KR20000004245A - 웨이퍼 건조장치 - Google Patents

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KR20000004245A
KR20000004245A KR1019980025675A KR19980025675A KR20000004245A KR 20000004245 A KR20000004245 A KR 20000004245A KR 1019980025675 A KR1019980025675 A KR 1019980025675A KR 19980025675 A KR19980025675 A KR 19980025675A KR 20000004245 A KR20000004245 A KR 20000004245A
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ipa
reactor
ipa solution
iso
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KR1019980025675A
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이중연
우세한
김종인
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 이소-프로필 알콜(IPA; Iso-Propyl Alcohol)을 이용한 웨이퍼 건조장치에 관한 것이다.
2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
웨이퍼 건조시 발생되는 반점이나 건조 불량에 따른 파티클 발생을 최소화 하고자 함.
3.발명의 해결방법의 요지
IPA 반응조 내에 질소 가스 분사장치를 장착하여 IPA 용액 표면을 향해 질소 가스를 분사시켜 IPA 용액의 증발을 할성화 시킴.
4.발명의 중요한 용도
웨이퍼 건조 장치.

Description

웨이퍼 건조 장치
본 발명은 웨이퍼 건조 장치에 관한 것으로, 특히 습식 세정(Wet cleaning) 공정 후 이소-프로필 알콜(IPA; Iso-Propyl Alcohol: 이하, IPA 이라 함)을 이용한 웨이퍼 건조 공정에서 발생되는 반점(spot)이나 건조(Dry) 불량에 따른 파티클(particle) 발생을 억제하여 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 소자가 고집적화 된 64M, 256M 및 1G급에서는 파티클의 효율적인 제거가 큰 문제로 대두되고 있다. 실제로 위와 같은 소자의 원활한 동작을 위해서는 0.16㎛ 크기의 파티클을 30개 이하로 제어하고 있다.
종래의 IPA 용액을 이용한 건조기의 경우는 IPA 반응조(Bath) 내에 있는 IPA 용액을 히터로 가열하여 IPA 용액을 증발시켜 일정한 IPA 용액의 증발 영역(Vapor zone)을 형성시키고, 웨이퍼를 IPA 용액의 증발 영역에 디핑(Dipping)하여 IPA 용액의 치환에 의해 건조 공정을 수행한다. 이러한 종래의 웨이퍼 건조 장치는 웨이퍼 건조에 결정적 역할을 하는 IPA 용액의 증발(Vapor) 양을 제어(Control)하기가 어렵고, IPA 용액의 증발 양을 늘리기 위해서는 히터의 온도를 높여야 하는 위험 부담이 있다. 또한, IPA 용액의 증발 온도가 고온이므로 웨이퍼가 IPA 용액의 치환 효과가 아닌 고온에 의한 자연 건조에 의해 반점(spot)이나 건조(Dry) 불량에 따른 파티클(particle)이 발생하게 되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 IPA 용액의 증발 양을 늘리기 위해 히터의 온도를 높이는 대신에 IPA 반응조 내의 IPA 용액 표면을 향해 초순수 질소 가스를 분사시켜 IPA 용액의 증발을 할성화 시킴으로써, IPA 용액의 증발 농노를 높여 웨이퍼의 건조 효과를 향상시키고, 상온의 질소 가스에 의한 IPA 용액의 온도 저하를 유도함으로써, 반점이나 건조 불량에 따른 파티클 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼 건조 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 이소-프로필 알콜(IPA) 반응조 내부로 이송된 웨이퍼에서 떨어지는 오염 물질을 배출시키기 위한 IPA 드롭 팬 및 상기 IPA 반응조 내부에 수용된 IPA 용액을 증발시키기 위해 IPA 반응조 저면에 장착되는 히터로 구성된 이소-프로필 알콜을 이용한 웨이퍼 건조 장치에 있어서, 상기 이소-프로필 알콜 반응조 내부에 장착되며 상기 이소-프로필 알콜 용액 표면에 질소 가스를 공급하기 위한 질소 가스 분사장치와, 