KR20000070291A - 반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치 - Google Patents
반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20000070291A KR20000070291A KR1019997006520A KR19997006520A KR20000070291A KR 20000070291 A KR20000070291 A KR 20000070291A KR 1019997006520 A KR1019997006520 A KR 1019997006520A KR 19997006520 A KR19997006520 A KR 19997006520A KR 20000070291 A KR20000070291 A KR 20000070291A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor
- light
- laser light
- irradiation
- wavelength
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 title claims description 16
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/0455—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion
- H01L21/046—Making n or p doped regions or layers, e.g. using diffusion using ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
불순물원소를 첨가한 탄화규소(SiC) 기판(1)상이나 탄화규소(SiC) 박막(2)에 대하여, 상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 레이저광(5)을 조사하거나, 또는 반도체의 구성원소와 불순물원소와의 사이의 결합의 진동에 의하여 흡수하는 파장, 예를 들면 9 ∼ 11 μm 파장의 레이저광(5)을 조사한다. 특히 탄화규소(SiC) 에 알루미늄(Al)을 첨가한 경우, 파장이 9.5 ∼ 10 μm 인 레이저광(5)을 조사한다.
Description
반도체로서 현재 가장 일반적인 실리콘(Si)을 사용한 반도체소자를 형성할 때에는, 이온 주입 등에 의해 실리콘(Si) 안으로 불순물을 첨가한 후, 전기로나 플래시램프어닐(flash lamp anneal)등에 의해, 실리콘(Si)을 900∼1100。C 정도로 가열하여 열처리함으로써 불순물의 활성화가 행해지고 있다.
또한, 근래 전력특성(고내압(高耐壓), 큰 허용전류)이나 고주파특성, 내환경성에 뛰어난 탄화규소(SiC)를 사용한 반도체소자가 주목되고 있다. 이 탄화규소(SiC)는 실리콘(Si)에 비하여 이온주입 및 활성화가 어렵기 때문에, 탄화규소(SiC)의 성막(成膜)시에 불순물을 첨가하거나, 500∼1000。C 정도의 고온으로 가열한 상태에서 이온주입을 하고, 더욱이 T.Kimoto,et al.:Journal of Electronic Materials, Vol.25, No.5, 1996, pp.879-884 등에서 개시되어 있는 바와 같이, 1400∼1600。C 의 고온으로 열처리를 하여, 불순물을 활성화시키는 기술이 제안되어 있다.
그러나, 상기와 같은 열처리에 의해 불순물의 활성화를 행하는 방법은, Si 등을 전기로 등에 의해 가열하는 공정을 필요로 하기 때문에, 활성화에 비교적 장시간을 요하며 생산성을 향상시키는 것이 어렵다. 상기 문제점은 탄화규소(SiC)를 사용하는 경우에는, 보다 고온의 열처리를 필요로 하기 때문에 한층 심각함과 동시에, 특히 p형의 불순물 원소가 많이 활성화한 반도체층을 형성하는 것이 어렵다.
그래서, 예를 들면 특개평7-22311호 공보등에 기재되어 있는 바와 같이, 탄소, 질소, 및 산소의 농도가 일정치 이하의 비정질(amorphous) 실리콘막에 레이저광을 조사하여 레이저어닐함으로써 비정질(amorphous) 실리콘막을 용융시키지 않고 비정질영역과 고상질서화(固相秩序化)영역이 혼재한 영역을 형성하고, 이온을 집어 넣는 것에 의해 불순물 이온을 주입한 후, 파장이 248nm인 레이저광을 조사하여 레이저어닐함으로써 불순물영역을 반정질(semiamorphous)화 시켜, 불순물을 활성화 시키는 기술이 알려져 있다. 또한, 동 공보에는 상기와 같은 방법에 의하여 비정질실리콘 보다도 캐리어의 이동도를 향상시켜 얻을 수 있다는 것이 기재되어 있지만, 비정질실리콘 이외의 반도체에 관한 레이저어닐에 관하여는 기재되어 있지 않다.
상기와 같은 반도체의 결정화(활성화)를 행하기 위한 레이저어닐에 사용하는 레이저광으로서는, 보다 상세히는 예를 들면 Y.Morita, et al.: Jpn J. Appl. Phys., Vol.2, No.2(1989) pp. L309-L311에 기재되어 있는 바와 같이, 실리콘(Si) 막의 밴드단(band 端) 흡수를 일으키는 파장 보다도 짧은 파장의 엑시머레이저광 등이 사용되고 있었다. 이와 같은 파장의 레이저광이 사용되는 것은, 레이저광의 에너지에 의하여 반도체를 구성하는 원자의 전자를 여기·전리시켜, 그 에너지의 일부를 구성원자의 격자진동 에너지로 변환하는 것에 의해, 반도체를 순간적으로 고온으로 가열하여 결정화(활성화)를 촉진시키기 위함이다.
