CN103457149A - 一种半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体激光器，包括LD芯片、底座、光增透端面和光反射端面，所述光增透端面、LD芯片和光反射端面依次设置在所述底座上，所述LD芯片包括出光端，所述LD芯片的出光端朝向所述光增透端面而设置。本发明易实现，无需担心带来其他不良后果，无焊接跑偏，器件光稳定性好，器件外观无改变，解决了1310nm、1550nm长波长多模激光器出光功率大的问题，同时也提高了它的耦合速度，增加了光功率的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及选一种半导体激光器。
背景技术
半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、性能稳定、可靠性高和寿命长等优点，可广泛应用于通信、计算机、影视、制造业、航天航空、医疗等领域，已经成为光电行业最有前途的领域。
长波长多模激光器主要用于短距离传输，一般要求的光功率很小。激光器的激光模是衡量激光质量最重要的指标之一，可分为单模和多模。单模即TEM00模，它在x/y轴上的指数均为0，是一个理想的原点。而多模则是在x/y轴上为非0指数。
普通1310nm、1550nm的长波长激光器应用在单模的场合，要求传输的距离远，出光功率一般偏大。目前在短距离传输中也有用到长波长的激光器。对长波长的激光器，在与多模光纤进行光耦合时，不需要激光器的出光功率达到最大，这时一般会采用2种办法来减小出光功率：a、在x/y轴上做偏，即故意做错位，已达到减小出光功率的目的；b、拉伸或压缩z轴上的距离，即通过改变z轴焦距距离来达到减小出光功率的目的。
采用上述2种方法来得到理想出光功率的同时也带来一些弊端：a、当x/y轴上做偏时，器件的光稳定性会变差，尤其是在焊接工艺之后和高低温循之后会出现功率跑偏，且跑偏的规律性是不可循的，即无规律性，相应的也无具体的改善措施，致使器件报废；b、采用拉伸或压缩z轴上焦距距离时，会是器件的整体长度发生变化，不符合后端模块客户装配的要求，同时该方法也会造成器件的耦合时间增加的弊端。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体激光器，解决现有技术中存在的上述问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种半导体激光器，包括LD芯片、底座、光增透端面和光反射端面，所述光增透端面、LD芯片和光反射端面依次设置在所述底座上，所述LD芯片包括出光端，所述LD芯片的出光端朝向所述光增透端面而设置。
进一步，所述LD芯片为DFB芯片。
本发明的有益效果是：本发明提供了一种半导体激光器，易实现，无需担心带来其他不良后果，无焊接跑偏，器件光稳定性好，器件外观无改变，解决了1310nm、1550nm长波长多模激光器出光功率大的问题，同时也提高了它的耦合速度，增加了光功率的稳定性。
附图说明
图1为本发明一种半导体激光器的示意图；
图2为一般半导体激光器的示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、LD芯片，101、出光端，2、光反射端面，3、光增透端面，4、底座。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种半导体激光器，包括LD芯片1、底座4、光增透端面3、光反射端面2，所述光增透端面3、LD芯片1和光反射端面2依次设置在所述底座4上，所述LD芯片1包括出光端101，所述LD芯片1的出光端101朝向所述光增透端面3而设置。
如图2所示，一般的半导体激光器，包括LD芯片1、底座4、光增透端面3、光反射端面2，所述光增透端面3、LD芯片1和光反射端面2依次设置在所述底座4上，所述LD芯片1包括出光端101，所述LD芯片1的出光端101朝向所述光反射端面2而设置。
优选的，所述LD芯片为DFB芯片。
对比一般的半导体激光器，本发明提出的一种半导体激光器，即通过将LD芯片1做180°旋转反贴，使LD芯片1上出光端101朝向光增透端面3，背光端朝向光反射端面2，从而达到减小出光功率目的。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种半导体激光器，包括LD芯片、底座、光增透端面和光反射端面，所述光增透端面、LD芯片和光反射端面依次设置在所述底座上，其特征在于，所述LD芯片包括出光端，所述LD芯片的出光端朝向所述光增透端面而设置。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于，所述LD芯片为DFB芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013103938334A CN103457149A (zh) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 一种半导体激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2013103938334A CN103457149A (zh) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 一种半导体激光器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN103457149A true CN103457149A (zh) | 2013-12-18 |
Family
ID=49739244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2013103938334A Pending CN103457149A (zh) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | 一种半导体激光器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN103457149A (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1210627A (zh) * | 1996-02-13 | 1999-03-10 | 美国光学有限公司 | 带有单片棱镜组件的外部腔体半导体激光器 |
-
2013
- 2013-09-02 CN CN2013103938334A patent/CN103457149A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1210627A (zh) * | 1996-02-13 | 1999-03-10 | 美国光学有限公司 | 带有单片棱镜组件的外部腔体半导体激光器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 刘崇 等: "外腔反馈半导体激光器的损耗和阈值特性研究", 《中国激光》 * |
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131218 |