KR19990085504A - 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR19990085504A
KR19990085504A KR1019980017957A KR19980017957A KR19990085504A KR 19990085504 A KR19990085504 A KR 19990085504A KR 1019980017957 A KR1019980017957 A KR 1019980017957A KR 19980017957 A KR19980017957 A KR 19980017957A KR 19990085504 A KR19990085504 A KR 19990085504A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
photoresist
chemically amplified
hydrogen atom
independently
Prior art date
Application number
KR1019980017957A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100265940B1 (ko
Inventor
전현표
김성주
박주현
이종범
Original Assignee
박찬구
금호석유화학 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박찬구, 금호석유화학 주식회사 filed Critical 박찬구
Priority to KR1019980017957A priority Critical patent/KR100265940B1/ko
Publication of KR19990085504A publication Critical patent/KR19990085504A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100265940B1 publication Critical patent/KR100265940B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22—Oxygen
    • C08F212/24—Phenols or alcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/30—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing aromatic rings in the alcohol moiety
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

본 발명은 반복단위가 다음 일반식(Ⅰ)로 표시되고, 폴리스티렌 환산 평균분자량이 1,000∼1,000,000인 화학증폭형 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이 공중합체와 산발생제 및 용제로 구성되는 양성 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
(Ⅰ)
여기에서, R1, R2, R3는 수소원자 또는 메틸기이며 각각 독립적이고, R4, R6는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며 각각 독립적이고,ℓ, m, n은 각각 반복단위를 나타내는 수로서, 0.1≤ℓ≤0.9, 0.1≤m≤0.6 그리고 0≤n≤0.5이다. 그리고 R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이다.
본 발명에서는 기존의 화학증폭형 포토레지스트의 메트릭스 수지에 아크릴계 단량체를 공중합하므로써 보다 열적으로 안정하다는 장점이 있다. 그리고 탈보호화 반응을 일으켜 레지스트의 물리적, 화학적 변화를 일으키는 작용기를 좀더 탈보호화 활성화 에너지가 적은 작용기로 치환하므로써 감도가 매우 향상되었다.
본 발명의 수지를 합성하여 포토레지스트 조제를 한 후 테스트한 결과 원자외선, KrF 엑시머 레이저에 대하여 고감도, 고해상성, 내열성 노출후 안정성이 뛰어나고, 기판의 종류에 관계없이 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다.

Description

포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
본 발명은 반복단위가 다음 일반식(Ⅰ)로 표시되는 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이 공중합체와 산발생제 및 용제로 구성되어 있는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(Ⅰ)
여기에서, R1, R2, R3는 수소원자 또는 메틸기이며 각각 독립적이고, R4, R6는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며 각각 독립적이고,ℓ, m, n은 각각 반복단위를 나타내는 수로서, 0.1≤ℓ≤0.9, 0.1≤m≤0.6 그리고 0≤n≤0.5이다. 그리고 R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이다.
최근 반도체 소자의 고집적화에 따라, 초-LSI 등의 제조에 있어서도 쿼터-미크론 영역의 초미세 패턴이 요구되고 있으며, 이에 따라 노광 파장도 종래에 사용하는 g-선이나 i-선 영역에서 단파장화되어 원자외선, KrF 엑시머 레이저, X-선, 자빔 및 이온빔을 이용하는 리소그래피에 대한 연구가 주목되고 있다.
종래에 g-선이나 i-선에 이용하는 포토레지스트는 노볼락-퀴논디아지드계 화합물을 이용하는 레지스트로서, 원자외선이나 KrF 엑시머 레이저 파장에서는 광의 흡수가 많아 이보다 상대적으로 흡수가 적은 폴리히드록시스티렌 유도체를 기초수지로 이용한 화학증폭형 포토레지스트가 많이 연구되고 있다.
