KR20000050882A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

투명한 하부 절연 기판 위에 세로 방향으로 데이터선 및 데이터선 끝에 연결되어 데이터 패드로 이루어진 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선을 덮는 절연막 위에는 가로의 게이트선, 게이트선의 끝에는 연결되어 있는 게이트 패드 및 게이트선의 일부인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선과 게이트선과 평행한 공통 신호선과 화소에는 공통 신호선의 분지로 세로로 뻗어 있는 제1 공통 전극과 이와 일정한 간격으로 마주하는 세로의 화소 전극이 형성되어 있다. 게이트 배선, 공통 배선 및 화소 전극을 게이트 절연막 위에는 박막 트랜지스터의 반도체층과 저항 접촉층이 형성되어 있다. 저항 접촉층 위에는 용장 데이터 배선, 화소 신호선 및 용장 게이트 패드가 형성되어 있으며, 이들은 용장 데이터선, 용장 데이터 패드, 화소 신호선 및 용장 게이트 패드는 접촉 구멍을 통하여 데이터선, 데이터 패드, 화소 전극 및 게이트 패드와 각각 연결되어 있다. 용장 데이터 배선, 화소 신호선 및 용장 게이트 패드 위에는 보호막이 형성되어 있으며, 보호막에는 용장 게이트 패드 및 용장 데이터 패드를 드러내는 접촉 구멍이 형성되어 있으며, 게이트선과 데이터선으로 둘러 쌓인 화소에는 공통 전극 및 화소 전극의 ITO막을 드러내는 개구부가 형성되어 있다. 한편, 상부 기판 ITO로 이루어져 있으며 제1 공통 전극과 동일한 공통 신호가 인가되는 제2 공통 전극이 형성되어 있다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 시야각을 개선하기 위하여 액정 분자를 구동하기 위한 두 전극이 하나의 기판에 형성되어 있고, 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 수평 전계에 의한 액정 구동 방식의 액정 표시 장치가 미국 특허 제5,598,285호에 나타나 있다.
그러나, 미국 특허 제5,598,285에서 제시된 액정 표시 장치는 수평 전계를 인가하기 위한 공통 전극과 화소 전극이 게이트선과 데이터선으로 둘러 쌓인 화소에 불투명한 도전 물질로 교대로 배치되어 있어 개구율이 떨어지고, 그에 따른 빛의 투과율 및 휘도가 낮아진다.
또한, 액정 분자를 구동하는 전극이 하나의 기판에만 형성되어 있어, 다른 기판에 인접한 액정 분자는 전기장이 약하게 전달된다. 따라서, 액정 분자가 전기장에 의해 회전하는 각도가 작아지고, 이로 인하여 빛이 액정층을 통과할 때 발생하는 지연이 감소하며, 이는 빛의 투과율 및 휘도를 감소시키는 원인으로 작용한다.
또한, 두 기판 사이에 주입되어 있는 액정 분자는 수평 성분의 비틀림에 의해서만 영향을 받고 그에 따른 복원성에만 의존해야하기 때문에 응답 속도가 매우 느린 단점이 있다.
본 발명의 과제는 액정 표시 장치의 개구율 및 응답 속도를 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 액정 표시 장치의 구동 전압 및 구동 신호의 왜곡을 감소시키는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 단위 화소의 구성을 간략히 나타낸 배치도이고,
도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 도면으로서, 박막 트랜지스터 기판과 이에 마주하는 컬러 필터 기판을 함께 도시한 도면이고,
도 3a 내지 도 6b는 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 도면이고,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이고,
도 8은 도 7에서 VIIIb - VIIIb' 선을 따라 절단한 단면도이고,
도 9a 내지 도 12b는 도 7 및 도 8에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 도면이고,
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 14는 도 13에서 XIVb - XIVb' 선을 따라 절단한 단면도이고,
도 15a 및 도 16a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 15b 및 도 16b는 도 15a 및 도 16a에서 XVb - XVb' 및 XVIb - XVIb' 선을 따라 각각 도시한 단면도이다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에는 공통 전극과 화소 전극이 투명한 도전 물질로 형성되어 있고, 이들이 형성되어 있는 기판과 마주하는 기판에 다른 공통 전극이 또 형성되어 있다.
이러한 본 발명에 따른 액정 정 표시 장치는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어져 있으며, 공통 신호가 전달되는 제1 공통 전극이 형성되어 있는 제1 기판과 게이트선과 데이터선이 서로 교차하여 정의하는 화소에는 ITO로 형성되어 서로 일정한 간격을 두고 마주하며 공통 신호가 전달되는 선형의 제2 공통 전극 및 데이터선을 통하여 인가되는 데이터 신호가 전달되는 선형의 화소 전극이 형성되어 있으며, 게이트선, 데이터선, 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 제2 기판으로 이루어져 있다.
여기서, 제2 공통 전극과 화소 전극은 동일한 층에 형성되어 있으며, 게이트선과 데이터선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어질 수 있다.
또한, 데이터선의 끝에 연결되어 있는 데이터 패드 및 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드를 더 포함하고, 데이터선과 중첩되어 나란히 형성되어 있으며 데이터선과 연결되어 있는 용장 데이터선, 용장 데이터선과 같은 도전 물질층으로 이루어져 있는 용장 데이터 패드 및 용장 게이트 패드를 더 포함하며, 데이터 패드 및 게이트 패드와 용장 데이터 패드 및 용장 게이트 패드는 서로 각각 연결되어 있다.
