KR19990075437A - 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 능동 매트릭스 액정 표시 장치에 있어서, 소스 배선 및 소스 패드 하부에 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 형성하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치에 관련된 것이다. 본 발명에서는 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 소스 배선 및 소스 패드의 폭 보다 50∼70% 정도의 크기를 갖도록 형성한다. 따라서, 소스 배선은 절연막과 더미 소스 배선과 동시에 접촉하게된다. 따라서, 본 발명은 기판 위에 게이트 물질을 형성하는 단계와, 상기 게이트 물질 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질과 불순물 반도체 물질로 반도체 층과 불순물 반도체 층을 형성하고, 나중에 소스 배선과 소스 패드가 형성될 부분에 소스 배선과 소스 패드의 크기의 50∼70% 정도의 크기를 갖는 더미 소스 배선과 더미 소스 패드를 형성하는 단계와, 상기 불순물 반도체 층 위에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 절연막과, 상기 더미 배선 그리고, 더미 패드 위에 각각 소스 배선과 소스 패드를 형성하는 단계를 포함한다.

Description

액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치 제조 방법

본 발명은 박막 트랜지스터(혹은 Thin Film Transistor(TFT))와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 액티브 패널을 포함하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치(또는 Active Matrix Liquid Crystal Display, 이하 액정 표시 장치 혹은 AMLCD로 표기함)를 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치에 관련된 것이다. 특히, 본 발명은 능동 매트릭스 액정 표시 장치에 있어서, 소스 배선 및 소스 패드에서 발생할 수 있는 불량을 줄이기 위해 소스 배선 및 소스 패드 하부에 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 형성하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치에 관련된 것이다.

화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서, 박막형 평판 표시 장치가 가볍고, 어느 장소에든지 쉽게 사용할 수 있다는 장점 때문에 근래에 집중적인 개발의 대상이 되고 있다. 특히, 액정 표시 장치는 해상도가 높고, 동화상을 실현하기에 충분할 만큼 반응 속도가 빠르기 때문에, 가장 활발한 연구가 이루어지고 있는 제품이다.

액정 표시 장치의 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한 것이다. 막대 모양을 갖고 있는 액정 분자의 배향 방향을 분극성을 이용하여 인위적으로 조절함으로써, 배열 방향에 따른 광학적 이방성으로 빛을 투과, 차단하는 것이 가능하다. 이것을 응용하여 화면 표시 장치로 사용한다. 현재에는 박막 트랜지스터와 그것에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 매트릭스 액정 표시 장치가 뛰어난 화질을 제공하기 때문에 가장 많이 사용되고 있다. 일반적인 액정 표시 장치의 구조를 자세히 살펴보면 다음과 같다.

액정 표시 장치의 한쪽 패널(혹은 칼라 필터 패널)은 투명 기판 위에 행렬 배열 방식으로 설계된 화소(Pixel)의 위치에 빨강, 파랑, 초록의 칼라 필터가 순차적으로 배치된 구조로 이루어져 있다. 이들 칼라 필터 사이에는 블랙 매트릭스가 그물 모양으로 형성되어 있다. 그리고, 이들 칼라 필터 위에 공통 전극이 형성되어 있다.

액정 표시 장치의 다른 쪽 패널(혹은 액티브 패널)은 투명 기판 위에 행렬 방식으로 설계된 화소의 위치에 화소 전극들이 배열된 구조로 이루어져 있다. 화소 전극의 수평 방향을 따라서 신호 배선이 형성되어 있고, 수직 방향을 따라서 데이터 배선이 형성되어 있다. 화소 전극의 한쪽 구석에는 화소 전극을 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 신호 배선에 연결되어 있고(따라서, "게이트 배선"이라고 부르기도 한다), 박막 트랜지스터의 소스 전극이 데이터 배선에 연결되어 있다(따라서, "데이터 배선" 혹은 "소스 배선"이라고 부르기도 한다). 그리고, 각 배선의 끝단에는 외부의 구동 회로와 연결하기 위한 패드부가 형성된다.

이러한 구조를 갖는 두 개의 패널이 일정 간격(이 간격을 "셀 갭(cell gap)"이라고 부른다)을 두고 서로 대향하여 부착된다. 그리고, 그 사이에 액정 물질이 채워지므로써 액정 패널이 완성된다.

