KR19990082509A - 모노리식 프리즘 어셈블리를 장착한 외부 공동 반도체 레이저 - Google Patents

모노리식 프리즘 어셈블리를 장착한 외부 공동 반도체 레이저 Download PDF

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마이클 에이. 스코비
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잭 에이치. 클레랜드
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Abstract

축소, 외부 공동, 필터-잠금 레이저는 다이오드 레이저와 같이, 반도체 광학 증폭기 및 외부 공진 공동 내에 이격된 모노리식 프리즘 어셈블리를 갖는다. 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 기운, 즉, 상기 외부 공동 내의 레이저 광 경로에 수직이 아닌 방향으로 된 박막 패브리-페로 간섭 필터를 포함한 투명한 기판을 포함한다. 상기 광학 장치는 단단한 내성 내에서 유지된 재현성있는 스펙트랄 성능 특성을 갖는, 유리하게 작은 크기로 경제적으로 대량 생산될 수 있다. 매우 유리한 적용은 각각의 다중 채널에 대하여 밀접하게 배치된 파장 서브범위를 요구하는 밀파 분해 다중화 시스템을 포함한다. 온도 및 습도 변화 등에 대한 고 파장 안정성이 성취될 수 있다.

Description

모노리식 프리즘 어셈블리를 장착한 외부 공동 반도체 레이저
첫 번째 목적에 따라, 외부 공진 공동 내에 모노리식 프리즘 어셈블리를 갖는 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 광학 증폭기를 갖는 외부 공동 레이저가 제공된다. 어떤 바람직한 실시예에 따라, 상기 광학 증폭기는 예를 들면 InGaAsP로 제조된 것과 같은 다이오드 레이저에 사용되는 것과 같은 반도체 광학 증폭기이다. 다른 적합한 게인 (gain) 부품은 예를 들면, 에르븀 (erbuim) 도핑 (doped)된 실리카, 게르마니아 (germania) 또는 섬유로서 제조된 다른 광학 물질 등을 포함한다. 어떤 실시예에서, 상기 광학 증폭기는 직접적인 밴드갭 (bandgap) 광학 발산기 (emitter)이다. 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 투명한 기판, 즉 상기 레이저 광에 대한 실질적이고 광학적으로 투명한 기판을 포함하며, 그들 사이에 적어도 하나의 박막 공동이 삽입된 다중 박막 반사기를 포함하는 패브리-페로 간섭 필터 (interference filter)를 도입한다. 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 상기 외부 공동 내의 레이저 광 경로에 배치된다. 더 상세하게, 이는 약간의 각도로 횡 평면 (transverse plane)으로 향한다. 즉, 이는 횡 평면에 대한 각도가 0이 아닌 방향에 배치된 상기 투명 기판의 표면 (하기 기술된 바와 같은 내부 또는 외부 표면) 상에서 수행된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "횡 평면"은 상기 외부 공동 내의 레이저 광 경로에 수직 또는 직각인 가상 평면이다. 유사하게, 상기 투명 기판의 횡파 표면은 횡 평면 내 (또는 대략적으로 횡 평면 내)에 놓여있는 것이다. 결과적으로, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 비-횡 평면 내에 있다; 이는 이를 통과하는 상기 레이저 광 경로에 대해 수직이 아니다. 오히려, 이는 횡 평면에 대하여 통상적으로 45o보다 작고 0o보다 크거나, 바람직하게는 약 1o내지 5o, 더 바람직하게는 약 1o내지 2o인 예각이다.
한 목적에 따라, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 투명한 광학 기판의 표면상의 코팅으로서 제공되는 안정하고, 협대역 (narrow band)의 간섭 필터이다. 상기 간섭 필터는 바람직하게는 박막 반사기 레이저에 삽입된 적어도 하나의 박막 공동 레이저를 갖는 반면, 더 바람직하게는 이는 2 내지 5의 공동의 다중-공동 필터이며, 가장 바람직하게는 2 또는 3의 공동을 갖는다. 상기 각 공동은 짝수의 1/4 파장 또는 QWOT와 동일한 광학적 두께 (그의 실제 물리적 두께×상기 공동 물질의 굴절률로 계산됨)를 갖는다. 상기 언급된 파장은 통상적으로 상기 필터를 통하여 송신되는 레이저 광의 파장 밴드의 중간이다. 각 공동은 상기 각 유전성 (dielectric) 필름에 대하여 바람직하게는 1 내지 15, 더 바람직하게는 5 내지 10의 반 파장 광학적 두께로 합산된 짝수의 1/4 파장과 동일한 광학적 두께를 갖는 바람직하게 하나 내지 세 개의 유전성 필름으로 제조된다. 이들 각각 사이에 공동 레이저를 삽입한 상기 반사기 레이저는 바람직하게, 하기에 더 상세하게 기술된 바와 같이, 1/4 파장 광학적 두께로 제조된다. 가장 바람직하게, 상기 필터는 각 반사기 공동 필름 구조가 1/4파 (quaterwave) 두께 광학적 연결 층을 이용하는 다른 것에 각각 가간섭적으로 연결된 다중-공동 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터이다. 상기 모노리식 프리즘 어셈블리 내에 다중 공동 패브리-페로 간섭 필터의 사용은 단일한 공동 필터와 비교하여, 더 넓은 송신 영역을 따라, 상기 스펙트랄 가장자리의 증가된 기울기를 갖는 필터를 생산한다. 이러한 효과는 모두, 하기에 더 잘 기술된 바와 같이, 에탈론 (etalon) 및 회절 격자와 같은 이미 공지의 필터화 장치와 비교하여 본 명세서에서 기술된 상기 외부 공동 레이저의 성능 특성에 있어서 매우 유리한 향상을 초래한다.
하기 기술된 바와 같이, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 전통적인 의미의 프리즘 내에 어떠한 광 회절 기능도 제공할 필요가 없음을 더욱 이해할 것이다. 상기 광학 발산기로부터 나온 빛은 밴드-내 빛은 송신되고, 밴드-외 빛은 반사되도록 작동된다. 결과적으로, 밴드-내 빛은 밴드-외 광으로부터 분리된다. 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 또한 필터 모노리스 (monolith)로서 언급될 수 있는데, 이는 다시 말하면, 박막 반사기에 삽입된 적어도 하나의 박막 공동을 포함하는 박막 패브리-페로 간섭 필터를 도입한 투명한 기판 어셈블리를 의미한다.
어떤 바람직한 실시예에 따라, 상기 모노리스 프리즘 어셈블리는 상기 광학 증폭기의 외부 공진 공동의 일측 말단을 한정하는 횡 표면상에서 반사성 코팅, 바람직하게는 고 반사 코팅을 포함하며, 상기 전술한 패브리-페로 간섭 필터는 제 1 표면에 대한 예각으로 배치된 제 2 표면상에 포함된다. 상기 목적에 따른 광학 장치들은 유리하게, 외부 공동, 상기 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 제 1 발산기 각면 상에 반-반사 코팅을 수반한 반도체 다이오드 레이저를 발산하는 엣지를 포함한다. 출력 커플러 (coupler) 반사 코팅은 상기 다이오드 레이저의 제 2 발산기 각면 상에 제공된다. 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 상기 외부 공진 공동의 일측 말단을 한정하는 외부 표면상에서 공동-반사 코팅을 포함한 투명한 광학 기판을 포함하면서 외부 공진 공동 내에 배치된다. 박막 패브리-페로 간섭 필터가 상기 반사 코팅과 상기 제 1 발산기 각면 사이의 외부 공진 공동 내에 배치된, 상기 광학 기판의 제 2 표면상에 제공된다. 그래디언트 인덱스 (gradient index) 렌즈 또는 벌크 렌즈 등과 같은 하나 또는 그이상의 시준 수단도 또한, 예를 들면, 상기 다이오드 레이저의 제 1 발산기 각면과 상기 패브리-페로 간섭 필터 사이의 광 초점을 맞추기 위해, 상기 외부 공진 공동 내에 배치된다. 일사기 (insolator)들이 통상적인 방법으로 상기 공동 외부에 사용될 수 있다.
당업자 또는 상기 기술 분야를 이해할 수 있는 자는 본 명세서에서 기술된 상기 광학 장치들이 의미 있는 기술상의 발전임을 인지할 것이다. 본 명세서에 따른 반도체 광학 증폭기를 사용하는 외부 공동 레이저는 정확하고 재현성있는 발산 파장, 우수한 온도 안정성 및 파장 드리프트 (drift)에 대한 우수한 저항성을 갖도록 제조될 수 있다. 또한, 특히, 바람직한 실시예에 따른 상기 레이저들은 공지의 FP 레이저, DFB 레이저 또는 DBR 레이저와 비교할 만한 제조 비용으로, 큰 상업적 양 및 축소 크기로 제조될 수 있음은 매우 의미있다. 하기 기술된 바와 같이, 본 명세서에 기술된 상기 레이저 장치의 바람직한 예는 상기 발산된 파장 또는 밴드를 안정화시키거나 고정시키기 위해 외부 공동 레이저 내에 박막 패브리-페로 간섭 필터의 사용을 위한 필터-고정화 레이저로서 언급될 수 있다. 본 명세서에 기술된 상기 레이저 및 이들을 도입한 광학 장치들의 바람직한 예는 ±0.1 nm 내의 발산 파장 및 0.005 nm/℃ 또는 그 이하, 바람직하게는 0.001 nm 또는 그이하의 온도 의존도와 함께 상업적 양으로 재현성있게 제조될 수 있다. 긴 주기 파장 드리프트는 ±0.1 nm 이하로 유지될 수 있다. 또한, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터를 도입한 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 어떤 바람직한 실시예에서 상기 다이오드 레이저의 전체 공동 길이를 5mm보다 작게 할 수 있다. 당업자라면, 이러한 상품 및 성능 특성들은 본 명세서에 기술된 레이저의 바람직한 예 및 이들을 도입한 광학 장치들이 적합하도록 하며, 가장 주목할만하게, 밀파 분해 다중화 광-섬유 통신 시스템 (dense wavelenth division multiplexing fiber-optic communication system)과 같은 적용에 대하여 상업적으로 실용적이 되도록 함을 인지할 것이다. 상술된 바와 같이, 파장 조절을 위해 회절 격자 또는 유사 부품을 도입한 것과 같은 이미 공지의 다이오드 레이저들은 너무 복잡하며 벌키하고, 신빙성이 없으며, 및/또는 상기 적용의 정확화 사항을 만족시키기에 비쌌다.