상기의 화학증폭형 레지스트의 구성 성분은 촉매량의 산에 의해 물리적 화학적 성질이 변화되는 기초수지, 방사선 조사에 의해 산이 발생되는 화합물(이하 '산발생제'라고 한다), 약간의 첨가제, 그리고 이들을 녹이는 용매로 구성되어 있다. 이같은 화학증폭형 레지스트로서는, 예를들면 t-부톡시카르복시기를 폴리히드록시스티렌에 도입시켜 기초 수지로 이용한 것이 알려져 있다(미국특허 4,491,628).
종래의 폴리히드록시스티렌계 화학증폭형 포토레지스트는 해상성과 감도면에 있어서 좋지 않은 결과를 보였으며 특히 패턴 형성시 T-top 형태의 모양이 형성되고, 열적으로 매우 불안정하여 리소그라피 공정상에 부적합하다는 단점이 있다.
본 발명은 이러한 단점을 해결하고자 포토레지스트 제조용 수지에 대해 연구한 결과, 반복단위가 상기 일반식(Ⅰ)인 스티렌-아크릴계 공중합체를 개발하기에 이르렀다.
이러한 수지로부터 얻어진 화학증폭형 레지스트는 열적으로 매우 안정하며, 고감도, 고해상성, 노출후 저장안정성이 뛰어나고, 자외선, 원자외선, 엑시머 레이저, X선, 전자빔에도 감응하며 기판의 종류와 관계없이 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다는 사실을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 반복단위가 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되고, 폴리스티렌 환산 평균분자량이 1,000∼1,000,000인 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이 공중합체와 산발생제 및 용제로 구성되는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
[화학식 1]
(Ⅰ)
여기에서, ℓ, m, n은 각각 반복단위를 나타내는 수로서, 0.1≤ℓ≤0.9, 0.1≤m≤0.6 그리고 0≤n≤0.5이다. R1, R2, R3는 수소원자 또는 메틸기이며 각각 독립적이고, R4, R6는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며 각각 독립적이고, R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이며, 구체적인 예로서는 다음 치환기들((A)∼(I))을 들수있으나 다음 예들로서 한정되는것은 아니다.
상기 일반식(Ⅰ)에서 히드록시기는 접착력, 내열성 및 감도를 향상시켜주는 역할을 하며, 디메틸알릴 아세테이트기는 노광시 산의 작용에 의해 탈보호화 반응이 일어나 카르복실산으로 변환되어 용해속도를 증진시켜 해상성을 높여주는 역할을 한다. 특히 디메틸알릴 아세테이트기는 기존의 t-부틸아세테이트기 보다 탈보호화 반응 활성화에너지가 적으므로 감도를 좋게 해주는 역할을 한다. 페닐기는 패턴형성 후 하게되는 엣칭과정에서 비노광부분의 엣칭내성을 증가시켜주는 역할을 한다. 특히 아크릴계 단량체를 공중합하였으므로 열적으로 대단히 안정하다.
상기 일반식(Ⅰ)에서 히드록시스티렌계 모노머의 함유량은 20∼70%가 적절하고, 디메틸알릴 아세테이트기를 포함한 아크릴계 모노머의 함유량은 10∼50%가 적절하고, 페닐기를 갖는 스티렌계 모노머의 함유량은 0∼30%가 적절하다. 디메틸알릴 아세테이트기를 포함한 아크릴계 모노머나 페닐기를 갖는 스티렌계 모노머의 함유량이 너무 많으면 감도가 낮아지고, 그 함유량이 너무 적으면 노광부위와 비노광부위의 용해속도 차이가 적어지게 된다. 히드록시스티렌계 모노머의 함유량은 50%가 적절하고, 디메틸알릴 아세테이트기를 포함한 아크릴계 모노머의 함유량은 30% 전후가 가장 적절하며 페닐기를 갖는 스티렌계 모노머의 함유량은 10% 전후가 가장 적절하다. 기초수지의 분자량은 폴리스티렌 표준 환산 분자량이 1,000∼1,000,000까지 가능하나, 5,000∼50,000이 가장 적절하다. 또한 분자량 분포도가 1∼5가 바람직하며, 특히 1.0∼2.0이 가장 바람직하다.
