KR20000017502A

KR20000017502A - 표시 패널 및 방전식 표시 장치

Info

Publication number: KR20000017502A
Application number: KR1019990035316A
Authority: KR
Inventors: 요꼬야마아쯔시; 스즈끼게이조; 미즈따다까히사; 유하라아끼쯔나; 이시가끼마사지
Original assignee: 가나이 쓰토무; 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date: 1998-08-26
Filing date: 1999-08-25
Publication date: 2000-03-25
Also published as: JP2000067758A; JP4011746B2; KR100349274B1; EP0982753A3; US6747410B1; EP0982753A2

Abstract

본 명세서 및 도면에서는, 방전 공간 내에 봉입된 방전 가스의 방전에 의해 화상 표시를 행하는 방전식 표시 기술에 있어서, 상기 방전 가스는 적어도 Xe, He, Ne을 갖는 혼합 가스로서, Ne과 He 사이에서 He의 혼합 비율이 약 50 체적% 이하인 구성을 개시한다.

Description

표시 패널 및 방전식 표시 장치{A DISPLAY PANEL AND A DISCHARGE TYPE DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: 이하, PDP라 함) 등, 가스 방전을 이용하여 표시를 행하는 방전식 표시 기술에 관한 것이다.

종래의 관련 기술로서는, 예를 들면, 특개평6-342631호 공보에 기재한 바와 같이, 방전 가스로서 He(헬륨), Ne(네온), Xe(크세논)의 3성분 혼합 가스를 이용한 PDP가 알려져 있다. 이 관련 기술은, He과 Ne과의 체적비를 6대4로부터 9대1로 하고, Xe의 전 가스량에 대한 체적비를 1.5∼10%로 하는 것으로, 구동 전압(서스테인 전압)을 낮게 하여 고발광 효율이 실현되도록 하는 것이다.

그러나, 상기 종래 기술에서의 성분 가스의 혼합비에서는, 방전 개시 전압의 증가와 동작 마진의 감소가 발생한다. 여기서, 동작 마진이란, 구동 전압(서스테인 전압)의 하한으로부터 상한까지의 전압 범위라고 정의된다. 이 서스테인 전압의 하한은 어드0레스 기간에서 발광하기 위해 선택된 셀(이하, 발광 셀이라 함)을 발광시키기 위한 최저의 전압, 즉 방전 개시 전압으로 결정되고, 또한, 동작 마진의 상한은 벽 전하의 주로 자기 소거에 의해 발광이 불능으로 되지 않는 최대의 전압으로 결정된다. 그리고, 이와 같이 방전 개시 전압의 상승과 동작 마진의 감소가 생기면, 서스테인 전압의 전압치 설정에 제약이 가해지게 되어, 구동이 용이하다고 하는 점에서 반드시 만족할 수 있는 구성은 아니었다.

예를 들면, AC(교류)형 PDP의 구동으로서는, 기록 방전에 의해 발광시키는 셀을 선택하는 방식이 일반적이고, 이 기록 방전의 단계에서 전극 상에 정확하게 소정량의 전하를 형성할 필요가 있다.

그러나, AC형 PDP 등에서는, 어드레스 전극에 따른 방향으로 칸막이 벽이 설치되지 않는 것이 일반적이고, 기록 방전 시에 칸막이 벽으로 구획되어 있지 않는 인접 셀에의 전하의 확산 등(이하, 이것을 크로스토크라 함)에 의해, 선택된 발광 셀에 필요량의 전하가 형성되지 않는다. 따라서, 크로스토크에 의해서도 동작 마진의 상한이 제한되고, 동작 마진이 감소한다.

상기 종래 기술에서는, 이러한 점에 대해 아무런 배려가 이루어지지 않았다.

본 발명의 목적은, 이러한 문제를 해소하고, 크로스토크에 의한 동작 마진의 저감을 억제하면서, 크로스토크에 의해 생기는 오방전을 저감할 수 있는 표시 기술을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 적어도 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스를 방전 가스로 하고 Ne과 He 사이에서 He의 혼합 비율을 거의 5∼50 체적%로 한다.

이것에 의하면, 크로스토크에 의한 영향이 억압되어 동작 마진의 상한이 거의 일정하게 유지되게 되어, 동작 마진을 넓게 유지할 수 있다.

도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 경우에 있어서의 방전 가스로서의 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스와 Ne, Xe의 2성분 혼합 가스에서의 구동 전압(서스테인 전압)의 동작 마진의 실험 결과를 나타낸 도면.