본 발명의 또다른 목적 및 장점은 상세한 설명의 실시예를 통하여 좀더 분명하고 쉽게 이해될 것이다.
본 발명은 외부 광학적 공동 (external optical cavity)이 엣지-발산 (edge-emitting) 반도체 광학 증폭기 (amplifier)의 한 각면 및 외부 반사기 (reflector) 사이에 확장된 외부 공동 다이오드 레이저 (diode laser)와 같은 외부 공동 반도체 레이저를 장착한 광학 장치에 관한 것이다. 더 상세하게, 본 발명은 안정화된 발산 파장을 갖는 외부 공동 반도체 광학 증폭기에 관한 것이다.
외부 공동 반도체 레이저는 공지되어 있으며, 광-섬유 통신 (optic-fiber communication)을 포함한 많은 용도 및 적용에 사용된다. 상기 광학 장치의 전형인 외부 공동 다이오드 레이저에서, 광학 공동은 엣지-발산 반도체 다이오드 레이저의 한 각면과 외부 고 반사기 사이에 뻗어있다. 상기 고 반사기와 제 1 각면 사이의 상기 엣지-발산 반도체 레이저의 제 2 각면은 통상적으로 빛이 최소 반사와 함께 상기 레이저 칩 (chip)을 탈착하기 쉽도록 하는 반-반사 코팅을 포함한다.
반도체 다이오드 레이저는 광-섬유 통신을 위한 송신기 (transmitters)로서 광범위하게 사용되어 왔다. 일반적이고, 저 비용의 임플리멘테이션 (implementation)에서, 상기 레이저 칩의 두 개의 반대 말단 각면의 엣지는 공진성 (resonant) 반사 표면을 형성하기 위해 절단되며, 레이저 작동을 위해 필수적인 피드백 (feedback)을 제공한다. 이러한 패브리-페로(Fabry-Perot, FP) 레이저는 통상적으로 다수의 세로 모드 (longitudinal mode)를 발산하며, 예를 들면, 3nm 내지 10nm의 큰 출력 밴드폭 (bandwidth)을 갖는다. 복잡성이 약간 증가된 또다른 일반적인 임플리멘테이션에서, 브래그 (Bragg) 격자는 분배된 피드백 레이저 (distributed feedback laser, DFB)를 제조하기 위해 패브리-페로 레이저의 활성 영역 내에서 에칭(etch)된다. 분배된 피드백 레이저는 통상적으로 예를 들면, 0.01nm 이하의 매우 좁은 밴드폭을 제공하는 단일한 세로 모드를 발산하는 장점이 있다. 세 번째 적용에서, 상기 분배된 브래그 반사기 (DBR) 레이저는 파장-선택적 브래그 격자를 상기 패브리-페로 레이저의 절단된 각면 중 하나로 치환시킨다. 상기 파장-선택적 브래그 격자는 단일한 세로 모드 출력을 갖는 레이저를 생산하는데 효과적이다.
상기 및 다른 다이오드 레이저의 적용은 생성된 특정 파장에서 부적절한 안정성 및 정확성 때문에 방해받는다. 특히, 예를 들면, 이러한 난점들은 밀파 분해 다중화 (Dense Wavelength Division Multiplexing, DWDM)에 다이오드 레이저를 적용할 때 나타난다. 이러한 향상된 광-섬유 통신 기술로, 밀접하게 위치한 많은 파장 및 채널 (channel)들은 단일한 섬유 또는 섬유 다발 하부로 일제히 송신된다. DWDM 시스템에서 채널의 통상적인 배치는 5nm 내지 1nm 또는 그 이하의 채널 공간을 가질 수 있다. 효과적인 DWDM 시스템을 완성시키기 위해, 예정된 파장의 안전하고 정확한 송신기가 각각의 채널에 요구된다. 다른 채널로부터 저혼신 또는 무혼신과 함께 개개의 채널 파장을 선택적으로 제거하거나 수신하는데 안정하고 정확한 파장-선택적 수신기도 또한 요구된다. DWDM 시스템이 효과적으로 작동하기 위해, 특정 채널에 대한 송신기 및 수신기는 매우 정확하게 동일한 파장 밴드로 조정되어야 한다.
불행히도, 상기 언급된 FP 레이저, DFB 레이저 및 DBR 레이저를 포함하는 현재 공지의 반도체 다이오드 레이저에 의해 발산된 상기 파장 밴드는 수용 불가능하게 큰 온도 범위 및 다른 인자로 변화한다. FP 레이저의 중앙 파장 온도 의존도는 예를 들면, 통상적으로 실온에서 온도를 조정하는 0.4nm/℃ 변화만큼 크다. DFB 레이저에 대한 상기 비교할 만한 변화는 통상적으로 0.1nm/℃ 정도이다. 현재 공지의 반도체 다이오드 레이저들도 또한 나쁜 제조 재현성의 단점을 나타낸다. 즉, 의도한 또는 특정 발산 파장은 상기 레이저들이 큰 상업적 량으로 제조될 때, 적절한 정확성을 갖지 않는다. 이러한 결함은 반도체 다이오드 레이저들을 어렵게 만들고, DWDM 시스템과 같은 적용을 실행하는데 비싸며, 많은 경우, 전체적으로 부적절하다.
개개의 레이저의 상기 온도 의존성은 예를 들면, 온도 센서 (sensor)로부터 밀착된 루프 (loop) 피드백을 갖는 열전기적 냉각기를 이용하여 매우 작은 온도 범위 내로 상기 레이저의 온도를 조절함으로써 완화될 수 있음이 알려져 있다. 이러한 조절은 복잡하고 비싸다. ±5nm 및 심지어 ±10nm만큼 클 수 있는 현재 공지의 반도체 다이오드 레이저들의 상업적 제조시의 롯-투-롯 (lot-to-lot) 파장 변화를 조절하는 더 큰 문제조차 원하는 파장을 갖는 레이저에 대한 뱃치 (batch) 제조를 통하여 선별함으로써 부분적으로 극복되어 왔다. 이러한 각 레이저의 파장 검사 기술은 증가된 비용 및 복잡성과 동시에 제조 수율에 대하여 상당히 나쁜 영향을 미친다.
선택적 타입의 반도체 다이오드 레이저, 특히 외부 공동 조정 가능한 레이저를 사용하는 것도 또한 제안되어 왔다. 외부 공동 조정 가능한 레이저들은 예를 들면, Day 등의Widely Tunable External Cavity Diode Lasers, SPIE, 2378권, 35-41에 개시되어 있다. Day 등에 의해 제시된 상기 다이오드 레이저 장치에서, 반-반사 코팅 (anti-reflective coating)이 다이오드 레이저 칩의 한 각면 상에 배치되었다. 상기 발산 광은 시준경 (collimating lens) 내에서 포획되고, 회절 격자는 상기 레이저의 파장을 선택하거나 조정하는데 사용된다. 일반적으로, 상기 격자가 다이오드의 스펙트랄 게인 (spectral gain) 영역 내의 파장을 선택한다고 가정하면, 레이저 작용이 발생한다. 외부 공동 내에 배치된 회절 격자를 사용한 다이오드 레이저 장치도 또한 Mooradian의 미국특허 제 5,172,390에 기술되어 있다. 불행하게도, 다이오드 레이저의 상기 외부 공동 내에 배치된 회절 격자들은 상기 장치의 전체 크기 또는 벌크 (bulk)에 상당한 증가를 야기시킨다. 상기 회절 격자 및 상기 필요한 회절 배치 시스템의 복잡성도 또한 상기 장치의 비용을 상당히 증가시킬 수 있다. 상기 장치의 크기 또는 벌크로서, 외부 공진 공동 내에 배치된 회절 격자를 갖는 다이오드 레이저에 대한 공동 길이는, 공지의 장치에 따라, 통상적으로, 매우 작은 1mm 크기 또는 더 작은 크기의 상술된 FP 레이저 및 DFB 레이저와 대조적으로, 25mm 내지 100 mm 이상이다. 상기 회절 격자 및 격자 장착대 (mount)는 또한 온도 의존성을 나타내는 것으로 관찰되었다. 상기 회절 격자가 상기 레이저의 파장을 형성하기 때문에, 상기 격자 및 격자 장착대의 온도 의존도는 상기 레이저의 발산된 파장에서 원하지 않는 불안정성을 야기시킨다. 또한, 더 긴 파장 드리프트 (drift) 문제가 나타났는데, 이는 상기 장치의 상기 회절 격자 및 격자 장착대 면의 기계적 복잡성 때문인 것으로 판단된다.
본 발명의 목적은 우수한 파장 안정성 및 정확성을 갖는 반도체 레이저 장치를 제공하는 것이다. 특히, 수용 가능한 제조 비용, 복잡성 및 크기 또는 벌크 특성을 갖는 상기와 같은 장치를 제공하는 것이 목적이다. 본 발명의 또다른 목적은 하기 명세서 및 특정한 바람직한 실시예를 통하여 분명해질 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 하기 도면을 참조로 기술된다.
도 1은 전술한 바와 같이, 외부 공동 레이저를 도입한 광학 장치의 첫 번째 바람직한 실시예를 나타내는 예시도이다.
도 2는 두 번째 바람직한 실시예에 따른 외부 공동 레이저의 예시도이다.
도 3-5는 도 1 및 2의 반도체 광학 증폭기 내에 사용되기에 적합한 모노리식 프리즘 어셈블리의 박막 패브리-페로 간섭 필터의 예시도이다.
도 6은 비교할 만한 1 및 2-공동 박막 패브리-페로 간섭 필터의 대응 성능에 따라, 도 3-5에 다른 양질의 3-공동 패브리-페로 간섭 필터의 이론적인 성능을 나타낸 그래프이다.
도 7은 또다른 바람직한 실시예에 따른 외부 공동 레이저를 포함하는 광학 장치의 예시도이다.
도 8은 본 발명에 따른 다수의 외부 공동 레이저를 도입한 밀파 분해 다중화 장치의 예시도이다.
상기 도면에 예시된 광학 장치들은 이들의 다양한 디멘션 또는 각도 관계에 필수적으로 목적을 두고 있지 않다. 당업자들은 전술한 명세서 및 하기 기술된 명세서의 바람직한 실시예의 목적의 범위 내에서, 특정 적용을 위해 의도된 상기 장치에 대하여 적절한 디멘선 및 각도 관계를 선택할 수 있다.