그러나, 상기 종래의 레이저어닐에 의한 불순물의 활성화에서는, 에너지의 이용효율이 낮고, 반도체를 순간적으로 고온으로 가열하기 때문에 비교적 큰 출력의 레이저장치를 필요로 하여, 제조 비용의 증대 등을 초래하는 경향이 있을 뿐만 아니라, 불순물 등의 활성화를 확실히 행하는 것이 반드시 용이하지는 않으며, 양호한 특성을 가지는 반도체소자를 형성하는 것 등이 어렵다고 하는 문제점을 가지고 있었다. 특히, 탄화규소(SiC)에서의 p형 불순물 등의 활성화에 관해서는, 양호한 특성을 가지는 반도체소자의 형성이 한층 어렵다.
본 발명은, 예를 들면 반도체소자의 제조에 필요한, 탄화규소(SiC) 등에 주입된 불순물을 활성화시키는 반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치에 관한 것이다.
도 1은 실시형태의 반도체기판의 제조공정을 나타내는 공정도,
도 2는 실시형태의 불순물이온이 주입된 반도체 기판에서의 불순물이온 농도를 나타내는 그래프,
도 3은 실시형태의 레이저어닐 장치의 개략구성을 나타내는 설명도,
도 4는 실시형태의 레이저어닐된 반도체기판에서의 탄화규소(SiC)막의 포토루미네선스(photoluminescence)스펙트럼의 초점위치 의존성을 나타내는 그래프,
도 5는 실시형태의 레이저어닐된 반도체기판에서의 탄화규소(SiC)막의 포토루미네선스 스펙트럼의 조사 레이저광 파장 의존성을 나타내는 그래프,
도 6은 실시형태의 탄화규소(SiC) 다이오드의 제조공정을 나타내는 공정도,
도 7은 실시형태의 탄화규소(SiC) 다이오드의 전기특성을 나타내는 그래프이다.
본 발명은, 상기의 점을 감안하여 비교적 작은 출력의 레이저장치를 사용해도 불순물의 활성화를 효율 좋게, 또 확실히 행하는 것이 가능한 반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치의 제공을 목적으로 하고 있다.
즉, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 주요 반도체원소와 불순물원소를 포함하는 반도체에 빛을 조사하여 상기의 불순물원소를 활성화시키는 반도체불순물의 활성화방법으로서, 상기의 조사광이 상기 반도체 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 빛인 것을 특징으로 하고 있다. 더욱이, 상기 조사광이 대략 상기 주요 반도체원소와 상기 불순물원소와의 결합에서의 고유 진동에 의하여 공명 흡수가 생기는 파장의 빛인 것을 특징으로 하고 있다.
즉, 종래의 활성화에 사용되는 것과 같은 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 짧은 파장의 빛에서는, 조사되는 빛의 에너지에 의하여, 반도체를 구성하는 원자의 전자를 여기·전리시키고, 그 에너지의 일부를 구성원자의 격자진동 에너지로 변환하는 것에 의해, 반도체를 순간적으로 고온으로 가열하여 활성화가 행해지는 것에 비하여, 본 발명자들은 그 보다도 긴 상기와 같은 파장의 빛을 조사하는 것에 의하여, 직접 불순물원소와 반도체의 구성원소와의 사이의 격자진동을 여기하여 활성화시킬수 있는 것을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 그러므로, 활성화의 효율이 좋고 출력이 작은 레이저장치를 사용하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 양호한 불순물의 활성화를 용이하게 행하는 것이 가능하다.
구체적으로는, 예를 들면 주요 반도체 원소가 탄화규소, 불순물원소가 알루미늄, 붕소, 및 갈륨 중의 어느 하나인 경우에는 밴드단 흡수를 일으키는 파장( 6H - SiC 의 경우, 약 3 eV: ∼ 0.41 μm ) 보다도 긴, 예를 들면 9 μm 이상 11 μm 이하의 파장의 빛을 조사하는 것에 의해 특성이 양호한 p형의 탄화규소 반도체를 용이하게 형성하는 것이 가능하다. 특히, 알루미늄의 경우에는 9.5 μm ∼ 10 μm 의 파장을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명은 더욱이 상기와 같은 파장의 레이저광을 사용하여, 상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에, 상기 레이저광의 집광초점위치가 상기 반도체의 표면에서 상기 레이저광의 광원측으로 소정 거리의 위치가 되도록 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하고 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면 상기 레이저광의 집광초점위치를 상기 반도체의 표면보다도 상기 레이저광의 광원측의 위치에서 상기 반도체의 표면에 가까이 한 때에 생기는 플룸을 검출하고, 상기 레이저광의 집광초점위치가 상기 플룸(plume)이 검출되기 시작하는 위치 부근으로 되도록 제어하여, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하고 있다.
이와 같이 집광초점위치를 설정, 제어하는 것에 의하여 한층 활성화정도를 향상시키는 것을 용이하게 할 수 있다.
이하, 탄화규소(SiC)에 불순물로서 알루미늄(Al)이온을 주입하여 활성화시키는 예를 설명한다.
(반도체기판의 제조공정)
먼저, 레이저어닐 공정을 포함하는 반도체기판의 제조공정의 개략을 도 1에 따라서 설명한다.