도 2는 플라즈마 디스플레이 패널의 경우에 있어서의 방전 가스로서 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스에서의 He 가스의 혼합율에 대한 구동 전압(서스테인 전압)의 동작 마진의 변화의 실험 결과를 나타낸 도면.

도 3은 플라즈마 디스플레이 패널의 경우에 있어서의 방전 가스로서 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스에서의 Xe 가스의 혼합율에 대한 구동 전압(서스테인 전압)의 변화의 실험 결과를 나타낸 도면.

도 4는 본 발명의 일 실시에로서의 플라즈마 디스플레이 패널 구조의 일부를 나타낸 분해 사시도.

도 5는 도 4에 도시한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 화살표 D1의 방향으로부터 본 단면도.

도 6은 도 4에 도시한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 화살표 D2의 방향으로부터 본 단면도.

도 7은 플라즈마 디스플레이 패널에서의 1 필드 기간의 동작을 나타낸 도면.

도 8은 도 7에 있어서의 1 서브 필드 내의 구동 파형을 나타낸 도면.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

1 : 전방면 유리 기판

2 : X 전극

3 : Y 전극

4 : X 버스 전압

5 : Y 버스 전극

6 : 유전체

7 : 보호층

8 : 배면 유리 기판

9 : 어드레스 전극

10 : 유전체

11 : 칸막이 벽

12 : 형광체

13 : 방전 공간

이하, 본 발명의 실시 형태를 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 경우에 대해 도면을 이용하여 설명한다.

도 4는 본 발명의 일 실시 형태로서 PDP의 경우의 구조예를 나타낸 분해 사시도이다. 참조 번호(1)는 전방면 유리 기판, 참조 번호(2)는 X 전극, 참조 번호(3)는 Y 전극, 참조 번호(4)는 X 버스 전극, 참조 번호(5)는 Y 버스 전극, 참조 번호(6)는 유전체층, 참조 번호(7)는 보호층, 참조 번호(8)은 배면 유리 기판, 참조 번호(9)는 어드레스 전극, 참조 번호(10)는 유전체층, 참조 번호(11)는 칸막이 벽, 참조 번호(12)는 형광체, 참조 번호(13)는 방전 공간이다.

상기 도면에 있어서, 전방면 유리 기판(1)의 하면에는, 투명한 X 전극(2)과 투명한 Y 전극(3)이 교대로, 또한 상호 평행하게 부설되어 있고, X 전극(2)에 X 버스 전극(4)이, Y 전극(3)에 Y 버스 전극(5)이 각각 적층 부설되어 있다. 그리고, 이들 X 전극(2), Y 전극(3), X 버스 전극(4) 및 Y 버스 전극(5)이 유전체층(6)에 의해 피복되고, 이 유전체층(6)의 표면에 MgO 등의 보호층(7)이 부설되어 있다.

한편, 배면 유리 기판(8)의 상면에는, 전방면 유리 기판(1)에 부설되어 있는 X 전극(2) 및 Y 전극(3)과 직교하여 입체 교차하도록 어드레스 전극(9)이 등간격으로 부설되어 있고, 이들 어드레스 전극(9)이 유전체층(10)에 의해 피복되어 있다. 그리고, 이 유전체층(10) 상의 어드레스 전극(9) 사이마다 어드레스 전극(9)과 평행하게 칸막이 벽(11)이 설치되어 있고, 칸막이 벽(11)의 벽면과 유전체층(10)의 상면에 형광체(12)가 도포되어 있다.

이러한 전방면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(8)은, 보호층(7)의 표면이 칸막이 벽(7)의 정상면과 접촉하도록 하여 대향하고 있고, 이 보호층(7)과 칸막이 벽(11)과 유전체층(10)에서 방전 공간(13)이 형성되어 있고, 방전 공간(13)마다 칸막이 벽(11)의 벽면과 유전체층(10)의 상면에 형광체(12)가 도포되어 있다. 그리고, 칸막이 벽(11)에 의해 구획되는 방전 공간(13)에 있어서, 1개씩의 X 전극(2) 및 Y 전극(3)과의 쌍이 포함되는 영역이 화소의 최소 단위인 1개의 셀을 형성하고 있다.

도 5는 도 4 중의 화살표 D1의 방향으로부터 본 PDP의 단면도로서, 1개의 셀 부분을 나타내고 있고, 도 4에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다. 또한, 도 6은 도 4 중의 화살표 D2의 방향으로부터 본 PDP의 단면도로서, 1개의 셀 부분을 나타내고 있고, 도 4에 대응하는 부분에는 동일 부호를 붙이고 있다. 여기서, 파선은 셀의 경계를 나타내는 것이지만, 실제로는, 칸막이 벽 등에 의해 구획되어 있는 것은 아니다.

