 메탈, 세라믹 그리고 플라스틱 중 적어도 하나를 포함하며, 플라즈마 방전에 의해 처리되기 위한 내측 표면이 형성되어 있으며, 상기 메탈 전극에 대해 접지된 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 캐필러리 유전 전극은 2㎜∼300㎜의 두께이고, 200㎛ ∼ 30㎜의 직경을 갖는 복수개의 캐필러리를 포함하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 1,2,3 측면으로 구성된 유전체;상기 유전체의 제 3 측면내에 구성되며 상기 유전체의 중심에 향하고 서로 이웃하여 형성된 적어도 한 쌍의 제 1, 2 캐필러리 유전 전극;상기 유전체의 제 3 측면을 포함하며 상기 캐필러리상에 형성된 메탈 전극;상기 유전체의 제 1 또는 제 2 측면에 가스를 공급하는 가스 공급기를 포함함을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 유전체는 실린더 형태인 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 캐필러리는 상기 메탈 전극의 수와 동일한 개수인 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 제 1 캐필러리 유전 전극은 상기 전원 공급부, 상기 제 2 캐필러리 유전 전극은 접지단에 각각 연결되고, 직류 전위 또는 RF 전위 중 하나를 공급받는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 소재는 카운터 전극으로 이용되고, 메탈, 세라믹 그리고 플라스틱 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 메탈 전극에 대하여 접지된 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
- 제 24 항에 있어서,상기 캐필러리 유전 전극은 2㎜ ∼ 300㎜의 두께이고, 200㎛ ∼ 30㎜의 직경을 갖는 복수개의 캐필러리를 포함하는 것을 특징으로 하는 소재 처리용 플라즈마 처리 장치.
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