반복단위가 상기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 공중합체는 다음 일반식(Ⅱ)로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ) 및 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 단량체를 중합촉매 존재하에서 제조할 수도 있고, 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ) 및 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 단량체를 중합촉매 존재하에서 제조할 수도 있다.
Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ
여기에서 R1, R2, R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 메틸기이며, R4, R6는 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며, R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이며 구체적인 예로서는 상기 치환기들((A)∼(I))을 들수 있으나, 그 예들로서 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 포토레지스트 조성물의 메트릭스 수지로 사용되는 상기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 공중합체의 합성방법은 다음과 같이 제조할수 있다.
수지합성방법예(1)
상기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 단량체를 공중합시켜 메트릭스 수지로 이용할 수 있다. 상기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 단량체 그리고 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 단량체를 사용하여 삼원공중합시킨 후 암모니움 히드록시드를 첨가하여 일반식(Ⅱ)의 단량체를 탈아세테이트화시켜 히드록시기로 바꾼 후 메트릭스 수지로 사용할 수 있다. 일반식 (Ⅳ)로 표시되는 단량체는 현상액의 농도에 따라 사용량을 적절히 조절하여 사용하여야 한다.
수지합성방법예(2)
상기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 단량체를 공중합시켜 메트릭스 수지로 이용할 수 있다. 상기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 단량체와 일반식(Ⅳ)으로 표시되는 단량체 그리고 일반식(Ⅴ)으로 표시되는 단량체를 사용하여 삼원공중합시켜 메트릭스 수지로 사용할 수 있다. 일반식 (Ⅳ)로 표시되는 단량체는 현상액의 농도에 따라 사용량을 적절히 조절하여 사용하여야 한다.
이러한 공중합체 또는 삼원공중합체는 블록 공중합, 랜덤 공중합 또는 그래프트 공중합체일 수도 있다. 상기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 중합체의 중합방법은 괴상중합, 용액중합, 현탁중합, 괴상-현탁중합, 유화중합 등의 방법으로 시행할 수 있으며, 라디칼 중합이 가장 바람직하다.
중합반응용매로는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 할로겐화 벤젠, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 에스테르류, 락톤류, 케톤류, 아미드류 중에서 1종 이상을 선택하여 사용한다. 라디칼 중합개시제로는 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일 퍼옥시드, 라우릴퍼옥시드, 아조비스이소카프로니트릴, 아조비스이소발레로니트릴, 그리고 t-부틸히드로퍼옥시드 등과 같이 일반 라디칼 중합개시제로 사용하는 것이면 특별한 제한은 없다.