(1) 도 1(a)(b)에 나타낸 바와 같이, 단결정의 6H - SiC (육방정(六方晶) 탄화규소)로 이루어지는 탄화규소(SiC) 기판(1)상에 승화법에 의한 에피택시얼(epitaxial)성장(成長)에 의하여, 단결정의 6H - SiC 로 이루어지는 탄화규소(SiC)박막(2)을 형성한다. 이 탄화규소(SiC) 박막(2)의 형성방법, 조건에 대해서는 공지의 것이 적용가능하기 때문에 설명을 생략한다. 여기서, 상기 탄화규소(SiC)기판(1) 및 탄화규소(SiC) 박막(2)은 각각 결정성장(成長)시에 질소가스(N2)를 첨가함으로써, 1018cm-3농도의 N을 도핑하여 n형으로 형성한다. 또한, 상기 탄화규소(SiC) 기판(1) 및 탄화규소(SiC) 박막(2)은 6H - SiC 로 이루어지는 것에 한하지 않고, 다른 결정형태의 것이라도 좋고 또한 실리콘(Si)으로 이루어지는 기판을 사용해도 좋다. 또한 승화법에 한하지 않고, CVD법 등에 의하여 단결정 성장시켜 탄화규소(SiC) 박막(2)을 형성해도 좋다. 또한 N의 도핑은 형성되는 반도체를 사용하여 제작하려고 하는 반도체소자(디바이스)등에 의해서는, 반드시 행하지 않아도 좋다.
(2) 도 1(c)에 나타낸 바와 같이, 상기 탄화규소(SiC) 박막(2)에 이온주입에 의해 알루미늄(Al) 이온(3)을 주입하여 탄화규소(SiC) 박막(2)의 표면 부근에 p형의 불순물 첨가층 (도핑층)(4)을 형성한다. 상기 이온주입은, 보다 상세히는 800。C의 온도이고,
가속에너지:130 keV 주입량:1.22×1015cm-2
가속에너지: 80 keV 주입량:3.9×1014cm-2
가속에너지: 40 keV 주입량:3.9×1014cm-2
의 3단계로 행하는 것에 의하여, 도 2에 나타낸 바와 같이 탄화규소(SiC) 박막(2)의 표면에서 약 2000 Å 의 두께에 걸쳐서 1020cm-3의 알루미늄(Al) 농도의 영역이 분포하는 불순물 첨가층(4)이 형성되도록 한다.
또한, 상기 p형의 불순물 첨가층(4)을 형성하기 위한 불순물로서는 알루미늄(Al) 외에 붕소(B), 갈륨(Ga) 등의 어느 하나를 사용해도 좋다. 다만 탄화규소(SiC) 박막에 대한 도핑에서는, 불순물 준위가 얕은 p형의 경우에는 알루미늄(Al)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 인(P)등을 사용하여 n형의 불순물 첨가층(4)을 형성하도록 하여도 좋다. 그 경우에는 탄화규소(SiC) 기판(1) 및 탄화규소(SiC) 박막(2)의 결정성장시에는, 상기 N의 첨가에 대신하여 필요에 따라서 알루미늄(Al) 등을 첨가하여도 좋다. 더욱이 주입시의 온도, 주입의 가속에너지나 농도 및 1단계 또는 다단계의 어느 하나의 조건으로 이온 주입을 행할지 등은, 그 반도체를 사용하여 제작하는 반도체소자(디바이스)의 구조나 도핑층의 두께 등에 따라서 설정하면 좋다. 또한 주입시의 온도는 실온이라도 좋지만, 500。C 이상으로 가열하여 이온주입을 행하는 쪽이, 후의 레이저어닐 공정에 의해 불순물을 보다 활성화시키는 것을 용이하게 할 수 있다. 또한, 다른 공지의 각종 이온주입방법 등을 사용해도 좋다.
(3) 도 1(d)에 나타낸 바와 같이, 불순물 첨가층(4)에 적외선영역의 파장의 레이저광(5)을 소정의 주사주파수로 수평·수직방향으로 주사하면서 조사하여, 상기 첨가한 불순물이 전면에 걸쳐 똑같이 활성화된 활성화 도핑층(6)을 형성한다. 상기 활성화에 대해서는 이하에 상술한다.
(레이저어닐 장치)
다음으로, 레이저어닐 장치에 대해서 설명한다.
