KR20000028630A - 디엔에이를 사용하는 자기조립된 나노디바이스 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 구조물, 및 유기 구조물상에 특정한 위치에 결합된 무기 원자를 포함하는 제품에 관한 것이다.
Description
본 발명은 반도체 칩 분야에 관한 것이다. 특별하게는, 본 발명은 극히 작은 배선 크기를 갖는 활성 디바이스를 포함하는 반도체 칩에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이런 크기를 갖는 활성 배선을 포함하는 반도체 칩을 형성하는 방법에 관한 것이다.
규소 칩상의 활성 디바이스의 수축 치수는 사진석판인쇄술에 의한 제한으로 인해 그의 한계에 접근하고 있다. 예를 들면, 방사선의 특성, 예를 들면 간섭 및 회절은 디바이스 크기 및 밀도를 제한할 수 있다. 사진석판인쇄술의 한계를 극복하기 위한 상당한 연구가 진행되고 있다.
연구는 다른 신규한 방법의 개발 뿐만 아니라 상 이동 석판인쇄에 의한 것과 같은 문제점의 개선에 주목하고 있다. 따라서, 이에 대한 연구와 함께 부수적으로 소용적의 전자 구속을 이용하는 디바이스 설계에서 발전이 있다. 상기 디바이스 설계의 3가지 기본 부류는 양자 도트(QD), 공명 터널링 디바이스(RTD) 및 단일 전자 트랜지스터(SET)이다. 양자 도트, 공명 터널링 디바이스 및 단일 전자 트랜지스터는 각각 「R. Turton, The Quantum Dot, Oxford, U. K., Oxford University Press, 1995」, 「A. C. Seabaugh et al., Future Electron Devices(FED) J., Vol. 3, Suppl. 1, pp. 9-20, (1993)」 및 「M. A. Kastner, Rev. Mod. Phys., Vol. 64, pp. 849-858, (1992)」의 문헌에 보다 상세하게 논의되어 있으며, 이들 문헌은 모두 본원에 참조로 인용된다.
본 발명의 양태는 유기 구조물, 및 유기 구조물상의 특정한 위치에 결합된 무기 원자를 포함하는 제품을 제공한다.
본 발명의 다른 양태는 R-루프를 포함하는 DNA 분자를 포함하는 구조물을 포함한다. 나노입자는 R-루프의 내부에서 DNA 분자에 결합된다.
본 발명의 추가의 양태는 생체 분자가 위치한 전극 및 생체 분자로부터 이격된 나노입자를 포함하는 구조물을 제공한다.
본 발명의 추가의 양태는 자기 조립된 유기 주형을 사용하는 무기 물질의 자기 조립 방법을 제공한다. 본 방법은 유기 구조물을 형성하고, 무기 원자를 유기 구조물상의 특정한 위치에 결합하는 것을 포함한다.
본 발명의 보다 추가의 양태는 기판, 기판상의 제 1 전극 및 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장된 유기 분자를 포함하는 구조물을 제공한다. 나노입자가 유기 분자에 결합된다.
또한, 본 발명의 양태는 구조물을 형성하는 방법을 제공한다. 본 발명은 기판상의 제 1 전극을 형성하는 것을 포함한다. 제 2 전극은 기판상에서 형성된다. DNA 분자는 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장된다. 1개 이상의 나노입자는 DNA 분자에서 1개 이상의 위치로 삽입된다.
본 발명의 다른 목적 및 잇점은 단순하게 본 발명의 실시를 목적으로 고려된 최선의 양태를 설명하므로써 바람직한 양태만을 나타내고 기술한 다음의 상세한 설명으로부터 당해 분야의 숙련자에게 쉽게 명백하다. 실현되는 바와 같이, 본 발명은 다른 및 상이한 양태가 가능하며, 여기에 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 몇몇 변형이 가해질 수 있다. 따라서, 도면 및 기술은 설명을 위한 것이며 이로써 제한되어서는 안된다.
본 발명의 목적은 유기 구조물, 및 유기 구조물상에 특정한 위치에 결합된 무기 원자를 포함하는 제품을 제공하는 것이다.
본 발명의 하기 목적 및 잇점은 다음의 첨부된 도면과 함께 고려하면 보다 명확하게 이해될 것이다:
도 1a, 1e 및 1f는 본 발명에 따른 방법의 양태에서 여러 단계에서 본 발명에 따른 디바이스의 양태의 상면도이고, 도 1b, 1c 및 1d는 그의 단면도을 나타낸다.
도 2는 도 1a에서 도시된 디바이스의 단면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따라 사용될 수 있는 DNA 분자의 양태를 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따라 사용될 수 있는 나노입자의 양태를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 양태에 따라 사용될 수 있는 나노입자의 양태 및 R-루프를 포함하는 DNA 분자의 양태를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 디바이스의 양태의 상면도를 나타낸다.
도 7은 도 6에서 도시된 디바이스의 양태의 단면도를 나타낸다.
도 8은 AND 게이트를 형성하는 본 발명에 따른 디바이스의 양태의 상면도를 나타낸다.
도 9는 OR 게이트를 형성하는 본 발명에 따른 디바이스의 양태의 상면도를 나타낸다.
본 발명은 사진석판인쇄술과 관련된 문제점을 극복하고 실질적으로 해결하는 방법을 제공한다. 제조된 디바이스는 통상적으로 공지된 기법에 의해 제조된 것보다 잠재적으로 훨씬 더 작다. 따라서, 본 발명은 나노미터 단위의 디바이스 또는 나노디바이스를 제조하는 신규한 방법을 포함한다. 본 발명은 상기 언급된 공명 터널링 디바이스의 부류에 있다고 생각될 수 있다.
이런 디바이스를 제조하기 위해, 본 발명은 몇몇 생물학적 분자의 자기조직화 성질을 이용한다. 예를 들면, 본 발명은 핵산, 및 자기조직화 성질을 포함하는 이들의 성질을 이용할 수 있다. 특별하게는, 본 발명은 디바이스를 제조하기 위해 데옥시리보핵산(DNA) 및 리보핵산(RNA)을 둘다 사용할 수 있다.
DNA 및 RNA의 성질은 공지되어 있다. 몇몇 핵산 염기는 더 긴 분자를 구성하기 위해 함께 부착된다. DNA의 경우에, 2개의 이러한 더 긴 분자는 함께 결합되고, 이중 나선 구조를 형성한다. RNA 분자는 전형적으로 단백질을 합성하는 동안 이중 나선인 DNA의 하나의 나선을 전사하여 형성된다. 이에 대한 배경 목적은 문헌[참조: BIOCHEMISTRY, Lubert Stryer, W. H. Freeman and Company]에 기재되어 있으며, 당해 문헌은 본원에서 참조로 인용된다.
본 발명에 따른 구조물은 전형적으로 본 발명의 나노디바이스가 제조되는 기판을 포함한다. 기판은 유리를 포함할 수 있다. 또한, 기판은 유리 이외의 형태라도 임의의 일반적인 반도체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판은 규소를 포함할 수 있다.