이때, 용장 게이트 패드, 용장 데이터 패드, 데이터 패드 및 게이트 패드 중 가장 상부막은 ITO로 형성하는 것이 바람직하며, 누설되는 빛을 차단하기 위하여 데이터선은 공통 전극의 하부에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 다른 액정 표시 장치는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 제1 공통 전극이 형성되어 있는 투명한 제1 기판과 세로의 데이터선을 덮는 절연막 위에는 데이터선과 교차하여 화소를 정의하는 게이트선과 게이트선의 일부인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선이 형성되어 있는 제2 기판으로 이루어져 있다. 제2 기판의 절연막 상부 화소에는 서로 일정한 간격으로 세로로 마주하는 선형의 제2 공통 전극 및 화소 전극이 형성되어 있으며, 이들을 덮는 게이트 절연막에는 절연막과 함께 데이터선 및 화소 전극을 드러내는 제1 및 제2 접촉 구멍이 형성되어 있다. 또한, 게이트 절연막 위의 반도체층 상부에 게이트 전극을 중심으로 분리되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극과 소스 전극과 연결되어 있으며 데이터선과 나란히 중첩되어 제1 접촉 구멍을 통하여 데이터선과 연결되어 있는 용장 데이터선으로 이루어진 용장 데이터 배선과 드레인 전극으로부터 연장되어 제2 공통 전극을 연결하는 공통 신호선과 중첩되어 있고 제2 접촉 구멍을 통하여 화소 전극과 연결되어 있는 화소 신호선이 형성되어 있다. 용장 데이터 배선과 화소 신호선을 덮는 보호막이 형성되어 있으며, 보호막의 화소에는 게이트 절연막과 함께 제거되어 공통 전극과 화소 전극을 드러내는 개구부가 형성되어 있다.
이때, 데이터선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어질 수 있으며, 게이트 배선, 공통 배선 및 화소 전극은 ITO로 이루어진 하부막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어진 하부막으로 형성하는 것이 바람직하다.
여기서, 하부막은 1,000Å 이하로 형성하고 용장 데이터 배선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬의 하부막과 ITO의 상부막으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 다른 액정 표시 장치는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 제1 공통 전극이 형성되어 있는 투명한 제1 기판과 세로의 데이터선을 덮는 절연막 상부에 가로로 형성되어 데이터선과 화소를 정의하는 게이트선과 게이트선의 일부인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선 및 가로로 형성되어 있는 공통 신호선이 형성되어 있는 제2 기판으로 이루어져 있다. 공통 신호선 및 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막 위에는 게이트 전극과 중첩되어 있는 반도체층이 형성되어 있다. 또한 제2 기판 위에는 반도체층 위에 게이트 전극을 중심으로 서로 분리되어 형성되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극과 소스 전극과 연결되어 있으며 데이터선과 나란히 중첩되어 있는 제1 용장 데이터선으로 이루어진 제1 용장 데이터 배선과 드레인 전극으로부터 연장되어 공통 신호선과 중첩되어 있는 화소 신호선이 형성되어 있다. 또한, 제1 용장 데이터선 및 화소 신호선을 덮는 보호막에는 용장 데이터선 및 화소 신호선을 드러내는 제1 및 제2 접촉 구멍과 게이트 절연막과 함께 공통 신호선을 드러내는 제3 접촉 구멍과 절연막 및 게이트 절연막과 함께 데이터선을 드러내는 제4 접촉 구멍을 가지고 있다. 또한 보호막 상부에는 데이터선 및 제1 용장 데이터선과 나란히 중첩하는 동시에 제1 및 제4 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있는 제2 용장 데이터선과 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 화소 전극선 및 공통 신호선과 각각 연결되어 있으며 서로 일정한 간격으로 세로로 마주하는 선형의 제2 공통 전극 및 화소 전극이 형성되어 있다.
이러한 구조에서, 데이터 배선, 게이트 배선, 공통 신호선 및 제1 용장 데이터 배선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬의 단일막 또는 이중막으로 형성할 수 있으며, 제2 용장 데이터선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 ITO로 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 제1 내지 제4 접촉 구멍에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 제거하는 것이 좋다.
이때, 화소에는 보호막 및 게이트 절연막을 제거할 수도 있다.
이제 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 단위 화소의 구성을 간략히 나타낸 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 단면도로서, 도 2에는 박막 트랜지스터 기판과 이에 마주하는 컬러 필터 기판을 함께 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 투명한 하부 절연 기판(100) 위에 세로 방향으로 데이터선(20)이 형성되어 있고, 데이터선(20)의 끝에는 데이터 패드(23)가 연결되어 있다. 여기서, 데이터 배선(20, 23)은 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 형성할 수 있다.
데이터 배선(20, 23)은 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 이루어진 절연막(30)으로 덮여 있다.