상기 레이저어닐 장치는 도3에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 탄화규소(SiC) 박막(2)이 형성되어, 알루미늄(Al)이 이온주입된 탄화규소(SiC) 기판(1)(이하, 단순히「 탄화규소(SiC)기판(1)」이라 칭한다.)이 배치되는 챔버(21)와, 발진파장이 가변적인 자유전자 레이저(22)가 설치되어 구성되어 있다. 챔버(chamber)(21)에는 광학창(7), 반사미러(8), 레이저광의 집광과 위치맞춤을 행하는 렌즈(9), 레이저광을 반사하여 주사하는 갈바노미터미러(10) 및 탄화규소(SiC)기판(1)이 놓여지는 시료대(11)가 설치되어 있다. 상기 광학창(7), 반사미러(8) 및 렌즈(9)는, 예를 들면 ZnSe에 의하여 형성되어 있다. 시료대(11)는, 도시하지 않은 압전(壓電) 액추에이터(actuator) 또는 스테핑모터 등을 구비한 시료대 이동기구(16)에 의해, 탄화규소(SiC) 기판(1)을 동도면에서의 상하 방향 및 좌우 방향으로 이동시키도록 되어 있다. 또한, 시료대(11)의 근방에는, 레이저광의 조사에 의해 탄화규소(SiC)기판(1)의 표면에서 생기는 불꽃모양(火花狀)의 발광(플룸: plume)(14)을 검출하는 광검지기(15)가 설치되고, 상기 검출에 따라서 상기 시료대 이동기구(16)가 제어되어, 시료대(11)가 상하 움직이도록 되어 있다.
(레이저어닐 처리의 상세)
상기와 같은 레이저어닐 장치를 사용한 레이저어닐 처리에 대해서 상세하게 설명한다.
상기 레이저어닐 처리에 있어서는, 렌즈(9)에 의한 레이저광(5)의 집광초점위치와 레이저광(5)의 파장을 적절하게 설정하는 것에 의해, 양호한 불순물의 활성화가 행해진다.
먼저, 초점위치의 조정에 대해서 설명한다. 레이저광(5)의 파장을 10.2 μm 로 설정하고, 레이저광(5)의 초점위치를 탄화규소(SiC)기판(1)의 표면보다 상방(上方) 1.5 mm 의 위치에서 내부 - 2.0 mm의 위치(탄화규소(SiC) 기판(1)의 이면측(裏面側))까지 여러가지로 설정하여 불순물의 활성화를 행했다. 얻어진 각 탄화규소(SiC) 기판(1)에 대해서, 불순물의 활성화 정도를 확인하기 위해서, 여기광으로서 He - Cd 레이저(파장:325 nm)를 사용하고, 측정시료 온도: 8K (- 265 。C)로, 포토루미네선스 스펙트럼의 측정을 행했다. 측정결과를 도 4에 나타낸다. 동도면에서의 약 2.6 eV (파장: 480 nm) 부근에 나타나고 있는 발광은, 탄화규소(SiC) 기판(1)내의 활성화된 불순물 원소에 기인하는 도너(D)-억셉터(A) 페어간의 재결합에 의한 포토루미네선스 (DA 페어발광)이고, 활성화된 불순물이 많은 만큼 DA 페어발광의 강도가 크게 된다. 이에 의해, 레이저광(5)의 초점위치가 탄화규소(SiC)기판(1)의 표면보다 약간 (0.5 ∼ 1.0 mm) 상방인 경우(동도면의및 △ 표시)에, DA 페어발광이 가장 강하게 나타나 있고, 불순물의 활성화가 가장 효율 좋게 행해지고 있는 것이 분명해졌다. 이에 비해, 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면에서 내부방향측으로 초점을 맞춘 경우(동도면의, ▲, ■,표시)에는, DA 페어발광의 강도가 작게 된다. 또한, 탄화규소(SiC)기판(1)의 표면에서 약간 내부측의 경우(동도면의, ▲표시)에는, 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면이 검게 변(黑變)하고 있어, 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면이 개질(改質)되거나, 또는 변질한 것으로 생각된다. 따라서, 레이저광(5)의 초점위치가 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면보다 약간 상방으로 되도록 하는 것에 의해, 양호한 활성화를 행할 수 있다.
상기와 같은 초점위치의 제어는, 실제로는 예를 들면 다음과 같이 하여 행할 수 있다. 즉, 상기 레이저광(5)의 초점위치가 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면보다 약간 상방으로 되는 상태는, 레이저광(5)의 조사에 의해 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면에서 플룸(14)이 발생하기 시작하는 상태에 상당하므로, 광검지기(15)에 의해 플룸(14)의 발생을 검출하여, 시료대 이동기구(16)에 의해 탄화규소(SiC) 기판(1)을 상하 이동시키고, 플룸이 발생하기 시작하는 상태가 유지되도록 피드백제어함으로써, 조사면의 위치가 최적으로 되도록 하여 양호한 활성화를 행할 수 있다. 여기서, 레이저광(5)의 조사에 의한 탄화규소(SiC) 기판(1)의 개질(改質)이나 변질을 방지하기 위해서는, 먼저 초점위치를 일단 탄화규소(SiC) 기판(1) 의 표면에서 떨어진 위치에 맞춘 후에, 탄화규소(SiC) 기판(1)에 가까이 하도록 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 초점위치의 제어방법은 상기의 것에 한하지 않고, 예를 들면 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면의 위치를 위치센서에 의해 검출하여 제어하는 등 하여도 좋다. 또한, 초점위치와 탄화규소(SiC) 기판(1)의 표면과의 거리가 재현성이 좋게 보전되는 경우 등에는, 미리 시료대(11)의 위치를 설정하고, 레이저어닐 시에는 제어하지 않도록 하여도 좋다.