전극은 기판상에 배치될 수 있다. 전형적으로, 2개 이상의 전극이 기판상에 배치된다. 전극은 일반적인 사진석판인쇄술에 따라 기판상에 형성될 수 있다.
전극은 산화물이 없는 전도성 물질로 제조된다. 예를 들면, 전극은 임의의 귀금속, 또는 귀금속을 포함하는 합금으로 제조될 수 있다. 바람직하게는, 전극은 산화물이 없는 금속으로 제조된다. 하나의 예에 따라, 전극은 금으로 제조된다.
도 1a는 기판의 표면상에 또는 기판내에 및/또는 기재상에 형성된 다른 구조물상에 제공된, 2개의 전극, 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)을 갖는 기판(1)의 양태의 상면도를 나타낸다. 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)은 서로 가깝게 제공된다. 제 1 전극과 제 2 전극사이의 거리는 양태에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 제 1 전극 및 제 2 전극은 약 0.1 μm 내지 약 100 μm의 거리로 분리될 수 있다. 전형적으로, 전극들은 약 1 μm 내지 약 10 μm의 거리로 분리될 수 있다. 또한, 전극은 전형적으로 약 20 nm 내지 약 1000 nm의 두께를 갖는다.
제 1 전극 및 제 2 전극은 양태에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다. 도 1a는 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)이 서로 대향하는 점(7) 및 (9)에서 종결되는 예를 설명한다. 점을 형성하는 전극의 면(2), (4), (6) 및 (8)이 도 1a에서 도시된 양태에서 만곡되지만, 면은 직선을 포함하는 임의의 만곡을 갖는다. 제 1 전극 및 제 2 전극의 잔여 부분의 외형은 잔여 부분이 제 1 전극 및 제 2 전극에 전력을 공급하는 전력공급원의 연결을 위한 영역을 제공하는 한 변할 수 있다.
본 발명은 기판(1)상의 제 3 전극(11)을 포함할 수 있다. 전극(11)은 게이트 전극으로서 지칭될 수 있다. 제 3 전극의 기능은 하기에 보다 상세하게 논의될 것이다.
제 3 전극(11)은 도 1a에서 도시된 양태에서 설명된 바와 같이 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이에 위치할 수 있다. 제 3 전극(11)은 또한 다른 기법이 사용될 수 있지만 일반적인 사진석판인쇄술을 사용하여 형성될 수 있다.
제 3 전극(11)의 외형, 예를 들면 형태는 양태에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 도 1a에서 도시된 제 3 전극(11)은 실질적으로 긴 얇은 직사각형, 다시 말하면 실질적으로 직선이다.
제 3 전극의 두께는 용도에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 제 3 전극은 약 100 nm 내지 약 5000 nm의 폭을 가질 수 있다. 바람직하게는, 제 3 전극은 가능한 한 얇다. 하나의 양태에 따라, 제 3 전극은 약 100 nm 미만의 두께를 갖는다.
제 3 전극을 포함하는 3개의 전극의 치수, 특히 두께는 다양한 인자에 의해 조절될 수 있다. 예를 들면, 전극, 특히 제 3 전극의 치수는 전극을 제조하는 필름의 질, 예를 들면 상술한 귀금속 또는 합금에 의해 조절될 수 있다. 제 3 전극의 치수에 영향을 미칠 수 있는 필름의 질의 특성은 평활성, 전도성 및 점착성을 포함한다.
제 3 전극의 정확한 위치는 양태에 따라 변할 수 있다. 예를 들면, 제 3 전극의 목적은 그의 위치를 조절할 수 있다. 하나의 양태에 따라, 제 3 전극(11)은 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)의 팁(7) 및 (9)으로부터 같은 거리에 위치한다. 하나의 양태에 따라, 제 3 전극은 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)의 점(7) 및 (9)을 연결하는 선에 수직이도록 배치될 수 있다.
제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)에 있어서, 제 3 전극(11)은 임의의 전도성 물질로 제조될 수 있다. 예를 들면, 제 3 전극은 임의의 금속 또는 합금으로 제조될 수 있다. 바람직하게는, 제 3 전극은 산화물이 없는 금속으로 제조될 수 있다. 하나의 예에 따라, 제 3 전극은 금으로 제조된다.
도 2는 도 1a에서 도시된, 기판 및 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 3 전극의 양태의 단면도를 나타낸다.
본 발명은 또한 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이에 위치한 제 4 전극을 포함할 수 있다. 도 8은 이런 양태를 설명한다. 제 4 전극은 상기 제 3 전극과 실질적으로 유사할 수 있다. 몇몇 양태에 따라, 1개 이상의 전극은 각 쌍의 전극사이에서 연장될 수 있다.
또한, 본 발명은 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)과 같은 1쌍 이상의 전극을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 9에서 도시된 디바이스의 양태는 2쌍의 전극을 포함한다. 도 9에서 도시된 양태에서 각 쌍의 전극은 도 1a에서 도시된 양태에서 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이의 전극(11)과 유사한 그 사이의 전극을 포함한다.
전극을 제공한 후, 사진석판인쇄술 또는 다른 방법에 의해, 1개 이상의 유기 구조물은 도 1a에서 도시된 양태에서와 같이 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이에서 연장될 수 있다. 그러나, 유기 구조물은 2개의 전극사이에서 연장될 필요는 없다. 1개 이상의 유기 구조물은 하나 이상의 특정한 위치에 결합된 1개 이상의 무기 구조물을 포함할 수 있다. 결합은 수소 결합, 이온 결합, 공유 결합 또는 다른 결합이든지 간에 임의의 종류의 결합일 수 있다. 무기 원자는 전도성이고, 도체를 형성한다.
유기 구조물에 결합될 수 있는 1개 이상의 무기 원자는 나노입자를 포함할 수 있다. 나노입자는 1개 상의 부분 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 나노입자는 귀금속 또는 귀금속 합금으로 구성된 군으로부터 선택되는 1개 이상의 물질을 포함할 수 있다. 하나의 예에 따라, 나노입자는 금이다.
나노입자는 다수의 요소를 포함할 수 있다. 예를 들면, 나노입자가 금이면 금은 약 1 nm 내지 100 nm의 직경을 갖는 볼일 수 있다. 입자는 1종 이상의 계면활성제로 피복될 수 있다. 계면활성제는 말단기 x 및 y를 가질 수 있다. x 및 y기는 중합체의 말단에 배치될 수 있다. 예를 들면, x 및 y기는 중합체의 말단에 결합될 수 있다. 중합체는 다양한 단량체를 포함할 수 있다. 단량체의 예는 -(CH2)n-, -(CH2-O)n- 및(식중, n은 1보다 크고; R 및 R'은 CH3, C2H5,이다)를 포함한다. x기는 -SH를 포함할 수 있다. 반면에, y기는또는 뉴클레오티드 염기를 포함할 수 있다.
x기는 금 또는 은, 예를 들면 입자와 결합될 수 있다. y기는 뉴클레오티드와 결합될 수 있다. y가 산 기이면, 산 기는 DNA 염기의 아미노기와 반응할 수 있다. y가 뉴클레오티드 염기 기이면, 염기는 DNA 분자와 수소결합될 수 있다.