상기 토의로부터 당업자는 본 명세서에 기술된 상기 외부 공동 레이저가 광-섬유 전화 시스템, 특히 매우 좁고, 정확하게 조절된 송신 파장이 요구되는 밀파 분해 다중화를 사용하는 시스템에서의 사용을 포함하는 다양한 적용을 가짐을 알 수 있을 것이다. 부가적인 적용은 예를 들면, 실험실 기구뿐만 아니라, 테스트 장치 등에서의 사용을 포함한다.
FP 레이저, DFB 레이저 및 DBR 레이저와 같은 이미 공지의 레이저 장치와 대조적으로, 본 명세서에서 기술된 장치 내에서, 좁은 게인 영역 내의 상기 외부 공동 레이저의 발산 파장 또는 밴드를 고정화시키는 외부 레이저 공동에서 투명 기판 상에 포함된 박막 패브리-페로 간섭 필터가 사용된다. 상기 레이저는 심지어 적절한 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터를 사용함으로써 단일한 발산 모드로 한정될 수 있다. 결과적으로, 본 명세서에 기술된 상기 레이저들은 필터-고정화 (filter-locked)되도록 언급될 수 있다. 축소 (예를 들면, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리를 포함하는 5 nm 이하의 전체 길이의 외부 공진 공동을 가짐) 박막 필터-고정화된 외부 공동 레이저 또는 하기 몇몇 실시예에서 언급될 "FL 레이저"는 DWDM 광섬유 전화 시스템에서 특히 유리한 적용성을 가진다. 상기 적용에서, 가깝게 배치된 발산 채널이 믿을만하게 분리되고 구별되기 위해, 정밀하고 안정한 파장 레이저 발산기가 요구된다. 당업자라면 본 명세서에서 기술된 상기 FL 레이저에 대한 다양한 적용, 특히 안정하고 정확한 협대역 레이저 원료 (source)를 필요로 하는 적용이 있음을 인지할 것이다.
도 1에서 대략적으로 기술된 상기 FL 레이저에서, 제 1 발산기 각면(12) 및 제 2의 반대 발산기 각면(14)을 갖는 레이저 다이오드 칩(10)을 포함하는 외부 공동 다이오드 레이저 어셈블리가 나타나 있다. 발산기 각면(14)은 코팅, 특히 출력 커플러 거울, 즉 출력 커플러 반사 코팅(16)을 포함한다. 코팅(16)을 통하여 발산된 빛은 바람직하게 그래디언트 인덱스 렌즈 또는 유사 부품인 시준경(18)으로 도달된다. 그래디언트 인덱스(18)로부터 시준화된 빛은 광-섬유 피그테일 (pigtail, 20)로 통과되며, 이것에 의해 빛은 광-섬유 통신 시스템으로 진입한다. 그린 (Grin) 렌즈(18)는 발산기 각면(14) (반-반사성 코팅(16)을 가짐) 및 피그테일(20) 사이의 부트 (butt) 연결을 위해 선택적으로 제거될 수 있다. 또한, 그래디언트 인덱스 렌즈 또는 다른 시준경 다음에 오는, 피그테일(20)로 빛을 통과시키는 상기 공동 외부에 일사기가 사용될 수 있다. 일사기들은 일반적으로 잘 알려져 있으며, 이들의 사용 및 본 명세서에 삽입된 FL 레이저 내의 다른 선택성 부품의 사용은 본 명세서에 의하여 당업자에게 분명해질 것이다. 발산기 각면(12)은 코팅(22), 바람직하게는 반-반사 코팅을 포함한다. 반-반사 코팅(22)을 통과한 빛이 도달되고, 바람직하게 그래디언트 인덱스 렌즈 또는 유사 부품인 제 2 시준 수단(24)에 의해 시준된다. 시준경(24)으로부터 투명한 광학 기판(28)을 포함하는 모노리식 프리즘 어셈블리(26)로 빛이 통과된다. 기판(28)은 바람직하게, 모두 Schott Glaswerke (Mainz, Germany)로부터 시판되는 BK7 또는 B270 또는 유사 물질과 같은 광학 유리이다. 상기 다이오드 레이저의 외부 공동이 출력 커플러 경(16) 및 고 반사기 말단 경(32) 사이에 한정되도록 기판(28)의 외부 표면(30)은 높은 반사기 말단 경(32)을 포함한다. 바람직하게, 렌즈 수단(24)으로부터 상기 모노리식 프리즘 어셈블리(26)로 시준된 빛의 통과를 촉진시키기 위해 기판(28)의 외부 표면(36) 상에 반-반사 코팅(34)이 포함된다.
상기 프리즘 어셈블리는 기판(28)의 내부 표면(40) 상에 박막 패브리-페로 간섭 필터(38)를 더욱 포함한다. 본 명세서에 사용된 "내부 표면"은 가장 통상적으로 모노리식 프리즘 어셈블리를 형성하는 각각 다른 것에 다른 방식으로 통합되거나 혼성된 투명 기판의 두 부분 또는 조각 사이의 표면-대-표면 접촉 경계면이다. 내부 표면상의 광학 코팅, 예를 들면 패브리-페로 간섭 필터 (39)는 유리하게 보호되고, 이를 삽입한 기판의 결합된 조각에 의해 안정화된다. 이러한 점에서, 기판(28)의 제 1 조각(42) 및 제 2 조각(44) 사이에 나타나는 차이는 예시를 목적으로 도 1에서 매우 과장되어 있음을 인지해야 한다. 패브리-페로 간섭 필터(38)는 부품(44)의 내부 표면(40) 상에서뿐만 아니라, 부품(42)의 내부 표면(46) 상에서 제조될 수 있음을 또한 인지해야 한다. 유사하게, 외부 표면은 상기 기판의 또다른 부분 또는 부품을 갖는 표면-대-표면 접촉 경계면을 형성하지 않는 기판의 표면이다. 그러므로, 이는 대기 또는 시준경, 마운팅 구조 또는 유사품과 같은 또다른 광학 부품을 갖는 받침대 내에 노출될 수 있다. 외부 표면은 외부 표면(30)이 고 반사 말단 경 코팅(32)을 포함하며, 외부 표면(36)이 반-반사 코팅(34)을 포함한 도 1의 실시예에서 상기 기판의 경우로서 코팅될 수 있다. 상기 필터 상에 충돌하는 빔 (beam) 각도를 제한하기 위해 표면(36) 내 또는 상 또는 다른 적절한 위치에 둥근 홀 (hole) 또는 다른 개구경이 배치될 수 있다. 선택적으로, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 투명한 기판(28)의 일부(42)는 에어 갭 (air gap)과 같은 것에 의해 제거될 수 있다. 공기는 더 낮은 굴절률을 갖기 때문에, 이는 감소된 광학 거리에서 유리하게 작용할 것이다. 도 1에 예시된 광학 장치의 부품들은 특정 적용의 성능 및 상품 특성에 요구되는 바와 같은 인접 부품을 갖는 받침대 내 또는 이로부터 배치될 수 있음을 인지해야 한다.
도 1에서, 기판(28)의 외부 표면(30) 상의 고 반사기 말단 경(32)은 횡 평면 내, 즉, 상기 외부 공동 내의 시준된 광 경로에 실질적으로 직각인 평면 내에 놓여짐이 관찰될 수 있다. 상기 패브리-페로 간섭 필터(38)는 횡 평면에 대한 예각으로 포함된다. 그들의 가상 절단 점 (도 1 및 7에서 관찰된 바와 같은 종이의 평면 내로 향함)에서 코팅(32) 및 간섭 필터(38) 사이의 상기 각 α (도 1 및 7 참조)는 0o보다 크다. 즉, 상기 필터는 상기 발산기 각면으로부터 나온 빛의 경로에 수직 또는 직각이 아니다. 상기 각 α는 어떤 실시예에서 45o만큼 클 수 있다. 통상적으로, 이는 1o내지 5o이고, 바람직하게는 1o내지 2o이다. 더 일반적으로, 상기 간섭 필터는 상기 패브리-페로 필터가 상기 레이저 칩의 많은 개구경을 초월하여 약간 기울어지도록, 상기 외부 공동의 일측 말단을 한정하는 상기 고 반사기 코팅 및 상기 레이저 칩의 발산기 각면 사이에서 약간의 각도로 배치된다. 상기 필터의 통과밴드 (passband) 내에서 떨어지지 않아서, 상기 필터를 통하여 송신되지 않는 파장은 억제된다. 즉, 상기 밴드 통과 간섭 필터는 그의 전술한 기울기 각 때문에, 상기 레이저 칩의 발산기 각면으로부터 떨어진 각으로 상기 외부-밴드 파장을 우선적으로 반사함으로써 상기 필터의 통과밴드 외부로 떨어지는 스펙트랄 모드 (spectral mode)를 억제한다.
작동시, 레이저 칩(10)의 상기 반-반사 코팅된 각면(12)으로부터 발산된 빛은 수집되고, 렌즈 수단(24)에 의해 시준되며, 그것에 의해 모노리식 프리즘 어셈블리(26)로 향하게 한다. 패브리-페로 간섭 필터(38)의 밴드-내인 빛은 화살표 (27)로 표시되는 경로를 따라 저 손실로 상기 필터를 통하여 송신하는 반면, 밴드-외인 빛은 화살표 (29)로 표시되는 경로를 따라 각면(12)으로부터 먼 상기 공진 공동 막으로 반사된다. 밴드-외 파장은 필터(38)에 의해 반사되어서, 다이오드 칩(10)의 상기 발산기 각면에 대하여 후진하지 않고, 오히려 의도적으로 손실되는 경로를 따라 반사된다. 상기 전송된 빛은 패브리-페로 간섭 필터(38)를 통과한 후, 고 반사기 말단 경(32)에 충돌하여서, 역 방향이 아닌, 화살표 (27)의 경로를 따라 레이저 칩(10)의 각면(12)에 대한 후면으로 반사된다. 그러므로, 밴드-내 빛은 필터(38)를 다시 통과하여, 다시 상기 발산기 각면(12)으로 되돌아온다. 유리하게, 반사기 코팅(32) 및 패브리-페로 간섭 필터(38)를 포함하는 상기 모노리식 프리즘 어셈블리(26)는 반-반사 코팅(34) 및 2mm 또는 그 이하의 반사기 코팅(32) 사이의 디멘션을 갖는 단순한 후면-대-후면 축소 프리즘 어셈블리로 회합될 수 있다. 도 1에 예시된 광학 장치는 선행 장치들과는 달리 DWDM 적용과 같은 어떤 광-섬유 통신 적용을 포함하는 다양한 상업적 적용의 엄격한 크기 제한 또는 억제를 충족시키기에 충분히 완벽하게 포장될 수 있다.
