KR20000051681A - Wiper cleaning device of chemical mechanical polishing apparatus - Google Patents

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KR20000051681A
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문진옥
송주헌
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윤종용
삼성전자 주식회사
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for cleaning a wiper of chemical mechanical polishing(CMP) facilities is provided to reduce a manufacturing cost, by protecting a wafer from a particle remaining in a wiper sponge, so that the wiper sponge can be used longer. CONSTITUTION: An apparatus(100) for cleaning a wiper(102) of chemical mechanical polishing(CMP) facilities comprises a supplying element(112) for supplying inert gas to a cleaning bath(106), in which the wiper can be more effectively cleaned with cleaning solution(108) and inert gas bubble(110) by supplying the cleaning solution and the inert gas to the cleaning bath to generate the inert gas bubble in the cleaning solution.

Description

화학적기계적연마 장치의 와이퍼 세정 장치{WIPER CLEANING DEVICE OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS}WIPER CLEANING DEVICE OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS}

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 CMP(chemical mechanical polishing) 장치의 와이퍼(wiper)를 효과적으로 세정하기 위한 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an apparatus for effectively cleaning a wiper of a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus.

도 1은 종래의 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치(1)를 보여주는 도면이다.1 shows a wiper cleaning apparatus 1 of a conventional CMP apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치(1)는 두 개의 컵(cup)(6a, 6b)으로 구성된 세정조(6)를 포함한다. 상기 컵(6a)은 와이퍼(2)가 세정되는 곳으로, 상기 컵(6a)의 하부로부터 세정액 즉, D.I 워터(deionized water)(8)가 지속적으로 공급된다.Referring to FIG. 1, the wiper cleaning apparatus 1 of the conventional CMP apparatus includes a cleaning tank 6 composed of two cups 6a and 6b. The cup 6a is a place where the wiper 2 is cleaned, and a cleaning liquid, that is, deionized water 8 is continuously supplied from the bottom of the cup 6a.

상기 D.I 워터(8)가 지속적으로 공급됨에 따라, 상기 컵(6a)으로부터 D.I 워터(8)가 오버플로우(overflow) 된다.As the D.I water 8 is continuously supplied, the D.I water 8 overflows from the cup 6a.

상기 컵(6b)은 상기 컵(6a)과 접하도록 구성되어 있고 상기 컵(6a)으로부터 오버플로우된 D.I 워터(8')가 배출(drain)되도록 한다.The cup 6b is configured to be in contact with the cup 6a and allow the D.I water 8 'overflowed from the cup 6a to drain.

상기 와이퍼(2)는 예를 들어, 웨이퍼 표면에 대한 CMP 공정 후, 웨이퍼 표면상의 슬러리(slurry)를 제거하기 위한 것으로서, 여기서는 펜슬형(pencile type)의 구조를 갖는다. 상기 와이퍼(2)는 반구형(hemispherical)의 와이퍼 스펀지(wiper sponge)(3)와, 와이퍼 스펀지 홀더(holder)(4)를 포함한다.The wiper 2 is for removing a slurry on the wafer surface after the CMP process on the wafer surface, for example, and has a pencil type structure. The wiper 2 comprises a hemispherical wiper sponge 3 and a wiper sponge holder 4.

상기 와이퍼(2)는 웨이퍼 표면을 와이핑(wiping)하여 웨이퍼 표면 상의 슬러리와 같은 파티클 등의 오염 물질(contaminant)을 제거한 후, 상기 와이퍼 세정 장치(1)에서 세정된다.The wiper 2 is wiped by the wiper cleaning apparatus 1 after wiping the wafer surface to remove contaminants such as particles such as slurry on the wafer surface.

그러나, 종래 와이퍼 세정 장치(1)는 D.I 워터(8)의 오버 플로우에 의해 상기 와이퍼(2)를 세정하므로, 상기 와이퍼 스폰지(3)에 부착된 파티클(particle) 등의 오염 물질이 완전히 제거되지 않게 된다.However, the conventional wiper cleaning apparatus 1 cleans the wiper 2 by overflow of the DI water 8, so that contaminants such as particles attached to the wiper sponge 3 are not completely removed. Will not.