도 5 및 도 6에 있어서, 어드레스 전극(9)은 인접하는 2개의 칸막이 벽(11)의 중간에 위치하고 있고, 전방면 유리 기판(1)과 배면 유리 기판(8)과 칸막이 벽(11)에 둘러싸인 방전 공간(13)에는, 방전을 행하게 하기 위한 방전 가스가 충전되어 있다. X 전극(2), Y 전극(3) 및 어드레스 전극(9) 중 적어도 2개의 전극 사이에 전위차를 부여함으로써, 방전 공간(13) 내에 방전이 발생하고 방전 가스는 플러스 혹은 마이너스의 전하를 갖는 입자가 혼재하는 플라즈마 상태가 된다.

도 7은 도 4에 도시한 PDP에 1장의 (즉, 1필드의) 화상을 표시하는데 요하는 1필드의 동작을 나타낸 도면이다.

도 7의 (a)에 있어서, 1필드 T_F는 복수 서브필드 TSF₁, TSF₂, ……, TSF₈로 분할되고, 각 서브 필드 T_SF는, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 리셋트 방전 기간 T_R과 발광 셀을 규정하는 어드레스 방전 기간 T_A와 서스테인 방전 기간 TS로 이루어져 있다.

도 8은 1개의 서브 필드 TSF의 각 기간 T_R, T_A, T_S마다 각 전극(2, 3, 9)에 인가되는 전압을 나타낸 파형도로서, 도 8의 (a)는 X 전극(2)에 인가되는 전압 파형, 도 8의 (b)는 Y 전극(3)에 인가되는 전압 파형, 도 8의 (c)는 어드레스 전극(9)에 인가되는 전압 파형을 각각 나타내고 있다.

도 8에 있어서, 리셋트 방전 기간 T_R에서는, X 전극(2)에 리셋트 펄스 P_R이 인가된다. 어드레스 방전 기간 T_A에서는 Y 전극(3)에 스캔 펄스 P_SC가, 어드레스 전극(9)에 어드레스 펄스 P_A가 각각 동시에 인가된다. 서스테인 방전 기간 T_S에서는 X 전극(2)에 X 서스테인 펄스 P_SX가, Y 전극(3)에 Y 서스테인 펄스 P_SY가, 어드레스 전극(9)에 전면 어드레스 펄스 P_SA가 각각 인가된다. 여기서, X 서스테인 펄스 P_SX와 Y 서스테인 펄스 P_SY는 교대로 인가되고, 전면 어드레스 펄스 P_SA는 서스테인 방전 기간 T_S에 걸치는 일정한 펄스이다. 또한, 그랜드 전위(GND)는 0V일 필요는 없다.

리셋트 방전 기간 T_R에서는, X 전극(2)에 인가하는 리셋트 펄스 P_R에 의한 방전에 의해, 유전체(6) 상에 축적한 전하의 소거가 행해진다. 그 후, Y 전극(3)에 스캔 펄스 P_SC가 인가되어 있을 때에 어드레스 전극(9)에 어드레스 펄스 P_A가 인가되면, 이 Y 전극(3)과 어드레스 전극(9)과의 교점에 위치하는 셀로 기록 방전이 발생한다.

다음에, 어드레스 방전 기간 T_A에서는, X 전극(2)이 그랜드 전위에 대해 플러스의 전위로 유지되고, 또한, Y 전극(3)이 그랜드 전위에 대해 마이너스의 전위로 유지된다. 이 때문에, X 전극(2)과 Y 전극(3)은 기록 방전에 의해 생긴 전하를 모아, X 전극(2)의 근방의 유전체(6) 상에 마이너스의 전하가, 또한, Y 전극(3)의 근방의 유전체(6) 상에 플러스의 전하가 각각 축적한다. 그리고, 이러한 상태에서, Y 전극(3)에 스캔 펄스 P_SC가 인가될 때, 어드레스 전극(9)에 어드레스 펄스 P_A가 인가되면, 이들 Y 전극(3)과 어드레스 전극(9)과의 호전에서의 셀로 기록 방전이 발생하여, 그 셀이 발광 셀이 되지만, 어드레스 전극(9)이 그랜드 전위인 상태 그대로 유지되어 있으면, 거기에서의 셀에 기록 방전이 발생하지 않아, 그 셀은 비발광 셀로 된다.