상술된 바와 같이, 고 반사기 말단 경(32)으로부터 반사된 빛은 다시 패브리-페로 간섭 필터(38)를 통하여 뒤로 통과하고, 그것에 의해 밴드-내 빛을 송신하는 동안 원하지 않는 밴드-외 빛을 더욱 제거한다. 상기 송신된 밴드-내 빛은 다시 렌즈 수단(24)을 통하고, 이로 인해 상기 레이저 다이오드(10)로 재투입되며, 증폭되고, 상기 출력 각면(14)으로 향한다. 상기 지시된 바와 같이, 출력 각면(14)은 상기 광 충돌 코팅(16)의 일부가 진동 기능을 계속하게 하는 레이저 칩으로 후진 반사되고, 상기 잔류 부분은 광-섬유 피그테일(20)로 레이저 밖으로 송신되도록, 부분적으로 반사 출력 커플러 경 코팅(16)을 포함한다. 제 2 시준기(18)는 바람직하게 상기 광 경로 내에서 외부 표면상의 반-반사 코팅(48 및 50)을 갖는, 상기 광을 출력 각면(14)으로부터 광-섬유 피그테일(20) 내로 시준하는데 사용될 수 있다. 통상적으로, 상기 반-반사 코팅(52)이 광-섬유 피그테일(20)의 입력 표면에 제공될 수 있다. 유사하게, 시준 수단(24)의 표면(25)은 반-반사 코팅(35)을 포함한다. 일반적으로, 코팅 (16, 22, 34, 35, 48, 50)과 같은 반-반사 코팅을 수반한 표면에 매우 작은 각을 제공하는 것도 또한 바람직하다. 광 경로에 정확하게 수직이 되지 않도록 하기 위해 횡 평면으로부터 떨어진 상기 표면에 각도를 주거나 기울기를 줌으로써, 불완전한 반-반사에 기인한 원하지 않는 후면 반사가 감소되거나 제거된다.
상기 레이저의 외부 공동의 전체 길이는 레이저 다이오드 자체의 길이, 더하기 공동-내 시준경(24)의 길이, 더하기 상기 레이저 말단 각면(12)과 공동-내 시준경 사이의 초점 거리, 더하기 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 길이와 같다. 그러나, 당업자라면 이러한 전체 광학 공동 길이는 그 부품의 평균 굴절률에 의해 다중화된 상기 각각의 개개 길이 부품의 결과임을 알 것이다. 상기 레이저 공동의 길이는 상기 레이저가 지지할 수 있는 세로 모드의 파장 배치를 한정한다. 어떤 바람직한 실시예에 따른 단일 모드 출력을 제공하기 위해, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 패브리-페로 간섭 필터의 밴드폭은 상기 인접 스펙트랄 모드 배치보다 더 좁게 제조된다. 상기 패브리-페로 간섭 필터가 상기 모드 배치보다 더 광범위한 실시예에서, 하나 이상의 모드가 발산될 수 있으며, 이는 어떤 긴 수송 통신 적용에 대하여 불리할 수 있으나, 다른 적용에서 유용성을 갖는다. 델타-람다 (Delta-Lambda)로 언급되는 상기 스펙트랄 모드 배치는 하기 수학식에 따라 계산될 수 있다:
델타-람다 = 람다2/(2×공동 길이×굴절률)
도 1에 따른 한 바람직한 실시예에서, 상기 부품들은 하기 표 1로 나타내어진 광학적 특성 및 크기를 갖는다:
부품 통상적인 길이 Av.N. 제품
레이저 칩 0.5mm 3,6 1.8
그래디언트 인덱스 1.0mm 1.5
초점 거리 0.2mm 1.0 0.2
필터/경 2.0mm 1.5 3.0
전체 3.7 6.5
여기서, "Av.N."는 도 1에 따른 상기 바람직한 실시예에 대한 가능한 세로 레이저 작용 (lasing) 모드의 배치인, 표 1의 수치 및 상기 식을 이용하여, 델타-람다는 약 0.17mm일 것이다. 단일 모드 작동에 대하여, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 패브리-페로 간섭 필터는 바람직하게, 상기 값의 두배 이하의, 즉, 0.34nm보다 작은 밴드폭을 갖는 밴드통과 필터이다. 바람직하게, 상기 필터는 0.3nm 보다 작은 밴드폭을 갖는다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 상기 필터의 밴드폭은 3dB 밴드폭, 즉, 나노미터 (nanometer) 단위의 폭으로, 이를 초과하면 전체 수신된 발산의 적어도 50%가 상기 필터를 통해 송신된다. 다중-공동 패브리-페로 간섭 필터, 특히, 하기 더욱 설명된 바람직한 실시예에 따라, 0.25nm의 밴드폭을 갖는 1550nm에 집중된 2-공동 매우 좁은 밴드통과 필터를 이용하여, 1550nm에서 스펙트랄 모드는 다른 모드가 거부될 동안 송신된다. 특히, 상기 필터를 통한 각 통과에서, 1550.17nm 및 1548.83nm에서 가장 가까운 스펙트랄 모드는 약 8dB로 거부될 것이다. 결과적으로, 이러한 인접 스펙트랄 모드의 효과적인 전체적 거부가 성취될 수 있으며, 이는 상기 빛이 일단 상기 레이저 칩으로부터 상기 고 반사기 말단 경(32)으로 통과하고, 그 다음으로 상기 말단 경(32)으로부터 상기 레이저 칩으로 후진 반사되는 상기 패브리-페로 간섭 필터를 통하여 두 번 통과해야 하기 때문이다. 상기 1550nm 송신 모드로부터 먼 스펙트럴 모드들은 더 큰 각도로 거부된다.
이러한 점에서, 다중-공동 간섭 필터를 이용하는 효과는 도 6의 그래프에 기술되어 있다. 도 6에서, 1550nm에서 상기 송신 특성이 1-공동, 2-공동 및 3-공동 필터에 대하여 우수함을 관찰할 수 잇다. 2-공동 및 3-공동 필터의 스펙트랄 가장자리는 단일 공동 필터에 비하여, 더 넓은 송신 영역에 따라, 점진적으로 더 큰 기울기를 갖는다. 즉, 밴드-외 스펙트랄 모드는 1-공동 필터보다 2-공동 필터에 의해 더 큰 각으로 거부되며, 이러한 효과는 실질적으로 2-공동 필터보다 3-공동 필터에 대하여 증가된다. 이러한 효과는 모두 에탈론 및 회절 격자와 같은 이미 공지의 필터화 장치에 대한 잇점을 제공하는, 본 명세서에서 기술된 바람직한 실시예에 따른 외부 공동 레이저의 성능에 유리하다. 결과적으로, 본 명세서에서 상술된 외부 공동 다이오드 레이저의 광학적 성능은 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 패브리-페로 간섭 필터를 조절함으로써 성취된다. 하기 더 잘 설명된 바와 같이, 물 흡수 유도된 필터 쉬프팅 (shifting) 등을 방지하기 위하여 벌크 밀도에 가까운 통일성을 갖는 패브리-페로 간섭 필터를 재현성있게 생산하는데 우수한 기술들이 활용된다. 이는 상기 패브리-페로 간섭 필터가 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 내부 표면상에 제공되는 이러한 바람직한 실시예에서 특히 사실화된다.
도 2의 상기 광학 장치는 도 1과의 공통점을 가짐을 관찰할 수 있으며, 매우 유사한 방식으로 작용함을 이해할 것이다. 도 1의 참고 번호는 도 2에서 공통적인 부품 또는 특징에 사용된다. 도 1의 실시예 중 출력 커플러 경 코팅(16)은 도 2의 실시예에서는 고 반사경 말단 경 코팅(17)으로 대치된다. 말단 경(17)은 상기 공진 공동의 오른쪽 면 (도 2에 나타내어짐)을 한정한다. 또한, 도 1의 실시예에서 고 반사기 말단 경(32)은 도 2의 실시예에서는 광학 커플러 코팅 (33)으로 대치된다. 빛은 예를 들면 광섬유 피그테일, 광원 등과 같은 광학적 수신 장치(56)로 코팅(33)을 통하여 발산된다. 더 상세하게, 코팅(33)을 통하여 발산된 빛은 광학적 일사기(54)로 통과한 후, 피그테일(56)에 도달하기 전의 그래디언트 인덱스 경(55)으로 통과한다. 공지의 기술에 따라 반-반사 코팅(57)이 제공된다. 어떤 적용에서, 도 2의 실시예는 빛이 상기 레이저 다이오드를 통하여 후진함에 따른 "노이즈(noise)"를 증폭시키는 것을 효과적으로 피한다. 당업자라면, 코팅(33), 특히 빔 분해기 (splitter)의 특성을 갖는 코팅과 같은 광학 커플러가 신호를 광학적 수신 장치로 제공하기 위해 고 반사기 말단 경(32)을 대신하여 도 1의 실시예에서 사용될 수 있다. 상기 광학적 수신 장치는 예를 들면, 파워 피드백 루프 (power feedback loop) 또는 광 섬유 등을 포함하는 간단한 출력 신호를 위한 다이오드 센서를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 기술된 상기 광학 장치에 사용되는 모노리식 프리즘 어셈블리의 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 상업적으로 공지의 기술에 따라 제조될 수 있으며, 그의 적용성은 본 명세서에 의해 쉽게 드러날 것이다. 특히, 니오비아 (niobia) 및 실리카 (silica)와 같은 금속 산화물의 적층을 포함하는 양-질의 감섭 필터는 예를 들면 Scobey 등의 미국특허 제 4,851,095호에 기술된 바와 같은, 반응성 마그네트론 스퓨터링 (magnetron sputtering), 이온 빔 스퓨터링 및 이온 연합된 전자 빔 증발법과 같은 상업적으로 공지의 플라스마 (plasma) 침적 기술에 의해 제조될 수 있다. 이러한 코팅 방법은 온도 변화 및 대기 습도에 대한 낮은 민감성뿐만 아닐, 낮은 필름 분산기 및 낮은 흡수력을 갖는, 유리하게 밀하고 안정한 적층된 유전성 광학 코팅으로 제조된 간섭 공동 필터를 생산할 수 있다. 상기 코팅의 스펙트랄 프로파일(profile)은 엄격한 적용 특이성을 만족시키기에 적합하다. 특히, 다중-공동 좁은 밴드통과 필터는 2 나노미터 또는 그 이하만큼의 인접 파장 범위로부터 (예를 들면, 밀파 분해 다중화 섬유 광학 시스템 내의 인접 채널의 파장 범위로 부터) 분리된 파장 범위에 대하여 투명한 상기 기술을 이용하여 제조될 수 잇다. 하나의 적절한 침적 기술은 저 압력 마그네트론 스퓨터링이며, 이 방법에서, 다른 방법으로 통상적일 수 있는 마그네트론 스퓨터링의 진공 챔버 (chamer)는 고속 진공 펌프와 함께 장착될 수 있다. 상기 마그네트론 및 타겟 물질 주변의 기체 다기관 (manifold)은 상기 마그네트론 부근에서, 불활성 작업 기체, 통상적으로 아르곤 (argon)으로 제한한다. 상기 기체는 상기 마그네트론 면적으로부터 분산하고 확장하기 때문에, 통상적으로 높은 펌프화 속도 진공은 고속으로 상기 챔버로부터 확장 기체를 제거한다. 바람직하게 5×10-5Torr 내지 1.5×10-4Torr 범위의 챔버내 상기 불활성 기체 압력은 결과적으로 상기 마그네트론 방해 (baffle)의 상기 제한 효과 및 상기 진공 펌프의 펌프질 속도의 함수이다. 반응성 기체는 상기 기체를 이온화시키고 이를 상기 기판으로 향하게 하는 이온 총 (ion gun)을 통하여 상기 챔버로 진입한다. 이는 상기 마그네트론에서 상기 반응성 기체를 가소시키는 것뿐만 아니라, 적절한 화학양론을 갖는 필름을 제공하는데 필요한 기체의 양을 감소시키는 효과는 갖는다. 16 인치 및 그 보다 더 긴 투사 거리가 성취될 수 있다.