상기 나타난 바와 같이, 본 발명은 유기 구조물은 포함한다. 유기 구조물은 상기 논의된 바와 같이 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이에서 연장될 수 있다. 유기 구조물은 DNA를 포함할 수 있다.
본 발명에 포함될 수 있는 DNA는 단일 나선이거나 이중 나선일 수 있다. 본 발명에 따라 유기 구조물에 포함된 DNA 나선의 길이는 이중 나선인 DNA의 경우에 약 300 내지 약 300,000 염기 또는 염기 쌍일 수 있다. 다르게는, DNA 분자의 길이는 약 0.1 μm 내지 약 100 μm일 수 있다.
하나의 양태에 따라, DNA는 λ-DNA이다. 그러나, 임의의 염기의 서열을 갖는 임의의 DNA 분자는 본 발명에 따라 사용될 수 있다. 다시 말하면, DNA는 주관적으로 선택된다.
본 발명에 따른 구조물에 포함될 수 있는 DNA 분자는 R-루프를 포함할 수 있다. R-루프의 설명은 문헌[참조: Asai and Kogoma, D-Loops and R-Loops: Alternative Mechanisms for the Initiation of Chromosome Replication in Escherichia coli, JOURNAL OF BACTERIOLOGY, Apr. 1994, pp. 1807-1812; Landgraf et al., R-loop stability as a function of RNA structure and size, NUCLEIC ACIDS RESEARCH, 1995, Vol 23, No. 7, pp. 3516-3523; Landgraf et al., Double stranded scission of DNA directed through sequence-specific R-loop formation, NUCLEIC ACIDS RESEARCH, 1995, Vol 23, No. 7, pp. 3524-3530; and Masai and Arai, Mechanisms of primer RNA synthesis and D-loop/R-loop dependent DNA replication in Escherichia coli, BIOCHEMIE (1996) 78, pp. 1109-1117]에서 찾을 수 있고, 당해 문헌은 본원에서 참조로 인용되어 있다.
R-루프는 나노입자(들)를 DNA 분자에 부착하기 위한 부위를 제공하는 기능을 할 수 있다. 따라서, DNA 분자는 1개 이상의 R-루프를 포함할 수 있다. 도 9는 2개의 R-루프를 포함하는 양태를 설명한다.
각각의 R-루프는 R-루프내에서 DNA의 일부에 결합된 1개 이상의 나노입자를 포함할 수 있다. 1개 이상의 R-루프를 포함하는 것 외에, 1개 이상의 나노입자는 각각의 R-루프내의 DNA 분자의 일부에 부착될 수 있다. 나노입자(들)를 R-루프에 부착하기 위한 단계는 보다 상세하게 하기 논의된다.
R-루프는 위에서 인용된 과학 문헌에서 개시된 기법과 같은 R-루프를 형성하기 위한 임의의 공지된 기법에 따라 형성될 수 있다. DNA 분자의 적어도 일부에 상보적인 서열을 갖는 1개 이상의 RNA 분자는 R-루프의 형성에 사용될 수 있다. 상기 나타난 바와 같이, DNA 분자는 1개 이상의 R-루프를 포함할 수 있다. 따라서, 1개 이상의 RNA 분자는 DNA 분자에서 R-루프를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 각각의 RNA 분자는 DNA 분자의 상이한 서열에 상보적인 서열을 가질 수 있다.
RNA 분자의 서열은 R-루프(들)가 생성되는 조절로 조절될 수 있다. 예를 들면, DNA 분자가 하나의 R-루프를 포함하고 R-루프가 DNA 분자에서 중앙에 위치하면, RNA 분자는 R-루프 형성시 DNA 분자의 말단으로부터 같은 거리에서 DNA 분자상에서 실질적으로 향하도록 DNA 분자의 서열에 상보적인 서열을 가질 수 있다. 다른 예에 따라, 도 9에서 도시된 바와 같이, RNA 분자는 R-루프 형성시 DNA 분자를 실질적으로 동일한 길이를 갖는 3개의 부분으로 분할하기 위해 위치하도록 DNA 분자의 서열에 상보적인 서열을 가질 수 있다.
R-루프(들)의 형성에 사용될 수 있는 RNA 분자의 서열은 DNA 분자밑에 있을 수 있는 전극에 상대적으로 DNA 분자의 위치에 따라 변할 수 있다. 이러한 선을 따라, RNA 분자는 R-루프가 밑에 있는 전극위에 위치할 수 있게 하기 위한 서열을 가질 수 있다. 본 발명이 전극위에 각각 1개 이상의 R-루프 및 R-루프들을 포함하면, R-루프의 형성에 사용되는 RNA 분자는 R-루프가 도 1a에서 도시된 양태에서 제 3 전극(11)과 같은 밑에 있는 전극 위에 위치하기 위한 서열을 가질 수 있다.
상기 나타난 바와 같이, 본 발명은 1개 이상의 나노입자를 포함할 수 있다. 나노입자의 유기 구조물에의 결합을 용이하게 하기 위해, 나노입자는 나노입자에 결합된 1개 이상의 원자 또는 화학기를 포함할 수 있다. 1개 이상의 이런 원자 또는 기를 부착하여, 나노입자는 "작용화"될 수 있다.
유기 구조물이 DNA 분자를 포함하는 경우에, 1개 이상의 뉴클레오티드는 나노입자에 부착될 수 있다. 나노입자에 부착된 1개 이상의 뉴클레오티드는 전형적으로 RNA분자에 결합되지 않은 R-루프의 부분상의 DNA 분자의 R-루프내에서 1개 이상의 뉴클레오티드에 상보적이다. 따라서, 나노입자에 부착된 뉴클레오티드는 DNA 분자의 서열에 따를 수 있고, 나노 입자가 DNA 분자에 부착되는 것이 바람직하다. 나노입자 및 나노입자의 DNA 분자에의 부착은 보다 상세하게 상기 논의된다.
나노입자는 R-루프내에서 임의의 위치에서 DNA 분자의 부분에 결합될 수 있다. 하나의 양태에 따라, 나노입자는 R-루프내에 있는 부분의 중앙 주위에 DNA에 부착된다. 따라서, R-루프의 위치는 R-루프의 위치에 따를 수 있다. 예를 들면, DNA 분자가 실질적으로 DNA 분자의 중앙에서 하나의 R-루프를 포함하면, 나노입자는 DNA 분자의 말단사이 중간에서 DNA 분자와 부착될 수 있다.
본 발명은 유기 구조물상에 전도성 물질을 포함할 수 있다. 전도성 물질은 임의의 전도성 물질을 포함할 수 있다. 하나의 예에 따라, 은은 유기 구조물과 염을 형성할 수 있다. 금속 은이 또한 유기 구조물상에 제공될 수 있다.