상기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 중합체들의 중합온도는 촉매의 종류에 따라 적절히 선택하여 사용한다. 예를들면, 중합촉매가 아조비스이소부티로니트릴일 경우는 60∼90℃가 적절하다. 중합체의 분자량은 중합개시제의 사용량과 반응시간을 이용해 적절히 조절할 수 있다. 중합이 끝난후 반응 혼합물에 남아있는 잔량체의 잔류량이 중합체에 대해 10중량% 이하가 되어야 하고, 바람직하게는 3중량% 이하가 되어야 한다. 미반응 단량체가 3중량% 이상일 경우는 단량체를 감압증류나 용매에 의한 침전법으로 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명의 조성물에 사용되는 산발생제로서는, 종래부터 산발생제로써 알려진 것을 사용할 수가 있으며 오니움염계인 요드니움염, 술포니움염, 포스포니움염, 디아조니움염, 피리디니움염 등이 있고, 이들 염 중에서도 트리페닐술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-메틸페닐)술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-t-부틸페닐)술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-메톡시페닐)술포니움 트리플레이트, 트리페닐술포니움 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요드니움 트리플레이트, 디페닐요드니움 메틸벤젠술폰네이트, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 그리고 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄 등이 특히 좋다. 할로겐 화합물로서는 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 나프틸-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 등이 있다. 이들 외에 디아조케톤 화합물인 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물이 있고, 술폰 화합물, 술폰산 화합물 그리고 니트로벤질 화합물 등이 있다. 이들 산발생제들 중에서 특히 바람직한 화합물로는 오니움염 화합물과 디아조케톤 화합물이다. 상기의 산발생제는 총 고체성분 100중량부에 대해 0.1∼30중량부로 사용하고, 특히 0.3∼10중량부로 사용하는 것이 바람직하다. 상기의 산발생제는 단독으로 사용하거나 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 필요에 따라서는 산에 의해 분해되어 현상액에 대해 용해를 촉진시켜 주는 화합물을 사용할 수도 있다. 산에 의해 분해되어 현상액에 대해 용해를 촉진시켜 주는 화합물로서는 방향족 폴리히드록시 화합물이 t-부톡시카르보옥시기로 보호된 화합물을 들 수 있다. 레지스트 제조시 사용량은 총고체성분 100중량부에 대해 5∼80중량부이고, 바람직하게는 10∼50중량부이다.
본 발명의 조성물은 필요에 따라 첨가제를 사용할 수 있다. 이러한 첨가제로는 계면활성제, 아조계화합물, 할레이션 방지제, 접착조제, 보존안정제 및 소포제를 들 수 있다. 계면활성제로는 폴리옥시라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 논일 페놀에테르, 폴리에틸렌 글리콜 디라우레이트 등을 들 수 있다. 이들 계면활성제는 총 고체성분 100중량부에 대해 2중량부 이하로 사용하는 것이 좋다. 또한 본 발명의 양성 포토레지스트 조성물에는 상기 성분이외에도 감도나 해상성을 향상시키기 위해 흡광제를 사용하는 경우가 있다. 이같은 흡광제로는 벤조페논류의 화합물이나 나프토퀴논류의 화합물이 바람직하다. 그 사용량은 총 고체 성분에 대해 0.2∼30중량%이고 바람직하게는 0.5∼10중량%이다.
또한 노광후 발생된 산의 확산을 막아주기 위해 염기성 화합물을 사용할 수도 있다. 염기성 화합물로서는, 아민계 화합물이나 암모니움 화합물을 들 수 있다. 예를들면 대표적으로 트리페닐아민과 테트라메틸암모니움히드록시드이다. 염기성 화합물의 첨가량은 총고체 성분에 대해 0.05∼5중량부가 적절하다. 이보다 첨가량이 많아지면 산의 확산은 줄어드는 반면, 감도가 떨어지는 단점이 있다.
본 발명에서의 포토레지스트 조성물은 통상적으로 적당한 용매에 용해시켜 사용한다. 균일하고 평탄한 도포막을 얻기 위해서는 적당한 증발속도와 점성을 가진 용매를 사용하여야 한다. 이러한 물성을 가진 용매로서는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥산논, 메틸 2-히드록시프로피오네이트, 에틸 2-히드록시프로피오네이트, 2-헵타논, N-메틸 피롤리돈, N,N-디메틸포름 아미드, N,N-디메틸아세트 아미드, 에틸 피루베이트, n-아밀 아세테이트, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤 등이며, 경우에 따라서는 이들 단독 또는 2종 이상의 혼합용매를 사용한다. 용매의 사용양은 사용 용매의 물성 즉 휘발성, 점도 등에 따라 적당량 사용하여 웨이퍼 상에 균일하게 형성될 수 있도록 조절한다.
본 발명의 조성물은 용액의 형태로 제조하여 웨이퍼 기판상에 도포하고 건조하는 것에 의해 포토레지스트 도막을 형성한다. 이때 기판상의 도포 방법으로는 레지스트 용액을 제조하여 여과한 후, 이 용액을 회전 도포, 흘림 도포, 또는 롤 도포 등의 방법으로 기판상에 도포할 수 있다.