또한, 상기와 같은 초점위치를 제어함으로써, 실질적으로 탄화규소(SiC) 기판(1)에 대한 레이저광의 조사강도 등을 용이하게 제어할 수 있지만, 상기 플룸의 검출에 기초해서 레이저광의 변조 등을 함으로써 조사강도를 제어하도록 하여도 좋다.
다음으로, 레이저광(5)의 파장에 대해서 설명한다. 레이저광(5)의 파장을 10.64 ∼ 9.43 μm 까지 여러 가지로 설정하여 불순물의 활성화를 행하고, 얻어진 각 탄화규소(SiC) 기판(1)에 대해서, 상기 초점위치의 경우와 마찬가지로 하여 포토루미네선스스펙트럼의 측정을 행했다. 측정 결과를 도 5에 나타낸다. (또한, 동도면에 있어서는, 편의상 각 파장에 대응하는 스펙트럼을 세로축의 0.05 눈금씩 비켜서 그리고 있다.) 동도면에서 명백한 바와 같이, 특히 9 ∼ 11 μm 의 파장영역, 더욱이 9.5 μm ∼ 10 μm 에 걸치는 파장영역의 빛에 의하여, DA 페어 발광강도가 크고, 알루미늄(Al) 의 활성화의 효과가 크다.
여기에서, 탄화규소(SiC) 는 Si - C 의 격자간 진동에서의 TO 포논(phonon)과 LO 포논(phonon)에 대응한 흡수파장이 12.6 μm 와 10.3 μm 이고, Si - N 의 흡수파장은 11.9 μm 인 것에 비해, 동도면에 나타낸 바와 같이 9.8 ∼ 9.6 μm 인 파장의 레이저광을 조사한 경우에 DA페어 발광이 최대로 되어 있다. 그러므로, 알루미늄(Al)의 활성화에는 규소(Si)또는 탄소(C)와 불순물원소 알루미늄(Al)과의 결합에서의 흡수의 영향이 크다고 생각된다.
즉, 종래의 활성화에서는 처리를 행하는 반도체의 전자계에 에너지를 공급하기 위하여, 엑시머레이저 등과 같은 탄화규소(SiC)의 밴드단 흡수를 일으키는 파장(6H-SiC의 경우, 약 3eV:∼0.41μm)보다 짧은 파장의 빛을 사용하고 있었던 것에 비해, 본 발명에 의하면, 오히려 밴드단 흡수를 일으키는 것 보다도 긴 파장, 특히 반도체의 구성원소와 불순물원소와의 결합에 대한 흡수가 생기는 파장 부근의 파장의 빛을 사용함으로써, 직접 불순물원소와 반도체의 구성원소와의 사이에 격자진동이 여기되는 것에 의한 활성화가 행해지기 때문에, 효율이 좋고 활성화 정도를 용이하게 향상시킬 수 있고, 또한 출력이 작은 레이저 장치를 사용할 수 있다.
또한, 상기 각 수치는 탄화규소(SiC) 와 알루미늄(Al)을 사용한 경우의 예이고, 반도체의 구성원소와 불순물원소가 다른 경우에는, 각각에 따라서 상기의 원리에 기초한 파장의 빛을 조사하도록 하면 좋다.
또한 상기의 예에 있어서, 챔버(21)내에 아르곤(Ar) 등의 불활성가스를 봉입하여, 이들의 분위기 중에서 레이저어닐하거나, 탄화규소(SiC) 기판(1)을 1000。C 이하 정도의 온도로 가열하거나, 또 탄화규소(SiC) 기판(1)을 냉각하는 등의 수단을 부가하는 것은, 본 발명의 효과를 보다 높히거나, 제어성을 보다 향상시키거나 할 수 있는 등의 점에서 바람직하다.
또한, 반도체 재료로서는 탄화규소(SiC) 에 한하지 않고, 실리콘(Si) 등이라도 좋고, 또한 단결정에 한하지 않고 비정질의 반도체 재료를 사용하는 경우 등에서도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상기의 예에서는 여러 가지 파장에서의 비교를 행하기 때문에 자유전자 레이저를 사용했지만, 상기과 같은 소정의 파장이 얻어지는 것이라면, 고정파장의 레이저장치를 사용해도 좋고, 특히 비교적 긴 파장을 사용하는 점에서 CO2레이저 등을 사용하여 생산성을 향상시키는 것 등도 용이하게 할 수 있다.
(반도체소자)
상기와 마찬가지로 하여 불순물의 이온 주입 및 활성화가 행해진 탄화규소(SiC) 에 의해 형성되는 탄화규소(SiC) 다이오드의 예를 설명한다.
도 6은 본 발명에 관계된 불순물의 도핑방법에 의한 탄화규소(SiC) 다이오드의 제조공정의 개략도이다.
