JPH10189522A - Tank and apparatus for treatment of substrate - Google Patents

Tank and apparatus for treatment of substrate

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JPH10189522A
JPH10189522A JP34403396A JP34403396A JPH10189522A JP H10189522 A JPH10189522 A JP H10189522A JP 34403396 A JP34403396 A JP 34403396A JP 34403396 A JP34403396 A JP 34403396A JP H10189522 A JPH10189522 A JP H10189522A
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JP
Japan
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processing
substrate
treatment
tank
liquid
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Application number
JP34403396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Suhara
忠浩 須原
Masato Tanaka
眞人 田中
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a substrate treatment apparatus, which maintains the discharge property of a contaminant (particles or the like) to the outside of a treatment tank, which prevents the corrosion of a treatment-liquid supply pipe itself, and which maintains the treatment quality of a substrate. SOLUTION: Left and right treatment-liquid discharge nozzles 9 are constituted for a resin material which is resistant to corrosion by a treatment liquid 2. As a result, the treatment-liquid discharge nozzles 9 and especially high-pressure slits 10 in which a liquid flow velocity is fast are not corroded by a chemical liquid, the generation of a contaminat from the treatment-liquid discharge nozzles 9 is prevented, the prescribed flow rate of a treatment liquid and its spouting speed from the slits 10 are not changed, and the flow of the treatment liquid due to them is not disturbed. As a result, the discharge efficiency of the contaminant (particles or the like) to the outside of a treatment tank 3 and the treatment quality of a substrate 4 such as an etching characteristic or the like are not lowered. In addition, since the body of the treatment tank 3 is constituted of quarts glass, the wettablity of an overflow face 15 is good, the treatment liquid is not repelled, and the contaminant can be discharged satisfactorily to the outside of the treatment tank 3 together with the treatment liquid 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用の半
導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板を浸
漬させてその表面にエッチングや洗浄などの各種処理を
施す処理液を貯留する基板処理槽および、この基板処理
槽が基板処理部に用いられている基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing for immersing a substrate such as a semiconductor wafer for a semiconductor device or a glass substrate for a liquid crystal display and storing a processing liquid for performing various processes such as etching and cleaning on the surface. The present invention relates to a tank and a substrate processing apparatus using the substrate processing tank in a substrate processing unit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置用の半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などを用いた精密電子基板の製
造プロセスにおいては、各種処理液をそれぞれ貯留した
複数の処理槽にわたって基板を順次浸漬させることによ
り基板に薬液処理や水洗処理などの一連の各種処理が施
されている。この一連の各種処理として、例えば窒化膜
除去処理があるが、これは、窒化膜除去用の薬液として
燐酸溶液を用いた燐酸槽と、燐酸が残っていると窒化膜
除去機能が進行するので、純水中に燐酸溶液の付いた基
板を浸漬させた後に燐酸溶液を含む純水を排出し、その
後ウエハを収容したまま新たな純水を供給して半導体ウ
エハをさらに水洗した後、再び純水を排出するという工
程を幾度か繰り返す機能水洗槽と、さらに最終水洗槽を
経て、スピンドライで基板を乾燥させることにより行っ
ている。このような窒化膜除去処理の他に、一連の各種
処理として、レジスト剥離処理、酸化膜エッチング処
理、ライトエッチング処理および拡散前洗浄処理などが
ある。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a manufacturing process of a precision electronic substrate using a semiconductor wafer for a semiconductor device, a glass substrate for a liquid crystal display, or the like, a substrate is sequentially immersed in a plurality of processing tanks each storing various processing solutions. As a result, a series of various processes such as a chemical solution process and a water washing process are performed on the substrate. As this series of various processes, for example, there is a nitride film removal process, which is a phosphoric acid bath using a phosphoric acid solution as a chemical solution for nitride film removal, and since the nitride film removal function proceeds when phosphoric acid remains, After the substrate with the phosphoric acid solution is immersed in pure water, the pure water containing the phosphoric acid solution is discharged. Thereafter, new pure water is supplied while the wafer is housed, and the semiconductor wafer is further washed with water. The process is repeated by repeating the process of discharging the water several times, and further, the substrate is dried by spin-drying through a final washing bath. In addition to such a nitride film removing process, a series of various processes include a resist stripping process, an oxide film etching process, a light etching process, and a cleaning process before diffusion.

【0003】また、このような多槽式の基板処理装置に
対して、単槽式の基板処理装置としては、処理槽に異な
る種類の処理液を順次供給し、例えば、エッチング処理
と水洗処理といった異なる処理を単一の処理槽を用いて
順次行っている。
In contrast to such a multi-tank type substrate processing apparatus, a single-tank type substrate processing apparatus sequentially supplies different types of processing liquids to a processing tank and performs, for example, an etching process and a water washing process. Different treatments are performed sequentially using a single treatment tank.