유기 구조물상의 전도성 물질은 유기 구조물상의 도체를 제공한다. 특정한 경우에, 이 도체는 다작용성 구조물을 형성하는데 사용될 수 있다. 유기 구조물상의 전도성 물질은 유기 구조물상의 전도성 물질과 밑에 있는 전극사이의 축전 가교를 제공할 수 있다. 이것은 나노입자상의 작용화 원자 및/또는 원자의 기를 통해 이루어질 수 있다. 유기 구조물상의 도체(들)는 논리 디바이스를 형성하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 보다 상세하게 하기된 바와 같이 본 발명에 따른 구조물은 다른 구조물중에서 AND 게이트 및 OR 게이트를 형성하는데 사용될 수 있다.
유기 구조물이 DNA, DNA에서의 R-루프, 및 R-루프에서 DNA 분자에 부착된 나노입자를 포함하는 경우에, 유기 구조물상의 전도성 물질은 DNA 분자상의 R-루프의 2개의 면에 대한 도체를 제공할 수 있다.
전도성 피복물은 은 이온을 포함하는 용액에 유기 구조물을 함침하여 유기 구조물에 도포될 수 있다. 이때, 용액중의 은 이온은 유기 구조물과 함께 은 염을 형성할 수 있다. 유기 구조물이 DNA를 포함하는 경우에, 은은 DNA 분자의 포스페이트 기와 염을 형성할 수 있다.
염의 형성 후, 염중의 은은 환원제를 이용하여 금속 은으로 환원될 수 있다. 사용될 수 있는 환원제의 예는 하이드로퀴논/OH-이후 하이드로퀴논/OH+를 포함한다.
유기 구조물은 도 1a에서 도시된 양태에서 제 1 전극 및 제 2 전극과 같은 기판의 표면상의 전극에 연결될 수 있다. 전극은 보다 상세하게 상술된다. 연결은 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 연결은 유기 구조물이 부착될 수 있는 전극상의 부위를 제공하여 수행될 수 있다.
부착 부위는 다양한 구조물에 의해 제공될 수 있다. 예를 들면, 1개 이상의 원자 또는 분자는 1개 이상의 전극상에 제공될 수 있다. 하나의 예에 따라, 1개 이상의 유기 분자는 1개 이상의 전극상에 제공된다. 유기 분자는 전극(들)의 표면에 결합될 수 있다.
유기 구조물이 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자를 포함하는 하나의 예에 따라, 1개 이상의 DNA 및/또는 RNA 분자는 도 1a에서 도시된 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)에 부착될 수 있다. 유기 구조물이 DNA를 포함하는 경우에, 전형적으로 DNA는 제 1 전극 및 제 2 전극상에 제공된다. DNA는 다양한 방법으로 전극상에 제공될 수 있다.
하나의 예에 따라, DNA는 전극에 연결을 용이하게 하는 원자 또는 분자에 결합된다. 예를 들면, DNA는 황 종결될 수 있다. 황 종결 말단은 금 전극의 표면에 부착될 수 있다. S-종결 화합물이 금 표면에 결합하는 것은 공지되어 있다.
제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자는 전극상의 DNA 및/또는 RNA에 결합될 수 있다. 예를 들면, 2개의 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자, 및 상기 예에서와 같은 전극에 부착된 DNA 분자(들)는 둘다 단일 나선인 부분을 가질 수 있다. 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자, 및 제 1 전극 및 제 2 전극에 결합된 DNA 분자(들)상의 단일 나선인 부분은 서로 이들의 결합을 용이하게 하기 위해 상보적인 말단을 가질 수 있다.
하나의 양태에 따라, 전극에 부착된 DNA는 단일 나선인, 황 종결 DNA이다. 단일 또는 이중 나선인 DNA 또는 RNA가 전극에 결합하는지 여부와 관계 없이, DNA 및/또는 RNA는 약 5 내지 약 20 염기를 포함할 수 있다. 그러나, DNA 및/또는 RNA 분자는 약 100 염기일 수 있다. 예를 들면, DNA 및/또는 RNA 분자는 약 15 내지 약 30 염기일 수 있다. 그러나, DNA 및/또는 RNA는 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착하는 기능을 하고/하거나 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 것을 보장하는데 필요한 정도로 짧거나 길 수 있다.
또한, 단일 또는 이중 나선인 DNA 또는 RNA 분자가 전극에 결합된 여부와 관계없이, 한 개의 전극에 부착된 DNA 및/또는 RNA 분자는 전극의 다른 부분에 결합된 DNA 및/또는 RNA 분자과는 상이한 염기 서열을 가질 수 있다. 다르게는, DNA가 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 및/또는 RNA 분자의 일부는 전체 DNA 및/또는 RNA 분자와는 상이한 서열을 가질 수 있다.
DNA 분자가 전극에 부착되고 DNA 분자가 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자에 결합되기 위한 염기의 서열을 포함하는 양태에 따라, 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자는 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 DNA에 상보적인 염기의 서열을 갖는 "점착성 말단"을 포함할 수 있다.
도 3은 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자(21)의 양태를 설명한다. DNA 분자(21)는 선형 외형으로 도시된다. 점착성 말단(23) 및 (25)은 DNA 분자의 말단상에 제공된다.
제 1 전극 및 제 2 전극에 부착되는 DNA 분자를 구성하거나 또는 다르게는 수득한 후, 이들은 전극에 부착될 수 있다. 용액은 형성될 수 있고, DNA 분자는 이에 첨가된다. 첫 번째로, 염의 수용액이 형성된다. 염의 하나의 예는 염화 나트륨이다. 이때, 다른 분자가 각각의 전극에 부착되는 경우에, 각각의 DNA 분자는 용액에 첨가될 수 있다.
용액의 형성 후, 하나의 용액의 양(13)은 제 1 전극(3)상에 놓일 수 있고, 다른 용액의 양(15)은 제 2 전극(5)에 놓일 수 있다. 전극상에 위치한 용액은 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 배향되는 것이 바람직한 정도에 따를 것이다. 각각의 전극상에 침착되는 용액의 양은 용액중에 있는 DNA, RNA 및/또는 다른 분자의 농도에 따를 수 있다.
상기 인자를 결정할 때, 제조된 최종 구조물이 중요하다. 즉, 전극(3)에서 전극(5)로의 하나의 DNA 가교가 형성되어야 한다. 부피의 농도는 전형적으로 2차적이다. 유동 용액이 또한 사용될 수 있다.
목적하는 분자를 전극상에 침착하기 위해 목적하는 용액을 제 1 전극 및 제 2 전극에 도포한 후, 용액은 제거될 수 있다. 전형적으로, 용액은 2개의 전극사이에서의 유기 구조물의 부착을 용이하게 하기 위해 많은 분자가 전극에 부착되기에 충분한 시간동안 전극에 남게 한다. 전형적으로, 용액은 약 10분 내지 약 20분동안 남아 있다.