액정 표시 장치의 중요한 소자들을 포함하고 있으며 본 발명에 직접적인 관련이 있는 액티브 패널에 대하여 더욱 자세히 살펴본다. 특히, 본 발명에 관련이 있는 소스 배선과 소스 패드 하부에 더미 배선과 더미 패드가 형성된 종래의 액정 패널의 제조 방법 빛 그 구조에 대해 자세히 살펴 본다. 본 종래의 기술은 이미 본 출원인이 한국 특허청에 출원한 바 있다(출원번호 P97-06956).

이해를 돕기 위해서 액티브 패널의 평면도를 나타내는 도 1과, 도 1에서 절단선 II-II로 절단한 박막 트랜지스터 부분의 공정 단면도를 나타내는 도 2를 참조하여 설명한다.

투명 유리 기판(1)위에 알루미늄이나 알루미늄 합금을 증착하고, 포토 리소그래피 법으로 패턴하여 저 저항 게이트 배선(13a)을 형성한다. 저 저항 게이트 배선(13a)은 게이트 배선이 형성될 위치에 형성된다(도 2a).

상기 저 저항 게이트 배선(13a)가 형성된 기판 전면에 몰리브덴, 탄탈, 크롬. 안티몬 혹은 텅스텐등과 같은 금속을 증착하고, 포토 리소그래피 법으로 패턴하여 게이트 전극(11), 게이트 배선(13) 그리고, 게이트 패드(15)를 형성한다. 게이트 배선(13)은 상기 저 저항 게이트 배선(13a)을 덮고 있다. 상기 게이트 패드(15)는 게이트 배선(13)의 끝단에 형성한다. 게이트 전극(11)은 게이트 배선(13)에서 분기되어 화소의 한쪽 구석에 형성된다(도 2b).

산화 실리콘이나 질화 실리콘과 같은 절연 물질을 전면 증착하여, 게이트 절연막(17)을 형성한다. 그리고, 진성 아몰퍼스 실리콘과 같은 반도체 물질과 불순물이 첨가된 아몰퍼스 실리콘과 같은 불순물 반도체 물질을 연속으로 증착하고 패턴하여, 반도체 층(33)과 불순물 반도체 층(35)을 형성한다. 이 때, 상기 반도체 층(33)과 불순물 반도체 층(35)으로 추후에 형성될 소스 배선(23)과 소스 패드(25)의 위치에 더미 소스 배선(39)과 더미 소스 패드(49)를 형성한다(도 2c).

그리고, 크롬 혹은 크롬 합금을 전면 증착하고, 포토 리소그래피 법으로 패턴하여 소스 전극(21), 드레인 전극(31), 소스 배선(23) 그리고, 소스 패드(25)를 형성한다. 상기 소스 전극(21)은 게이트 전극(11)을 중심으로 상기 드레인 전극(31)과 대향하고 있다. 상기 소스 전극(21)과 드레인 전극(31)을 마스크로 하여 계속 에칭을 진행하여 소스 전극(21)과 드레인 전극(31) 사이에 존재하는 불순물 반도체 층(35)을 완전히 제거한다. 상기 소스 배선(23)은 열 방향으로 배열된 소스 전극(21)들을 서로 연결하고 있다. 소스 배선(23) 밑에는 반도체 물질로 이루어진 더미 소스 배선(39)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 소스 패드(25)는 소스 배선(23)의 끝단에 형성되어 있고 그 밑에는 더미 소스 패드(49)가 형성되어 있다. 그리고, 상기 소스 배선(23)과 상기 소스 패드(25)는 그 밑에 형성된 더미 소스 배선(39)과 더미 소스 패드(49)를 덮고 있는 형태를 갖고 있다(도 2d).

질화 실리콘이나 산화 실리콘과 같은 절연 물질을 상기 소스 전극(21), 소스 배선(23), 소스 패드(25) 그리고, 드레인 전극(31)들이 형성된 기판 전면에 증착하여 보호막(37)을 형성한다. 그리고, 포토 리소그래피 법을 사용하여 상기 보호막(37) 일부를 제거하여 드레인 전극에는 드레인 콘택 홀(71)을 형성하고, 소스 패드(25)에는 소스 패드 콘택 홀(61)을 형성한다. 동시에 게이트 패드(15)를 덮는 보호막(37)과 게이트 절연막(17)의 일부를 제거하여 게이트 콘택 홀(51)을 형성한다(도 2e).