【0004】これらの多槽式の燐酸槽などの薬液槽、機
能水洗槽および最終水洗槽などの処理槽や、単槽式の処
理槽などでは、処理槽の底部に入る手前で2本に分岐し
た処理液供給ノズルがその底部で左右平行に配設されて
いる。これらの一対の処理液供給ノズルには、処理液内
に浸漬された複数の基板の左右下方側から基板側の基板
間毎に処理液を吐出する複数の噴出口がそれぞれ配設さ
れている。これらの吐出口から基板側の基板間毎にそれ
ぞれ処理液を噴出して、左右両側から噴出した処理液が
槽中央部で当たって乱流を形成しつつ上昇し、処理槽内
の処理液を上部開口部からオーバーフローさせるように
なっている。こうすることで各処理によって生じた汚染
物質(パーティクルなど)などを処理液と共に処理槽外
に排出させるようになっている。
[0004] In these multi-tank type chemical tanks such as a phosphoric acid tank, processing tanks such as a functional washing tank and a final washing tank, and single tank type processing tanks, etc., they are branched into two before entering the bottom of the processing tank. The processing liquid supply nozzle is disposed at the bottom thereof in parallel to the left and right. The pair of processing liquid supply nozzles are respectively provided with a plurality of ejection ports for discharging the processing liquid between the substrates on the substrate side from the lower left and right sides of the plurality of substrates immersed in the processing liquid. The processing liquid is spouted from each of the discharge ports between the substrates on the substrate side, and the processing liquid spouted from the left and right sides hits at the center of the tank and rises while forming a turbulent flow. It overflows from the upper opening. In this way, contaminants (particles and the like) generated by each processing are discharged out of the processing tank together with the processing liquid.

【0005】この場合、処理液との濡れ性の問題から、
槽本体およびその内部に配設された処理液供給ノズルは
石英ガラスで構成されている。これは、処理槽内の処理
液を上部開口部からオーバーフローさせる場合に、その
オーバーフロー部の濡れ性がよいため処理液をはじくこ
となく良好に処理液をオーバーフローさせることができ
て、そのオーバーフロー部から汚染物質(パーティクル
など)などを処理液と共に良好に処理槽外に排出させる
ことができる。
In this case, due to the problem of wettability with the processing solution,
The tank main body and the processing liquid supply nozzle disposed therein are made of quartz glass. This is because when the processing liquid in the processing tank overflows from the upper opening, the processing liquid can be satisfactorily overflowed without repelling the processing liquid because the overflow portion has good wettability, and Contaminants (particles and the like) can be satisfactorily discharged out of the processing tank together with the processing liquid.

【0006】ここで、「濡れ性が良い」とは槽本体など
の固体と処理液との接触角が小さいという意味である。
接触角とは液体が固体面に接触しているときの液面と固
体面とがなす角である。
Here, "good wettability" means that the contact angle between the solid such as the tank body and the treatment liquid is small.
The contact angle is the angle between the liquid surface and the solid surface when the liquid is in contact with the solid surface.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
の基板処理槽では、汚染物質(パーティクルなど)の処
理槽外への排出性の問題から、処理槽本体および処理液
供給ノズルの材質として石英ガラス製のものが用いられ
てきたが、用いる薬液(例えばフッ酸など)の種類によ
っては、処理槽本体および処理液供給ノズルが侵食さ
れ、特に、処理液供給ノズルではその噴出口から処理液
を噴出させているので、処理液の流速も早く圧力も高く
なっており、その処理液供給ノズルの噴出口周辺部分が
最も激しく侵食されて変形することになる。このよう
に、最も重要な処理液供給ノズル自体も侵食されて使用
できなくなるばかりか、石英ガラスが薬液に溶けること
によって汚染物質(パーティクルなど)が発生するとい
う問題を有していた。この汚染物質(パーティクルな
ど)が基板表面に付着すると、基板が汚染されて基板品
質の低下をきたすことになる。
As described above, in the above-mentioned conventional substrate processing tank, due to the problem of discharge of contaminants (particles, etc.) out of the processing tank, the material of the processing tank main body and the processing liquid supply nozzle is reduced. Quartz glass has been used, but depending on the type of chemical solution (for example, hydrofluoric acid) used, the processing tank body and the processing liquid supply nozzle are eroded. Is ejected, so that the flow rate of the processing liquid is high and the pressure is also high, so that the peripheral portion of the nozzle of the processing liquid supply nozzle is most strongly eroded and deformed. As described above, not only the most important processing liquid supply nozzle itself is eroded, but also becomes unusable, and there is a problem that pollutants (particles and the like) are generated by dissolution of the quartz glass in the chemical liquid. If the contaminants (such as particles) adhere to the surface of the substrate, the substrate is contaminated and the quality of the substrate deteriorates.