이 실시 형태는, 이러한 구조의 PDP에 있어서, 방전 공간(13) 내에 봉입한 방전 가스를 적어도 He, Ne, Xe으로 이루어지는 혼합 가스로 함으로써, 후술하는 바와 같이, 넓은 동작 마진을 유지하면서 크로스토크에 의한 오방전을 방지할 수 있도록 하기 위해서, He의 혼합 비율을 5∼50%로 함으로써, 또한, Xe의 혼합 비율을 1∼10%로서, 구동 전압의 상한을 억제할 수 있도록 한다. 또, 여기서의 「%」란, 체적(혹은, 몰) %이다.

이하, 이 점에 대해 설명한다.

도 1은 Xe, He, Ne의 3성분 혼합 가스와 종래의 Xe, Ne의 2성분 혼합 가스에서의 동작 마진을 비교하여 나타낸 도면으로서, 횡축에 어드레스 펄스 P_A의 전압치(어드레스 전압)를, 종축에 X, Y 서스테인 펄스 P_SX, P_SY의 전압치(서스테인 전압)를 각각 취하고, 어드레스 전압마다의 서스테인 구동 가능한 서스테인 전압의 상한과 하한을 실험에 의해 구한 것이다. 이 실험에서는, 대각 길이 25인치로 해상도 XGA의 PDP를 이용하고, 그 셀 피치는 165㎛이다.

여기서, 도 1의 (a)는 He 15%+Ne 81%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스와 Ne 96%+Xe 4%의 종래의 2성분 혼합 가스를 비교하여 나타낸 것으로, 도 1의 (b)는 He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스와 Ne 96%+Xe 4%의 동일한 종래의 2성분 혼합 가스를 비교하여 나타낸 것이다. 그리고, 도 1의 (a)에서는, 흑색 사각 표시를 연결하는 선이 Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스의 경우의 동작 마진의 하한을, 백색 사각 표시를 연결하는 선이 동일하게 상한을 각각 나타내고 있고, 흑색 동그라미 표시를 연결하는 선이 He 15%+Ne 81%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스의 경우의 하한을, 백색 동그라미 표시를 연결하는 선이 동일하게 상한을 각각 나타내고 있다. 또한, 도 1의 (b)에서는, 흑색 사각 표시를 연결하는 선이 Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스의 경우의 동작 마진의 하한을, 백색 사각 표시를 연결하는 선이 동일하게 상한을 각각 나타내고 있고, 흑색 동그라미 표시를 연결하는 선이 He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스의 경우의 하한을, 백색 동그라미 표시를 연결하는 선이 동일하게 상한을 각각 나타내고 있다.

흑색 사각 표시를 연결하는 선과 백색 사각 표시를 연결하는 선 사이가, Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스를 이용한 경우의, 어드레스 전압에 대해 정상적으로발광 셀을 발광 구동시킬 수 있는 서스테인 전압의 범위이고, 이 범위가 이 2성분 혼합 가스를 이용한 경우의 동작 마진이다. 마찬가지로, 흑색 동그라미를 연결하는 선과 백색 동그라미를 연결하는 선 사이가, He 15%+Ne 81%+Xe 4% 혹은 He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스를 이용한 경우의, 어드레스 전압에 대해 정상적으로 발광 셀을 발광 구동시킬 수 있는 서스테인 전압의 범위이고, 이 범위가 이 3성분 혼합 가스인 경우의 동작 마진이다.

도 1의 (a), (b)에 있어서, 종래의 Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스를 이용한 경우에는, 백색 사각 표시(□)를 ◇로 둘러싸 나타낸 바와 같이, 어드레스 전압을 높게 함에 따라서 동작 마진의 상한이 급격하게 저하하고, 이에 따라서 동작 마진이 급격하게 좁아진다. 이것은, 인접 셀 사이의 크로스토크에 의한 것으로, 이 크로스토크가 발생하면, 표시 화면의, 특히, 윤곽부에 변동이 관측되어 정상적인 발광 상태로는 되지 않아, 표시 화상의 화질이 열화한다. 따라서, 이에 따라, 동작 마진의 상한이 제한되게 된다.

이에 대해, He 15%+Ne 81%+Xe 4% 혹은 He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스를 이용하는 경우에는, 어드레스 전압이 높아지더라도, 동작 마진의 상한의 저하는 보여지지 않고, 거의 일정하게 유지된다. 따라서, 이 경우에는, 동작 마진의 급격한 저하는 볼 수 없었다.