용액의 제거는 많은 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 용액은 세척될 수 있다. 예를 들면, 물은 용액을 세척하는데 사용될 수 있다. 전형적으로, 용액은 -S-Au 결합에 부착된 잔기를 포함하지 않는 액체로 세척된다. 다르게는, 용액은 열을 가하지 않고 공기로 건조된다. 하나의 예에 따라, 공기 건이 사용될 수 있다.
도 1c는 용액이 제거될 때 제 1 전극(3) 및 제 2 전극(5)을 설명한다. 분자(17) 및 (19)는 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 채로 있다.
고정 분자를 전극에 부착한 후, 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 구조물은 도 1c에서 도시된 바와 같이 구조물에 도포될 수 있다. 유기 구조물이 DNA를 포함하는 경우에, DNA는 전극과 전극사이의 공간위에서 기판에 도포될 수 있다. 유기 구조물은 용액으로 도포될 수 있다. 전극사이의 DNA 가교를 생성하는 하나의 방법은 문헌[참조: Braun et al., DNA-templated assembly and electrode attachment of a conducting silver wire, Nature, Vol. 391, pp. 775-777, February 19, 1998]에 개시되어 있고, 본원에 참조로 인용되어 있다.
제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자(들)를 기판 및 전극에 도포한 후, 이들은 전극에 부착된 유기 구조물, 예를 들면 고정 분자에 결합될 수 있다. 전극 및 고정 분자, 예를 들면 상기 DNA에 대해 DNA 분자의 목적하는 배향을 증진하기 위해, 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA는 이들을 정렬시키는 조건에 놓일 수 있다. 조건은 DNA 분자를 E-장 또는 유동장에 가하는 것을 포함할 수 있다. E-장이 사용되면, 이것은 약 104내지 약 106V/cm일 수 있다. 반면에, 유동장이 사용되면, V는 약 1 내지 약 100 cm/초일 수 있다.
DNA를 특별한 방법으로 정렬시킬 수 있는 것은 1개 이상의 DNA 분자가 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 것을 보장하는데 도움을 준다. 전형적으로, 단지 "DNA" 가교는 전극사이에서 형성된다. 또한, DNA 가교는 전형적으로 DNA 가교가 도 1d에 도시되는 영역의 외부로 연장될 것이다.
DNA 가교(들)의 형성을 용이하게 하기 위해, 형광 염료가 DNA를 태그(tag)하는데 사용될 수 있다. 실험은 현미경하에서 수행된다. 하나의 가교가 형성되자마자, DNA를 함유한 용액은 전극의 영역으로부터 퍼지될 수 있다.
DNA 분자(들)를 제 1 전극 및 제 2 전극에 결합한 후, 1개 이상의 R-루프는 제 1 전극과 제 2 전극사이의 "가교"를 형성하는 각각의 DNA 분자에서 형성된다. 전형적으로, R-루프는 상기 제 3 전극과 같이 다른 전극위로 배치된, 제 1 전극과 제 2 전극사이의 DNA 분자의 영역에서 형성된다. R-루프의 형성은 상기된다. 도 1e는 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자(21)를 설명하고, 이때 DNA 분자는 제 3 전극(11)위로 DNA 분자의 영역에서 하나의 R-루프(27)를 포함한다.
R-루프(들)의 형성 후, 나노입자(29)는 DNA 분자에 결합될 수 있다. 나노입자는 R-루프내에 있고 RNA 분자에 부착되지 않은 DNA 분자의 일부에 결합될 수 있다. 나노입자를 DNA 분자에 부착시키기 위해, 나노입자의 현탁액이 형성될 수 있다. 현탁액은 상기 기술한 바와 같이 개질된 표면을 갖는 나노입자를 포함할 수 있다. 나노입자는 약 0.1 % 내지 약 10 %의 농도에서 물에 현탁될 수 있다.
용액의 형성 후, 이것은 R-루프위의 영역에 분산될 수 있다. 나노입자(29)에 부착된 "작용화" 뉴클레오티드(31) 및/또는 원자 및/또는 분자는 R-루프내에서 DNA에 결합될 수 있다. 도 4는 부착된 뉴클레오티드(31)를 갖는 나노입자(29)를 설명한다. 도 4에서 도시된 양태에서, 4개의 뉴클레오티드는 나노입자에 부착된다. 전형적으로, 약 1 내지 약 10000개의 뉴클레오티드는 나노입자에 부착된다. 나노입자에 부착된 뉴클레오티드(들)는 보다 상세하게 상술하는 바와 같이 R-루프내에서 1개 이상의 뉴클레오티드에 상보적일 수 있다.
DNA 분자에 결합하는 나노입자상의 뉴클레오티드의 경우에, 나노입자상의 뉴클레오티드는 DNA 분자(들)의 뉴클레오티드에 수소 결합할 수 있다.
도 1f는 제 1 전극(3)과 제 2 전극(5)사이에서 연장되어 있는 DNA 분자를 설명하고, 이때 DNA 분자는 R-루프내에서 DNA 분자에 결합되는 하나의 나노입자를 갖는 하나의 R-루프를 포함한다. 도 5는 그의 이중 나선 구조에서 R-루프(27), 부착된 RNA(33), 나노입자(29) 및 나노입자에 부착된 뉴클레오티드(31)를 갖는 DNA 분자의 양태의 근접도를 설명한다.
나노입자(들)을 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자에 부착한 후, 전도성 물질을 DNA 분자상에 제공될 수 있다. 은의 침착의 하나의 예는 상기된다. 은을 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자상에 침착할 때, 은의 상당한 씨딩(seeding) 및 침착은 은 이온의 낮은 밀도로 인해 R-루프상에서 일어날 수 없다.
Ag+이온은 DNA 주쇄에서 포스페이트 이온과 염을 형성한다. 이중 나선에서, 포스페이트 이온의 O-는 이중 나선주위에서 공평하게 분포한다. 그러나, 밀도는 R-루프를 형성하는 나선에서 약 50 % 이하이다. 또한, 열 진동으로 인해 Ag 이온이 R-루프상에서 Ag로 환원될 때, 이것은 고밀도 영역, 즉 이중 나선 영역으로 이동할 것이다.
도 6은 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 DNA 분자(17) 및 (19)에 결합하여 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자(21)상에 전도성 물질(35)을 도말한 후 본 발명의 양태의 상면도를 설명한다. DNA 분자는 1개 이상의 뉴클레오티드(31)와 함께 이에 결합된 나노입자(29)를 갖는 하나의 R-루프(27)를 포함한다. 도 6에서 도시된 구조물은 DNA 분자(21)상의 전도성 물질과 나노입자사이의 축전 가교를 생성한다.
도 7은 도 6에서 도시된 양태의 단면도를 설명한다. 도 7에서 도시된 바와 같이, 이에 설명된 구조물은 또한 나노입자와 전극(11)사이의 축전 가교(39)를 형성하고, 게이트 전극이라고 생각될 수 있다.