【0008】また、その処理液供給ノズルの噴出口が薬
液に侵食されると、その噴出口の形状が変化して噴出口
からの所定の処理液流量やその噴出方向が得られず、処
理槽内の処理液の流れが不均一になって、汚染物質(パ
ーティクルなど)の処理槽外への排出効率が低下した
り、さらには、その薬液によるエッチング特性が劣化し
たりするなど、基板の処理品質が低下するという問題を
有していた。
Further, when the ejection port of the processing liquid supply nozzle is eroded by the chemical solution, the shape of the ejection port changes, and a predetermined flow rate of the processing liquid from the ejection port and its ejection direction cannot be obtained. Substrate processing such as uneven flow of the processing solution inside, reducing the efficiency of discharging contaminants (particles, etc.) out of the processing tank, and further deteriorating the etching characteristics due to the chemical solution There was a problem that the quality deteriorated.

【0009】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、汚染物質(パーティクルなど)の処理槽外への排出
性を維持しつつ、処理液供給ノズル自体の侵食を防止す
ることで基板処理品質を維持することができる基板処理
槽および基板処理装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and prevents substrate processing by preventing erosion of the processing liquid supply nozzle itself while maintaining the ability to discharge contaminants (particles, etc.) out of the processing tank. An object of the present invention is to provide a substrate processing tank and a substrate processing apparatus capable of maintaining quality.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の基板処理槽は、
槽本体内に設けられた処理液供給部から処理液を供給す
ることにより、槽本体内に処理液を貯留すると共に、そ
の処理液内に被処理基板を浸漬して所定処理を施し、か
つ前記槽本体の所定の導出口から処理液をオーバーフロ
ーさせる基板処理槽において、槽本体は石英ガラスで構
成され、前記処理液供給部は前記処理液に対して耐食性
を有する樹脂材料から構成されていることを特徴とする
ものである。
The substrate processing bath of the present invention comprises:
By supplying the processing liquid from the processing liquid supply unit provided in the tank main body, the processing liquid is stored in the tank main body, and the substrate to be processed is immersed in the processing liquid to perform the predetermined processing, and In the substrate processing tank in which the processing liquid overflows from a predetermined outlet of the tank main body, the tank main body is formed of quartz glass, and the processing liquid supply unit is formed of a resin material having corrosion resistance to the processing liquid. It is characterized by the following.

【0011】上記構成により、処理液に対する耐食性樹
脂材料で処理液供給部を構成したので、処理液供給部は
薬液によって侵食されず、処理液供給部の形状変化もな
い。したがって、この侵食による汚染物質(パーティク
ルなど)の発生は防止されると共に、安定した基板処理
性能が維持可能となる。つまり、処理液供給部からの所
定の処理液流量やその噴出方向に起因した処理液の流れ
も乱れないことから、汚染物質(パーティクルなど)の
処理槽外への排出効率やエッチング特性など、基板の処
理品質が維持可能となる。しかも、槽本体は石英ガラス
で構成されているので、オーバーフロー部の濡れ性がよ
く、処理液をはじくことなく良好にオーバーフローさせ
ることが可能となる。したがって、槽内で発生した汚染
物質(パーティクルなど)もそのオーバーフロー部から
処理液と共に良好に処理槽外に排出させることが可能と
なる。
According to the above configuration, since the processing liquid supply unit is made of a corrosion resistant resin material for the processing liquid, the processing liquid supply unit is not eroded by the chemical solution, and there is no change in the shape of the processing liquid supply unit. Therefore, generation of contaminants (particles and the like) due to the erosion is prevented, and stable substrate processing performance can be maintained. In other words, the flow rate of the processing liquid from the processing liquid supply unit and the flow direction of the processing liquid due to the direction in which the processing liquid is ejected are not disturbed. Processing quality can be maintained. Moreover, since the tank main body is made of quartz glass, the overflow portion has good wettability, and the overflow can be satisfactorily performed without repelling the processing liquid. Therefore, contaminants (particles and the like) generated in the tank can be satisfactorily discharged out of the processing tank together with the processing liquid from the overflow portion.

【0012】また、本発明の基板処理装置は、基板を処
理液に浸漬させてその表面に各種処理を施す基板処理部
を有する基板処理装置において、基板処理部に、請求項
1に記載の基板処理槽が設けられたことを特徴とするも
のである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus having a substrate processing section for immersing a substrate in a processing liquid and performing various types of processing on the surface of the substrate. A processing tank is provided.