상술된 바와 같이, 상기 필터는 바람직하게, 저절로 원하지 않는 파장을 위한 반사기를 형성하는 두 개의 유전성 박막 적층 (stack)이 공동에 의해 분리되는 다중-공동 코팅을 포함한다. 상기 구조는 결과적으로 강화된 차단 및 향상된 밴드-내 송신 평면성을 갖는 전술한 다중-공동 필터를 생산하기 위해 하나 또는 그 이상으로 반복된다. 이러한 전체적 효과는 밴드-내 빛이 송신되고 밴드-외 빛이 반사되는 협대역 송신 필터를 생산하게 한다. 밀하고, 안정한 산화 금속 필름 적층을 갖는, 상술된 침적 기술에 의해 생산된 바람직한 3-공동 실시예에서, 우수한 열적 안정성이 예를 들면 1550nm에서 0.004nm/℃ 또는 그 이상으로 성취되었다.
상기 언급된 바람직한 실시예에 따라, 상기 간섭 필터는 통상적으로, 두 개의 물질로 제조되며, 그 하나는 니오븀 펜톡사이드 (niobium pentoxide), 티타늄 디옥사이드 (titanium dioxide), 탄탈룸 (tantalum) 펜톡사이드 및/또는 예를 들면 니오비아 및 티타니아 등의 혼합물과 같은 이들의 혼합물과 같이, 고 굴절률 물질이다. 1.5 마이크론 파장에서, 이러한 물질에 대한 굴절률은 대략 2.1 내지 2.3이다. 저 굴절률 물질은 통상적으로 약 1.43의 굴절률을 갖는 실리카이다. 간섭 필터는 그의 굴절률의 물리적 두께 곱하기 그의 굴절률의 수적 결과인 "광학적 두께"를 갖는다. 본 명세서에서 기술된 상기 광학 장치의 모노리식 프리즘 어셈블리에 사용된 상기 패브리-페로 간섭 필터의 광학적 두께는 물론 선택된 물질의 굴절률 및 상기 필터의 물리적 두께에 따라 다양하다. 특정 적용의 요구사항을 충족시키기에 적합한 스펙트랄 송신 특성을 성취하기 위한 필름 두께 및 적절한 물질을 선택하는 것은, 본 명세서에 의하면, 당업자의 능력 내에 있다.
본 명세서에서 기술된 상기 광학 장치 내의 박막 패브리-페로 간섭 필터를 포함하는 모노리식 프리즘 어셈블리는 상기 광학 장치를 위해 사용된 이미 공지의 장치들에 대하여 큰 잇점을 갖는다. 특히, 근접 유니티 적층 밀도의 밀한 층을 형성하기 위한 적합한 물질과 함께 제조될 때, 상기 모노리스 프리즘 어셈블리의 간섭 필터는 습도 및 다른 대기 조건에 대하여, 및 시간 경과 후 매우 안정하다. 또한, 많은 수의 광학 구조 차단은 단일 코팅 작업으로 상기 간섭 필터와 동시에 코팅될 수 있으며, 그것에 의해 실질적으로 제조비용을 감소시킬 수 있다. 이들은 공지의 기술에 따른 1/4 파 두께 층을 이용하여 가간섭적으로 연결된 다중 공동을 포함하며, 더 광범위한 송신 영역을 따라 스펙트랄 가장자리의 증가된 기울기를 갖도록 쉽게 제조된다. 상술된 바와 같이, 상기 모노리스 어셈블리가 쉽게 제조될 수 있는 축소 크기에 더하여, 이들 효과는 모두 에탈론 및 회절 격자와 같은 다른 타입의 필터 장치에 대한 상당한 잇점을 제공한다. 또한, 상기 간섭 필터의 안정성은 강화되는데, 이는 특히, 상술된 바와 같이, 상기 모노리스 프리즘 어셈블리의 내부 표면상에 포함될 때, 상기 안정성이 광학 기판 상에 형성되기 때문이다. 상기 간섭 필터는 예를 들면, 0.5mm보다 작은 두께 및 작은 밀리리터 단위의 직경의 매우 작은 크리로 제조될 수 있다. 이와 같이, 이들은 작고, 상대적으로 저-비용 레이저 장치들로 쉽게 상품화될 수 있다. 이들은 예를 들면 0.3nm 또는 그 이하의 매우 좁은 밴드폭을 갖는, ± 0.1nm 내의 의도한 또는 특정 파장을 송신하기 위한 상업적으로 유용한 기술을 이용하여 쉽게 제조될 수 있다. 상술된 바와 같이, 상기 밴드-내 파장 범위의 송신은 매우 높을 수 있다.
도 1 및 도 2에서 예시된 상기 FL 레이저의 바람직한 실시예에서 상기 다중-공동 간섭 필터(38)에 대한 바람직한 필름 적층 구조는 도 3-5에 나타나있다. 바람직하게, 상기 필름 적층의 전체 두께뿐만 아니라, 각각의 선택 층 (예를 들면, 니오븀 펜톡사이드 및 실리콘 디옥사이드)의 두께는 예를 들면, 0.01% 내에서 또는 면적의 몇몇 제곱 인치 이상의 0.2nm 내에서 정확하게 조절된다. 또한, 상품화 밀도에 가까운 유니티 및 매우 낮은 필름 흡수 및 분산으로 침적된 필름 적층은 낮은 물-유도된 필름 쉬프팅을 갖는다. 이러한 매우 좁은, 다중-공동 밴드통과 필터는 온도 및 환경 안정성, 좁은 밴드폭, 가파른 가장자리, 즉, 매우 선택적인 송신도 (특히, 3 공동 또는 그 이상을 이용하는 설계에서), 및 상대적으로 낮은 비용 및 간단한 제조를 포함하는 우수한 성능 특성을 갖는다. 3-공동 필터는 도 3에 나타나있는 바와 같이, 투명한 광학 기판 (도 1 및 2 참조)의 부분(42 및 44) 사이에 삽입된다. 상기 제 1 공동 어셈블리(85)는 기판 부분(44)에 직접적으로 인접한다. 제 2 공동 어셈블리(86)는 제 1 공동 어셈블리 바로 위에 놓이며, 제 3 공동 어셈블리(87)는 제 2 공동 어셈블리 바로 위에 놓이고, 기판 부분(42)과 함께 표면-대-표면 경계면을 형성한다. 도 4에서, 상기 "제 1 공동(85)"의 구조가 더욱 예시되어 있다. 연속적인 적층된 필름, 바람직하게는 고 및 저 굴절률 물질을 선택하는 약 5 내지 15 필름이 침적되어 제 1 반사기를 형성한다. 바람직하게, 상기 기판 표면에 직접적으로 인접한 상기 제 1 필름은 고굴절률 물질의 층이며, 저굴절률 물질 층 등으로 후속된다. 상기 각각의 고굴절률 층(90)은 1/4 파장 광학 두께 (QWOT)의 홀수이며, 바람직하게는 하나 또는 그이상의 1/4 파장 또는 다른 홀수의 QWOT이다. 상기 고굴절률 층(90)고 함께 사이에 삽입된 상기 저굴절률 층(92)은 유사하게 하나의 1/4 파장 광학 두께 또는 다른 홀수의 QWOT 두께이다. 예를 들면, 최저의 유전성 반사기(94)를 형성하는 약 6개 세트의 고 및 저 굴절률 층이 있을 수 있다. 공동 스페이서 (spacer)(96)는, 비록 구조적으로 하나의 층으로서 나타날지라도, 통상적으로 고 및 저 굴절 물질의 하나 내지 네 개의 선택성 필름을 포함하며, 여기서, 상기 각 필름은 짝수의 QWOT 두께, 즉, 정수의 반 파장 광학 두께이다. 상기 제 2 유전성 반사기(98)는 상술된 유전성 반사기(94)와 실질적으로 동일하다. 바꿔 말하면, 상기 제 2 및 제 3 공동은 상기 제 1 공동 상에 직접 침적되며, 바람직하게는 형태상 실질적으로 동일하다.