절연막(30) 위에는 가로 방향으로 게이트선(40)이 형성되어 있고, 게이트선(40)의 끝에는 게이트 패드(42)가 연결되어 있으며 게이트선(40)의 일부는 게이트 전극(41)이 된다. 화소의 상하에는 게이트선(40)과 평행하게 공통 신호선(46)이 형성되어 있으며, 화소에는 공통 신호선(46)의 분지로 뻗어 있으며 공통 신호선(46)으로부터 공통 신호를 전달받는 서로 평행한 다수의 공통 전극(48)이 세로 방향으로 형성되어 있다. 또한, 다수의 공통 전극(48) 사이 각각에는 공통 배선(46, 48)과 분리되어 있는 화소 전극(44)이 세로 방향으로 형성되어 있다. 여기서, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이 게이트 배선(41, 42), 공통 배선(46, 48) 및 호소 전극(44)은 투명한 도전 물질인 ITO의 하부막(411, 421 : 461, 481 : 441)과 몰리브덴-텅스텐 합금의 상부막(412, 422 : 462, 482 : 442)으로 이루어져 있다. 도면으로 나타나지 않았지만 게이트선(40)도 이중막으로 형성되어 있다. 여기서, 상부막은 저저항을 가지는 도전 물질 몰리브덴, 몰리브덴 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 형성할 수도 있다.
게이트 배선(40, 41, 42), 공통 배선(46, 48) 및 화소 전극(44) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(50)이 덮고 있다.
게이트 절연막(50) 위에는 반도체인 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 반도체층(60)이 형성되어 있고, 비정질 규소층(60) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(70, 71, 72, 73, 74, 75)이 형성되어 있다.
저항 접촉층(70, 71, 72, 73, 74, 75) 위에는 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)가 형성되어 있다. 용장 데이터선(80), 용장 데이터 패드(83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)는 게이트 절연막(50)과 반도체층(60)에 형성되어 있는 접촉 구멍(51, 53, 54, 55)을 통하여 데이터선(20), 데이터 패드(23), 화소 전극(44) 및 게이트 패드(42)와 각각 연결되어 있다. 소스 전극(81)은 용장 데이터선(80)으로부터 게이트 전극(41)까지 연장되어 있으며, 드레인 전극(82)은 게이트 전극(41)을 중심으로 소스 전극(81)과 마주하며, 화소 신호선(84)은 드레인 전극(82)으로부터 가로로 연장되어 있으며 공통 신호선(46)과 중첩되어 유지 축전기를 이룬다. 여기서, 도 2에서 보는 바와 같이 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)는 각각 크롬의 하부막(801, 811, 821, 831 : 841 : 851)과 ITO의 상부막(802, 812, 822, 832 : 842 : 852)으로 이루어져 있다.
여기서, 저항 접촉층(70, 71, 72, 73, 74, 75)은 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)와 동일한 모양으로 형성되어 있으며, 게이트 전극(41), 게이트 절연막(50), 비정질 규소층(60), 저항 접촉층(71, 72), 소스 및 드레인 전극(81, 82)은 박막 트랜지스터를 이룬다.
용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)와 이들로 가리지 않는 반도체층(60) 위에는 보호막(90)이 형성되어 있으며, 보호막(90)에는 용장 게이트 패드(85) 및 용장 데이터 패드(83)의 상부막(852, 732)을 드러내는 접촉 구멍(95, 93)이 형성되어 있으며, 반도체층(60) 및 게이트 절연막(50)과 함께 게이트선(40)과 데이터선(20)으로 둘러 쌓인 화소를 드러내는 개구부(91)가 형성되어 있다. 개구부(91)에는 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(48) 및 화소 전극(44)의 하부막(481, 441)이 드러나 있다.
한편, 하부 기판(100)과 마주하는 상부 기판(200) 블랙 매트릭스(210) 및 컬러 필터(220)가 형성되어 있으며, 유기막으로 이루어진 절연막(230)이 블랙 매트릭스(210) 및 컬러 필터(220)를 덮고 있다. 이때, 컬러 필터(220)는 화소에 대응하는 부분에 형성되어 있으며, 블랙 매트릭스(210)는 화소를 제외한 부분에 형성되어 누설되는 빛을 차단한다. 절연막(230) 위에는 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어져 있으며, 하판(100)의 공통 전극(48)과 동일한 공통 신호가 인가되는 또 하나의 공통 전극(240)이 형성되어 있다. 여기서는 전면에 형성되어 있지만, 화소를 단위로 형성할 수도 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 도 2에서 보는 바와 같이, 공통 전극(48, 240)이 하판(100) 및 상판(200)에 모두 형성되어 있으므로 하부 기판(100)에 인접한 액정 분자는 화소 전극(44)과 공통 전극(48) 사이에서 형성되는 전기장에 의해 구동되고 상부 기판(200)에 인접한 액정 분자는 화소 전극(44)과 공통 전극(240) 사이에서 형성되는 전기장에 충분히 구동되어 액정 분자는 충분히 회전하게 된다. 이로 인하여 빛이 액정층을 통과할 때 발생하는 지연이 증가하여 빛의 투과율이 높아진다. 또한, 액정 분자에는 수평 성분의 비틀림뿐니라 수직 성분의 변형이 추가된다. 따라서, 액정 분자가 구동된 다음 원래의 상태로 되돌아올 때에도 수평 및 수직 성분의 복원력에 영향을 미치게 되므로, 액정 분자가 되돌아오는 시간이 단축되어 액정 분자의 응답 속도가 단축된다.