이에 따라, 상기 와이퍼(2)의 웨이퍼 표면 상의 오염 물질 제거 능력이 감소되고, 스폰지(3)에 잔류된 파티클 등의 오염 물질로 인해 오히려 웨이퍼가 오염되거나 손상(예를 들어, 슬러리에 의한 마이크로 스크래치; micro scatch)되는 문제점이 발생된다.Accordingly, the wiper 2's ability to remove contaminants on the wafer surface is reduced, and contaminants such as particles remaining in the sponge 3 are rather contaminated or damaged (e.g., micro scratch by slurry). micro scatch) occurs.

이와 같이, 종래의 와이퍼 세정 장치(1)는 와이퍼 스폰지(3)를 세정하는 능력이 부족하기 때문에 와이퍼 스폰지(3)의 수명을 단축시키고, 공정 비용을 증가시키는 문제점을 유발하게 된다.As described above, the conventional wiper cleaning apparatus 1 shortens the life of the wiper sponge 3 and increases the process cost since the wiper sponge 3 lacks the ability to clean the wiper sponge 3.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 와이퍼 스폰지의 세정 능력을 향상시킬 수 있고, 따라서 와이퍼 스폰지의 수명을 증가시킬 수 있는 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a wiper cleaning apparatus of a CMP apparatus that can improve the cleaning ability of the wiper sponge, and thus increase the life of the wiper sponge.

도 1은 종래의 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치를 보여주는 도면;1 shows a wiper cleaning apparatus of a conventional CMP apparatus;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치를 보여주는 도면.2 shows a wiper cleaning apparatus of a CMP apparatus according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

2, 102 : 와이퍼3, 103 : 와이퍼 스펀지2, 102: wiper 3, 103: wiper sponge

4, 104 : 와이퍼 스펀지 홀더6, 106 : 와이퍼 세정조4, 104: wiper sponge holder 6, 106: wiper cleaning tank

8, 108 : D.I 워터112 : N2 공급 수단8, 108: D.I water 112: N2 supply means

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, CMP 장치의 와이퍼 세정 장치는, 세정조에 세정액을 공급하여 오버플로우되는 세정액에 의해 와이퍼를 세정하는 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치에 있어서, 세정조에 불활성 가스를 공급하는 수단을 포함한다. 그리하여, 세정조에 세정액과 함께 불활성 가스를 공급하여 오버플로우되는 세정액과 N2 기포에 의해 와이퍼를 세정하게 된다. 이와 같이, 와이퍼 세정을 위해 N2 기포를 추가함으로써 와이퍼를 보다 효과적으로 세정하게 된다.According to the present invention for achieving the above object, the wiper cleaning device of the CMP device is a wiper cleaning device of the CMP device for supplying a cleaning liquid to the cleaning tank to clean the wiper by the overflowing cleaning liquid, the inert gas to the cleaning tank Means for feeding. Thus, the wiper is cleaned by the N2 bubble and the cleaning liquid overflowed by supplying an inert gas to the cleaning tank together with the cleaning liquid. As such, by adding N2 bubbles for wiper cleaning, the wiper is more effectively cleaned.

(실시예)(Example)

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

본 발명의 실시예에 따른 신규한 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치는, D.I 워터에 추가로 N2 가스를 공급하여 N2 기포(N2 bubble)를 발생시킴으로써 와이퍼를 보다 효과적으로 세정한다.The wiper cleaning apparatus of the novel CMP apparatus according to the embodiment of the present invention more effectively cleans the wiper by supplying N2 gas to D.I water to generate N2 bubbles.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치(100)를 보여주는 도면이다.2 is a view showing the wiper cleaning apparatus 100 of the CMP apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치(100)는, 두 개의 컵(cup)(106a, 106b)으로 구성된 세정조(106)를 포함한다. 상기 컵(106a)은 와이퍼(102)가 세정되는 곳으로, 상기 컵(106a)의 하부로부터 세정액 즉, D.I 워터(deionized water)(108)가 지속적으로 공급된다.Referring to FIG. 2, the wiper cleaning apparatus 100 of the CMP apparatus according to the embodiment of the present invention includes a cleaning tank 106 composed of two cups 106a and 106b. The cup 106a is a place where the wiper 102 is cleaned, and a cleaning liquid, that is, deionized water 108 is continuously supplied from the bottom of the cup 106a.