【0013】上記構成により、請求項1に記載の基板処
理槽は、基板処理装置に容易に適応可能であって、汚染
物質(パーティクルなど)の処理槽外への排出性を維持
しつつ、最も重要な処理液供給部の侵食を防止すること
が可能となって、品質の良い基板処理が維持可能とな
る。
According to the above configuration, the substrate processing tank according to the first aspect is easily adaptable to a substrate processing apparatus, and most preferably maintains the dischargeability of contaminants (such as particles) out of the processing tank. Erosion of the important processing liquid supply unit can be prevented, and high-quality substrate processing can be maintained.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態に
おける基板処理槽が適用されている基板処理装置の概略
構成を示す断面図である。ここでは、半導体ウエハを被
処理基板として、エッチング処理と水洗処理とを単一の
装置で行う単槽式の基板処理装置を例に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus to which a substrate processing tank according to an embodiment of the present invention is applied. Here, a single-tank type substrate processing apparatus in which a semiconductor wafer is used as a substrate to be processed and an etching process and a washing process are performed by a single device will be described as an example.

【0015】図1において、基板処理装置1には、処理
液2を貯留するための処理槽3が設けられており、貯留
された、例えばフッ酸溶液などの処理液2に基板4が浸
漬されることによりエッチングなどの各種処理が施され
るようになっている。この処理槽3は、例えば上部が開
口し横断面が矩形の箱型に形成され、その槽全体は、汚
染物質(パーティクルなど)の処理槽外への排出性の問
題から、処理液に対して濡れ性のよい石英ガラスで構成
されている。
In FIG. 1, a substrate processing apparatus 1 is provided with a processing tank 3 for storing a processing liquid 2, and a substrate 4 is immersed in the stored processing liquid 2 such as a hydrofluoric acid solution. Thus, various processes such as etching are performed. The processing tank 3 is formed in, for example, a box shape having an opening at an upper portion and a rectangular cross section. The entire tank is configured to receive a processing liquid due to a problem of discharging contaminants (particles and the like) out of the processing tank. It is made of quartz glass with good wettability.

【0016】また、この基板処理装置1には基板4を保
持して処理槽3に対して昇降することによって、基板4
を処理槽3内の処理液2に浸漬または、処理液2から露
出させるハンドリング装置5が設けられている。このハ
ンドリング装置5は背板6とこの背板6の下端において
背板6に対して、長手方向が垂直に配された3本のアー
ム部材7からなる基板保持部8を有している。これら3
本のアーム部材7の上面にはアーム部材7の長手方向に
対して直角方向に伸びる溝部が形成されており、各溝部
により基板4がそれぞれ保持されている。また、これら
の溝部はアーム部材7の長手方向に複数形成されてお
り、複数の溝部によって複数の基板4の主面はそれぞれ
が平行になる状態で所定距離を置いて保持されている。
The substrate processing apparatus 1 holds the substrate 4 and moves up and down with respect to the processing tank 3 so that the substrate 4
There is provided a handling device 5 for immersing or exposing in the processing solution 2 in the processing tank 3. The handling device 5 includes a back plate 6 and a substrate holding unit 8 including three arm members 7 whose longitudinal direction is perpendicular to the back plate 6 at the lower end of the back plate 6. These three
Grooves extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the arm member 7 are formed on the upper surface of the arm member 7, and the substrate 4 is held by each groove. Further, a plurality of these grooves are formed in the longitudinal direction of the arm member 7, and the plurality of grooves hold the main surfaces of the plurality of substrates 4 at a predetermined distance in a state where they are parallel to each other.

【0017】さらに、このハンドリング装置5は処理槽
3に対して上昇した状態で図示しない搬送手段から基板
4を受け取り、基板処理時にはハンドリング装置5は降
下して基板4を処理槽3内の処理液2に浸漬するように
なっている。また、基板処理が終了するとハンドリング
装置5が上昇して基板4を処理液2から露出させ、この
状態で搬送手段が基板4を次工程へと搬送するようにな
っている。
Further, the handling device 5 receives the substrate 4 from a transport means (not shown) in a state of being raised with respect to the processing tank 3, and at the time of substrate processing, the handling device 5 descends and removes the substrate 4 from the processing liquid in the processing tank 3. 2 is immersed. When the substrate processing is completed, the handling device 5 is lifted to expose the substrate 4 from the processing liquid 2, and in this state, the transport unit transports the substrate 4 to the next step.