이와같은 방법에 의해 도포시킨 레지스트 막은 미세 패턴을 형성하기 위하여 부분적으로 방사선을 조사해야 한다. 이때 사용하는 방사선은 특별히 한정되지는 않지만, 예를들면 자외선인 i-선, 원자외선인 엑시머레이저, X-선, 하전입자선인 전자선 등으로 산발생제의 종류에 따라서 사용될 수 있다. 이와같은 방사선 조사후에 감도를 향상시키기 위해 경우에 따라서는 가열처리할 수도 있다.
마지막 현상에 사용되는 현상액으로는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 트리에틸아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸 암모늄히드록시드 등을 함유하는 수용액에서 선택하여 사용한다. 특히 이들 중 테트라메틸암모늄 히드록시드가 바람직하다. 필요에 따라서는 계면활성제, 수용성알콜류 등을 첨가제로 사용할 수 있다.
본 발명의 포지티브형 포토레지스트는 자외선인 i-선, 원자외선인 엑시머레이저, X-선, 하전입자선인 전자선 등을 비롯한 임의의 방사선을 사용하기에 적합하고, 보존 안정성, 해상성 등이 우수해 미세화가 진행되는 반도체 디바이스 제조용의 포토레지스트로 적합하게 사용될 수 있다.
본 발명은 하기 합성예와 실시예로써 구체적으로 설명한다. 그러나 본 발명이 이들 합성예와 실시예로써 한정되는 것은 아니다.
단량체(A)의 합성예
2-메틸-2-부텐올 4.3g과 메타아크릴로일 클로라이드 6.8g을 30㎖의 디클로로메탄 용매에 녹인 후 0℃에서 트리에틸아민 7.6g을 서서히 적하시킨다. 적하가 끝난 후 상온으로 승온시켜 3시간 동안 교반시킨다. 반응이 끝난 후 반응물을 포타슘 카보네이트 수용액과 증류수로 세척해 준다. 유기층을 분리하여 마그네슘 술페이트로 건조시킨 후 감압증류로 용매를 제거하면 단량체(A)를 6.5g(83%)의 수율을 얻는다.
수지 합성예 (1)
단량체(A) 9.5g 그리고 단량체(B) 20g을 톨루엔 55㎖에 녹이고 반응기 내부를 질소가스 충전시킨 후 단량체 양의 0.1mol%의 AIBN을 첨가한 후 70℃에서 18시간 동안 교반시킨다. 이 반응물을 상온으로 냉각시킨 후 페트로리움 에테르에서 침전시킨 후 진공건조한다. 이 침전물을 메탄올에 녹인 후 암모니아수에 적가하고 빙초산으로 중화한 후 과량의 증류수에서 침전을 형성시키고 진공건조시켜 수지 25g(수율85%)를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 6,500 이었다.
수지 합성예 (2)
단량체(A) 9.5g, 단량체(B) 20g, 그리고 단량체(D) 1.3g을 톨루엔 55㎖에 녹여 수지합성예 1)과 같은 방법으로 실시하여 26g의 수지를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 6,800 이었다.
수지 합성예 (3)
단량체(A) 11.4g 그리고 단량체(B) 20g을 톨루엔 55㎖에 녹여 수지합성예 1과 같은 방법으로 실시하여 24g의 수지를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 6,300 이었다.
수지 합성예 (4)
단량체(A) 11.4g, 단량체(B) 20g, 그리고 단량체(D) 1.3g을 톨루엔 55㎖에 녹여 수지합성예 1과 같은 방법으로 실시하여 25g의 수지를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 6,700이었다.