상기 D.I 워터(108)가 지속적으로 공급됨에 따라, 상기 컵(106a)으로부터 D.I 워터(108)가 오버플로우 된다.As the D.I water 108 is continuously supplied, D.I water 108 overflows from the cup 106a.

상기 컵(106b)은 상기 컵(106a)과 접하도록 구성되어 있고 상기 컵(106a)으로부터 오버플로우된 D.I 워터(108')가 배출되도록 한다.The cup 106b is configured to be in contact with the cup 106a and to allow the overflow of the D.I water 108'from the cup 106a.

상기 와이퍼(102)는 예를 들어, 웨이퍼 표면에 대한 CMP 공정 후, 웨이퍼 표면 상의 슬러리(slurry)와 같은 파티클 등의 오염 물질을 제거하기 위한 것으로서, 종래와 마찬가지로 펜슬형 구조를 갖는다. 상기 와이퍼(102)는 반구형의 와이퍼 스폰지(103)와, 와이퍼 스폰지 홀더(104)를 포함한다.The wiper 102 is for removing contaminants such as particles such as slurry on the wafer surface after the CMP process on the wafer surface, and has a pencil-like structure as in the related art. The wiper 102 includes a hemispherical wiper sponge 103 and a wiper sponge holder 104.

상기 와이퍼(102)는 웨이퍼 표면을 와이핑(wiping)하여 웨이퍼 표면 상의 파티클 등의 오염 물질을 제거한 후, 상기 와이퍼 세정 장치(100)에서 세정된다.The wiper 102 is wiped by the wiper cleaning apparatus 100 after wiping the surface of the wafer to remove contaminants such as particles on the wafer surface.

이때, 본 발명에 따른 와이퍼 세정 장치(100)는 신규하게 N2 공급 수단(112)을 포함하고, 상기 컵(106a)의 하부로 D.I 워터(108)와 함께 N2 가스가 공급되도록 한다. 그리하여, 상기 컵(106a) 내에 담겨있는 D.I 워터(108) 내에 N2 기포(110)가 발생되도록 한다.At this time, the wiper cleaning apparatus 100 according to the present invention includes a N2 supply means 112, and the N2 gas is supplied to the lower portion of the cup 106a together with the D.I water 108. Thus, N2 bubbles 110 are generated in the D.I water 108 contained in the cup 106a.

이로써, 오버플로우 되는 D.I 워터(108)와 상기 N2 기포(110)에 의해 상기 와이퍼 스폰지(103)에 부착된 파티클 등의 오염 물질이 보다 효과적으로 제거된다.As a result, contaminants such as particles attached to the wiper sponge 103 are more effectively removed by the overflowed D.I water 108 and the N2 bubble 110.

상기 와이퍼(102)가 웨이퍼 표면을 와이핑하고 있는 동안은 상기 컵(106a)에 D.I 워터(108)만 공급되도록 하고, 상기 와이퍼(102)가 상기 와이핑 후 와이퍼 세정 장치(100)에 도달하면 상기 D.I 워터(108)와 함께 N2 가스가 공급되도록 한다.While the wiper 102 is wiping the wafer surface, only the DI water 108 is supplied to the cup 106a, and when the wiper 102 reaches the wiper cleaning device 100 after the wiping, The N 2 gas is supplied together with the DI water 108.

다음, 와이퍼 세정 공정이 완료되면 다시 상기 N2 가스를 차단시키고, D.I 워터(108)만 공급되도록 한다.Next, when the wiper cleaning process is completed, the N2 gas is shut off again, and only the D.I water 108 is supplied.