【0018】さらに、この処理槽3の底部には、処理槽
3内に処理液2を供給する処理液供給部としての左右一
対の処理液吐出ノズル9が備えられており、これらの処
理液吐出ノズル9は、その全体が例えばPEEK(ポリ
エーテルエーテルケトン)、PVC(ポリビニルクロラ
イド)、PCTFE(ポリクロロトリフロロエチレ
ン)、PFA(4フッ化エチレン−パーフロロアルキル
ビニルエーテル共重合樹脂)、PTFE(ポリテトラフ
ロロエチレン)、PVDF(フッ化ビニリデン)などの
耐化学薬品性(耐侵食性)を有する樹脂材料から構成さ
れている。このように、これらの処理液吐出ノズル9の
材料として使用することができる樹脂材料は、処理液に
対する耐性があるものであれば何でも用いることができ
るが、その樹脂材料自体が含有する不純物が少ないPE
EK(ポリエーテルエーテルケトン)を使用することが
望ましい。
Further, at the bottom of the processing tank 3, a pair of left and right processing liquid discharge nozzles 9 as processing liquid supply units for supplying the processing liquid 2 into the processing tank 3 is provided. The nozzle 9 is entirely made of, for example, PEEK (polyetheretherketone), PVC (polyvinylchloride), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene), PFA (ethylenetetrafluoride-perfluoroalkylvinylether copolymer resin), and PTFE (polystyrene). It is made of a resin material having chemical resistance (corrosion resistance) such as tetrafluoroethylene) and PVDF (vinylidene fluoride). As described above, any resin material that can be used as a material of these processing liquid discharge nozzles 9 can be used as long as it has resistance to the processing liquid, but the resin material itself contains few impurities. PE
It is desirable to use EK (polyetheretherketone).

【0019】ここで、処理槽3の本体部分を耐食性を有
する樹脂材料としていないのは、処理槽3の本体部分が
処理液吐出ノズル9に比べて処理液の流速が早くならな
いので、薬液による侵食の影響が少ないことと、処理槽
3の本体部分を石英ガラス製とすることで汚染物質(パ
ーティクルなど)の処理槽3外への排出性を良好な状態
に維持するためである。つまり、処理槽3の本体部分を
樹脂材料で構成としたものは、樹脂の処理液2に対する
濡れ性が石英よりも悪いのでオーバーフローが良好では
なく、汚染物質の処理槽3外への排出が良好ではないた
めに、基板4に対する処理品質が劣ることになってしま
うからである。また、石英の表面は極めて滑らかである
が、樹脂の表面は微妙に凹凸があるため、その凹凸に汚
染物質が留まってしまう可能性が高く、これによって、
処理槽3の本体部分を樹脂材料で構成したものは、汚染
物質が処理槽3外に排出されにくくなって、基板4に対
する処理品質が劣ることになってしまうからである。
Here, the reason why the main body portion of the processing tank 3 is not made of a corrosion-resistant resin material is that the main body portion of the processing tank 3 does not have a high flow velocity of the processing liquid as compared with the processing liquid discharge nozzle 9, so that the erosion by the chemical solution is not performed. This is because the effect of the above is small and the main body of the processing tank 3 is made of quartz glass so as to maintain good discharge of contaminants (such as particles) out of the processing tank 3. That is, in the case where the main body of the processing tank 3 is made of a resin material, the overflow of the resin is not good because the wettability of the resin to the processing liquid 2 is lower than that of quartz, and the discharge of the contaminants out of the processing tank 3 is good. This is because the processing quality of the substrate 4 is deteriorated. In addition, the surface of quartz is extremely smooth, but the surface of the resin is slightly uneven, so there is a high possibility that contaminants will remain on the unevenness.
When the main body of the processing tank 3 is made of a resin material, the contaminants are hardly discharged to the outside of the processing tank 3 and the processing quality of the substrate 4 is deteriorated.

【0020】また、この処理液吐出ノズル9は、処理液
2内に開口するスリット10を有する外管11と、これ
に内設され、スリット10と略反対側に開口する開口部
12を有する内管13とを備えた二重管構造となってい
る。この内管13は処理液供給システム14に接続され
ており、基板4の各種の処理時には、内管13から外管
11を通じて処理槽3内に処理液2が供給されるととも
に、このような処理液2の供給が継続的に行われること
により、処理液2が基板4から脱落したパーティクルな
どの汚染物質と共に処理槽3の上部開口部のオーバーフ
ロー面15を越えてオーバーフローして排出されるよう
になっている。このとき、内管13に供給された処理液
2は一旦外管11の内周面に衝突し、その後、細いスリ
ット10(または複数の噴出口)を介して処理槽3内に
噴出するため、処理槽3内では均一な処理液2の対流が
得られるようになっている。
The processing liquid discharge nozzle 9 has an outer tube 11 having a slit 10 opening into the processing liquid 2, and an inner pipe having an opening 12 provided therein and opening substantially on the opposite side to the slit 10. It has a double pipe structure including a pipe 13. The inner pipe 13 is connected to a processing liquid supply system 14, and during various processing of the substrate 4, the processing liquid 2 is supplied from the inner pipe 13 to the processing tank 3 through the outer pipe 11, and such processing is performed. As the supply of the liquid 2 is continuously performed, the processing liquid 2 overflows over the overflow surface 15 of the upper opening of the processing tank 3 and is discharged together with contaminants such as particles dropped from the substrate 4. Has become. At this time, the processing liquid 2 supplied to the inner tube 13 once collides with the inner peripheral surface of the outer tube 11 and then jets into the processing tank 3 through the narrow slit 10 (or a plurality of jet ports). In the processing tank 3, uniform convection of the processing liquid 2 is obtained.