수지 합성예 (5)
단량체(A) 14,1g, 단량체(C) 20g 그리고 단량체(D) 1.73g을 톨루엔 55㎖에 녹이고 반응기 내부를 질소가스 충진시킨 후 단량체 양의 0.1mol%의 AIBN을 첨가한 후 70℃에서 18시간 동안 교반시킨다. 이 반응물을 상온으로 냉각시킨 후 페트로리움 에테르에서 침전시킨 후 진공건조한다. 이 침전물을 메탄올에 녹인 후 과량의 증류수에서 침전을 형성시키고 진공건조시켜 29g(수율 80%)의 수지를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 7,800이었다.
수지 합성예 (6)
단량체(A) 14.1g, 단량체(C) 20g 그리고 단량체(D) 1.73g을 톨루엔 55㎖에 녹여 수지합성예 5과 같은 방법으로 실시하여 30g의 수지를 얻었다. 이 수지의 폴리스티렌 표준환산 분자량은 8,100이었다.
실시예 (1)
수지 합성예 1에서 얻은 수지 중합체 100중량부에 대하여 산발생제인 트리페닐술포니움 트리플레이트 0.8중량부를 에틸락테이트 350중량부에 용해시킨 후 0.1㎛막 필터로 여과하여 레지스트액을 얻었다.
레지스트를 스피너를 사용하여 도포하고 90℃에서 90초간 베이킹하여 0.7㎛ 두께의 피막을 얻었다. 이 피막에 248㎚ KrF 엑시머 레이저 스텝퍼를 사용하여 패턴크롬마스크를 통해 노광시킨 후 110℃에서 60초간 베이킹한 후 2.38중량% 테트라메틸암모니움 히드록시드 수용액으로 60초간 현상, 건조하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 20mJ/cm2에서 0.22㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴을 얻었고, 패턴의 단면형상은 사각형이었으나, 상단부가 둥근 상태를 나타내었다. 그러나, 노광후 2시간 방치한 다음 110℃에서 60초간 베이킹 한 것은 패턴의 모양이 변형되어 T-top 형성이 되었다.
실시예(2)
수지 합성예 2에서 얻은 수지 100중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 24mJ/cm2에서 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 패턴의 단면형상은 약간 둥근 사각형태를 나타내었다.
실시예(3)
수지 합성예 3에서 얻은 수지 100중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 22mJ/cm2에서 0.22㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 패턴의 단면형상은 약간 둥근 사각형태를 나타내었다.
실시예(4)
수지 합성예 4에서 얻은 수지 100중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 24mJ/cm2에서 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었꼬, 패턴의 단면형상은 양호한 사각형태를 나타내었다.
실시예(5)
수지 합성예 2에서 얻은 수지 100중량부, 트리페닐술포니움 트리플레이트 2.5중량부를 에틸락테이트 350중량부에 용해시켰다. 그리고 트리페닐술포니움 트리플레이트에 대하여 알킬암모니움 히드록시드를 첨가시킨 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 27mJ/cm2에서 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 패턴의 단면형상은 양호한 사각형태를 나타내었다. 또한 노광 후 1시간 동안 방치한 다음 110℃에서 60초간 베이킹 한 것도 패턴의 모양이 변형됨이 없이 양호한 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴을 나타내었다.
실시예(6)
수지 합성예 4에서 얻은 수지 100중량부, 트리페닐술포니움 트리플레이트 2.0중량부를 에틸락테이트 330중량부에 용해시켰다. 그리고 트리페닐술포니움 트리플레이트에 대하여 20몰%의 알킬암모니움 히드록시드를 첨가시킨 것을 제외하고는 실시예 1에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 26mJ/cm2에서 0.18㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 패턴의 단면형상은 양호한 사각형태를 나타내었다. 또한 노광후 1시간동안 방치한 다음 110℃에서 60초간 베이킹 한 것도 패턴의 모양이 변형됨이 없이 양호한 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴을 나타내었다.