상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 여과하기 위한 필터와, 상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스의 양을 확인하기 위한 플로우 메타와, 상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 공급하기 위한 에어 밸브와, 상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 콘트롤하기 위한 레귤레이터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치의 구조도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 이소-프로필 알콜(IPA) 반응조 2: 히터
3: IPA 드롭 팬( DROP PAN) 4: IPA 용액
5: 질소(N2)가스 분사장치(Injector) 6: 웨이퍼
7: IPA 증발 영역(Vapor zone) 8: 필터
9: 플로우 메타 10: 에어 밸브
11: 레귤레이터
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 건조장치의 구조도 이다. IPA 반응조(1) 저면에는 IPA 반응조(1) 내부에 수용된 IPA 용액(4)을 증발시키기 위한 히터(2)가 장착된다. IPA 반응조(1) 내부에는 IPA 용액(4)의 증발 양을 늘리기 위해 히터(2)의 온도를 높이는 대신에 IPA 반응조(1) 내의 IPA 용액 표면(4A)을 향해 초순수 질소(N2) 가스를 분사시켜 IPA 용액(4)의 증발을 할성화 시키기 위한 질소 가스 분사장치(5)가 장착된다. 상기 질소 가스 분사장치(5) 상부에는 IPA 반응조(1) 내부로 이송되는 웨이퍼(6)에서 떨어지는 오염 물질을 배출시키기 위한 IPA 드롭 팬(3)이 장착된다. 또한, 상기 질소 가스 분사장치(5)의 질소 가스 공급라인(7)에는 공급되는 질소 가스를 여과하기 위한 필터(8)와, 공급되는 질소 가스의 양을 콘트롤하기 위한 레귤레이터(11)와, 질소 가스를 공급하기 위한 에어 밸브(10) 및 공급되는 질소 가스의 양을 확인하기 위한 플로우 메타(9)가 각각 장착된다.
이러한 본 발명에 따른 웨이퍼 건조 장치는 상기 질소 가스 분사장치(5)로부터 IPA 용액 표면(4A)을 향해 질소 가스를 분사시켜 히터(2)의 승온 없이 IPA 용액(4)의 증발 양을 증가시키고, 상온의 질소 가스에 의한 증발 온도의 다운(Down)으로 웨이퍼(6) 건조시 발생할 수 있는 결함(Defect)을 감소시키고, 웨이퍼 건조 효과를 최대로 높일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 IPA 용액의 증발 양을 늘리기 위해 히터의 온도를 높이는 대신에 IPA 반응조 내의 IPA 용액 표면을 향해 초순수 질소 가스를 분사시켜 IPA 용액의 증발을 할성화 시킴으로써, IPA 용액의 증발 농노를 높여 웨이퍼의 건조 효과를 향상시키고, 상온의 질소 가스에 의한 IPA 용액의 온도 저하를 유도함으로써, 반점이나 건조 불량에 따른 파티클 발생을 억제할 수 있는 탁월한 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 이소-프로필 알콜(IPA) 반응조 내부로 이송된 웨이퍼에서 떨어지는 오염 물질을 배출시키기 위한 IPA 드롭 팬 및 상기 IPA 반응조 내부에 수용된 IPA 용액을 증발시키기 위해 IPA 반응조 저면에 장착되는 히터로 구성된 이소-프로필 알콜을 이용한 웨이퍼 건조 장치에 있어서,
    상기 이소-프로필 알콜 반응조 내부에 장착되며 상기 이소-프로필 알콜 용액 표면에 질소 가스를 공급하기 위한 질소 가스 분사장치와,
    상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 여과하기 위한 필터와,
    상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스의 양을 확인하기 위한 플로우 메타와,
    상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 공급하기 위한 에어 밸브와,
    상기 질소 가스 분사장치의 질소 가스 공급라인에 장착되며 공급되는 질소 가스를 콘트롤하기 위한 레귤레이터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020087310A (ko) * 2001-05-15 2002-11-22 삼성전자 주식회사 웨이퍼 건조 장치

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