투명 도전 물질인 ITO (Indium-Tin-Oxide)를 상기 보호막(37) 위에 전면 증착하고, 패턴하여 화소 전극(41), 소스 패드 연결 단자(67) 그리고, 게이트 패드 연결 단자(57)들을 형성한다. 상기 화소 전극(41)은 드레인 콘택 홀(71)을 통하여 드레인 전극(31)과 연결된다. 상기 소스 패드 연결 단자(67)는 소스 패드 콘택 홀(61)을 통하여 소스 패드(25)와 연결되며, 상기 게이트 패드 연결 단자(57)는 게이트 패드 콘택 홀(51)을 통하여 게이트 패드(15)와 연결된다(도 2f).

이상과 같이 종래의 방법에 의한 액정 표시 장치에서 게이트 패드 부분은 알루미늄을 포함하는 게이트 패드(15)와 그 위에 ITO로 이루어진 게이트 패드 연결 단자(57)가 게이트 패드 콘택 홀(51)에 의해 서로 연결된 구조를 이루고 있다. 한편 소스 패드(25) 부분은 소스 배선(23)과 같은 금속으로 이루어진 소스 패드(25)와, 소스 패드(25) 밑에 반도체 물질로 형성된 더미 소스 패드(49) 그리고, 소스 패드(25)와 소스 패드 콘택 홀(61)을 통해서 연결되는 소스 패드 연결 단자(67)로 이루어져 있다. 그리고, 소스 배선(23) 밑에도 반도체 물질로 더미 소스 배선(39)이 형성되어 있다.

이 때, 더미 소스 배선이 형성된 부분의 단면은 도 3a와 3b에 나타난 바와 같이 여러 가지 형태를 가질 수 있다. 우선, 도 3a와 같이 더미 소스 배선의 폭과 소스 배선의 폭이 거의 동일하게 형성될 수 있다. 또는, 도 3b와 같이 더미 소스 배선의 폭이 소스 배선의 폭보다 더 넓게 형성될 수도 있다. 이 경우에서는 소스 배선을 마스크로 하여 소스 전극과 드레인 전극 사이의 불순물 반도체 층을 제거하기 때문에 더미 소스 배선을 형성하는 불순물 반도체 층은 소스 배선과 동일한 폭을 갖고, 더미 소스 배선을 형성하는 반도체 층은 소스 배선보다 넓은 폭을 갖는다. 이와 같은 구조들은 각각 소스 패드에도 동일하게 적용된다. 이와 같이 소스 배선 및 소스 패드와 오믹 접촉을 하는 더미 소스 배선과 더미 소스 패드의 불순물 반도체 층으로 인하여 소스 배선 및 소스 패드의 저항을 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 절연막과 금속층 사이에서 버퍼 역할을 수행하여 소스 배선의 단선을 방지할 것을 기대할 수 있었다.

이상에서 살펴본 종래의 더미 소스 배선과 더미 소스 패드에서는 소스 배선 및 소스 패드의 저항을 낮추어 좋은 전기적 신호 전달 효과를 보이고 있으나, 소스 배선의 단선 불량을 완전히 극복하지는 못하였다. 이는 소스 배선을 이루는 금속층이 주로 크롬으로 이루어지는데 증착된 크롬 박막의 성질은 장력을 갖기 때문에 가장자리 부분이 위쪽으로 휘어지는 tensile 막이고, 더미 소스 배선을 이루는 반도체 층은 증착된 박막의 성질은 압축력을 갖기 때문에 가장자리 부분이 아래쪽으로 휘어지는 compressive 막이기 때문에 서로 스트레스 균형을 이루지 못하기 때문인 것으로 추정된다.

본 발명의 목적은 버퍼층 역할을 하는 더미 소스 배선과 더미 소스 패드의 크기를 조절하여 가장 최상의 버퍼 역할을 할 수 있도록하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 더미 소스 배선과 더미 소스 패드의 역할을 최대화 시킴으로써 소스 배선과 소스 패드에서 열 스트레스에 의한 균열 및 단선이 발생하는 것을 방지하는데 있다.

본 발명에서는 더미 배선과 더미 패드를 형성하여 소스 배선과 소스 패드에서 단선 불량을 방지하는데 있어서, 더미 배선 과 소스 배선 그리고, 더미 패드와 소스 패드 사이의 구조적 관계를 조율함으로써 더미 배선과 더미 패드가 최적의 버퍼 역할을 할 수 있도록 하는데 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.

도 2a-2f는 종래 기술에 의한 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 나타내는 공정 단면도이다.

도 3a 및 3b는 종래 기술에 의한 액정 표시 장치에서 더미 소스 배선이 형성된 상태를 나타내는 단면도들이다.