한편, 도 1의 (a), (b)를 비교하여 명백한 바와 같이, He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스를 이용한 경우에는, He 15%+Ne 81%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스를 이용하는 경우에 비교하여, 동작 마진이 좁아진다. 이것은, 이들 동작 마진의 상한에 거의 차이가 없는데 대해, 후자의 혼합 가스의 쪽이 전자의 혼합 가스보다도 동작 마진의 하한이 크게 상승한 것에 따른 것이다.

이와 같이, Ne, Xe의 2성분 혼합 가스에 He을 추가함으로써, 크로스토크를 억제할 수 있다. 그리고, 도 1의 (a)에 있어서, He 66%+Ne 30%+Xe 4%의 3성분 혼합 가스를 이용한 경우에는, 동작 마진의 하한이 Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스의 경우의 동작 마진의 하한보다도 상승하지만, 이 Ne 96%+Xe 4%의 2성분 혼합 가스의 경우, 그 동작 마진의 상한이 크로스토크에 의해 급격하게 저하하기 때문에, 어드레스 전압이 높은 경우에서도 동작 마진을 높게 취할 수 있는 것이다.

그러나, 이러한 Xe, He, Ne의 3성분 혼합 가스에서도, He의 혼합비를 증가시키면, 동작 마진의 상한에 각별한 변화가 없는데 대해, 그 하한이 점점 더 상승하여, 도 1 의 (b)에 도시한 바와 같이, 그 혼합비가 약 70%로 커지면, 동작 마진이 크게 감소한다.

도 2는 He의 혼합율의 변화에 대한 동작 마진의 변화의 실험 결과를 나타낸 도면으로서, 여기서는, Xe의 혼합율을 4%, 어드레스 전압을 80V로 하고 있다.

또, 이 경우의 He의 혼합율은 Xe, Ne, He의 3성분 혼합 가스에 있어서, Xe이 차지하는 체적(몰수)을 제외한 나머지의 Ne과 He 사이에서의 He의 혼합율을 말하는 것으로, 지금, 이 3성분 혼합 가스 전체에 있어서, Xe, Ne, He 각각의 혼합율을 각각 x%, n%, h%로 하면, 상기한 He의 혼합율 H% 및 동일하게 Ne의 혼합율 N%는 H=100·h/ (100-x) N=100·n/ (100-x)

로 나타내진다. x+n+h=100으로 하면, H+N=100이다. 물론, 방전 가스가 Xe, Ne, He 이외의 성분 가스도 포함하고 있을 때에도, 상기 He의 혼합율은 Xe과 Xe, Ne, He 이외의 이 성분 가스가 차지하는 체적(몰수)을 제외한 나머지의 Ne와 He 사이에서의 He의 혼합율을 말하는 것으로, 상기한 x%는 방전 가스에 있어서, Xe과 Xe, Ne, He 이외의 이 성분 가스를 포함시킨 가스의 혼합율이다. 도 2의 횡축은 이 He의 혼합율 He를 취하고 있는 것이다.

도 2에 있어서, 혼합율 H=0에서는, 동일한 조건에서의 Ne, Xe의 2성분 혼합 가스의 경우의 동작 마진과 같고, He의 혼합율 H를 0으로부터 순차 증가시킴으로써, 동작 마진이 넓어져 간다. 그리고, 이 He의 혼합율 H가 거의 15%로 동작 마진이 피크로 되고, 또한 He의 혼합율 H를 증가시켜 가면, 동작 마진은 순차 감소해 간다. He의 혼합율 H가 거의 50%로 0%와 동일 정도의 동작 마진으로 되고, 또한 He의 혼합율 H를 증가시키면, 동작 마진은 점점 더 감소하여 간다.

그래서, 이 실시 형태에서는, Ne, Xe 2성분 혼합 가스의 경우와 동등 이상의 넓은 동작 마진을 얻기 위해서, He의 혼합율 H를 5∼50% 정도로 설정하는 것이다. 즉, Ne에 대해 He의 혼합율 H가 커지지 않도록 한다. 또, 이 혼합율 H를 Xe, Ne, He의 3성분 혼합 가스 전체에서의 혼합율 h로 변환하면, Xe의 혼합율 x가 4%이기 때문에, 상기한 식에 의해, h=4.8∼48.0%로 된다. 이에 대해, Ne의 혼합율 N은 n=91.2∼48.0%로 된다.