(1) 도 6(a)에 나타낸 바와 같이, n형의 탄화규소(SiC) 기판(31)의 전면에, 열산화나 CVD법, 스퍼터(sputter)법 등에 의하여 절연막(산화막)(32)을 형성하고, 개구부(32a)를 포토리소그래피 및 에칭에 의하여 형성한다. 상기 절연막(32)으로서는 산화막, 질화막, 또는 산화막과 질화막의 복합막 등을 형성해도 좋다. 또한 형성하는 소자의 구성 등에 따라서는, 절연막(32)은 반드시 형성하지 않아도 좋다.
(2) 도 6(b)에 나타낸 바와 같이, 절연막(32)을 마스크로서 알루미늄(Al) 이온(33)을 선택적으로 주입하고, 알루미늄(Al)의 주입층(34)을 형성한다.
(3) 도 6(c)에 나타낸 바와 같이, 파장이 9.8 μm 의 레이저광(35)을 조사하여, 불순물이 활성화된 p형의 도핑층(36)을 형성한다.
(4) 도 6(d)에 나타낸 바와 같이 절연막(32)의 됫면측에 개구부(32)(b)를 형성한 후, 도 6(e)에 나타낸 바와 같이 니켈(Ni) 막을 퇴적하고 에칭이나 열처리를 행하여, n형의 오믹(ohmic)전극(37)을 형성한다.
(5) 도 6(f) 에 나타낸 바와 같이, p형의 도핑층(36)측에 알루미늄(Al) 막을 퇴적하고 에칭이나 열처리를 행하여, 오믹(ohmic)전극(38)을 형성한다.
상기와 같이 하여 제작한 다이오드의 특성을 도 7에 나타낸다. 동도면에서의 점선은, 종래 기술에서 설명한 1500。C의 열처리에 의하여 불순물의 활성화를 행하여 제작한 다이오드의 특성을 나타낸다. 동 도면에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의하여 1000。C 이상의 고온의 열처리를 행하지 않고, 내압 특성 등이 뛰어난 양호한 다이오드를 제작할 수 있다.
또한, 상기의 예에서는 다이오드를 형성하는 예를 설명했지만, 마찬가지의 도핑(활성화)을 행함으로써, 소자구성이나 마스크를 적절히 선택하는 등 하여, 트랜지스터나 FET(전계효과 트랜지스터) 등의 여러 가지 소자를 제작하는 것도 가능하다.
본 발명은, 이상 설명한 바와 같은 형태로 실시되어, 이하에 기재되는 것과 같은 효과를 나타낸다.
즉, 상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장 보다도 긴 파장의 빛, 더욱이 대략 상기 주요 반도체 원소와 상기 불순물 원소와의 결합에서의 고유의 진동에 의하여 공명 흡수가 생기는 파장의 빛을 조사하여 불순물의 활성화를 행함으로써, 비교적 작은 출력의 레이저 장치를 사용해도 불순물의 활성화를 효율 좋게, 또한 확실히 행할 수 있고, 특히 종래 어려웠던 탄화규소(SiC) 의 p형 불순물의 활성화를 더없이 효율 좋게 행할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
따라서, 반도체소자의 제조 등의 분야에 있어서 적용되어 유용하다.
Claims (15)
- 주요 반도체원소와 불순물원소를 포함하는 반도체에 빛을 조사하여 상기 불순물원소를 활성화시키는 반도체불순물의 활성화방법으로서,상기 조사광이 상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 빛인 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 1항에 있어서,상기 조사광이 대략 상기 주요 반도체원소와 상기 불순물원소와의 결합에서의 고유의 진동에 의하여 공명 흡수가 생기는 파장의 빛인 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체가 상기 주요 반도체원소로 이루어지는 박막 또는 기판에 상기 불순물원소를 이온 주입함으로써 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 1항에 있어서,상기 주요 반도체원소가 탄화규소임과 동시에,상기 불순물원소가 알루미늄, 붕소 및 갈륨 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 4항에 있어서,상기 조사광이 파장 9 μm 이상, 11 μm 이하의 파장의 빛인 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 1항에 있어서,상기 조사광이 레이저광인 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 6항에 있어서,상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에,상기 반도체에서의 상기 집광된 레이저광의 조사영역을 차례로 주사함으로써, 상기 반도체에서의 소정범위 영역의 상기 불순물원소를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 6항에 있어서,상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에,상기 레이저광의 집광초점위치와 상기 반도체의 표면과의 거리를 제어함으로써, 상기 레이저광의 조사강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 6항에 있어서,상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에,상기 레이저광의 조사강도를 증대시킨 때에 생기는 플룸(plume)을 검출하고, 상기 레이저광의 조사강도가 상기 플룸이 검출되기 시작하는 부근의 조사강도로 되도록 제어하여, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 6항에 있어서,상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에,상기 레이저광의 집광초점위치가 상기 반도체의 표면에서 상기 레이저광의 광원측으로 소정거리의 위치가 되도록, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 제 6항에 있어서,상기 레이저광을 상기 반도체의 표면 근방에 집광시킴과 동시에,상기 레이저광의 집광초점위치를 상기 반도체의 표면보다도 상기 레이저광의 광원측의 위치에서 상기 반도체의 표면에 가깝게 한 때에 생기는 플룸을 검출하고, 상기 레이저광의 집광초점위치가 상기 플룸이 검출되기 시작하는 위치부근으로 되도록 제어하여, 상기 레이저광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체불순물의 활성화방법.