또한, 개구부(91)를 통하여 드러나는 공통 전극(48) 및 화소 전극(44)은 투명한 하부막(441, 481)으로만 이루어져 빛의 투과율을 높일 수 있다, 또한, 공통 신호선(24)을 최대한 좁은 폭으로 형성하여 화소의 개구율을 증가시킬 수 있다. 또한 공통 전극(48) 및 화소 전극(44)의 상부에는 절연층이 없어 잔상을 제거할 수 있고 액정 분자를 구동하는 구동 전압을 최소화할 수 있으며, 이로 인하여 전극(44, 48)을 넓은 간격으로 형성할 수 있어 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 데이터선(20)이 이에 인접한 공통 전극(48)보다 하부에 위치하게 되므로 이들(20, 48) 사이로 입사하는 빛의 경로를 변화시켜 빛의 대부분을 블랙 매트릭스(210)의 폭 안쪽으로 입사하도록 하여 측면 크로스 토크(cross talk)를 최소화 할 수 있다. 또한, 데이터선(20)과 이에 인접한 공통 전극(48)을 중첩시키지 않으면서 크로스 토크를 최소화함으로써 기생 용량을 최소화하여 데이터선(20)의 부하를 줄일 수 있고 데이터선(20)을 통하여 전달되는 데이터 신호의 왜곡을 막을 수 있다. 또한, 공통 배선(46, 48)을 통하여 전달되는 공통 신호에 대한 왜곡도 사라지게 된다.
또한, 패드부의 최상층에 접촉성이 우수한 ITO가 형성되어 있어 패드부의 신뢰성을 확보할 수 있다.
이제, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 도 3a 내지 도 6b는 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 배치도 및 단면도이다.
먼저, 도 3a 및 도 3b에 나타난 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연 기판(100)에 3,000Å 정도의 두께로 몰리브덴-텅스텐 합금과 같은 저저항 금속 물질을 적층하고 패터닝하여 데이터선(20) 및 데이터선(20)의 끝에 연결된 데이터 패드(23)를 형성한다.
다음, 도 4a 및 도 4b에서 보는 바와 같이 질화 규소와 같은 절연 물질을 2,000Å 정도의 두께로 적층하여 절연막(30)을 형성한 다음, 500Å 정도의 두께로 ITO막과 3,000Å 정도의 두께로 몰리브덴-텅스텐 합금과 같은 저저항 금속막을 차례로 적층하고 패터닝하여 게이트선(40), 게이트 전극(41) 및 게이트 패드(42)로 이루어진 게이트 배선과 가로 방향의 공통 신호선(46) 및 세로 방향의 공통 전극(48)으로 이루어진 공통 배선과 세로 방향의 화소 전극(44)을 형성한다. 이 때 게이트 배선의 상부막은 여러 가지 도전 물질이 이용될 수 있으며 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등을 이용한 단일막이거나, 이들 금속을 조합한 이중막으로 형성할 수도 있다. 여기서는, ITO의 하부막(411, 421, 441, 461, 481)과 몰리브덴-텅스텐 합금의 상부막(412, 422, 442, 462, 482)으로 이루어진 경우이다. 도면으로 나타나지 않았지만 게이트선(40) 또한 이중막을 형성되어 있다.
다음, 도 5a 및 5b에 나타난 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(50)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,500Å 두께의 비정질 규소층(60)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 도핑된 비정질 규소층(78)을 차례로 증착한다. 마스크를 이용한 사진 공정을 통하여 도핑된 비정질 규소층(78), 비정질 규소층(60) 및 게이트 절연막(50)을 절연막(30)과 함께 패터닝하여 데이터선(20), 화소 전극(44)의 양쪽 끝부분, 데이터 패드(23) 및 게이트 패드(42)를 각각 드러내는 접촉 구멍(51, 54, 53, 55)을 형성한다.
도 6a 내지 도 6b에 나타난 바와 같이, 크롬과 같은 도전 물질을 약 500Å 정도의 두께로, 이어 투명한 도전 물질인 ITO(indium tin oxide)를 약 1,000Å 또는 그 이하인 500Å 정도로 두께로 차례로 적층하고 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)를 형성한다. 이어, 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85)로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층(78)을 식각하여 저항성 접촉층(70, 71, 72, 73, 74, 75)을 완성하고, 소스 및 드레인 전극(81, 82) 사이의 반도체층(60)을 드러낸다. 이때, 용장 데이터 배선(80, 81, 82, 83), 화소 신호선(84) 및 용장 게이트 패드(85) 각각은 도 6b에 나타난 바와 같이 크롬의 하부막(801, 811, 821, 831 : 841 : 851)과 ITO의 상부막(802, 812, 822, 832 : 842 : 852)으로 형성한다.
마지막으로, 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막으로 1,500∼2,500Å 두께의 보호막(90)을 형성하고, 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 보호막(90)과 반도체층(60) 및 게이트 절연막(50)을 함께 식각하여 화소의 공통 전극(48) 및 화소 전극(44)을 드러내는 개구부(91)를 형성한다. 이때, ITO로 이루어진 용장 게이트 패드(85) 및 용장 데이터 패드(83)의 상부막(852, 832)을 드러내는 접촉 구멍(95, 93)도 함께 형성한다. 이어, 몰리브덴-텅스텐 합금막을 제거하여 화소의 개구부(91)에서 공통 전극(48) 및 화소 전극(44)의 투명한 하부막(481, 441)이 드러나도록 한다. 그러면, 액정 분자를 구동하기 위하여 두 전극(48, 44)에 인가되는 구동 전압을 낮출 수 있으며, 구동 전압을 낮추는 경우에는 두 전극(48, 44)의 간격을 넓게 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 두 전극(48, 44) 상부에 절연막이 잔류하지 않는 경우에는 잔상을 최소화할 수 있다
이후, 기판의 표면에 배향막을 형성하고 액정 물질의 방향성을 주기 위한 러빙 등의 공정을 실시하고 도 2에 도시한 바와 같은 상부 기판(200)을 하부 기판(100)과 부착하여 액정 표시 장치를 완성한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 ITO막과 이와 접촉 특성이 우수한 크롬 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 이중막으로 공통 전극 및 화소 전극을 형성한 다음 금속막을 제거하였다. 이와 다르게, 크롬 또는 몰리브덴 합금 보다 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 배선을 형성하는 동시에 공통 전극 및 화소 전극을 ITO로 형성하는 방법도 있다. 이를 제2 및 제3 실시예를 통하여 상세하게 설명하기로 한다. 제2 및 제3 실시예에서 상부 기판의 구조 및 본 발명의 효과 및 작용에 대해서는 제1 실시예와 유사하므로 중복하여 도면으로 나타내거나 구체적으로 설명하기 않는다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이고, 도 8은 도 7에서 VIIIb - VIIIb' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8에서 보는 바와 같이, 제1 실시예와 유사하게 투명한 하부 절연 기판(100) 위에 세로 방향으로 데이터 배선(20, 23)이 형성되어 있다. 이때, 데이터 배선(20, 23)은 ITO와 접촉 특성이 좋은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 등으로 이루어진 하부막(201, 231)과 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 상부막(202, 232)으로 이루어져 있다.
데이터 배선(20, 23)은 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 이루어진 절연막(30)으로 덮여 있다.
절연막(30) 위에는 제1 실시예와 유사하게 가로 방향으로 게이트 배선(40, 41, 42)이 형성되어 있으며, 공통 신호선(46, 48)이 형성되어 있다. 여기서, 도 8에서 보는 바와 같이 게이트 배선(41, 42) 및 공통 신호선(46, 48)은 데이터 배선(20, 23)과 유사하게 ITO와 접촉 특성이 좋은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 등으로 이루어진 하부막(411, 421 : 461, 481)과 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 상부막(412, 422 : 462, 482)으로 이루어져 있다. 도면으로 나타나지 않았지만 게이트선(40)도 이중막으로 형성되어 있다.
게이트 배선(40, 41, 42) 및 공통 신호선(46, 48) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(50)이 덮고 있다.
게이트 전극(41)의 게이트 절연막(50) 위에는 반도체인 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 반도체층(60)이 섬 모양으로 형성되어 있고, 비정질 규소층(60) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(71, 72)이 게이트 전극(41)을 중심으로 양쪽에 형성되어 있다.
저항 접촉층(71, 72) 위에는 각각 소스 및 드레인 전극(81, 82) 및 화소 신호선(84)이 형성되어 있으며, 소스 전극(81)은 데이터선(20)의 상부까지 연장된 제1 용장 데이터선(80)과 연결되어 있고, 드레인 전극(82)은 공통 신호선(46)과 중첩되어 유지 축전기를 이루는 화소 신호선(84)과 연결되어 있다. 여기서, 제1 용장 데이터 배선(80, 81, 82) 및 화소 신호선(84)은 ITO와 접촉 특성이 우수한 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어져 있다.
제1 용장 데이터 배선(80, 81, 82) 및 화소 신호선(84)과 이들로 가리지 않는 반도체층(60) 및 게이트 절연막(50) 위에는 보호막(90)이 형성되어 있으며, 보호막(90)에는 화소 신호선(84) 및 제1 용장 데이터선(80)을 드러내는 접촉 구멍(94, 91)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(50) 또는 절연막(30)과 함께 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 게이트 패드(42), 데이터 패드(23), 공통 신호선(48) 및 데이터선(20)의 하부막(421, 231, 481, 201)을 드러내는 접촉 구멍(95, 93, 98, 92)이 형성되어 있다. 단면도로 나타나지 않았지만, 보호막(90) 및 게이트 절연막(50)에는 공통 신호선(46)의 하부막(461)을 드러내는 접촉 구멍(96)도 형성되어 있다.
보호막(90) 위에는 접촉 구멍(91, 92)을 통하여 제1 용장 데이터선(80)과 데이터선(20)과 연결되어 있는 제2 용장 데이터선(10)과 접촉 구멍(93)을 통하여 데이터 패드(23)와 연결되어 있는 제2 용장 데이터 패드(13)로 이루어진 제2 용장 데이터 배선과 접촉 구멍(95)을 통하여 게이트 패드(42)와 연결되어 있는 제2 용장 게이트 패드(12)가 형성되어 있다. 또한, 화소에는 ITO로 이루어져 있으며, 접촉 구멍(96, 98)을 통하여 공통 신호선(46, 48)과 연결되어 있는 공통 전극(18)과 접촉 구멍(94)을 통하여 화소 신호선(84)과 연결되어 있는 화소 전극(14)이 세로 방향으로 형성되어 있다.
이러한 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치 또한 제1 실시예에 따른 구조적 특징을 가지므로 그에 따른 효과를 가진다.
이제, 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 도 9a 내지 도 12b는 도 7 및 도 8에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 배치도 및 단면도이다.
먼저, 제1 실시예와 유사하게 도 3a 및 도 3b에서 보는 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연 기판(100)에 3,000Å 정도의 두께로 데이터선(20) 및 데이터선(20)의 끝에 연결된 데이터 패드(23)를 형성한다.
다만, 제1 실시예와 다르게 ITO와 접촉 특성이 좋은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 500Å 정도의 두께로, 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 2,500Å 정도의 두께로 차례로 적층하고 패터닝하여 하부막(201, 231)과 상부막(202, 232)으로 이루어진 데이터 배선(20, 23)을 형성한다.
다음, 도 9a 및 도 9b에서 보는 바와 같이 질화 규소와 같은 절연 물질을 2,000Å 정도의 두께로 적층하여 절연막(30)을 형성한 다음, ITO와 접촉 특성이 좋은 크롬 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 500Å 정도의 두께로, 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 2,500Å 정도의 두께로 차례로 적층하고 패터닝하여 게이트선(40), 게이트 전극(41) 및 게이트 패드(42)로 이루어진 게이트 배선과 가로 방향의 공통 신호선(46) 및 세로 방향의 공통 신호선(48)을 형성한다. 여기서는, 크롬의 하부막(411, 421, 461, 481)과 알루미늄-네오비듐 합금의 상부막(412, 422, 442, 462, 482)으로 이루어진 경우이다. 도면으로 나타나지 않았지만 게이트선(40) 또한 이중막을 형성되어 있다.
다음, 도 10a 및 10b에 나타난 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(50)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,500Å 두께의 비정질 규소층(60)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 도핑된 비정질 규소층(70)을 차례로 증착한다. 마스크를 이용한 사진 공정을 통하여 도핑된 비정질 규소층(70) 및 비정질 규소층(60) 함께 패터닝하여 게이트 전극(41) 상부에 섬 모양으로 형성한다.
다음, 도 11a 내지 도 11b에 나타난 바와 같이, 크롬과 같은 도전 물질을 약 500Å 정도의 두께로 적층하고 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 제1 용장 데이터 배선(80, 81, 82) 및 화소 신호선(84)을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 전극(81, 82)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층(70)을 식각하여 저항성 접촉층(71, 72)을 완성하고, 소스 및 드레인 전극(81, 82) 사이의 반도체층(60)을 드러낸다.
다음, 도 12a 및 도 12b에서 보는 바와 같이, 기판(100)의 상부에 질화 규소 등의 절연 물질을 2,000Å 정도의 두께로 적층하여 보호막(90)을 형성한 후, 보호막(90)을 패터닝하여 화소 신호선(84) 및 제1 용장 데이터선(80)을 드러내는 접촉 구멍(94, 91)을 형성하고, 게이트 절연막(50) 또는 절연막(30)과 함께 게이트 패드(42), 데이터 패드(23), 공통 신호선(48) 및 데이터선(20)을 드러내는 접촉 구멍(95, 93, 98, 92)을 형성한다. 단면도로 나타나지 않았지만, 보호막(90) 및 게이트 절연막(50)에는 공통 신호선(46)을 드러내는 접촉 구멍(96)도 함께 형성한다. 이어, 노출되어 있는 상부막(422, 462, 482, 202, 232)의 알루미늄 합금을 제거하고 ITO와 접촉 특성이 우수한 하부막(421, 461, 481, 201, 231)을 드러낸다.
마지막으로, 도 7 및 도 8에서 보는 바와 같이, 보호막(90)의 상부에 ITO를 적층하고 패터닝하여, 접촉 구멍(91, 92)을 통하여 제1 용장 데이터선(80)과 데이터선(20)과 연결하는 제2 용장 데이터선(10)과 접촉 구멍(93)을 통하여 데이터 패드(23)와 연결되는 제1 용장 데이터 패드(13)로 이루어진 제2 용장 데이터 배선을 형성한다. 또한, 접촉 구멍(95)을 통하여 게이트 패드(42)와 연결되는 제1 용장 게이트 패드(12)를 형성하는 동시에 화소에는 접촉 구멍(96, 98)을 통하여 공통 신호선(46, 48)과 연결되는 공통 전극(18)과 접촉 구멍(94)을 통하여 화소 신호선(84)과 연결되는 화소 전극(14)을 세로 방향으로 형성한다.
이후, 제1 실시예와 유사하게 기판(100)의 표면에 배향막을 형성하고 액정 물질의 방향성을 주기 위한 러빙 등의 공정을 실시하고 도 2에 도시한 바와 같은 상부 기판(200)을 하부 기판(100)과 부착하여 액정 표시 장치를 완성한다.
아울러, 이러한 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 데이터 배선을 3개의 층으로 형성함으로써 데이터 배선의 단선을 크게 줄일 수 있다.
이러한 제2 실시예의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위해서는 6매의 마스크를 사용하였으나 제조 비용을 줄이기 위하여 5매의 마스크를 이용하는 방법을 제시하고자 한다.
도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 14는 도 13에서 XIVb - XIVb' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 13 및 도 14에서 보는 바와 같이, 대부분의 구조는 도 7 및 도 8에 도시된 제2 실시예의 구조와 유사하다.
다르게는, 게이트선(40)과 데이터선(20)으로 둘러 쌓인 화소에 개구부(98)가 형성되어 있으며, 반도체층(60)이 보호막(90)과 유사한 패턴으로 형성되어 있고, 제1 용장 데이터선(80, 81, 82, 84) 및 저항 접촉층(70, 71, 72, 74)이 동일한 모양을 형성되어 있다.
그러면, 이러한 도 13 및 도 14에 도시한 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 도 15a 내지 도 16b를 참조하여 설명하기로 한다
도 15a 및 도 16a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 15b 및 도 16b는 도 15a 및 도 16a에서 XVb - XVb' 및 XVIb - XVIb' 선을 따라 각각 도시한 단면도이다.
우선, 두 번째 마스크를 이용하여 게이트 배선(40, 41, 42) 및 공통 신호선(46, 48)을 형성하는 단계까지는 도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이 제2 실시예와 동일하다.
다음, 도 15a 및 15b에 나타난 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(50)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,500Å 두께의 비정질 규소층(60)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 도핑된 비정질 규소층을 차례로 증착한다. 다음, 크롬과 같은 도전 물질을 약 500Å 정도의 두께로 적층하고 세 번째 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 제1 용장 데이터 배선(80, 81, 82) 및 화소 신호선(84)을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 전극(81, 82)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층을 식각하여 저항성 접촉층(70, 71, 72, 74)을 완성하고, 소스 및 드레인 전극(81, 82) 사이의 반도체층(60)을 드러낸다.
다음, 도 16a 및 도 16b에서 보는 바와 같이, 기판(100)의 상부에 질화 규소 등의 절연 물질을 2,000Å 정도의 두께로 적층하여 보호막(90)을 형성한 후, 보호막(90)을 네 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 화소 신호선(84) 및 제1 용장 데이터선(80)을 드러내는 접촉 구멍(94, 91)을 형성하고, 반도체층(60) 또는 게이트 절연막(50) 또는 절연막(30)과 함께 게이트 패드(42), 데이터 패드(23) 및 데이터선(20)을 드러내는 접촉 구멍(95, 93, 92)을 형성한다. 이때, 제2 실시예와 다르게 게이트선(40)과 데이터선(20)으로 둘러 쌓인 화소를 드러내는 개구부(98)도 함께 형성한다. 단면도로 나타나지 않았지만, 보호막(90) 및 게이트 절연막(50)에는 공통 신호선(46)을 드러내는 접촉 구멍(96)도 함께 형성한다. 이어, 노출되어 있는 상부막(422, 462, 482, 202, 232)의 알루미늄 합금을 제거하고 ITO와 접촉 특성이 우수한 하부막(421, 461, 481, 201, 231)을 드러낸다.
마지막으로, 도 13 및 도 14에서 보는 바와 같이, 보호막(90)의 상부에 ITO를 적층하고 다섯 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여, 제2 실시예와 유사하게 제2 용장 데이터 배선(10, 13)을 형성하고, 제2 용장 게이트 패드(12)를 형성하는 동시에 화소에는 공통 신호선(46, 48)과 연결되는 공통 전극(18)과 화소 신호선(84)과 연결되는 화소 전극(14)을 세로 방향으로 형성한다.
이러한 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에서는 제1 및 제2 실시예보다 저저항 배선을 형성할 수 있으며, 마스크의 수를 줄여 생산 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이, 액정 분자를 충분히 구동하여 투과율을 향상시킬 수 있으며, 액정의 응답 속도를 빠르게 할 수 있다. 또한, 공통 전극 및 화소 전극을 투명한 도전 물질로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 이들의 상부에 절연 물질을 제거하여 잔상 또는 구동 전압을 최소화할 수 있으며, 이에 따라 전극의 거리를 넓게 형성할 수 있어 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 데이터선과 공통 전극을 중첩시키지 않아도 되므로, 이들을 통하여 전달되는 신호의 왜곡을 최소화할 수 있으며, 패드부의 신뢰성을 확보할 수 있다.

Claims (23)

  1. 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어져 있으며, 공통 신호가 전달되는 제1 공통 전극이 형성되어 있는 제1 기판,
    상기 제1 기판과 마주하며, 게이트선과 상기 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선과 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 교차로 정의되는 화소에 상기 ITO로 형성되어 서로 일정한 간격을 두고 마주하며, 상기 공통 신호가 전달되는 선형의 제2 공통 전극 및 상기 데이터선을 통하여 인가되는 데이터 신호가 전달되는 선형의 화소 전극과 상기 게이트선, 상기 데이터선, 상기 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 가지는 투명한 제2 기판을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제2 공통 전극과 상기 화소 전극은 동일한 층에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 게이트선과 상기 데이터선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 데이터선의 끝에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하며,
    상기 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 데이터선과 중첩되어 나란히 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 연결되어 있는 용장 데이터선,
    상기 용장 데이터선과 같은 도전 물질층으로 이루어져 있는 용장 데이터 패드 및 용장 게이트 패드를 더 포함하며,
    상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드와 상기 용장 데이터 패드 및 상기 용장 게이트 패드는 서로 각각 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 게이트선, 상기 데이터선 또는 상기 용장 데이터선 중 적어도 하나는 상기 화소 전극 및 상기 제2 공통 전극과 같은 층으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 용장 게이트 패드, 상기 용장 데이터 패드, 상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드 중 가장 상부막은 ITO로 이루어진 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 데이터선은 상기 공통 전극 또는 상기 화소 전극 하부에 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 공통 전극은 상기 화소를 단위로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  10. 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 제1 공통 전극이 형성되어 있는 투명한 제1 기판, 그리고
    세로로 형성되어 있는 데이터선,
    상기 데이터선을 덮는 절연막,
    상기 절연막 상부에 형성되어 있으며, 가로로 형성되어 상기 데이터선과 화소를 정의하는 게이트선과 상기 게이트선의 일부인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선, 가로로 형성되어 있는 공통 신호선과 상기 공통 신호선에 연결되어 세로로 형성되어 있는 선형의 제2 공통 전극으로 이루어진 공통 배선 및 상기 제2 공통 전극과 일정한 간격으로 마주하는 화소 전극,
    상기 공통 배선, 상기 화소 전극 및 상기 게이트 배선을 덮고 있으며, 상기 절연막과 함께 상기 데이터선 및 상기 화소 전극을 드러내는 제1 및 제2 접촉 구멍을 가지는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극과 중첩되어 있는 반도체층,
    상기 데이터선과 나란히 중첩되어 상기 제1 접촉 구멍을 통하여 상기 데이터선과 연결되어 있는 용장 데이터선과 상기 용장 데이터선으로부터 상기 게이트 전극까지 연장되어 있는 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극으로 이루어진 용장 데이터 배선 및 상기 드레인 전극으로부터 연장되어 상기 공통 신호선과 중첩되어 있으며 상기 제2 접촉 구멍을 통하여 상기 화소 전극과 연결되어 있는 화소 신호선, 및
    상기 용장 데이터 배선과 상기 화소 신호선을 덮고 있으며, 상기 화소에는 상기 게이트 절연막과 함께 제거되어 상기 공통 전극과 상기 화소 전극을 드러내는 개구부가 형성되어 있는 보호막이 형성되어 있는 투명한 제2 기판
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 데이터선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어진 액정 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 게이트 배선, 상기 공통 배선 및 상기 화소 전극은 ITO로 이루어진 하부막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬으로 이루어진 하부막으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 하부막은 1,000Å 이하로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 용장 데이터 배선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬의 하부막과 ITO의 상부막으로 이루어진 액정 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 데이터선과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있는 저항 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드 및 상기 데이터선 끝에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하며,
    상기 용장 데이터 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 각각 연결되어 있는 용장 게이트 패드 및 용장 데이터 패드를 더 포함하는 이루어진 액정 표시 장치.
  17. 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어진 제1 공통 전극이 형성되어 있는 투명한 제1 기판, 그리고
    세로로 형성되어 있는 데이터선,
    상기 데이터선을 덮는 절연막,
    상기 절연막 상부에 형성되어 있으며, 가로로 형성되어 상기 데이터선과 화소를 정의하는 게이트선과 상기 게이트선의 일부인 게이트 전극으로 이루어진 게이트 배선 및 가로로 형성되어 있는 공통 신호선,
    상기 공통 신호선 및 상기 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 상기 게이트 전극과 중첩되어 있는 반도체층,
    상기 반도체층 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극을 중심으로 서로 분리되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 소스 전극과 연결되어 있으며 상기 데이터선과 나란히 중첩되어 제1 용장 데이터선으로 이루어진 제1 용장 데이터 배선 및 상기 드레인 전극으로부터 연장되어 상기 공통 신호선과 중첩되어 있는 화소 신호선,
    상기 제1 용장 데이터선 및 상기 화소 신호선을 덮고 있으며, 상기 용장 데이터선 및 상기 화소 신호선을 드러내는 제1 및 제2 접촉 구멍과 상기 게이트 절연막과 함께 상기 공통 신호선을 드러내는 제3 접촉 구멍과 상기 절연막 및 상기 게이트 절연막과 함께 상기 데이터선을 드러내는 제4 접촉 구멍을 가지는 보호막, 및
    상기 보호막 상부에 형성되어 있으며, 상기 데이터선 및 상기 제1 용장 데이터선과 나란히 중첩하는 동시에 상기 제1 및 제4 접촉 구멍을 통하여 연결되어 있는 제2 용장 데이터선과 제2 및 제3 접촉 구멍을 통하여 상기 화소 전극선 및 상기 공통 신호선과 각각 연결되어 있으며 서로 일정한 간격으로 세로로 마주하는 선형의 제2 공통 전극 및 화소 전극이 형성되어 있는 투명한 제2 기판
    을 포함하는 액정 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 데이터 배선, 상기 게이트 배선, 상기 공통 신호선 및 상기 제1 용장 데이터 배선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 또는 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 또는 크롬의 단일막 또는 이중막으로 이루어진 액정 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 제2 용장 데이터선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은 ITO로 이루어진 액정 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 제1 내지 상기 제4 접촉 구멍에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 제거된 액정 표시 장치.
  21. 제13항에서,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있는 저항 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  22. 제21항에서,
    상기 게이트선의 끝에 연결되어 있는 게이트 패드 및 상기 데이터선 끝에 연결되어 있는 데이터 패드를 더 포함하며,
    상기 제2 용장 데이터 배선과 동일한 층에 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드 및 상기 데이터 패드와 각각 연결되어 있는 용장 게이트 패드 및 용장 데이터 패드를 더 포함하는 이루어진 액정 표시 장치.
  23. 제22항에서,
    상기 화소에는 상기 보호막 및 상기 게이트 절연막과 함께 제거되어 있는 액정 표시 장치.
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