도 4는 본 발명에 의한 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.

도 5a-5f는 본 발명에 의한 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 나타내는 공정 단면도이다.

도 6은 본 발명에 의한 액정 표시 장치에서 더미 소스 배선이 형성된 부분을 나타내는 확대 단면도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1, 101 : 기판 11, 111 : 게이트 전극

13, 113 : 게이트 배선 15, 115 : 게이트 패드

17, 117 : 게이트 절연막 21, 121 : 소스 전극

23, 123 : 소스 배선 25, 125 : 소스 패드

31, 131 : 드레인 전극 33, 133 : 반도체 층

35, 135 : 불순물 반도체 층 37, 137 : 보호막

39, 139 : 더미 소스 배선 41, 141 : 화소 전극

49, 149 : 더미 소스 패드 51, 151 : 게이트 콘택 홀

57, 157 : 게이트 패드 단자 61, 161 : 소스 콘택 홀

67, 167 : 소스 패드 단자 71, 171 : 드레인 콘택 홀

이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는데 사용하는 물질들의 박막 성질을 이용하여 소스 배선 및 소스 패드에서 단선 방지를 위한 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 형성하는 방법을 제공한다. 일반적으로, 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 크롬의 박막은 tensile 막이다. 그리고, 소스 배선 밑에 있는 절연막과 그 사이에 형성되는 반도체 막은 compressive 막이다. 그러나, 절연막과 크롬막 사이의 접촉 상태와 반도체 막과 크롬막 사이의 접촉 상태는 서로 상이하다. 그리고, 절연막과 반도체 막의 스트레스 정도가 상이하다. 이것을 이용하여 본 발명에서는 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 소스 배선 및 소스 패드의 폭 보다 50∼70% 정도의 크기를 갖도록 형성한다. 따라서, 소스 배선은 절연막과 더미 소스 배선과 동시에 접촉하게된다. 또한 소스 패드 역시 절연막과 더미 소스 패드와 동시에 접촉하게된다.

이와 같은 구조를 갖는 액정 표시 장치를 제조하기 위해 본 발명은 다음과 같은 제조 방법을 포함하고 있다. 기판 위에 게이트 전극, 게이트 배선 그리고, 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 물질 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질과 불순물 반도체 물질로 상기 게이트 전극이 형성된 부분에는 반도체 층과 불순물 반도체 층을 형성하고, 나중에 소스 배선과 소스 패드가 형성될 부분에 소스 배선과 소스 패드의 크기의 50∼70% 정도의 크기를 갖는 더미 소스 배선과 더미 소스 패드를 형성하는 단계와, 상기 불순물 반도체 층 위에 소스 전극과 드레인 전극을 그리고, 상기 게이트 절연막, 상기 더미 소스 배선 그리고, 더미 소스 패드 위에 각각 소스 배선과 소스 패드를 형성하는 단계를 포함한다.

다음 실시 예를 통하여 본 발명에 의한 액정 표시 장치 제조 방법과 그 방법에 의한 액정 표시 장치에 대하여 더욱 자세히 살펴 보도록 한다. 이해를 돕기 위해 본 발명에 의한 액정 표시 장치의 평면도를 나타내는 도 4와 도 4의 절단선 V-V를 기준으로 자른 단면으로 제조 공정을 나타내는 도 5를 참조한다.

실시 예

투명 유리 기판(101) 위에 알루미늄을 포함하는 금속을 증착하고, 패턴하여 저 저항 게이트 배선(113a)을 형성한다. 저 저항 게이트 배선(113a)은 게이트 배선이 형성될 위치에 형성된다(도 5a).

상기 저 저항 게이트 배선이 형성된 기판 위에 몰리브덴, 탄탈, 크롬, 안티몬 혹은, 텅스텐등을 증착하고, 패턴하여 게이트 전극(111), 게이트 배선(113) 그리고, 게이트 패드(115)를 형성한다.(도 5b)

상기 게이트 물질들(게이트 배선, 게이트 전극 그리고, 게이트 패드)이 형성된 기판(101) 위에 산화 실리콘 혹은 질화 실리콘을 증착하여 게이트 절연막(117)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 절연막(117) 위에 진성 반도체 물질과 불순물이 첨가된 반도체 물질을 연속 증착하고, 패턴하여 상기 게이트 전극(111)을 덮고 있는 게이트 절연막(117) 위에는 반도체 층(133)과 불순물 반도체 층(135)을 형성한다. 그리고, 나중에 형성될 소스 배선과 소스 패드 부분에 더미 배선(139)과 더미 패드(149)를 형성한다. 이 때, 더미 배선(139)의 폭은 소스 배선(123)의 폭의 50∼70% 정도의 폭이 되도록 형성한다. 그리고, 더미 패드(149)의 폭 역시 소스 패드(125) 폭의 50∼70% 정도가 되도록 형성한다. 더미 배선(139)과 더미 패드(149)는 반도체 층(133)과 불순물 반도체 층(135)을 형성할 때 동시에 형성되므로 진성 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 포함하고 있다(도 5c).