실시예(7)
수지 합성예 5에서 얻은 수지 100중량부, 산발생제인 트리페닐술포니움 트리플레이트 1.0중량부를 에틸락테이트 350중량부에 용해시킨 후 0.1㎛막 필터로 여과하여 레지스트액을 얻었다. 레지스트를 스피너를 사용하여 도포하고 90℃에서 90초간 베이킹하여 0.7㎛ 두께의 피막을 얻었다. 이 피막에 248㎚ KrF 엑시머 레이저 스텝퍼를 사용하여 패턴크롬마스크를 통해 노광시킨 후 110℃에서 60초간 베이킹한 후 2.38중량% 테트라메틸암모니움 히드록시드 수용액으로 60초간 현상, 건조하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 22mJ/cm2에서 0.20㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴을 얻었고, 패턴의 단면형상은 양호한 사각형태를 나타내었다.
실시예(8)
수지 합성예 6에서 얻은 수지 100중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예7에서와 같은 방법으로 레지스트 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 25mJ/cm2에서 0.22㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 패턴의 단면형상은 사각형태를 나타내었으나, 노광후 2시간 방치한 다음 110℃에서 60초간 베이킹 한 것은 패턴의 모양이 변형되어 T-top 형성이 되었다.
실시예(9)
실시예 7에서 사용한 중합체 100중량부, 트리페닐술포니움 트리플레이트 2.0중량부를 에틸락테이트 330중량부에 용해시켰다. 그리고 트리페닐술포니움 트리플레이트에 대하여 30몰%의 알킬암모니움 히드록시드를 첨가시킨 것을 제외하고는 실시예 7에서와 같은 방법으로 패턴을 형성하였다. 이같이 형성된 레지스트 패턴은 노광량 25mJ/cm2에서 0.175㎛의 라인-앤드-스패이스 패턴이었고, 단면형상은 양호한 사각형태를 나타내었다.
본 발명에서는 기존의 화학증폭형 포토레지스트의 메트릭스 수지에 아크릴계 단량체를 공중합하므로써 보다 열적으로 안정하고 탈보호화 반응을 일으켜 레지스트의 물리적, 화학적 변화를 일으키는 작용기를 좀더 탈보호화 활성화 에너지가 적은 작용기로 치환하므로써 감도가 매우 향상되었다.
본 발명의 스티렌-아크릴계 공중합체를 합성하여 포토레지스트 조제를 한 후 테스트한 결과 원자외선, KrF 엑시머 레이저 등의 방사선에 대하여 고감도, 고해상성, 내열성 노출후 안정성이 뛰어나고, 기판의 종류에 관계없이 우수한 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다.

Claims (3)

  1. 반복단위가 다음 일반식(Ⅰ)로 표시되고, 폴리스티렌 환산 평균 분자량이 1,000∼1,000,000인 스티렌-아크릴계 공중합체
    [화학식 1]
    (Ⅰ)
    여기에서, R1, R2, R3는 수소원자 또는 메틸기이며 각각 독립적이고, R4, R6는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며 각각 독립적이고,ℓ, m, n은 각각 반복단위를 나타내는 수로서, 0.1≤ℓ≤0.9, 0.1≤m≤0.6 그리고 0≤n≤0.5이다. 그리고 R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이다.
  2. 반복단위가 다음 일반식(Ⅰ)로 표시되는 공중합체와 산발생제 및 용제로 구성되는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
    [화학식 1]
    (Ⅰ)
    여기에서, R1, R2, R3는 수소원자 또는 메틸기이며 각각 독립적이고, R4, R6는 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 할로겐기를 나타내며 각각 독립적이고,ℓ, m, n은 각각 반복단위를 나타내는 수로서, 0.1≤ℓ≤0.9, 0.1≤m≤0.6 그리고 0≤n≤0.5이다. 그리고 R5는 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기이다.