전극, 전극사이에서 연장된 DNA 분자, R-루프, 나노입자, 및/또는 전극, 나노입자 및/또는 전극사이에서 연장된 DNA 분자상에 배치된 전도성 물질 사이의 연계부의 수를 조작하여, 여러 유형의 디바이스가 본 발명에 따라 생성될 수 있다. 본 발명의 구조물 내의 조건은 또한 특정 효과를 생성하기 위해 조작될 수 있다. 예를 들면, 주어진 바이어스(bias)에서 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자상의 전도성 물질에서의 전류는 나노입자의 전하를 조절하여 조절될 수 있다. 이것은 상기 지칭되고 본원에 참조로 인용된 시바우(Seabaugh) 등에 의해 상세하게 기술된 전형적인 공명 터널링 디바이스에서와 같이 수행될 수 있다.
이러한 선을 따라, 도 8은 도 1a 내지 1f에서 도시된 양태에서 전극 (3) 및 (5)과 유사한 2개의 전극(41) 및 (43)을 포함하는 본 발명의 양태를 설명한다. 도 1에 나타난 양태는 또한 전극(41) 및 (43)사이에서 연장된 1개 이상의 DNA 분자(45)를 포함한 유기 구조물을 포함한다. 전도성 물질(47)은 DNA 분자상에 배치된다. DNA 분자는 2개의 R-루프(49) 및 (51)를 포함하고, 이들 각각은 이에 결합된 하나의 나노입자(53) 및 (55)를 포함한다. 또한, 도 8에 나타난 양태는 R-루프(49) 및 (51), 및 연결된 나노입자(53) 및 (55)밑에 배치된, 게이트 전극으로서 작용하는, 도 1a 내지 1f에서 도시된 양태에서 전극(11)과 유사한 2개의 전극(57) 및 (59)을 포함한다. 도 8에서 도시된 구조물은 AND 게이트를 형성할 수 있다.
다른 방법에 따라, 본 발명은 도 9에서 도시된 바와 같은 구조물을 포함할 수 있다. 도 9는 기본적으로 도 1a 내지 1f에서 도시된 것과 같은 2개의 양태를 포함하는 본 발명의 양태를 도시한다. 따라서, 도 9에 나타난 본 발명의 양태는 2쌍의 전극(61) 및 (63) 및 (65) 및 (67)을 포함한다. 도 9에 나타난 본 발명의 양태는 또한 각각이 전극(61)과 (63) 및 전극(65)과 (67)사이에서 각각 연장되어 있는 1개 이상의 DNA 분자(69) 및 (71)를 포함하는 한 쌍의 유기 구조물을 포함한다. 전도성 물질(73) 및 (75)는 각각 DNA 분자(69) 및 (71)상에 배치된다. DNA 분자는 각각 하나의 R-루프(77) 및 (79)를 포함하고, 각각의 R-루프는 각각 이에 결합된 하나의 나노입자(81) 및 (83)를 포함한다. 또한, 도 9에 나타난 양태는 R-루프(77) 및 (79), 및 연결된 나노입자(81) 및 (83)밑에 배치된, 게이트 전극으로서 작용하는, 도 1a 내지 1f에서 도시된 양태에서 전극(11)과 유사한 전극(85) 및 (87)을 포함한다.
도 9에서 도시된 구조물은 OR 게이트를 형성할 수 있다. 이것은 각각 전극(61)과 (65)사이의 전기 연결부(89), 전극(63)과 (67)사이의 전기 연결부(91) 및 게이트 전극(85) 및 (87)에 대한 전기 연결부(93) 및 (95)를 제공하므로써 이루어질 수 있다.
본 발명의 전기 설명은 본 발명을 설명하고 기술한다. 또한, 개시는 본 발명의 바람직한 양태만을 설명하고 기술하나, 전기언급된 바와 같이, 본 발명은 여러 다른 조합, 변형 및 환경에서 사용할 수 있고, 상기 교시에 맞추어 본원에 표현된 본 발명의 개념의 범위 및/또는 당해 분야의 숙련자 또는 기술내에서 변화 또는 변형할 수 있다고 생각된다. 본원에서 상기한 양태는 또한 본 발명의 실행에 대해 공지된 최고의 형태를 설명하고자 하고, 본 발명의 특별한 적용 또는 사용에 의해 요구되는 이런 또는 다른 양태 및 여러 변형에서 본 발명을 당해 분야의 숙련자들이 사용하게 할 수 있다. 따라서, 설명은 본 발명을 본원에 개시된 형태로 제한하고자 함이 아니다. 또한, 첨부된 청구항은 다른 양태를 포함하도록 구성되고자 한다.
본 발명의 제품은 사진석판인쇄술과 관련된 문제점을 극복한다.
Claims (84)
- 유기 구조물, 및 유기 구조물상의 선택된 위치에 결합된 무기 원자를 포함하는 제품.
- 제 1 항에 있어서,무기 원자가 전기 도체를 형성하는 제품.
- 제 1 항에 있어서,유기 구조물이 DNA를 포함하는 제품.
- R-루프를 포함하는 DNA 분자; 및R-루프의 내부에서 DNA 분자에 결합된 나노입자를 포함하는 구조물.
- 제 4 항에 있어서,나노입자가 강자성, 강유전성이거나 반도체인 구조물.
- 제 4 항에 있어서,R-루프의 두 면에 대한 도체를 형성하는 구조물.
- 제 5 항에 있어서,나노입자가 반도체, 금속 및 합금으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 구조물.
- 생체 분자가 위치한 전극; 및생체 분자로부터 이격된 나노입자를 포함하는 구조물.
- 유기 구조물을 형성하는 단계; 및무기 원자를 유기 구조물상의 선택된 위치에 결합하는 단계를 포함하며, 자기 조립된 유기 주형을 사용하는 무기 물질의 자기 조립 방법.
- 기판;기제상의 제 1 전극 및 제 2 전극;제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자; 및유기 분자에 결합된 나노입자를 포함하는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극이 금인 구조물.
- 제 10 항에 있어서,유기 분자가 DNA인 방법.
- 제 12 항에 있어서,DNA가 이중 나선인 구조물.
- 제 12 항에 있어서,DNA가 λ-DNA인 구조물.
- 제 12 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 R-루프를 포함하고, 나노입자가 R-루프 내부에서 DNA 분자에 결합되는 구조물.
- 제 15 항에 있어서,R-루프내에서 DNA의 하나의 나선에 상보적인 RNA 나선을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 15 항에 있어서,1개 이상의 뉴클레오티드가 나노입자에 부착되는 구조물.
- 제 17 항에 있어서,하나 이상의 뉴클레오티드가 R-루프내에서 DNA 분자의 하나 이상의 뉴클레오티드에 상보적인 구조물.
- 제 17 항에 있어서,하나 이상의 뉴클레오티드가 제 1 전극 및 제 2 전극으로부터 대등한 거리에 위치하는 R-루프내에서 DNA 분자의 하나 이상의 뉴클레오티드에 상보적인 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극의 표면에 결합된 유기 분자를 추가로 포함하는 구조물.