하나의 선택성 필름 적층이 도 6에 나타나있으며, 여기서, 위 및 아래 반사기 (94, 98)는 도 4 및 도 5의 실시예에 대하여 상술된 바와 같다. 상기 공동 스페이서(97)는 두 개의 저 굴절률 필름(97b)과 함께 선택하는 두 개의 고 굴절률 필름(97a)으로 된, 네 개의 필름으로 제조된 것으로 나타나있다. 각 필름은 2 QWOT 두께 또는 하나의 반 파장이다. 다양한 선택적이고 적절한 필름 적층 구조가 가능하며, 본 명세서에 의해 당업자에게 분명해질 것이다.
또다른 바람직한 목적에 따라, 본 명세서에서 기술된 광학 장치의 모노리식 프리즘 어셈블리의 상기 패브리-페로 간섭 필터는 더욱 온도 안정화될 수 있거나, 경사진 조정 수단의 이용으로 다른 방법으로 조정 가능하게 제조될 수 있다. 즉, 모노리식 프리즘 어셈즐리에 의해 실행된 어떤 다른 코팅의 수여각 (presentation angle)이 없거나, 독립적으로, 상기 패브리-페로 간섭 필터의 기운 각을 선택하기 위해, 수단이 제공될 수 있으며, 가장 바람직하게는, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리를 위한 장착 수단과 연합될 수 있다. 통상적인 바람직한 실시예에서, 상기 필터의 상기 시준된 빛에 대한 각도는 온도가 증가함에 따라 증가되며, 유사하게 상기 필터의 온도가 떨어짐에 따라 감소된다. 또한, 상기 필터의 기운 각을 조정함으로써 상기 파장을 조절하는데 유사한 기술들이 사용될 수 있다.
도 7에 개략적으로 예시된 FL 레이저의 또다른 바람직한 실시예는 상술된 원리에 따라 작동하는 하기 설명으로부터 이해될 것이다. 제 1 다이오드 레이저(58)는 제 1 발산기 각면(62)에서 고 반사기 말단 경 (60), 및 시준 수단(66)과의 경계면에서 반대 발산기 각면(65)에서의 반-반사 코팅(64)를 포함한다. 제 2 다이오드 레이저(68)는 공진 공동이 코팅(70) 및 코팅(60) 사이에 설치되도록, 발산기 각면(72)에서 광학 연결 코팅(70)을 포함한다. 광학 커플러 코팅(70)을 통과하는 빛은 시준 수단(74)을 통과한 후, 광섬유 피그테일(73)에 의해 수신된다. 상기 제 2 다이오드 레이저(68)의 제 2 발산기 각면(76)은 반-반사 코팅(77)을 포함하며, 이를 통해 빛이 시준 수단(78)으로 통과된다. 내부 표면(81) 상의 박막 패브리-페로 협대역 필름(80)을 포함하는 모노리식 프리즘 어셈블리(79)는 다이오드 레이저(68)의 제 2 발산기 각면(76)과 연합된 시준 수단(78) 및 제 1 다이오드 레이저(58)와 연합된 시준 수단(66) 사이에 배치된다. 부가적인 반-반사 코팅(82)이 상기 광학 장치 부품의 다양한 표면에 사용된다. 빛이 상기 레이저 장치에서 광섬유 피그테일, 파워 피드백 루프의 다이오드 센서 등으로 발산될 수 있도록 하기 위해, 고 반사기 말단 경(60)이 광 연결 코팅으로 대치될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 배치된 부분을 나타내는 도 7의 다양한 부품들은 상기 장치의 전체 크기 및 그의 광학 길이를 감소시키기 위해 유리하게 부트 커플 (butt couple)될 수 있다.
광학 차단(100) 상의 8개의 분리 구 (port) 또는 채널의 각각에서 상술된 바와 같은 FL 레이저를 사용하는 밀한 채널 파장 분해 다중화 장치가 도 8에 예시되어 있다. 상기 다중화 장치는 개개의, 분리된 파장 신호를 공통의 광섬유 담체 선으로 다중화시키거나 및/또는 상기 신호를 탈다중화시킬 수 있는 능력을 갖는다. 도 8에서 예시된 바람직한 실시예에 따른 광학 다중화 장치의 통상적인 특성은 하기 표 2에 제공된 것을 포함한다:
채널 수 8
채널 파장 1544-1560
채널 공간화 2nm ± 0.2nm
최소 일사 20dB 내지 35dB
삽입 손실(전체) 6dB 이하
섬유 타입 단일 모드, 1 미터 피그테일
작업 온도 범위 -20℃ 내지 +50℃
바람직하게 안정한 유리 기판인 광학 차단(100)에 부가하여, 표 2의 특성을 충족시키는 도 8의 상기 광학 다중화 장치는 광섬유 그래디언트 인덱스 경 시준기(112) 또는 유사품과 같은 시준된 빛을 수신하기 위한 수단을 포함하는 것으로 관찰되며, 상기 광학 차단의 광학 부품 (118)으로부터 상기 광 차단의 표면(116) 내의 기공 또는 각면을 통하여 약간의 각도로 강하게 시준된 빛(114)을 수신한다. 한 바람직한 실시예에 따라, 상기 광학 차단은 5mm의 두께 "a", 14.1mm 또는 그이상의 길이 "b", 및 약 1.5의 굴절률을 갖는다. 상기 시준된 빛은 바람직하게 최대 약 0.15o의 발산을 가지며, 상기 시준된 빛이 상기 광학 차단을 탈출하는 기운 각도 "c"는 약 15o이다. 다중-파장 빛은 상기 고 반사기 코팅(134) 및 반대 표면(120) 사이의 상기 광 차단 내에서 바운드(bounce)한다. 채널 (또는 다중 채널)은 다음 파장 증분을 송신하는 반사성 필터에 의해 각각의 (또는 하나 걸러 하나, 등) 바운드에 첨가 (또는 제거)된다. 상기 필터 시리즈에 선택적인, 등급화된 파장, 바람직하게는 모두-유전성의, 협대역 밴드통과 필터(122)는 상기 광학 차단의 표면(120) 상에 포함된다. 상기 필터는 1995년 6월 15일에 제출되었으며, "Optical Multiplexing Device"의 제목으로, 본 명세서에 참고로 삽입된 미국 특허출원 제 08/490,829호의 코-펜딩 (co-pending)의 방법에 따라 제조될 수 있다. 특히, 상기 실시예에서 필터(122)는 계속적이고, 다양한 두께의, 다중-공동 간섭 필터이며, 가장 바람직하게는 연속적인 직선으로 변하는 필터이다. 상기 필터(122)는 상기 시준된 빛(114)에 포함된 파장의 서브-범위에 대한 부분(124)에서 투명하다. 특히, 빛(126)은 제 1 신호 채널과 연합된 시준 경 수단(128)으로부터 상기 광학 차단의 부분(124)을 통하여 통과한다. 부분(124)에 의해 통과된 상기 광학 신호는 상기 다중화 장치의 제 1 채널에 대하여, 표 2에 따른 엄격한 성능 특성을 만족시키면서, 상술된 어떤 바람직한 실시예에 따른 외부 공동 반도체 다이오드 레이저(129)에 의해 생성된다.
부품(124)에서 연속 필터(122)는 이 위치에서 상기 필터의 "밴드-내"가 아닌 파장을 반사한다. 빛(132)은 표면(116) 상의 코팅(134) 또는 고 반사기 필름 및 광학 차단의 표면(120) 상의 필터(122) 사이에서 반사된다. 고 반사기 필름(134)은 빛(114)의 통과를 방해하지 않기 위해, 광학 부품(118)을 덮지 않는다. 결과적으로, 빛(132)은 부품(118)을 통과하도록 반사되는, 부품(124)에서 상기 광학 차단의 표면(120)을 때리는 반사기 필름(134)에 의해 반사된다. 부품(124) 다음에 인접한 부품(136)의 위치에서, 연속, 다변성 두께, 다중-공동 간섭 필터(122)는 부품(124)에 있을 때 보다 파장의 서브-범위 또는 다른 파장에 대해 투명하다. 밀한 채널 파장 분해 다중화 장치에 대하여, 상기 광학 차단의 표면(120)을 따라 직선으로 배치된 각각의 다중 부분 사이의 파장 분리는 바람직하게 약 2nm 또는 그 이하이다. 결과적으로, 부품(136)에서, 제 2 채널에 대응하는 광학 신호는 상기 바람직한 실시예에 따른 외부 공동 반도체 다이오드 레이저(139)에 의해 생성되는, 시준 렌즈(138)로부터 상기 필터(122)를 통하여 송신된다. 상기 제 1 부품(124)에서부터, 부품(136)에서의 상기 간섭 필터(122)는 이 위치에서 밴드-내가 아닌 빛을 반사한다. 결과적으로, 이 지점 이전에 상기 광학 차단으로 먼저 진입하는 상기 빛(114) (즉, 레이저 다이오드 장치 (149, 159, 169, 179, 189 또는 199)에서 발생하는, 상기 다른 채널의 파장을 갖는 빛)의 일부(142)는 부품(136)으로부터 부품(118)을 향하여 반사된다. 유사한 방식으로, 상기 광학 차단 내의 더 이른 지점에서의 반사된 파장은 상기 광학 차단의 표면(120)에서 연속적인 바운스에서 첨가되는 각각의 채널에 대한 광학 신호와 함께 상기 광학 차단 내의 지그재그 또는 "다중-바운스" 경로로 폭포처럼 떨어진다.
다중 채널들은 신빙성 있고, 상업적으로 용이한 외부 공동 다이오드 레이저 장치에 의해 원하는 파장 서브-범위의 신빙성 있고 정확한 생성과 함께, 좁은 파장 범위에서 아주 밀접하게 배치될 수 있다는 것은 상술된 장치의 바람직한 실시예의 기술적이고 상업적으로 의미 있는 장점이다. FL 레이저와 함께, 상기 DWDM 다중화 장치들은 현재 광-섬유 DWDM 다중화된 시스템이 상업적으로 편리하도록 적절한 파장 조절 및 시종일관 재현성 있는 스펙트랄 성능 특성과 함께 대량 생산될 수 있다.
당업자는 본 발명의 목적을 벗어나지 않고 본 발명을 다양하게 변형할 수 있다.