또, Ne 가스는 방전함으로써 적색광을 발광하지만, 이 실시 형태에서는 He 가스가 혼합됨으로써, 이러한 적색광의 발광도 억제하는 것이 가능해지고, Ne, Xe의 2성분 혼합 가스의 경우에 비교하여 백색 색도도 개선된 것을 확인할 수 있었다.

도 3은 방전 가스의 가스압을 300Torr로 할 때의 Xe의 혼합율에 대한 서스테인 전압 변화의 실험 결과를 나타낸 도면이고, Xe 가스의 혼합율이 거의 10%이고 서스테인 전압은 거의 200V였다.

여기서, Xe의 혼합율을 높게 하면, 발광 효율 등이 개선된다고 하는 효과가 얻어지지만, 그 반면, 서스테인 전압도 높게 해야만 한다. 그러나, 서스테인 전압으로서는 구동 회로 등의 문제로부터 그다지 높지 않은 쪽이 바람직하다. 그래서, 이 실시 형태에서는, 서스테인 전압이 200V를 넘지 않은 쪽이 적절함으로써, Xe의 혼합율을 1∼10%에 설정한다.

또, Xe의 혼합율 x가 1∼10%의 범위에서는, He의 혼합율 H에 대한 서스테인 전압의 동작 마진은, 도 2에 도시한 Xe의 혼합율 x가 4%인 경우와 거의 변함이 없었다.

이와 같이 하여, 이 실시 형태에서는, 방전 가스로서 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스를 이용하여 He의 상기한 의미에서의 혼합율을 거의 5∼50%로 하여, 넓은 동작 마진을 유지하면서 크로스토크에 의한 오방전을 억제하고, 또한, Xe의 혼합율을 거의 1∼10%로 함으로써, 서스테인 전압의 상승을 억제하여 적절한 것으로 할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 방전 가스로서 He, Ne, Xe의 3성분 혼합 가스를 이용하고, 또한 He의 혼합율을 특정하고 있으므로, 구동 전압의 동작 마진을 넓게 유지하면서 인접 셀 사이의 크로스토크에 의한 오방전을 억제할 수 있고, 백색 색도도 개선된다.

또한, 본 발명에 의하면, Xe 가스의 혼합율을 특정하고 있으므로, 구동 전압도 적절한 전압으로 할 수 있다.

본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하지 않고, 상기 실시예의 다른 형태에서도 실시하는 것이 가능하다. 따라서, 상기 실시예는 모든 점에서 본발명의 단순한 한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석되어서는 안된다. 본 발명의 범위는 특허 청구의 범위에 따라 나타나 있다. 또한, 이 특허 청구의 범위의 균등 범위에 속하는 변형이나 변경은, 모든 본 발명의 범위 내의 것이다.

Claims

방전 공간 내에 봉입(封入)된 방전 가스의 방전에 의해 화상 표시를 행하는 방전식 표시 장치에 있어서,

상기 방전 가스는 적어도 Xe, He, Ne을 갖는 혼합 가스로서, Ne와 He 사이에서 He의 혼합 비율이 약 50 체적% 이하인 것을 특징으로 하는 방전식 표시 장치.
방전 공간 내에 봉입된 방전 가스의 방전에 의해 가시광을 발생시켜서 화상 표시를 행하는 방전 표시 장치에 있어서,

상기 방전 가스는 적어도 Xe, He, Ne을 갖는 혼합 가스로서, Ne과 He 사이에서 He의 혼합 비율이 약 5∼50 체적%의 범위인 것을 특징으로 하는 방전식 표시 장치.
제1항에 있어서,

상기 방전 가스 전체에 대한 Xe 가스의 혼합 비율이 약 10 체적% 이하인 것을 특징으로 하는 방전식 표시 장치.
제2항에 있어서,

상기 방전 가스 전체에 대한 Xe 가스의 혼합 비율이 약 1∼10 체적%의 범위인 것을 특징으로 하는 방전식 표시 장치.
패널의 방전 공간 내에 봉입된 방전 가스의 방전에 의해 화상 표시를 행하는 방전식 표시 장치용 표시 패널에 있어서,

상기 방전 가스는 적어도 Xe, He, Ne을 갖는 혼합 가스로서, Ne과 He 사이에서 He의 혼합 비율이 약 5∼50 체적%의 범위인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
제5항에 있어서,

상기 방전 가스 전체에 대한 Xe 가스의 혼합 비율이 약 1∼10 체적%의 범위인 것을 특징으로 하는 표시 패널.