【0021】この処理液供給システム14は、左右の処
理液吐出ノズル9に接続された処理液供給管16と、こ
の処理液供給管16に合流する分岐した薬液供給管17
と、この薬液供給管17の途中に配設された開閉バルブ
18と、処理液供給管16に純水を供給する純水供給源
(図示せず)と、薬液供給管17に薬液を供給する薬液
供給源(図示せず)とからなっており、基板4の水洗処
理時には、開閉バルブ18が閉じられて純水のみが処理
液供給管16さらに処理液吐出ノズル9を介して上記処
理槽3に供給され、また、エッチング処理時には、上記
開閉バルブ18が開かれて薬液(フッ酸原液など)が薬
液供給管17から処理液供給管16内の純水に混入され
ることにより所定濃度の薬液が生成されて左右の処理液
吐出ノズル9を介して処理槽3内に供給されるようにな
っている。
The processing liquid supply system 14 includes a processing liquid supply pipe 16 connected to the left and right processing liquid discharge nozzles 9 and a branched chemical liquid supply pipe 17 which joins the processing liquid supply pipe 16.
And an opening / closing valve 18 arranged in the middle of the chemical supply pipe 17, a pure water supply source (not shown) for supplying pure water to the treatment liquid supply pipe 16, and a chemical supply to the chemical supply pipe 17. When the substrate 4 is washed with water, the opening / closing valve 18 is closed so that only pure water is supplied to the processing tank 3 through the processing liquid supply pipe 16 and the processing liquid discharge nozzle 9. During the etching process, the opening / closing valve 18 is opened, and a chemical solution (such as a hydrofluoric acid solution) is mixed from the chemical solution supply pipe 17 into the pure water in the treatment liquid supply pipe 16 so that a predetermined concentration of the chemical solution is obtained. Is generated and supplied to the processing tank 3 through the processing liquid discharge nozzles 9 on the left and right sides.

【0022】上記構成により、以下、その動作を説明す
る。まず、純水の供給源から左右の処理液吐出ノズル9
を介して処理槽3内に純水が供給される。このとき処理
槽3のオーバーフロー面15を越えて処理槽3内の汚染
物質が槽外に排出される。
The operation of the above configuration will be described below. First, the left and right processing liquid discharge nozzles 9 are supplied from a pure water supply source.
The pure water is supplied into the processing tank 3 via. At this time, the contaminants in the processing tank 3 are discharged out of the processing tank 3 beyond the overflow surface 15 of the processing tank 3.

【0023】純水が処理槽3からオーバーフローする
と、搬送手段から基板4を受け取ったハンドリング装置
5は上昇した状態から降下し、保持した基板4を純水内
に浸漬する。その後、薬液供給源(図示せず)に接続さ
れた薬液供給管17途中の開閉バルブ18を開けて処理
液供給管16内で純水と混入することで、所定濃度の薬
液を処理液吐出ノズル9から噴出させて処理槽3内に供
給する。これが継続されることによって、処理槽3内の
純水が薬液に置換されることになる。本実施形態では、
その薬液としてエッチング処理用のフッ酸を用いてい
る。このとき、薬液によるエッチング処理で生じた汚染
物質(パーティクル)は、その対流による上昇流と共に
効率良く表面に浮いてくる。さらに、薬液の供給が継続
して行われるため、薬液が、処理槽3のオーバーフロー
面15を越えてオーバーフローすることで、汚染物質
(パーティクル)は処理槽3の外部に薬液と共に排出さ
れることになる。
When the pure water overflows from the processing tank 3, the handling device 5, which has received the substrate 4 from the transfer means, descends from the elevated state, and immerses the held substrate 4 in the pure water. Thereafter, the opening / closing valve 18 in the middle of the chemical liquid supply pipe 17 connected to the chemical liquid supply source (not shown) is opened, and the chemical liquid having a predetermined concentration is mixed with the pure water in the processing liquid supply pipe 16. 9 and is supplied into the processing tank 3. By continuing this, the pure water in the processing tank 3 is replaced with the chemical solution. In this embodiment,
Hydrofluoric acid for etching is used as the chemical. At this time, contaminants (particles) generated by the etching process using the chemical liquid efficiently float on the surface together with the upward flow due to the convection. Furthermore, since the supply of the chemical solution is continued, the chemical solution overflows beyond the overflow surface 15 of the processing tank 3, and contaminants (particles) are discharged to the outside of the processing tank 3 together with the chemical solution. Become.