- 제 1항에 있어서,마스킹부재를 통하여 상기 반도체에서의 소정의 영역에만 선택적으로 상기 조사광을 조사하여, 상기 불순물원소를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화방법.
- 주요 반도체원소와 불순물원소를 포함하는 반도체에 빛을 조사하여 상기 불순물원소를 활성화시키는 반도체 불순물의 활성화장치로서,상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 조사광을 출력하는 광원수단과,상기 조사광을 집광시키는 집광수단과,상기 레이저광의 집광초점위치와 상기 반도체의 표면과의 거리를 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화장치.
- 주요 반도체원소와 불순물원소를 포함하는 반도체에 빛을 조사하여 상기 불순물원소를 활성화시키는 반도체불순물의 활성화장치로서,상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 조사광을 출력하는 광원수단과,상기 조사광의 조사에 의해 생기는 플룸을 검출하는 광검출수단과,상기 광검출수단의 검출결과에 따라서, 상기 조사광의 조사강도를 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화장치.
- 주요 반도체원소와 불순물원소를 포함하는 반도체에 빛을 조사하여 상기 불순물원소를 활성화시키는 반도체 불순물의 활성화장치로서,상기 반도체의 밴드단 흡수를 일으키는 파장보다도 긴 파장의 조사광을 출력하는 광원수단과,상기 조사광을 집광시키는 집광수단과,상기 조사광의 집광초점위치를 상기 반도체의 표면보다도 상기 조사광의 광원측의 위치에서 상기 반도체의 표면에 가깝게 한 때에 생기는 플룸을 검출하는 광검출수단과,상기 조사광의 집광초점위치가 상기 플룸이 검출되기 시작하는 위치부근으로 되도록, 상기 조사광의 집광초점위치와 상기 반도체의 표면과의 거리를 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 불순물의 활성화장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32777197 | 1997-11-28 | ||
| JP97-327771 | 1997-11-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000070291A true KR20000070291A (ko) | 2000-11-25 |
| KR100413569B1 KR100413569B1 (ko) | 2003-12-31 |
Family
ID=18202809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-7006520A KR100413569B1 (ko) | 1997-11-28 | 1998-11-30 | 반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6255201B1 (ko) |
| EP (1) | EP0971397B1 (ko) |
| KR (1) | KR100413569B1 (ko) |
| CN (1) | CN1110068C (ko) |
| CA (1) | CA2278578A1 (ko) |
| DE (1) | DE69813787T2 (ko) |
| WO (1) | WO1999028960A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040046644A (ko) * | 2002-11-28 | 2004-06-05 | 이형규 | 레이저 활성화를 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7883628B2 (en) * | 2001-07-04 | 2011-02-08 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of reducing the surface roughness of a semiconductor wafer |
| US7749910B2 (en) * | 2001-07-04 | 2010-07-06 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method of reducing the surface roughness of a semiconductor wafer |
| FR2827078B1 (fr) * | 2001-07-04 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de diminution de rugosite de surface |
| US6767799B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser beam irradiation method |
| JP2004158627A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| DE10308646B4 (de) * | 2003-01-31 | 2008-07-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleitersubstrat für optoelektronische Bauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20050104072A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-05-19 | Slater David B.Jr. | Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed |
| US20050106876A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-05-19 | Taylor Charles A.Ii | Apparatus and method for real time measurement of substrate temperatures for use in semiconductor growth and wafer processing |
| KR100610016B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조를 위한 불순물 원자 활성화 장치 및그 방법 |
| US7951632B1 (en) * | 2005-01-26 | 2011-05-31 | University Of Central Florida | Optical device and method of making |
| US20060267021A1 (en) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | General Electric Company | Power devices and methods of manufacture |
| US7851343B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-12-14 | Cree, Inc. | Methods of forming ohmic layers through ablation capping layers |
| TWI543264B (zh) * | 2010-03-31 | 2016-07-21 | 應用材料股份有限公司 | 雷射光束定位系統 |
| JP5569376B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2014-08-13 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN102501077B (zh) * | 2011-11-15 | 2014-05-14 | 吉林大学 | 一种仿生耐磨高可靠性铸铁滚动机床导轨及其制作方法 |
| CN106469647B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-03-19 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种碳化硅半导体器件的掺杂制造工艺 |
| CN106469646B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-08-06 | 南京励盛半导体科技有限公司 | 一种碳化硅器件用离子注入来形成高掺杂的制造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3792379A (en) * | 1972-03-07 | 1974-02-12 | Bell Telephone Labor Inc | Millimeter wave devices utilizing electrically polarized media |
| JPS4963419A (ko) * | 1972-10-18 | 1974-06-19 | ||
| JPS57102016A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Hitachi Ltd | Pattern generator |
| US4379727A (en) * | 1981-07-08 | 1983-04-12 | International Business Machines Corporation | Method of laser annealing of subsurface ion implanted regions |