상기 불순물 반도체 층(135), 더미 소스 배선(139) 그리고, 더미 소스 패드(149)가 형성된 기판 전면에 크롬을 포함하는 금속을 증착하고, 패턴하여 소스 전극(121), 드레인 전극(131), 소스 배선(123) 그리고, 소스 패드(125)를 형성한다. 소스 전극(121)은 상기 불술물 반도체 층(135)의 한쪽 변과 오믹 접촉을 이루고 있으며, 상기 드레인 전극(131)은 상기 불순물 반도체 층(135)의 다른쪽 변과 오믹 접촉을 이루고 있다. 소스 배선(123)은 상기 소스 전극(121)들을 연결하며, 상기 더미 소스 배선(139)를 덮고 있다. 소스 배선(123)은 더미 소스 배선(139) 보다 그 폭이 훨씬 크게 형성되므로, 더미 소스 배선(139)과 접촉하지 않는 나머지 부분은 게이트 절연막(117)과 접촉하고 있다. 소스 패드(125)는 소스 배선(123) 끝 부분에 형성되며, 소스 배선(123)과 마찬가지로 더미 소스 패드(149)를 덮으며 게이트 절연막(117)과 접촉하고 있다(도 5d).

상기 소스-드레인 물질(소스 전극, 소스 배선 그리고, 소스 패드)들이 형성된 기판 전면에 산화 실리콘 혹은 질화 실리콘등을 증착하여 보호막(137)을 형성한다. 그리고, 상기 보호막(137)을 패턴하여 상기 소스 패드(125)를 노출하는 소스 콘택 홀(161), 상기 드레인 전극(131)을 노출하는 드레인 콘택 홀(171)을 형성한다. 한편, 상기 게이트 패드(115)를 덮는 보호막(137)과 게이트 절연막(117)을 패턴하여 게이트 패드(115)를 노출하는 게이트 콘택 홀(151)을 형성한다(도 5e).

상기 보호막(137) 위에 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 증착하고, 패턴하여 상기 드레인 콘택 홀(171)을 통하여 상기 드레인 전극(131)과 접촉하는 화소 전극(141)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 콘택 홀(151)과 소스 콘택 홀(161)을 통하여 각각 게이트 패드(115)와 소스 패드(125)에 접촉하는 게이트 패드 연결 단자(159)와 소스 패드 연결 단자(169)들을 형성한다(도 5f).

따라서, 본 발명에 의한 액정 표시 장치는 도 4와 도 5f에 나타난 것 처럼, 다음과 같은 구조를 갖게된다. 투명 유리 기판(101) 위에 알루미늄으로 게이트 배선(113), 게이트 전극(111), 게이트 패드(115)등을 포함하는 게이트 물질과 상기 게이트 물질을 덮는 게이트 절연막(117)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(117) 위에서 상기 게이트 전극(111) 부분에는 반도체 층(133)과 불순물 반도체 층(135)이 적층되어 형성된다. 상기 게이트 절연막(117) 위에 상기 게이트 배선(113)과 직교하도록 소스 배선(123)이 형성된다. 상기 반도체 층(133)의 한쪽 변에 소스 배선(123)에서 분기된 소스 전극(121)이 불순물 반도체 층(135)과 오믹 접촉을 하며, 다른쪽 변에는 소스 전극(121)과 대향하는 드레인 전극(131)이 형성된다. 그리고, 도 6에 나타난 것 처럼, 소스 배선(123)과 게이트 절연막(117) 사이에는 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 포함하며 소스 배선(123) 폭의 50∼70% 정도 폭을 갖는 더미 소스 배선(139)이 형성되어 있다. 그리고 도 5f에서 처럼, 소스 배선(123)의 끝 부분에는 소스 패드(125)가 형성되는데, 소스 패드(125)와 게이트 절연막(117) 사이에는 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 포함하며 소스 패드(125) 크기의 50∼70% 정도 크기를 갖는 더미 소스 패드(149)가 형성되어 있다. 상기 소스 물질들은 보호막(137)에 의해 덮혀져 있으며, 보호막(137) 중에서 드레인 전극(131), 게이트 패드(115) 그리고, 소스 패드(125)들을 노출시키는 드레인 콘택 홀(171), 게이트 콘택 홀(151) 그리고, 소스 콘택 홀(161)이 형성되어 있다. 상기 보호막 위에는 드레인 콘택 홀(171)을 통하여 드레인 전극(131)에 연결된 화소 전극(141)이 형성되어 있다. 또한, 게이트 콘택 홀(151)과 소스 콘택 홀(161)을 통하여 게이트 패드(114)와 소스 패드에(125) 각각 연결된 게이트 패드 단자(157)와 소스 패드 단자(157)가 형성되어 있다.