【0024】このようにして、一定時間エッチング処理
が施されると、次いで、上記処理液供給システム14の
開閉バルブ18が閉じられて処理槽3内に純水が供給さ
れる。純水が供給されると、処理槽3内の薬液がオーバ
ーフローに伴い処理槽3の外部に排出される一方、処理
槽3に純水が貯留され、これにより基板4に水洗処理が
施される。このときにもエッチング処理時と同様に、薬
液から純水への置換やパーティクルの追い出しも良好に
行われて、処理槽3のオーバーフロー面15から純水が
オーバーフローし、水洗処理によって生じたパーティク
ルが処理槽3の外部に純水と共に効率良く排出されるこ
とになる。
After the etching process has been performed for a certain period of time, the open / close valve 18 of the processing liquid supply system 14 is closed, and pure water is supplied into the processing tank 3. When the pure water is supplied, the chemical solution in the processing tank 3 is discharged to the outside of the processing tank 3 due to the overflow, while the pure water is stored in the processing tank 3, whereby the substrate 4 is subjected to a water washing process. . At this time, similarly to the etching process, the replacement of the chemical solution with the pure water and the ejection of the particles are also performed favorably, and the pure water overflows from the overflow surface 15 of the processing tank 3 and the particles generated by the water washing process are removed. The water is efficiently discharged to the outside of the processing tank 3 together with the pure water.

【0025】このような水洗処理が終了すると、上記ハ
ンドリング装置5が上昇し、基板4が搬送手段によって
次工程へと搬送される。
When such a water washing process is completed, the handling device 5 is raised, and the substrate 4 is transferred to the next step by the transfer means.

【0026】したがって、処理液に対する耐食性樹脂材
料で左右の処理液吐出ノズル9を構成したため、処理液
吐出ノズル9、特に液流速が早く高圧力のスリット10
が薬液によって侵食されず、処理液吐出ノズル9からの
汚染物質(パーティクルなど)の発生を防止すると共
に、そのスリット10からの所定の処理液流量やその噴
出方向も変化せず、それらに起因した処理液2の流れも
乱れない。これによって、汚染物質(パーティクルな
ど)の処理槽3外への排出効率やエッチング特性などの
基板4の処理品質の低下は発生しない。しかも、処理槽
3の本体は石英ガラスで構成されているので、薬液によ
って多少の侵食で汚染物質(パーティクルなど)の発生
はあるものの、オーバーフロー面15の濡れ性がよく処
理液2をはじくことなく、処理槽3内で発生した汚染物
質(パーティクルなど)もそのオーバーフロー面15か
ら処理液2と共に良好に処理槽3外に排出させることが
できる。
Therefore, since the left and right processing liquid discharge nozzles 9 are made of a corrosion-resistant resin material for the processing liquid, the processing liquid discharge nozzles 9, particularly the slit 10 having a high liquid flow rate and high pressure, are used.
Is not eroded by the chemical solution, thereby preventing the generation of contaminants (particles and the like) from the processing liquid discharge nozzle 9, and the predetermined processing liquid flow rate from the slit 10 and the jetting direction of the processing liquid are not changed. The flow of the processing liquid 2 is not disturbed. As a result, the processing quality of the substrate 4 such as the efficiency of discharging contaminants (such as particles) out of the processing tank 3 and the etching characteristics does not decrease. Moreover, since the main body of the processing tank 3 is made of quartz glass, the chemical liquid causes some erosion to generate contaminants (particles and the like), but the overflow surface 15 has good wettability and does not repel the processing liquid 2. Also, contaminants (particles and the like) generated in the processing tank 3 can be satisfactorily discharged out of the processing tank 3 together with the processing liquid 2 from the overflow surface 15.

【0027】なお、本実施形態の基板処理装置1では、
本発明に係る基板処理槽3が適用される単槽式の基板処
理装置の一例であって、基板処理装置や処理槽の具体的
な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可
能である。例えば、単槽式の基板処理装置1だけではな
く多槽式の基板処理装置に対しても適用可能なことはい
うまでもないことである。要は、本願発明の構成は、処
理液2に基板4を浸漬させて処理液2をオーバーフロー
させながら処理を行うタイプの基板処理装置であればよ
く、1種類または2種類以上の処理を行う基板処理装置
に対して容易に適用可能であることはいうまでもないこ
とである。
In the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment,
This is an example of a single-tank type substrate processing apparatus to which the substrate processing tank 3 according to the present invention is applied, and specific configurations of the substrate processing apparatus and the processing tank can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. It is. For example, it goes without saying that the present invention can be applied not only to the single-tank type substrate processing apparatus 1 but also to a multi-tank type substrate processing apparatus. In short, the configuration of the present invention may be any type of substrate processing apparatus that performs processing while immersing the substrate 4 in the processing liquid 2 and overflowing the processing liquid 2, and performing one or more types of substrate processing. It goes without saying that it can be easily applied to the processing apparatus.