- 제 20 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극의 표면에 결합된 유기 분자가 DNA인 구조물.
- 제 20 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극의 표면에 결합된 DNA 분자가 황으로 종결되고 단일 나선인 구조물.
- 제 21 항에 있어서,제 1 전극에 결합된 DNA 분자가 제 2 전극에 결합된 DNA 분자와는 상이한 서열을 갖는 구조물.
- 제 21 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극에 결합된 DNA 분자가 5 내지 20 염기 쌍을 포함하는 구조물.
- 제 17 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자가 DNA인 구조물.
- 제 25 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 R-루프를 포함하고, 나노입자가 R-루프 내부에서 DNA 분자에 결합되는 구조물.
- 제 26 항에 있어서,R-루프내에서 DNA의 하나의 나선에 상보적인 RNA 나선을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 26 항에 있어서,하나 이상의 뉴클레오티드가 나노입자에 부착되는 구조물.
- 제 28 항에 있어서,하나 이상의 뉴클레오티드가 R-루프내에서 DNA 분자의 하나 이상의 뉴클레오티드에 상보적인 구조물.
- 제 28 항에 있어서,하나 이상의 뉴클레오티드가 제 1 전극 및 제 2 전극으로부터 대등한 거리에 위치하는 R-루프내에서 DNA 분자의 하나 이상의 뉴클레오티드에 상보적인 구조물.
- 제 25 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 이중 나선인 구조물.
- 제 25 항에 있어서,DNA가 λ-DNA인 구조물.
- 제 21 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 제 1 전극 및 제 2 전극의 표면에 결합된 DNA 분자와 혼성화하는 점착성 말단을 포함하는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자상의 전도성 물질을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 34 항에 있어서,전도성 물질이 DNA 분자의 포스페이트 기에 결합된 은 이온을 포함하는 구조물.
- 제 34 항에 있어서,전도성 물질이 DNA 분자상에 금속 은을 포함하는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 기판상에 제 3 전극을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 37 항에 있어서,제 3 전극이 제 1 전극 및 제 2 전극으로부터 같은 거리인 구조물.
- 제 37 항에 있어서,제 3 전극이 약 100 nm 내지 약 5000 nm의 폭을 갖는 구조물.
- 제 37 항에 있어서,제 3 전극이 100 nm 미만의 폭을 갖는 구조물.
- 제 37 항에 있어서,제 3 전극이 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자에 수직인 구조물.
- 제 37 항에 있어서,유기 분자가 제 3 전극과 접촉하는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,2개의 전극이 약 1 μm 내지 약 100 μm의 거리로 분리되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극이 금을 포함하는 물질로 제조되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극이 산화물이 없는 물질로 제조되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극이 서로 대향하는 예리한 팁으로 종결되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,기판이 유리를 포함하는 물질로 제조되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에 위치한 제 4 전극을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 48 항에 있어서,제 4 전극이 약 100 nm 내지 약 5000 nm의 폭을 갖는 구조물.
- 제 48 항에 있어서,제 4 전극이 100 nm 미만의 폭을 갖는 구조물.
- 제 48 항에 있어서,제 4 전극이 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자에 수직인 구조물.
- 제 48 항에 있어서,유기 분자가 제 3 전극 및 제 4 전극과 접촉하는 구조물.
- 제 52 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자 및 전극이 AND 게이트를 형성하는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,기판상의 제 3 전극 및 제 4 전극;제 3 전극과 제 4 전극사이에서 연장되어 있는 제 2 유기 분자; 및제 2 유기 분자에 결합된 나노입자를 추가로 포함하는 구조물.
- 제 54 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 적어도 배치되는 기판상의 제 5 전극; 및제 3 전극과 제 4 전극사이에서 적어도 배치되는 기판상의 제 6 전극을 추가로 포함하는 구조물.
- 제 55 항에 있어서,유기 분자가 제 5 전극 및 제 6 전극과 접촉하고;전극 및 유기 분자가 OR 게이트를 형성하기 위해 함께 전기적으로 접속되는 구조물.
- 제 56 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극중 하나가 제 3 전극 및 제 4 전극중 하나와 전기적으로 접속되고, 제 1 전극 및 제 2 전극중 다른 하나가 제 3 전극 및 제 4 전극중 다른 하나와 전기적으로 접속되는 구조물.
- 제 10 항에 있어서,유기 분자에 결합된 다수의 나노입자를 추가로 포함하는 구조물.
- 제 1 전극을 기판상에서 형성하는 단계;제 2 전극을 기판상에서 형성하는 단계;유기 분자를 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장하는 단계; 및1개 이상의 나노입자를 유기 분자에서 하나 이상의 위치로 삽입하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 59 항에 있어서,전도성 물질을 유기 분자상에 배치하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 59 항에 있어서,유기 분자를 제 1 전극 및 제 2 전극상에 배치하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 61 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되고 제 1 전극 및 제 2 전극상에 침착되는 유기 분자가 DNA 분자인 방법.
- 제 62 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 DNA 분자가 단일 나선이고 황으로 종결되고, 약 5 내지 약 20 염기를 포함하고, 염기의 상이한 서열을 갖고;제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자가 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 DNA 분자에 상보적이고 이와 혼성화하는 방법.
- 제 62 항에 있어서,DNA 분자를 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착하는 단계; 및제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자를 제 1 전극 및 제 2 전극에 부착된 DNA 분자에 결합하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자의 적어도 일부에 상보적인 하나 이상의 RNA 나선을 사용하여 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자에서 하나 이상의 R-루프를 형성하는 단계; 및나노입자를 RNA 분자에 부착되지 않은 각각의 R-루프에서 DNA의 일부에 부착하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 63 항에 있어서,유기 분자를 제 1 전극 및 제 2 전극상에 침착시키는 단계가제 1 전극에 부착되는 DNA 분자의 용액을 제조하는 단계;제 2 전극에 부착되는 DNA 분자의 용액을 제조하는 단계;제 1 용액을 하나의 전극상에 위치시키고, 제 2 용액을 다른 전극상에 위치시켜 황 기를 전극에 부착시키는 단계; 및용액을 세척하는 단계를 포함하는 방법.
- 제 66 항에 있어서,DNA 분자의 용액을 분산하여 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 제 1 전극과 제 2 전극사이의 기판상으로 연장하는 단계; 및제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자를 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 정렬하는 단계를 추가로 포함하는 단계.
- 제 67 항에 있어서,DNA 분자가 2개의 전극사이에서 전기장 또는 유동장을 유도하여 정렬하는 방법.
- 제 68 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이에서 DNA 분자의 일부에 상보적인 RNA 나선을 사용하여 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자에서 R-루프를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 69 항에 있어서,나노입자를, R-루프내에서 DNA에 부착하기 전에 R-루프내에서 DNA 루프의 부분의 1개 이상의 염기에 상보적인 1개 이상의 뉴클레오티드로 작용화하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 70 항에 있어서,나노입자의 현탁액을 형성하는 단계; 및나노입자의 현탁액을 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자상에서 분산하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 71 항에 있어서,전도성 물질을 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자상에 침착하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 71 항에 있어서,전도성 물질이 기판을 은 함유 용액에 함침하여 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 DNA 분자상에 침착하여 DNA 분자의 포스페이트 기와 은 염을 형성하며, 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 DNA 분자상에 침착된 은 염을 금속 은으로 환원시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 73 항에 있어서,은 염의 환원이 은 염을 환원제에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제 74 항에 있어서,은 염의 환원이 은 염을 하이드로퀴논/OH-이후 하이드로퀴논/OH+에 노출시키는 단계를 포함하는 방법.
- 제 60 항에 있어서,제 1 전극과 제 2 전극사이의 기판상에 제 3 전극을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 76 항에 있어서,유기 분자상의 전도성 물질과 제 3 전극사이의 축전 가교를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 76 항에 있어서,유기 분자상의 전도성 물질 및 제 3 전극을 전기적으로 접속하여 OR 게이트를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 60 항에 있어서,기판상에 제 3 전극 및 제 4 전극을 제공하는 단계;제 2 유기 분자를 제 3 전극과 제 4 전극사이에서 연장하는 단계; 및1개 이상의 나노입자를 제 2 유기 분자에 결합하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 77 항에 있어서,제 3 전극과 제 4 전극사이에서 적어도 배치되는 기판상에 제 5 전극을 제공하는 단계; 및제 3 전극과 제 4 전극사이에서 적어도 배치되는 기판상에 제 6 전극을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 79 항에 있어서,유기 분자와 전극을 전기적으로 접속하여 OR 게이트를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 79 항에 있어서,제 1 전극 및 제 2 전극중 하나를 제 3 전극 및 제 4 전극중 하나에 전기적으로 접속하는 단계; 및제 1 전극 및 제 2 전극중 다른 하나를 제 3 전극 및 제 4 전극중 다른 하나에 전기적으로 접속하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제 59 항에 있어서,다수의 나노입자가 유기 분자상의 다수의 위치에 삽입되는 방법.
- 전도성 물질에서 바이어스(bias)를 생성하는 단계; 및전도성 물질에서 전류를 변화시키기 위해 나노입자에서 전하를 조절하여 전도성 물질에서 전류를 변화시키는 단계를 포함하는, 기판, 기판 상의 제 1 전극 및 제 2 전극, 제 1 전극과 제 2 전극사이에서 연장되어 있는 유기 분자, 유기 분자에 결합된 나노입자 및 유기 분자상의 전도성 물질을 포함하는 디바이스를 제어하는 방법.
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Families Citing this family (27)
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|---|---|---|---|---|
| KR100369694B1 (ko) * | 1998-09-17 | 2003-01-29 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 화학적 태그의 합성 방법 |
| EP1209695B1 (en) * | 2000-11-24 | 2004-10-06 | Sony International (Europe) GmbH | Selective metallisation of nucleic acids via metal nanoparticles produced in-situ |
| EP1215199A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-19 | Sony International (Europe) GmbH | Linker molecules for selective metallisation of nucleic acids and their uses |
| WO2002079514A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-10-10 | The Trustees Of Boston College | Dna-bridged carbon nanotube arrays |
| US6879143B2 (en) | 2002-04-16 | 2005-04-12 | Motorola, Inc. | Method of selectively aligning and positioning nanometer-scale components using AC fields |
| US20050164371A1 (en) * | 2003-03-28 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Cavity electrode structure, and sensor and protein detection device using the same |
| SE0401016D0 (sv) * | 2004-04-20 | 2004-04-20 | Haakan Olin | Method, device and computer program |
| US7750270B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanoparticle generator |
| US7625702B2 (en) * | 2005-12-20 | 2009-12-01 | International Business Machines Corporation | Helical wrapping of single-walled carbon nanotubes by genomic DNA |
| US20090162927A1 (en) * | 2006-05-31 | 2009-06-25 | Yeda Research And Development Company Ltd. | Nanotubes and nanowires based electronic devices and method of fabrication thereof |
| JP4967503B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-07-04 | ソニー株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの形成方法 |
| US20110172404A1 (en) * | 2008-05-19 | 2011-07-14 | Cornell University | Self-Assembly of Nanoparticles Through Nuclei Acid Engineering |
| US8106428B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-01-31 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nano-scale bridge biosensors |
| CN102489810B (zh) * | 2011-12-23 | 2013-07-31 | 哈尔滨工业大学 | 基于钎料球激光重熔工艺的mems自组装方法 |
| EP3408220A4 (en) * | 2016-01-28 | 2019-09-04 | Roswell Biotechnologies, Inc | METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ANALYTES USING LARGE CALCULAR MOLECULAR ELECTRONIC SENSOR ARRAYS |
| US9829456B1 (en) * | 2016-07-26 | 2017-11-28 | Roswell Biotechnologies, Inc. | Method of making a multi-electrode structure usable in molecular sensing devices |
| JP2018149615A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 国立大学法人名古屋大学 | 超格子構造体、およびその製造方法 |
| US11312847B2 (en) | 2018-04-10 | 2022-04-26 | Celanese International Corporation | Thermoplastic vulcanizate compositions |
| EP3850255A1 (en) | 2018-09-14 | 2021-07-21 | ExxonMobil Chemical Patents Inc. | Thermoplastic vulcanizate compositions their preparation and use in flexible tubular pipes |
| US20220042625A1 (en) | 2018-09-14 | 2022-02-10 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Thermoplastic Vulcanizate Compositions in Polymeric Inner / Pressure Sheaths of Flexible Pipes for Oil & Gas Applications |
| US20220112364A1 (en) | 2019-03-21 | 2022-04-14 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Pipe Including a Thermoplastic Vulcanizate Composition |
| CN113853403B (zh) | 2019-06-13 | 2024-04-16 | 国际人造丝公司 | 用热塑性硫化橡胶组合物形成的汽车挡风雨密封件 |
| US20220177685A1 (en) | 2019-06-21 | 2022-06-09 | Celanese International Corporation | Thermoplastic Vulcanizate Compositions |
| EP4021718A1 (en) | 2019-08-26 | 2022-07-06 | Celanese International Corporation | Thermoplastic vulcanizate compositions and thermoplastic olefinic compositions as insulating layers in non-flexible pipes |
| EP4121678A1 (en) | 2020-03-18 | 2023-01-25 | Celanese International Corporation | Thermoplastic elastomer compositions their preparation and use in fiber-reinforced spoolable pipes |
| WO2021188361A1 (en) | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Linear alpha-olefin copolymers and impact copolymers thereof |
| EP4146735A1 (en) | 2020-05-05 | 2023-03-15 | Celanese International Corporation | Pipe including a polymethylpentene thermoplastic polymer |
Family Cites Families (14)
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