상기 N2 공급 수단(112)은 유량 조절기(flow meter), N2 가스 공급 라인 내로 D.I 워터(108)가 역류되는 것을 방지하는 체크 밸브(check valve), N2 온/오프(on/off)용 조절 밸브, 그리고 상기 컵(106a)의 내부로 N2 가스를 분사하는 노즐(nozzle)(도면에 미도시)을 포함한다.The N2 supply means 112 is a flow meter, a check valve to prevent the DI water 108 from flowing back into the N2 gas supply line, a control valve for N2 on / off And a nozzle (not shown) for injecting N2 gas into the cup 106a.

본 발명은 웨이퍼 표면 상의 오염물질을 제거하는 와이퍼를 세정함에 있어서, D.I 워터 및 추가의 N2 기포를 사용하여 상기 와이퍼를 보다 효과적으로 세정한다.The present invention uses D.I water and additional N2 bubbles to clean the wiper more effectively in cleaning the wiper to remove contaminants on the wafer surface.

본 발명은 와이퍼를 세정할 때 오버플로우 되는 D.I 워터와 N2 기포를 사용하여, 와이퍼를 보다 효과적으로 세정할 수 있고, 따라서 와이퍼에 잔류하는 오염 물질에 의한 웨이퍼의 역오염 내지 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention uses the DI water and N2 bubbles that overflow when cleaning the wiper, so that the wiper can be more effectively cleaned, and thus, the back contamination or damage of the wafer due to the contaminants remaining on the wiper can be prevented. There is.

또한, 본 발명은 와이퍼의 수명을 연장시킬 수 있고, 따라서 공정 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention can extend the life of the wiper, thereby reducing the process cost.

Claims (3)

세정조(cleaning bath)(106)에 세정액(cleaning solution)(108)을 공급하여 오버플로우(overflow)되는 세정액(108)에 의해 와이퍼(wiper)(102)를 세정하는 CMP(chemical mechanical polishing) 장치의 와이퍼 세정 장치(100)에 있어서,CMP (chemical mechanical polishing) apparatus for supplying a cleaning solution 108 to a cleaning bath 106 to clean the wiper 102 by the overflowing cleaning liquid 108. In the wiper cleaning device 100 of, 상기 와이퍼 세정 장치(100)는 상기 세정조(106)에 불활성 가스(inert gas)를 공급하는 수단(112)을 포함하고,The wiper cleaning apparatus 100 includes a means 112 for supplying an inert gas to the cleaning tank 106, 상기 세정조(106)에 상기 세정액(108)과 함께 상기 불활성 가스를 공급하여 상기 세정액(108) 내에 불활성 가스 기포(110)를 발생시킴으로써, 상기 세정액(108) 및 불활성 가스 기포(110)에 의해 상기 와이퍼(102)를 보다 효과적으로 세정하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치.By supplying the inert gas to the cleaning tank 106 together with the cleaning liquid 108 to generate an inert gas bubble 110 in the cleaning liquid 108, the cleaning liquid 108 and the inert gas bubble 110 by The wiper cleaning apparatus of the CMP apparatus, characterized in that the wiper (102) is more effectively cleaned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불활성 가스 공급 수단(112)은 불활성 가스 유량 조절기(flow meter), 역류 방지용 체크 밸브(check valve), 불활성 가스 온/오프(on/off)용 조절 밸브, 그리고 불활성 가스 분사 노즐(nozzle)을 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치.The inert gas supply means 112 includes an inert gas flow meter, a check valve for preventing backflow, an inert gas on / off control valve, and an inert gas injection nozzle. The wiper cleaning apparatus of the CMP apparatus characterized by including the. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 불활성 가스는 N2인 것을 특징으로 하는 CMP 장치의 와이퍼 세정 장치.And said inert gas is N2. The wiper cleaning apparatus for a CMP apparatus.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020020081A (en) * 2000-09-07 2002-03-14 윤종용 Method for cleaning of polishing pad conditioner and apparatus for performing the same
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