Claims (37)

  1. 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 반도체 광학 증폭기 및 상기 외부 공진 공동의 횡 평면에 예각으로 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터를 갖는 투명 기판을 포함하는 상기 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리를 포함하는 외부 공동 레이저.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 외부 공진 공동의 횡 평면에 대한 상기 모노리식 프리즘 어셈블리의 박막 패브리-페로 간섭 필터의 예각은 0o보다 크고 45o보다 작음을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 0.3nm 이하의 밴드폭을 갖는 것을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 적어도 하나의 박막 공동 층이 삽입된 다중 박막 반사기 층을 포함함을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 각 공동은 각각 정수의 반 파장과 동일한 광학 두께를 갖는, 교류성 고 및 저 굴절률의 1 내지 4개의 유전성 필름으로 제조되며, 상기 반사기 층은 각각 홀수의 1/4 파장과 동일한 광학 두께를 갖는, 교류성 고 및 저 굴절률의 2 내지 12개의 유전성 필름으로 제조됨을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 다중-공동 협대역 필터임을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 0.3nm 이하의 밴드폭을 갖는 것을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 외부 공진 공동은 5nm 이하의 전체 길이를 가짐을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 광학 증폭기는 직접 밴드갭 반도체 광학 발산기를 포함함을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  10. 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 반도체 광학 증폭기 및 제 1 표면에 대해 예각으로 제 2 표면상에 패브리-페로 간섭 필터 및 횡의 제 1 표면을 갖는 투명한 기판을 포함하는 상기 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리를 포함하며, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 적어도 하나의 박막 공동층이 삽입된 다중 박막 반사기 층을 포함하는 외부 공동 레이저.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 예각은 1o내지 5o임을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  12. 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 반도체 광학 증폭기 및 상기 외부 공진 공동의 횡 평면에 대한 예각으로, 패브리-페로 간섭 필터를 수반한 투명 기판을 포함하는 상기 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리를 포함하며, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 1/4 파장 광학 두께 유전성 필름으로 제조된 각각의 반사기 층 사이에 삽입된 반 파장 광학 두께 유전성 필름으로 제조된 적어도 하나의 공동을 포함하는 외부 공동 레이저.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 3-공동 필터임을 특징으로 하는 외부 공동 레이저.
  14. 제 1 평면 내의 광학 기판의 제 1 표면상에 반사 코팅을 수반한 투명 광학 기판 및 상기 제 1 평면에 대한 예각으로 이격된 제 2 평면 내에 상기 광학 기판의 제 2 표면상에 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터를 포함하는 모노리식 프리즘 어셈블리.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 다중-공동 협대역 필터임을 특징으로 하는 모노리식 프리즘 어셈블리.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 0.2nm 이하의 밴드폭을 갖는 것을 특징으로 하는 모노리식 프리즘 어셈블리.
  17. 제 14항에 있어서, 상기 반사 코팅은 상기 기판의 외부 표면상의 고-반사 코팅이며, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 상기 기판의 내부 표면상에 있음을 특징으로 하는 모노리식 프리즘 어셈블리.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 어셈블리가 상기 제 2 평면의 반대면 상에 존재하고 상기 제 1 평면에 평행한 제 3 표면 내의 상기 광학 기판의 제 3 표면상에 제 2 반사 코팅을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 모노리식 프리즘 어셈블리.
  19. 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 제 1 발산기 각면 상에 반-반사 코팅을 갖는 반도체 다이오드 레이저를 포함하는 외부 공동 레이저,
    상기 외부 공진 공동의 횡 평면에 대해 예각으로 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터를 수반한 투명한 광학 기판을 포함하는 상기 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리, 및
    상기 발산기 각면 및 패브리-페로 간섭 필터 사이에 빛의 초점을 맞추는 시준 수단을 함께 포함하는 광학 장치.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 다이오드 레이저는 엣지 발산 다이오드 레이저임을 특징으로 하는 광학 장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 장치가 상기 다이오드 레이저의 제 2 각면 상에 출력 커플러 반사 코팅을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 외부 공진 공동의 일측 말단에서 상기 투명한 광학 기판의 횡의 제 1 표면상에 반사 코팅을 더욱 포함하며, 상기 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터는 상기 제 1 표면에 대한 예각으로 상기 광학 기판의 제 2 표면상에 있음을 특징으로 하는 광학 장치.
  23. 제 22항에 있어서, 상기 박막 패브리-페로 협대역 간섭 필터는 다중-공동 필터임을 특징으로 하는 광학 장치.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 0.3nm 이하의 밴드폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  25. 제 24항에 있어서, 상기 외부 공진 공동은 5nm 이하의 전체 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  26. 제 22항에 있어서, 상기 반사 코팅은 상기 기판의 외부 표면상의 고- 반사 코팅이며, 상기 패브리-페로 간섭 필터는 상기 기판의 내부 표면상에 있음을 특징으로 하는 광학 장치.
  27. 외부 공동 반도체 다이오드 레이저, 외부 공진 공동에 광학적으로 연결된 상기 다이오드 레이저의 제 1 발산기 각면 상의 반-반사 코팅, 상기 다이오드 레이더의 제 2 발산기 각면 상의 출력 커플러 반사 코팅, 상기 외부 공진 공동의 일측 말단에서 공동-반사 코팅을 수반한 투명한 광학 기판을 포함하는 상기 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리 및 상기 반사 코팅에 대한 예각으로 상기 반사 코팅 및 제 1 발산기 각면 사이의 상기 외부 공진 공동 내의 박막 패브리-페로 간섭 필터를 포함하며, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 적어도 하나의 박막 공동이 삽입된 다중 박막 반사기를 포함함을 특징으로 하는 광학 장치.
  28. 제 27항에 있어서, 상기 공동 반사 코팅은 고-반사 코팅임을 특징으로 하는 광학 장치.
  29. 제 27항에 있어서, 상기 공동-반사 코팅은 부분적으로 투명하며, 상기 다이오드 레이저를 출력 부품에 광학적으로 연결시킴을 특징으로 하는 광학 장치.
  30. 제 29항에 있어서, 상기 출력 부품은 파워 피드백 루프의 다이오드 센서임을 특징으로 하는 광학 장치.
  31. 제 27항에 있어서, 상기 출력 커플러 반사 코팅은 제 2 시준 수단을 통하여 광-섬유 피그테일에 광학적으로 연결된 것을 특징으로 하는 광학 장치.
  32. 통상의 외부 공진 공동의 반대 말단의 제 1 및 제 2 엣지 발산 레이저, 상기 외부 공진 공동의 제 1 말단을 한정하는 제 1 각면 상에 제 1 반사 코팅을 갖는 상기 제 1 엣지 발산 레이저, 및 상기 외부 공진 공동의 제 2 말단을 한정하는 제 2 각면 상에 출력 커플러 반사 코팅을 가지며, 출력 부품에 상기 다이오드 레이저를 광학적으로 연결시키는 제 2 엣지 발산 레이저를 포함하는 외부 공동 반도체 다이오드 레이저,
    박막 반사기 사이에 삽입된 적어도 하나의 박막 공동을 갖는 박막 패브리-페로 간섭 필터를 수반한 투명한 광학 기판을 포함하는, 상기 제 1 및 제 2 엣지 발산 레이저 사이의 외부 공진 공동 내의 모노리식 프리즘 어셈블리, 및
    상기 제 1 및 제 2 엣지 발산 레이저 사이에서 빛의 초점을 맞추는 시준 수단을 포함하는 광학 장치.
  33. 제 32항에 있어서, 상기 모노리식 프리즘 어셈블리는 평행 외부 표면상의 제 1 및 제 2 반-반사 코팅을 가지며, 상기 박막 패브리-페로 간섭 필터는 상기 제 1 및 제 2 반-반사 코팅 사이의 모노리식 프리즘 어셈블리의 내부 표면상에 있음을 특징으로 하는 광학 장치.
  34. 제 32항에 있어서, 상기 출력 부품은 광-섬유 피그테일에 광학적으로 연결된 제 2 시준 수단임을 특징으로 하는 광학 장치.
  35. 제 32항에 있어서, 상기 제 1 반사 코팅은 고-반사 코팅임을 특징으로 하는 광학 장치.
  36. 제 32항에 있어서, 상기 제 1 반사 코팅은 부분적으로 투명하며, 제 2 출력 부품에 상기 다이오드 레이저를 광학적으로 연결시킴을 특징으로 하는 광학 장치.
  37. 5mm 이하의 전체 길이의 외부 공진 공동 내에 모노리식 프리즘 어셈블리를 갖는 반도체 다이오드 레이저, 상기 다이오드 레이저로부터 떨어진 밴드-외 파장을 반사하도록 각도지워진 0.3nm 이하의 밴드폭을 갖는 다중-공동 박막 패브리-페로 간섭 필터를 내부 표면상에 수반하는 투명한 광학 기판 및 적어도 하나의 박막 공동이 삽입된 다중 박막 필름 반사기를 포함하는 모노리식 프리즘 어셈블리를 포함하는 밀파 분해 다중화 광-섬유 통신 시스템.