본 발명은 액정 표시 장치를 제조하는데 있어서, 소스 배선 및 소스 패드 밑에 반도체 물질로 더미 배선 및 더미 소스 패드를 더 형성하였다. 더욱이, 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드의 크기를 소스 배선 및 소스 패드의 크기의 50∼70% 정도로 한정하였다. 소스 배선은 더미 소스 배선과 게이트 절연막과 동시에 접촉하고, 소스 패드 역시 더미 소스 패드와 게이트 절연막과 동시에 접촉한다. 따라서, 소스 배선 및 소스 패드를 형성하는 박막의 스트레스에 균형을 이루어 단선이 발생하지 않는다. 그럼으로써, 액정 표시 장치의 제조 수율을 높이고, 단선 불량이 발생하지 않는 양질의 제품을 얻을 수 있다.

Claims (6)

1. 기판 위에 게이트 배선, 게이트 전극, 게이트 패드를 포함하는 게이트 물질을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 물질 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;

   상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 포함하는 더미 소스 배선 그리고, 더미 소스 패드를 형성하는 단계와;

   상기 더미 소스 배선을 완전히 덮으며 상기 게이트 절연막과 접촉하는 소스 배선과, 상기 더미 소스 패드를 완전히 덮으며 게이트 절연막과 접촉하는 소스 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 더미 소스 배선 및 더미 소스 패드를 형성하는 단계에서, 그 크기를 상기 소스 배선 및 소스 패드의 크기의 50% ∼ 70% 범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 더미 소스 배선 및 상기 더미 소스 패드를 형성하는 단계에서, 상기 게이트 전극을 덮는 상기 게이트 절연막 위에 반도체 층과 불순물 반도체 층을 더 형성하고;

   상기 소스 배선을 형성하는 단계에서, 상기 소스 배선에서 분기되며 상기 불순물 반도체 층을 사이에 두고 상기 반도체 층의 한쪽 변과 접촉하는 소스 전극과, 상기 소스 전극과 대향하며 상기 불순물 반도체 층을 사이에 두고 상기 반도체 층의 다른 쪽 변과 접촉하는 드레인 전극을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조 방법.
4. 기판과;

   상기 기판 위에 형성된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 분기된 게이트 전극 그리고, 상기 게이트 배선의 끝 부분에 연결된 게이트 패드를 포함하는 게이트 물질과;

   상기 게이트 물질을 덮는 게이트 절연막과;

   상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 포함하는 더미 소스 배선과;

   상기 더미 소스 배선 끝 부분에 연결된 더미 소스 패드와;

   상기 더미 소스 배선을 완전히 덮으며 상기 게이트 절연막과 접촉하는 소스 배선과;

   상기 더미 소스 패드를 완전히 덮고 상기 게이트 절연막과 접촉하며 상기 소스 배선 끝 부분에 연결된 소스 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 더미 소스 배선 및 상기 더미 소스 패드는 그 크기가 상기 소스 배선 및 상기 소스 패드의 크기의 50% ∼ 70%인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
6. 제 4항에 있어서,

   상기 게이트 절연막 위에 반도체 물질을 포함하는 반도체 층과;

   상기 반도체 층의 양 쪽 변에 분리 형성된 불순물 반도체 층과;

   상기 소스 배선에서 분기되어 상기 두 개의 불순물 반도체 층 중 어느 한쪽과 접촉하는 소스 전극과;

   상기 소스 전극과 대향하며 상기 두 개의 불순물 반도체 층 중 다른 한쪽과 접촉하는 드레인 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.