【0028】[0028]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、処理液に対す
る耐食性樹脂材料で処理液供給部を構成し、かつ、槽本
体は石英ガラスで構成したため、処理液供給部は薬液に
よって侵食されず、この侵食による汚染物質(パーティ
クルなど)の発生を防止すると共に、処理液供給部の変
形に起因した処理液の流れの乱れも発生せず、汚染物質
(パーティクルなど)の処理槽外への排出効率やエッチ
ング特性など基板の処理品質を高レベルに維持すること
ができ、しかも、オーバーフロー部も石英ガラス製でそ
の濡れ性がよく、汚染物質(パーティクルなど)の処理
槽外への排出を良好にすることができる。
According to the first aspect of the present invention, since the processing liquid supply section is made of a corrosion-resistant resin material for the processing liquid and the tank body is made of quartz glass, the processing liquid supply section is not eroded by the chemical solution. In addition to preventing the generation of contaminants (particles and the like) due to this erosion, the flow of the processing liquid due to deformation of the processing liquid supply unit does not occur, and the contaminants (particles and the like) are discharged out of the processing tank. The processing quality of the substrate such as efficiency and etching characteristics can be maintained at a high level. In addition, the overflow part is made of quartz glass, which has good wettability and discharges contaminants (particles, etc.) out of the processing tank well. can do.

【0029】また、請求項2の発明によれば、請求項1
に記載の基板処理槽を基板処理装置に容易に適応させる
ことができ、汚染物質(パーティクルなど)の処理槽外
への排出性を維持しつつ、最も重要な処理液供給部の侵
食を防止することができて、品質の良い基板処理を行う
ことができる。
According to the second aspect of the present invention, the first aspect is provided.
The substrate processing tank described in (1) can be easily adapted to the substrate processing apparatus, and the erosion of the most important processing liquid supply unit is prevented while maintaining the discharge property of contaminants (such as particles) out of the processing tank. As a result, high-quality substrate processing can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における基板処理槽が適用
されている基板処理装置の概略構成を示す縦断面図であ
る。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus to which a substrate processing tank according to an embodiment of the present invention is applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 2 処理液 3 処理槽 4 基板 9 処理液吐出ノズル 10 スリット 11 外管 13 内管 14 処理液供給システム 15 オーバーフロー面 16 処理液供給管 17 薬液供給管 18 開閉バルブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Processing liquid 3 Processing tank 4 Substrate 9 Processing liquid discharge nozzle 10 Slit 11 Outer pipe 13 Inner pipe 14 Processing liquid supply system 15 Overflow surface 16 Processing liquid supply pipe 17 Chemical liquid supply pipe 18 Opening / closing valve

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 槽本体内に設けられた処理液供給部から
処理液を供給することにより、槽本体内に処理液を貯留
すると共に、その処理液内に被処理基板を浸漬して所定
処理を施し、かつ前記槽本体の所定の導出口から処理液
をオーバーフローさせる基板処理槽において、 前記槽本体は石英ガラスで構成され、前記処理液供給部
は前記処理液に対して耐食性を有する樹脂材料から構成
されていることを特徴とする基板処理槽。
A processing liquid is supplied from a processing liquid supply section provided in a tank main body, whereby the processing liquid is stored in the tank main body, and a substrate to be processed is immersed in the processing liquid to perform a predetermined processing. In the substrate processing tank for performing processing liquid and overflowing the processing liquid from a predetermined outlet of the tank main body, the tank main body is made of quartz glass, and the processing liquid supply unit is a resin material having corrosion resistance to the processing liquid. A substrate processing tank characterized by comprising:
【請求項2】 基板を処理液に浸漬させてその表面に各
種処理を施す基板処理部を有する基板処理装置におい
て、 前記基板処理部に、請求項1に記載の基板処理槽が設け
られたことを特徴とする基板処理装置。
2. A substrate processing apparatus having a substrate processing section for immersing a substrate in a processing liquid to perform various types of processing on the surface thereof, wherein the substrate processing section according to claim 1 is provided in the substrate processing section. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206145A (en) * 2016-12-20 2018-06-26 有研半导体材料有限公司 It is a kind of realize adjacent wafers to turn corrosion device and caustic solution
JP2018099079A (en) * 2016-12-20 2018-06-28 光洋通商株式会社 Boxy ship

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108206145A (en) * 2016-12-20 2018-06-26 有研半导体材料有限公司 It is a kind of realize adjacent wafers to turn corrosion device and caustic solution
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