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Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6208444B1 (en) * 1996-10-29 2001-03-27 Chorum Technologies Inc. Apparatus for wavelength demultiplexing using a multi-cavity etalon
US6163393A (en) 1996-10-29 2000-12-19 Chorum Technologies Inc. Method and apparatus for wavelength multipexing/demultiplexing
US6285478B1 (en) 1998-03-26 2001-09-04 Chorum Technologies Lp Programmable optical add/drop device
US6215592B1 (en) * 1998-03-19 2001-04-10 Ciena Corporation Fabry-perot optical filter and method of making the same
US6795473B1 (en) * 1999-06-23 2004-09-21 Lambda Physik Ag Narrow band excimer laser with a prism-grating as line-narrowing optical element
AU6142399A (en) 1998-09-11 2000-04-03 New Focus, Inc. Tunable laser
US6493484B1 (en) * 1999-03-30 2002-12-10 The Regents Of The University Of California Optical add/drop filter for wavelength division multiplexed systems
US6853654B2 (en) 1999-07-27 2005-02-08 Intel Corporation Tunable external cavity laser
US6856632B1 (en) * 1999-09-20 2005-02-15 Iolon, Inc. Widely tunable laser
US6847661B2 (en) 1999-09-20 2005-01-25 Iolon, Inc. Tunable laser with microactuator
CA2326980A1 (en) * 1999-12-02 2001-06-02 Jds Uniphase Inc. Low cost amplifier using bulk optics
AT409905B (de) * 1999-12-09 2002-12-27 Femtolasers Produktions Gmbh Mehrschichtiger spiegel zur herbeiführung einer vorgegebenen gruppenverzögerungsdispersion
US7209498B1 (en) 2000-05-04 2007-04-24 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a laser
JP2002090523A (ja) * 2000-07-14 2002-03-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd 波長選択性を有する光学素子
US7120176B2 (en) 2000-07-27 2006-10-10 Intel Corporation Wavelength reference apparatus and method
US6778337B2 (en) * 2000-12-12 2004-08-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. Optical attenuator and optical attenuator module
CN1204662C (zh) * 2000-12-15 2005-06-01 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
EP1215784A3 (en) * 2000-12-15 2004-01-07 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and optical amplifier
US6665320B1 (en) 2001-01-29 2003-12-16 Lightwave Electronics Wideband tunable laser sources with multiple gain elements
AT410721B (de) * 2001-02-26 2003-07-25 Femtolasers Produktions Gmbh Dispersiver mehrschicht-spiegel
US6707072B2 (en) * 2001-02-28 2004-03-16 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module
US6386718B1 (en) * 2001-03-02 2002-05-14 Charles X. W. Qian Phase and free spectra range adjustable optical reflectors for dense wavelength division multiplexing applications
TW493092B (en) * 2001-03-20 2002-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Structure of adjusting of central wavelengths of optical filters using in a DWDM system and method of the same
US6710914B2 (en) 2001-05-22 2004-03-23 Lightwave Electronics Tunable light source employing optical parametric oscillation near degeneracy
US6909548B2 (en) 2001-06-13 2005-06-21 Jds Uniphase Inc. Optical filter using a linear variable filter with elliptical beam geometry
US6898338B2 (en) * 2001-06-18 2005-05-24 Weatherford/Lamb, Inc. Fabry-Perot sensing element based on a large-diameter optical waveguide
US6915048B2 (en) * 2001-06-18 2005-07-05 Cidra Corporation Fabry-perot filter/resonator
US6901088B2 (en) 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
DE10139090A1 (de) 2001-08-09 2003-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mehrteiliger Laser
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US7408713B1 (en) * 2002-01-08 2008-08-05 Yung-Chieh Hsieh Step-phase interferometric optical interleaver
US7230959B2 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Intel Corporation Tunable laser with magnetically coupled filter
US6975465B1 (en) * 2002-04-03 2005-12-13 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for use of beam control prisms with diode laser arrays
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7065109B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-20 Melles Griot Inc. Laser with narrow bandwidth antireflection filter for frequency selection
US6763047B2 (en) * 2002-06-15 2004-07-13 Intel Corporation External cavity laser apparatus and methods
US6845121B2 (en) * 2002-06-15 2005-01-18 Intel Corporation Optical isolator apparatus and methods
CN1321486C (zh) * 2002-07-03 2007-06-13 中国科学院安徽光学精密机械研究所 激光器棒腔一体化方法和结构
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6790791B2 (en) * 2002-08-15 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films
US6936574B2 (en) * 2002-08-30 2005-08-30 Halliburton Energy Services, Inc. Process for controlling gas migration during well cementing
EP1537637B1 (en) * 2002-08-30 2006-11-15 Agilent Technologies, Inc. Wavelength tunable resonator with a prism
US7228025B1 (en) * 2002-10-31 2007-06-05 Finisar Corporation Thin film interleaver
EP1811619A3 (en) * 2003-05-23 2007-08-08 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. External cavity semiconductor laser and method for fabrication thereof
DE602004007432T2 (de) * 2003-05-23 2008-03-13 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C., Marlborough Halbleiterlaser mit externem Resonator enthaltend ein Etalon und Verfahren zur Herstellung desselben
US7286582B1 (en) 2003-10-08 2007-10-23 Fay Jr Theodore Denis Optical external cavities having brewster angle wedges
US7130320B2 (en) * 2003-11-13 2006-10-31 Mitutoyo Corporation External cavity laser with rotary tuning element
US8142723B2 (en) * 2004-05-03 2012-03-27 Chromologic, LLC Tag free bio sensing micro strip
WO2005108964A2 (en) * 2004-05-03 2005-11-17 Naresh Menon Tag free bio sensing micro strip
US7310454B2 (en) * 2004-05-24 2007-12-18 Massachusetts Institute Of Technology Photonic bandgap modulator, amplifier, demux, and TDM devices
US7502567B2 (en) * 2004-06-15 2009-03-10 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electroabsorption-modulated Fabry-Perot laser and methods of making the same
US20060072632A1 (en) * 2004-09-29 2006-04-06 Axsun Technologies, Inc. Semiconductor laser with tilted fabry-perot tunable filter
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7680159B2 (en) * 2004-12-16 2010-03-16 Vectronix Ag Temperature shift matching
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
JP4947912B2 (ja) * 2005-03-28 2012-06-06 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子
US7415049B2 (en) * 2005-03-28 2008-08-19 Axsun Technologies, Inc. Laser with tilted multi spatial mode resonator tuning element
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US8110469B2 (en) 2005-08-30 2012-02-07 Micron Technology, Inc. Graded dielectric layers
US20070127539A1 (en) * 2005-09-28 2007-06-07 New Focus, Inc. Narrow band laser with wavelength stability
US20090229651A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 Fay Jr Theodore Denis Solar energy production system
US8564783B2 (en) 2008-05-15 2013-10-22 Axsun Technologies, Inc. Optical coherence tomography laser with integrated clock
US8421455B1 (en) * 2008-09-26 2013-04-16 Southwest Sciences Incorporated Pulsed free induction decay nonlinear magneto-optical rotation apparatus
US20130284710A1 (en) * 2009-05-15 2013-10-31 Translith Systems, Llc Method and Apparatus for the Line Narrowing of Diode Lasers
US9254536B2 (en) * 2009-05-15 2016-02-09 Paul Hoff Method and apparatus for controlled laser ablation of material
CN101958510B (zh) * 2009-07-14 2013-11-06 中国计量科学研究院 外腔半导体激光器
US20110068279A1 (en) * 2009-08-11 2011-03-24 Fay Jr Theodore Denis Ultra dark field microscope
GB0919153D0 (en) * 2009-10-31 2009-12-16 Ct Integrated Photonics Ltd Filtered optical source
US8537865B1 (en) 2012-07-26 2013-09-17 Coherent, Inc. Fiber-laser pumped by stabilized diode-laser bar stack
JP5553248B2 (ja) * 2012-09-28 2014-07-16 日本電気株式会社 光デバイスとその製造方法
US20140321485A1 (en) 2013-04-25 2014-10-30 Oewaves, Inc. Resonator Based External Cavity Laser
CN103457149A (zh) * 2013-09-02 2013-12-18 长贝光电（武汉）有限公司 一种半导体激光器
EP3061167A4 (en) * 2013-10-23 2017-05-31 IPG Photonics Corporation Wavelength stabilized diode laser module with limited back reflection
US9869731B1 (en) 2014-03-31 2018-01-16 The Regents Of The University Of California Wavelength-modulated coherence pumping and hyperfine repumping for an atomic magnetometer
DE102014014980A1 (de) 2014-10-07 2016-04-07 Technische Universität Dresden Richtungsselektiver interferometrischer optischer Filter
RU2580179C1 (ru) * 2014-12-30 2016-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ") Способ изготовления фильтра интерференционного
JP2016157863A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 株式会社ミツトヨ レーザ光源装置およびその調整方法
CN106207749A (zh) * 2016-08-29 2016-12-07 武汉光迅科技股份有限公司 一种基于单波长窄带滤光组件选频的窄线宽半导体激光器
GB2554393A (en) * 2016-09-23 2018-04-04 Univ Sheffield Tuneable laser
RU2650750C1 (ru) * 2017-04-25 2018-04-17 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Узкополосный фильтр
WO2018231884A1 (en) * 2017-06-13 2018-12-20 Nuburu, Inc. Very dense wavelength beam combined laser system
US10330592B2 (en) * 2017-07-21 2019-06-25 Serguei Koulikov Laser absorption spectroscopy isotopic gas analyzer
KR102559098B1 (ko) * 2018-07-11 2023-07-25 한국전자통신연구원 광송신 모듈
CN110007290A (zh) * 2019-04-10 2019-07-12 温州激光与光电子协同创新中心 一种采用集成干涉共振方法的智能车用激光雷达小型激光光源及其应用
CN110221446A (zh) * 2019-04-17 2019-09-10 深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院） 混合菲涅尔透镜干涉滤光片光学元件
CN110212404A (zh) * 2019-04-17 2019-09-06 深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院） 智能车用混合菲涅尔透镜干涉滤光片半导体激光器
CN112083529A (zh) * 2020-09-23 2020-12-15 四川天邑康和通信股份有限公司 一种粗波分复用器
CN113131340B (zh) * 2021-04-08 2022-07-08 中国科学院理化技术研究所 一种外腔调制的半导体激光器
US11906770B2 (en) 2021-10-21 2024-02-20 KLA Corporal Monolithic optical retarder
CN114759431B (zh) * 2022-06-16 2022-09-13 北京凯普林光电科技股份有限公司 一种高亮度外腔半导体激光器
CN116487995B (zh) * 2023-04-28 2024-02-09 南京邮电大学 基于模间隔锁定的高稳定度多模外腔半导体激光器
CN116487975B (zh) * 2023-04-28 2024-03-22 南京邮电大学 基于多模外腔半导体激光器的高稳定度光学微波发生器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4504950A (en) * 1982-03-02 1985-03-12 California Institute Of Technology Tunable graded rod laser assembly
JPS61200511A (ja) * 1985-03-01 1986-09-05 Mitsubishi Electric Corp 光波長合分波装置
US5071206A (en) * 1986-06-30 1991-12-10 Southwall Technologies Inc. Color-corrected heat-reflecting composite films and glazing products containing the same
US4873697A (en) * 1986-09-29 1989-10-10 Siemens Aktiengesellschaft Narrowband laser transmitter having an external resonator from which the output power can be taken
JPH03209638A (ja) * 1990-01-11 1991-09-12 Fujitsu Ltd 光学ヘッド
US5144632A (en) * 1990-04-23 1992-09-01 Coherent, Inc. Laser with actively stabilized etalon for single frequency operation
JPH04349684A (ja) * 1991-05-27 1992-12-04 Pioneer Electron Corp 光パルス発生装置
JPH0832161A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光装置
US5608743A (en) * 1994-07-15 1997-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
US5583683A (en) * 1995-06-15 1996-12-10 Optical Corporation Of America Optical multiplexing device

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