  3. 제 2항에 있어서, 산발생제가 트리페닐술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-메틸페닐)술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-t-부틸페닐)술포니움 트리플레이트, 디페닐(4-메톡시페닐)술포니움 트리플레이트, 트리페닐술포니움 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요드니움 트리플레이트, 디페닐요드니움 메틸벤젠술포네이트, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄, 1,1-비스(4-클로로페닐)-2,2,2-트리클로로에탄, 페닐-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 나프틸-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 중에서 하나 이상을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물.
KR1019980017957A 1998-05-19 1998-05-19 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물 KR100265940B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980017957A KR100265940B1 (ko) 1998-05-19 1998-05-19 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980017957A KR100265940B1 (ko) 1998-05-19 1998-05-19 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990085504A true KR19990085504A (ko) 1999-12-06
KR100265940B1 KR100265940B1 (ko) 2000-09-15

Family

ID=19537480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980017957A KR100265940B1 (ko) 1998-05-19 1998-05-19 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100265940B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100504436B1 (ko) * 2000-12-29 2005-07-29 주식회사 하이닉스반도체 포토 레지스트용 중합체 및 이의 제조 방법
KR100604802B1 (ko) * 2000-03-07 2006-07-26 삼성전자주식회사 백본에 나프탈렌 유도체가 도입된 감광성 폴리머와 이를포함하는 레지스트 조성물
WO2019009499A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100384810B1 (ko) * 2000-02-16 2003-05-22 금호석유화학 주식회사 저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물
JP3891257B2 (ja) * 2001-06-25 2007-03-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
KR101661087B1 (ko) * 2016-06-22 2016-10-10 주식회사 건파워 사격 게임용 타겟 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100604802B1 (ko) * 2000-03-07 2006-07-26 삼성전자주식회사 백본에 나프탈렌 유도체가 도입된 감광성 폴리머와 이를포함하는 레지스트 조성물
KR100504436B1 (ko) * 2000-12-29 2005-07-29 주식회사 하이닉스반도체 포토 레지스트용 중합체 및 이의 제조 방법
WO2019009499A1 (ko) * 2017-07-04 2019-01-10 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
KR20190004583A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 주식회사 엘지화학 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법
US11003077B2 (en) 2017-07-04 2021-05-11 Lg Chem, Ltd. Positive photoresist composition, photoresist pattern using the same, and manufacturing method of the photoresist pattern

Also Published As

Publication number Publication date
KR100265940B1 (ko) 2000-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100195583B1 (ko) 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100271420B1 (ko) 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
JP3120077B2 (ja) 化学増幅型レジスト製造用重合体及びこれを含有するレジスト組成物
US7776505B2 (en) High resolution resists for next generation lithographies
JP3120078B2 (ja) 感放射線性レジスト製造用重合体及びこれを含有するレジスト組成物
JP3554532B2 (ja) ノルボルナン系低分子化合物添加剤を含む化学増幅型レジスト組成物
US7270936B2 (en) Negative resist composition comprising hydroxy-substituted base polymer and Si-containing crosslinker having epoxy ring and a method for patterning semiconductor devices using the same
KR0185321B1 (ko) 화학증폭형 양성 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
KR100265940B1 (ko) 포토레지스트 제조용 스티렌-아크릴계 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100230134B1 (ko) 포지티브 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 포지티브 포토레지스트 조성물
JP3476359B2 (ja) レジスト材料とその調製方法、及びレジストパターンの形成方法
KR20000024975A (ko) 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100270352B1 (ko) 화학 증폭형 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는화학 증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100195582B1 (ko) 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물의 메트릭스 수지용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물
KR100253584B1 (ko) 신규한 포토레지스트용 공중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
KR19980056207A (ko) 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100251464B1 (ko) 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
JPH05331289A (ja) 二酸化硫黄と核置換スチレン誘導体との共重合体
KR19990073776A (ko) 양성 포토레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형양성 포토레지스트의 조성물
KR100583094B1 (ko) 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O064 Revocation of registration by opposition: final registration of opposition [patent]
LAPS Lapse due to unpaid annual fee