| US4439245A (en) * | 1982-01-25 | 1984-03-27 | Rca Corporation | Electromagnetic radiation annealing of semiconductor material |
| USRE33274E (en) * | 1985-09-13 | 1990-07-24 | Xerox Corporation | Selective disordering of well structures by laser annealing |
| JPH0824104B2 (ja) | 1991-03-18 | 1996-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体材料およびその作製方法 |
| JP3118307B2 (ja) * | 1992-04-20 | 2000-12-18 | 株式会社トクヤマ | α−メチル−２−フリルアクリル酸無水物 |
| JP3437863B2 (ja) * | 1993-01-18 | 2003-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｍｉｓ型半導体装置の作製方法 |
| DE69430230T2 (de) * | 1993-10-14 | 2002-10-31 | Neuralsystems Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films |
| JPH08148443A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 不純物のイオン注入方法 |
| US5930591A (en) * | 1997-04-23 | 1999-07-27 | Litton Systems Canada Limited | High resolution, low voltage flat-panel radiation imaging sensors |
| US6201253B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-03-13 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for detecting a planarized outer layer of a semiconductor wafer with a confocal optical system |
-
1998
- 1998-11-30 KR KR10-1999-7006520A patent/KR100413569B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-30 DE DE69813787T patent/DE69813787T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 CN CN98802095A patent/CN1110068C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 EP EP98955993A patent/EP0971397B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-30 WO PCT/JP1998/005383 patent/WO1999028960A1/ja active IP Right Grant
- 1998-11-30 US US09/341,464 patent/US6255201B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 CA CA002278578A patent/CA2278578A1/en not_active Abandoned
-
2001
- 2001-05-11 US US09/852,656 patent/US6577386B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040046644A (ko) * | 2002-11-28 | 2004-06-05 | 이형규 | 레이저 활성화를 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0971397B1 (en) | 2003-04-23 |
| CN1110068C (zh) | 2003-05-28 |
| EP0971397A4 (en) | 2000-08-30 |
| DE69813787T2 (de) | 2003-10-23 |
| US6255201B1 (en) | 2001-07-03 |
| CA2278578A1 (en) | 1999-06-10 |
| WO1999028960A1 (fr) | 1999-06-10 |
| US6577386B2 (en) | 2003-06-10 |
| US20010027001A1 (en) | 2001-10-04 |
| KR100413569B1 (ko) | 2003-12-31 |
| DE69813787D1 (de) | 2003-05-28 |
| EP0971397A1 (en) | 2000-01-12 |
| CN1244948A (zh) | 2000-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100413569B1 (ko) | 반도체불순물의 활성화방법 및 활성화장치 | |
| US7964868B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| Stimmer et al. | Electroluminescence of erbium–oxygen‐doped silicon diodes grown by molecular beam epitaxy | |
| US20060233969A1 (en) | Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-zno films, p-type zno films, and zno-based II-VI compound semiconductor devices | |
| US5667905A (en) | Electro-luminescent material, solid state electro-luminescent device and process for fabrication thereof | |
| US6562705B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element | |
| JPH11224861A (ja) | 半導体不純物の活性化方法、および活性化装置 | |
| EP4322229A2 (en) | Method for manufacturing a uv-radiation detector device based on sic, and uv-radiation detector device based on sic | |
| JP3834658B2 (ja) | 薄膜及びｐ型酸化亜鉛薄膜製造方法と半導体デバイス | |
| JP3108375B2 (ja) | 半導体薄膜及びその製膜方法 | |
| Andreev et al. | Realization of photo-and electroluminescent Si: Er structures by the method of sublimation molecular beam epitaxy | |
| JP2813990B2 (ja) | 窒化ホウ素を用いた電子装置の作製方法 | |
| JPH08148443A (ja) | 不純物のイオン注入方法 | |
| JP6728960B2 (ja) | 処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| US6204160B1 (en) | Method for making electrical contacts and junctions in silicon carbide | |
| US20230296442A1 (en) | Sensor element and method for manufacturing sensor element | |
| KR19990051970A (ko) | 실리콘 발광소자의 적외선 발광층 형성방법 | |
| JPH0376168A (ja) | ダイヤモンドを用いた電子装置の作製方法 | |
| Prokhorov et al. | Solid-Phase Laser Doping Of Silicon | |
| Bet | Laser enhanced doping for silicon carbide white light emitting diodes | |
| KR20040046644A (ko) | 레이저 활성화를 이용한 화합물 반도체 소자의 제조방법 | |
| Hatanaka et al. | Laser doping technique for II-VI semiconductors, ZnSe and CdTe | |
| Ng | Spectroscopy of novel light emitting silicon-based diodes | |
| Zaginey et al. | Effect of laser irradiation on (Cd, Hg) Te properties | |
| Tian et al. | Fabrication of Silicon Carbide PIN Diodes by Laser Doping and Planar Edge Termination by Laser Metallization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20020302 Effective date: 20030731 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061211 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |