KR20000053507A - 유지판 및 웨이퍼 연마 방법 - Google Patents

유지판 및 웨이퍼 연마 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20000053507A
KR20000053507A KR1020000001957A KR20000001957A KR20000053507A KR 20000053507 A KR20000053507 A KR 20000053507A KR 1020000001957 A KR1020000001957 A KR 1020000001957A KR 20000001957 A KR20000001957 A KR 20000001957A KR 20000053507 A KR20000053507 A KR 20000053507A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
holding plate
adhesive portion
wax
polishing
Prior art date
Application number
KR1020000001957A
Other languages
English (en)
Inventor
코바야시다이수케
마츠자키츠요시
쿠도히데오
Original Assignee
시라이시 요시타카
신에츠 한도타이 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시라이시 요시타카, 신에츠 한도타이 가부시키가이샤 filed Critical 시라이시 요시타카
Publication of KR20000053507A publication Critical patent/KR20000053507A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02024Mirror polishing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/30Work carriers for single side lapping of plane surfaces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

웨이퍼 연마 방법은 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하는 단계와, 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 단계를 포함하며, 홈은 웨이퍼 점착부 상에 형성되며 웨이퍼 점착부의 외부로 연장된다.

Description

유지판 및 웨이퍼 연마 방법{Polishing Method For Wafer And Holding Plate}
본 발명은 왁스를 통해 웨이퍼가 점착되는 유지판 및, 유지판을 사용하여 수행되는 연마 방법에 관한 것이다.
웨이퍼는 하기와 같이 연마된다. 웨이퍼는 유지판에 점착된다. 웨이퍼는 유지판에 의해, 회전 테이블상에 위치된 연마 패드에 대해 가압된다. 웨이퍼는 연마 패드로 연마된다. 웨이퍼를 유지판에 점착하는 방법으로는, 왁스 장착(wax-mounting) 연마 방법 및 왁스 비장착(waxless-mounting) 연마 방법이 있다. 왁스 장착 연마 방법과 비교할 때, 왁스 비장착 연마 방법은, 웨이퍼가 유지판에 점착되는 점착 작업 및 웨이퍼가 유지판으로부터 분리되는 분리 작업을 수행할 필요가 없으며 연마된 웨이퍼가 용이하게 세정되기 때문에, 양호한 생산성 및 저비용의 장점이 있다. 그러나, 왁스 비장착 연마 방법에서는, 연마된 웨이퍼의 평탄도, 연마 슬러리의 사용에 의해 수행되는 웨이퍼의 후방 표면의 국부적 에칭 등의 문제점이 있다. 현재에는, 왁스 장착 연마 방법이 주류를 이루고 있다.
한 왁스 장착 연마 방법에서는, 웨이퍼의 후방 표면에 왁스를 적용시키도록 웨이퍼는 진공 척 장치에 의해 척 고정된다. 웨이퍼의 후방 표면은 하향 지향된다. 진공 척 장치에 의해 척 고정된 웨이퍼는 자중에 의해 유지판상에 웨이퍼를 낙하시키도록 유지판 부근에서 해제된다. 이에 의해, 웨이퍼는 유지판에 점착된다. 다른 왁스 장착 연마 방법에서는, 웨이퍼의 후방 표면의 중심 부분은, 왁스가 적용된 웨이퍼가 척 고정되어 있는 상태 또는 웨이퍼가 만곡된 상태에서 공기 패드가 일체화된 진공 척 고정 장치에 의해 유지판에 대해 가압된다. 이 상태에서, 진공 척 고정 장치에 의해 척 고정된 웨이퍼는 해제된다. 이에 의해, 웨이퍼는 유지판에 점착된다. 보로실리케이트 유리(borosilicate glass) 등과 같은 유리, 또는 알루미나, 실리콘 카바이드(silicon carbide) 등과 같은 세라믹으로 형성된 유지판이 사용된다. 웨이퍼의 평탄도에 대한 요구가 엄격해짐에 따라, 고 강성을 가진 세라믹으로 형성된 유지판이 주로 사용된다.
그러나, 웨이퍼는 휨, 처짐, 파동 등을 갖기 때문에, 점착 후에 유지판과 웨이퍼의 후방 표면 사이에 기포가 종종 밀봉된다. 유지판과 웨이퍼의 후방 표면 사이에 기포가 존재하면, 기포에 대응되는 웨이퍼의 전방 표면의 부분은 팽창된다. 웨이퍼가 연마될 때, 기포에 대응되는 부분은 웨이퍼의 전방 표면의 다른 부분보다 더 연마된다. 웨이퍼가 연마된 후, 웨이퍼에 딤플(dimple)이 발생되는 문제점이 있다. 더욱이, 웨이퍼가 연마된 후, 오목부는 웨이퍼로의 불균일한 왁스의 적용에 의해 부분적으로 웨이퍼에 발생된다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어졌다.
본 발명의 목적은 왁스 장착 연마 방법에 의해서도 유지판과 웨이퍼 후방 표면 사이에 기포가 밀봉되지 않으며, 왁스의 두께가 균일한 구조를 갖는 유지판을 제공하며, 웨이퍼가 유지판에 의해 연마되어 웨이퍼가 연마된 후에 딤플이 발생되지 않는 연마 방법을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명의 한 양태에 따르면, 웨이퍼 연마 방법은, 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하는 단계와, 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 단계를 포함하며, 홈이 웨이퍼 점착부상에 형성되며 웨이퍼 점착부의 외부로 연장된다.
이러한 연마 방법에서, 홈이 웨이퍼 점착부상에 형성되며 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되는 유지판을 사용하여 웨이퍼가 연마되기 때문에, 웨이퍼와 유지판 사이에 밀봉된 공기는 홈을 통해 웨이퍼 점착부의 외부로 유출되며 대기중으로 방출된다. 더욱이, 왁스가 웨이퍼에 불균일하게 적용될 때, 불필요한 왁스는 홈내로 유동되며 왁스의 두께는 얇고 전체적으로 균일하게 된다. 이 결과, 웨이퍼가 유지판에 점착된 후, 유지판과 웨이퍼의 후방 표면 사이에 기포가 밀봉되며, 불필요한 왁스가 그 사이에 수집되는 것이 방지된다. 딤플이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
홈은 전체 웨이퍼 점착부상에 형성될 수 있다. 홈은 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 부분상에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 웨이퍼 연마 방법은, 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하는 단계와, 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 단계를 포함하며, 웨이퍼의 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 웨이퍼 점착부의 하나 이상의 부분의 표면 거칠기와, 웨이퍼 점착부의 주변부의 표면 거칠기는 균일하며, 웨이퍼 점착부의 부분의 평균 거칠기와 웨이퍼 점착부의 주변부의 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛이다.
이러한 연마 방법에서, 표면 거칠기는 균일하며 평균 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛이기 때문에, 웨이퍼와 유지판 사이에 밀봉된 공기는 웨이퍼 점착부의 외부로 용이하게 유출되며, 웨이퍼와 유지판 사이의 다수의 오목부에 의해 분산된다. 이 결과, 웨이퍼가 유지판에 점착된 후, 유지판과 웨이퍼의 후방 표면 사이에 기포가 밀봉되는 것이 방지된다. 왁스가 웨이퍼에 불균일하게 적용될 때, 불필요한 왁스가 다수의 오목부내로 유동되며 왁스의 두께는 얇고 전체적으로 균일하게 된다. 이 결과, 딤플이 발생되지 않는 우수한 연마가 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 유지판은, 웨이퍼를 왁스를 통해 점착하기 위한 웨이퍼 점착부와, 웨이퍼 점착부상에 형성되며 상기 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되는 홈을 구비한다.
상기 유지판에서, 홈이 웨이퍼 점착부상에 형성되며 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되기 때문에, 웨이퍼가 유지판에 점착될 때, 웨이퍼와 유지판 사이에 밀봉된 공기는 홈을 통해서 웨이퍼 점착부의 외부로 용이하게 유출된다. 더욱이, 왁스가 웨이퍼에 불균일하게 적용될 때, 불필요한 왁스는 홈내로 유동되며, 왁스의 두께의 불균일성은 해소된다. 이 결과, 웨이퍼가 유지판에 점착된 후, 기포가 유지판과 웨이퍼의 후방 표면 사이에 밀봉되며 불필요한 왁스가 그 사이에 수집되는 것이 방지된다. 왁스의 두께는 전체적으로 균일하게 된다.
홈은 전체 웨이퍼 점착부상에 형성된다. 홈은 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 부분에 형성된다.
홈은 유지판의 전체 웨이퍼 점착 표면상에, 격자 형상, 선형 또는 동심원 형상으로 형성될 수 있다.
홈의 폭은 5 내지 2000㎛일 수 있다. 홈의 깊이는 2 내지 500㎛일 수 있다. 홈의 피치는 1 내지 15mm일 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 유지판은 웨이퍼를 왁스를 통해 점착하기 위한 웨이퍼 점착부를 구비하며, 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 웨이퍼 점착부의 하나 이상의 부분의 표면 거칠기와, 웨이퍼 점착부의 주변부의 표면 거칠기는 균일하며, 웨이퍼 점착부의 부분의 평균 거칠기와 웨이퍼 점착부의 주변부의 평균 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛이다.
이러한 유지판에서, 웨이퍼 점착 표면의 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 웨이퍼 점착부의 부분의 표면 거칠기와 웨이퍼 점착부의 주변부의 표면 거칠기는 균일하며, 그들의 평균 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛이며, 웨이퍼와 유지판 사이에 밀봉된 공기는 웨이퍼 점착부의 외부로 유출되며 웨이퍼와 유지판 사이의 다수의 오목부에 의해 분산된다. 이 결과, 딤플이 발생되지 않는 연마를 수행할 수 있다. 왁스가 웨이퍼에 불균일하게 적용될 때, 불필요한 왁스는 다수의 오목부 내로 유동되며, 왁스의 두께는 얇고 전체적으로 균일해진다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하며 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 것에 의해 웨이퍼 연마 방법이 수행되며, 홈이 웨이퍼 점착부상에 형성되며 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되기 때문에, 웨이퍼와 유지판 사이에 밀봉된 공기는 홈을 통해 웨이퍼 점착부의 외부로 유출된다. 더욱이, 불필요한 왁스는 홈내로 유동된다. 이 결과, 딤플의 발생 없이 연마가 수행될 수 있다.
본 발명은 하기의 상세한 설명과 첨부 도면으로 더욱 충분히 이해할 수 있을 것이다. 이는 단지 예시로서만 제공된 것이며 따라서, 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도.
도 2는 제 2 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도.
도 3은 제 3 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도.
도 4는 유지판 등의 홈을 형성하기 위한 영역을 설명하는 도면.
도 5는 제 4 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도.
도 6은 연마 장치의 개략 측면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1a,1b,1c,1d ; 유지판 2a,2b,2c ; 홈
10 ; 연마 장치 11 ; 회전 테이블
12 ; 연마 슬러리 공급 부재 13 ; 상부 링
14; 연마 패드 W ; 웨이퍼
도 1은 제 1 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도이다. 유지판(1a)은 세라믹으로 형성된 블록이다. 홈(2a)이 유지판의 전체 후방 표면(웨이퍼 점착 표면)상에 격자 형상으로 형성된다.
도 2는 제 2 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도이다. 유지판(1b)은 세라믹으로 형성된 블록이다. 다수의 홈(2b)이 유지판의 전체 후방 표면상에 선형으로 형성된다.
도 3은 제 3 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도이다. 유지판(1c)은 세라믹으로 형성된 블록이다. 홈(2c)이 유지판의 전체 후방 표면상에 동심원 형상으로 형성된다.
홈(2a 내지 2c)의 크기에 있어서, 홈의 폭은 5㎛ 내지 2000㎛이며, 홈의 깊이는 2㎛ 내지 500㎛ 이며, 피치는 적합하게는 1mm 내지 15mm 이다. 홈의 폭의 상한이 2000㎛인 이유는, 홈의 폭이 상한을 초과할 때, 홈의 형상이 연마에 의해 웨이퍼에 전사(轉寫)될 가능성이 높아지기 때문이다. 한편, 홈의 폭의 하한이 5㎛ 인 이유는, 홈의 폭이 하한보다 낮을 때, 웨이퍼와 유지판 사이에 기포가 밀봉되며 불필요한 왁스가 홈으로 유출되기 어렵기 때문이다. 홈의 깊이의 상한이 500㎛ 인 이유는, 홈의 깊이가 상한을 초과할지라도, 깊이가 상한을 초과하지 않는 경우보다 효과가 개선되는 것을 기대할 수 없기 때문이다. 게다가, 깊이가 상한을 초과할 때, 유지판을 세정하기가 어렵기 때문이다. 한편, 홈의 깊이의 하한이 2㎛ 인 이유는, 홈의 깊이가 하한보다 낮을 때, 기포 및 불필요한 왁스가 홈으로 유출되기 어렵기 때문이다. 웨이퍼가 점착될 때 도입되는 기포의 크기에 따라, 즉 연마 후의 웨이퍼의 딤플의 크기에 따라 홈의 피치가 변경될지라도, 홈의 피치의 상한이 15mm 인 이유는, 홈의 피치가 상한을 초과할 때, 홈이 모든 기포 발생 부분과 모든 수집된 왁스를 감당할 수 없기 때문이다. 한편, 홈의 피치의 하한이 1mm 인 이유는, 홈의 피치가 하한 보다 낮을 때, 홈의 에지가 쉽게 파손되기 때문이다. 그의 홈 부분을 제외한 유지판의 후방 표면 부분은 가능한한 평탄한 것이 적합하다. 적합하게는, 평균 거칠기는 0.40㎛이며 표준 편차는 0.03㎛이며, 또한 거칠기는 상기 거칠기 보다 작다.
본 발명에서 홈의 단면 형상은 특별히 제한되는 것은 아니며, 홈의 형상은 사변형, 반원형(아치형), V-형 등일 수 있으며, 밀봉된 기포와 불필요한 왁스가 제거될 수 있는 어떤 형상일 수 있다. 사변형 또는 V-형 홈의 경우, 홈의 세정 중에 유지판의 세정 효율을 고려하면, 홈의 형상은 홈의 에지가 둥근 것이 적합하다.
본 실시예에서, 홈은 유지판의 전체 후방 표면 상에 격자형 등으로 형성되었지만, 홈은 유지판의 후방 표면 상에 부분적으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 도 4에 나타낸 바와 같이, 홈은 웨이퍼 점착 표면의 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 적합하게 이격된 부분에 형성된다. 경험에 의해, 웨이퍼에 딤플이 발생할 가능성이 많은데, 이는 웨이퍼 점착 표면의 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 웨이퍼 점착부의 부분에 존재하는 수집된 왁스 및 기포에 의해 발생되는 것으로 고려된다. 이 경우, 홈이 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되는 것이 요구된다. 본 발명은 특별히 홈의 범위를 제한하지는 않는다. 홈이 웨이퍼 점착부의 외부로 3mm 연장될 때, 홈의 범위는 밀봉된 기포와 불필요한 왁스를 제거하는데 충분하다.
유지판은 공지된 방법으로 제조될 수 있다. 유리의 경우, 소정의 두께를 갖는 판이 적합하다. 판은 소정의 형상을 갖기 위해 절단된다. 다음, 디스크 형상의 유지판이 제조된다. 세라믹의 경우, 필요하다면 소결재와 고착제가 알루미나, 실리콘 카바이드와 같은 금속 분말에 첨가된다. 금속 분말은 소정 온도에서 형성되며 소결된다. 다음, 디스크형 유지판이 제조된다. 홈의 처리에 있어서, 홈은 공지된 기계적 처리 등에 의해 형성된다. 세라믹의 경우, 소결 중에 유지판의 수축을 고려하여, 금속 분말이 형성될 때 홈은 금속 분말 상에 형성된다. 다음, 형성된 금속 분말은 소결된다.
도 5는 제 4 실시예에 따른 유지판의 후방 표면측을 나타낸 사시도이다. 유지판(1d)은 세라믹으로 형성된 블록이다. 유지판(1d)에서, 웨이퍼 점착 표면의 표면 거칠기는 균일하며 평균 거칠기는 0.5㎛ 내지 1.5㎛이다.
평균 거칠기가 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 이유를 설명하겠다. 평균 거칠기의 상한이 1.5㎛인 이유는, 평균 거칠기가 상한을 초과할 때, 웨이퍼가 연마된 후 웨이퍼의 표면의 평탄도가 손상되기 때문이다. 한편, 평균 거칠기의 하한이 0.5㎛인 이유는, 평균 거칠기가 하한 보다 낮을 때, 공기와 불필요한 왁스가 유지판(1d)의 오목부로 유출되기 어렵기 때문이다.
본 실시예에서, 유지판의 전체 후방 표면의 평균 거칠기가 0.5㎛ 내지 1.5㎛이지만, 유지판의 후방 표면의 부분의 평균 거칠기가 0.5㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다. 이 경우, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 점착 표면의 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 웨이퍼 점착부의 부분의 평균 거칠기와 웨이퍼 점착부의 주변부의 평균 거칠기는 적합하게는 0.5㎛ 내지 1.5㎛이다. 그 이유는 상술한 바와 동일하다. 유지판의 평균 거칠기가 0.5 내지 1.5㎛로 되도록 표면 처리를 수행하기 위해, 랩핑(lapping) 등의 공지된 방법이 수행된다.
웨이퍼는 공지된 기술에 따른 왁스 장착 방법에 의해 상기 유지판(1a 내지 1d)에 점착된다.
다음, 상기 유지판(1a 내지 1d)을 사용하여 수행되는 연마 방법을 설명하겠다. 이 연마 방법에서, 도 6에 나타낸 연마 장치(10)가 사용된다. 연마 장치(10)는 회전 테이블(11)과, 연마 슬러리 공급 부재(12)와, 상부 링(13)과 상부 링 회전 부재(도시않음) 및, 회전 테이블 회전 부재(도시 않음)를 구비한다.
유지판(1;1a 내지 1d)에 웨이퍼의 점착이 종료되면, 유지판(1)은 웨이퍼(W)와 회전 테이블(11) 상에 위치된 연마 패드(14)를 접촉시키도록 상부 링(13)의 하부에 위치된다. 상부 링(13)은 유지판(1)을 통해 웨이퍼(W)를 연마 패드(14)에 대해 가압시키도록 하강된다. 상부 링 회전 부재와 회전 테이블 회전 부재가 구동되는 동안, 연마 슬러리가 웨이퍼(W)를 연마하도록 연마 슬러리 공급 부재(12)의 노즐로부터 공급된다. 연마가 종료되면, 상부 링(13)은 유지판(1)을 반출시킨다. 다음, 웨이퍼(W)는 유지판(1)으로부터 분리된다.
[실시예]
폭 100㎛, 깊이 15㎛, 피치 3mm이며 도 1에 나타낸 바와 같이 격자 형상으로 형성된 홈을 갖추며, 직경 630mm, 두께 20mm인 알루미나 소결체가 유지판으로서 사용된다. 홈 부분을 제외한 유지판의 후방 표면 부분의 거칠기에 있어서, 유지판의 평균 거칠기는 0.4㎛이며 표준 편차는 0.03㎛이다. 웨이퍼는 유지판을 평가하도록 하기와 같이 연마된다.
(1) Nikka Seiko Co. Ltd. 제조 "스카이 리퀴드(sky liquid)"가 왁스로서 사용된다. 7 개의 203.2mm(8 in) 웨이퍼가 유지판에 점착된다.
(2) 연마 장치를 사용함으로써, 웨이퍼가 점착된 유지판에 압력이 가해진다. 연마 슬러리가 공급되는 동안, 웨이퍼는 연마 패드에 의해 10㎛ 연마된다. 이 경우, 교상 실리카(coloidal silica)가 연마 슬러리로서 사용된다. 우레탄으로 형성된 부직포가 연마 패드로 사용된다.
(3) 연마가 종료된 후, 웨이퍼는 유지판으로부터 분리된다. 웨이퍼는 세정된다.
(4) 평탄도 측정 장치(ADE9600)을 사용하여, 딤플이 발생되었는지의 여부를 검사하였다.
검사된 웨이퍼의 수는 140 개이다. 웨이퍼는 동일한 조건 하에 연마된다.
이 결과, 웨이퍼의 표면 상에 딤플이 전혀 발생되지 않았다.
더욱이, 본 발명의 범위내의 평균 거칠기를 가지며, 직경 630mm, 두께 20mm이며, 홈이 없는 알루미나 소결체가 유지판으로서 사용된다. 상술한 바와 같은 동일한 조건 하에 연마된 140 개의 웨이퍼를 검사하였다. 실험에 사용된 유지판의 평균 거칠기는 Tokyo Seimitsu Co. Ltd. 제조 "핸디 서프(handy surf) E-30A"를 사용하여 측정되었다. 구체적 방법으로서, 유지판의 표면은 5 개의 선, 36°로 각각 분할된다. 평균 거칠기는 등간격에서 각각의 선상에 4mm의 길이를 갖는 5 개의 구역, 즉 총 25 개의 구역에서 측정된다. 이 결과, 각각의 구역의 평균 거칠기의 평균값은 1.00㎛이며, 표준 편차는 0.15㎛이다. 주요 거칠기 성분의 주기는 수십 ㎛이다.
상기 유지판을 사용하여 연마된 140 개의 웨이퍼의 표면을 검사하였다. 이 결과, 딤플은 전혀 발생되지 않았다.
한편, 종래 기술에 따른 알루미나로 형성되며, 홈을 갖지 않는 유지판을 사용하여 웨이퍼를 연마할 때, 딤플의 발생률은 12 내지 15%이다. 이 경우, 종래 기술에 따른 유지판의 평균 거칠기는 0.40㎛이며, 표준 편차는 0.03㎛이다. 평균 거칠기를 측정하는 방법은 상술한 방법과 동일하다.
실시예에 의해 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에만 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위에 일탈함이 없이 다양한 변경과 수정이 가능한 것을 이해해야만 한다.
상세한 설명, 청구범위 및, 도면을 포함한 1999년 1월 18일 출원된 일본 특허 출원 제 토쿠간-평11-9861의 모든 명세서는 그대로 본원에 참조에 의해 관련되었다.
본 발명에 따른 연마 방법에 의해, 유지판과 웨이퍼 후방 표면 사이에 기포가 밀봉되지 않으며, 왁스의 두께가 균일한 구조를 갖는 유지판이 제공되며, 웨이퍼가 유지판에 의해 연마되어 웨이퍼가 연마된 후에 딤플이 발생되지 않는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 단계를 포함하며,
    홈이 상기 웨이퍼 점착부 상에 형성되며 상기 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되는 웨이퍼 연마 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 홈은 전체 웨이퍼 점착부 상에 형성되는 웨이퍼 연마 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 홈은 상기 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격되는 부분에 형성되는 웨이퍼 연마 방법.
  4. 웨이퍼를 왁스를 통해 유지판의 웨이퍼 점착부에 점착하는 단계와,
    상기 웨이퍼를 연마 패드로 연마하는 단계를 포함하며,
    상기 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 상기 웨이퍼 점착부의 부분의 표면 거칠기와 상기 웨이퍼 점착부의 주변부의 표면 거칠기는 균일하며, 상기 웨이퍼 점착부의 부분의 평균 거칠기와 상기 웨이퍼 점착부의 주변부의 평균 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛인 웨이퍼 연마 방법.
  5. 웨이퍼를 왁스를 통해 점착하기 위한 웨이퍼 점착부와,
    상기 웨이퍼 점착부 상에 형성되며 상기 웨이퍼 점착부의 외부로 연장되는 홈을 구비하는 유지판.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 홈은 전체 웨이퍼 점착부 상에 형성되는 유지판.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 홈은 상기 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격되는 부분 상에 형성되는 유지판.
  8. 웨이퍼를 왁스를 통해 점착하기 위한 웨이퍼 점착부를 구비하며,
    상기 웨이퍼 점착부의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 반경의 절반에 걸쳐 이격된 상기 웨이퍼 점착부의 부분의 표면 거칠기와 상기 웨이퍼 점착부의 주변부의 표면 거칠기는 균일하며, 상기 웨이퍼 점착부의 부분의 평균 거칠기와 상기 웨이퍼 점착부의 주변부의 평균 거칠기는 0.5 내지 1.5㎛인 유지판.
KR1020000001957A 1999-01-18 2000-01-17 유지판 및 웨이퍼 연마 방법 KR20000053507A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP99-9861 1999-01-18
JP986199 1999-01-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000053507A true KR20000053507A (ko) 2000-08-25

Family

ID=11731930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000001957A KR20000053507A (ko) 1999-01-18 2000-01-17 유지판 및 웨이퍼 연마 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6402594B1 (ko)
EP (1) EP1020253A3 (ko)
KR (1) KR20000053507A (ko)
MY (1) MY133452A (ko)
TW (1) TW421622B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057981A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 실트론 연마 장치

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1283089A3 (en) * 1999-03-26 2003-03-26 Ibiden Co., Ltd. Wafer holding plate for wafer grinding apparatus and method for manufacturing the same
JP3342686B2 (ja) * 1999-12-28 2002-11-11 信越半導体株式会社 ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置
US20010024877A1 (en) 2000-03-17 2001-09-27 Krishna Vepa Cluster tool systems and methods for processing wafers
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6648743B1 (en) * 2001-09-05 2003-11-18 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad
DE10235482B3 (de) * 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
US6866560B1 (en) 2003-01-09 2005-03-15 Sandia Corporation Method for thinning specimen
US20140364041A1 (en) * 2011-12-16 2014-12-11 Lg Siltron Inc. Apparatus and method for polishing wafer
USD769200S1 (en) * 2013-05-15 2016-10-18 Ebara Corporation Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus
GB2510457B (en) * 2013-11-12 2017-06-07 Rolls Royce Plc Method and apparatus for forming thin discs
CN104716090B (zh) * 2015-03-16 2017-07-18 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种tsv晶圆表面抛光方法
WO2020203639A1 (ja) * 2019-04-03 2020-10-08 株式会社クラレ 研磨パッド

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53111594A (en) 1977-02-23 1978-09-29 Fujitsu Ltd Method of mounting workpiece on holder
US4519168A (en) * 1979-09-18 1985-05-28 Speedfam Corporation Liquid waxless fixturing of microsize wafers
JPH071759B2 (ja) 1990-05-10 1995-01-11 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの研磨方法
US5177907A (en) 1991-11-12 1993-01-12 Summitt Molding & Engineering, Inc. Plastic lens block with ribs
JP3024373B2 (ja) * 1992-07-07 2000-03-21 信越半導体株式会社 シート状弾性発泡体及びウェーハ研磨加工用治具
JPH07509411A (ja) * 1992-07-17 1995-10-19 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー レンズ処理法とそれに使用する手段
US5584746A (en) * 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
US5534106A (en) * 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
US6126528A (en) * 1995-09-18 2000-10-03 3M Innovative Properties Company Preformed ophthalmic lens base block with textured surface
JPH09201765A (ja) * 1996-01-25 1997-08-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd バッキングパッドおよび半導体ウエーハの研磨方法
JP3618220B2 (ja) * 1998-03-30 2005-02-09 信越半導体株式会社 薄板の研磨方法および薄板保持プレート
US6142853A (en) 1998-12-23 2000-11-07 Lucent Technologies, Inc. Method and apparatus for holding laser wafers during a fabrication process to minimize breakage
EP1283089A3 (en) 1999-03-26 2003-03-26 Ibiden Co., Ltd. Wafer holding plate for wafer grinding apparatus and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030057981A (ko) * 2001-12-29 2003-07-07 주식회사 실트론 연마 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW421622B (en) 2001-02-11
EP1020253A3 (en) 2001-05-23
MY133452A (en) 2007-11-30
US6402594B1 (en) 2002-06-11
EP1020253A2 (en) 2000-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW379389B (en) A method to polish semiconductor wafers
KR20000053507A (ko) 유지판 및 웨이퍼 연마 방법
US5964646A (en) Grinding process and apparatus for planarizing sawed wafers
TW474856B (en) Vitrified bond tool and method of manufacturing the same
KR100730501B1 (ko) 웨이퍼 접착 장치와 웨이퍼 접착 방법 및 웨이퍼 연마방법
CN101959647A (zh) 双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法
US7254861B2 (en) Device for cleaning tip and side surfaces of a probe
JPH11309638A (ja) 真空吸着盤
US6565705B2 (en) Wafer carrier used for chemical mechanic polishing
JPH068086A (ja) 真空吸着装置
JP4793680B2 (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JP2538511B2 (ja) 半導体基板の研磨用保持板
JPH11333703A (ja) ポリッシング加工機
JP2004114184A (ja) チャック
JPH11170169A (ja) 半導体ウェーハの製造方法およびその装置
JPH11277413A (ja) ウェハ研磨盤
JP2000271864A (ja) ウェーハの研磨方法および研磨ブロック
JPH11265928A (ja) ウェハ貼付けプレートとそれを用いた半導体ウェハの研磨方法
JPH0677186A (ja) ウェーハの研磨板及び研磨装置
JPH04206930A (ja) 半導体ウェーハの研磨用チャック
JPH03173129A (ja) 研磨装置
JP2000308961A (ja) 貼付プレートおよびその製法
JP4202703B2 (ja) 研磨装置
JP2006068888A (ja) 定盤の製造方法及び平面研磨装置
JPH07112360A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid