KR19990068234A - 도핑된 블렌드 시스템을 사용한 전자발광 장치 - Google Patents

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롤프 베르만
마르틴 도이센
안드레아스 엘슈너
마르틴 휘파우프
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빌프리더 하이더
바이엘 악티엔게젤샤프트
클라우스 포스, 게오르그 뮐러
로베르트 보쉬 게엠베하
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Abstract

기판, 애노드, 전자발광 소자 및 캐쏘드를 함유하며, 두 개의 전극중 하나 이상이 가시 광선 범위내에서 투명하고, 전자발광 소자가 차례로 정공-주입 영역, 전공-수송 영역, 전자발광 영역, 전자-수송 영역 및(또는) 전자-주입 영역[정공-주입 및(또는) 정공-수송 영역이 임의로 치환된 트리스-1,3,5-(아미노페닐)벤젠 화합물 (A) 또는 이들의 혼합물이고, 전자발광 소자가 임의로는 정공-수송 물질, 발광성 물질 (B) 및 임의로는 전자-수송 물질로 이루어진 군으로부터의 추가의 관능화된 화합물을 함유하며, 정공-주입 및 정공-수송 영역은 성분 (A)에 부가하여 하나 이상의 정공-수송 화합물을 추가로 함유할 수 있고, 하나 이상의 영역이 존재하며, 개별적인 영역이 생략되어, 존재하는 영역(들)이 여러가지 기능을 수행할 수도 있고, 전자발광 요소는 하나 이상의 영역에서 도판트로서 치환된 퀴나크리돈 화합물 (C)를 함유함)을 함유할 수 있는 전자발광 장치에 관한 것이다.

Description

도핑된 블렌드 시스템을 사용한 전자발광 장치{Electroluminescent arrangement using doped blend systems}
전자발광(EL) 장치는 전압을 가함으로써 전류의 흐름으로 빛을 방출시키는 것을 특징으로 한다. 이러한 장치는 업계에서 "발광 다이오드(LED)"로 오래전부터 공지되어 있다. 이러한 빛의 방출은 빛의 방출로 양전하(정공) 및 음전하(전자)가 재결합함으로써 발생한다.
전자공학 또는 광자공학용의 발광 성분의 개발에 있어서, 현재에는 주로 무기 반도체, 예를 들어, 갈륨 아르세나이드가 사용되고 있다. 포인트형 표시 소자는 이러한 물질을 기재로하여 제조할 수 있다. 광범위한 장치는 가능하지 않다.
반도체 발광 다이오드에 부가하여, 증착에 의하여 도포된 저 분자량 유기 화합물을 기재로 한 전자발광 장치 또한 공지되어 있다(US-P 4,539,507, US-P 4,769,262, US-P 5,077,142, EP-A 406,762, EP-A 278,758, EP-A278,757).
더욱이, 폴리(p-페닐렌) 및 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV)과 같은 중합체가 전자발광 중합체로서 문헌[G.Leising et al,Adv. Mater. 4 (1992) No. 1; Friend 등의 J.Chem. Soc., Chem. Commun. 32(1992); Saito et al, Polymer, 1990, Vol. 31, 1137; Friend et al, Physical Review B, Vol. 42, No. 18, 11670 또는 WO 90/13148]에 기술되어 있다. 전자발광 표시 장치중의 PPV에 대한 추가의 예는 문헌(EP-A 443 861, WO-A-9203490 및 92003491)에 기술되어 있다.
EP-A 0 295 061에서는 폴리아세틸렌을 기재로 한 광학 변조기를 소개하고 있다.
히거(Heeger) 등은 가요성 중합체 LED 제조용으로서, 가용성 공액된 PPV 유도체를 제안하고 있다(WO 92/16023).
상이한 조성의 중합체 블렌드도 마찬가지로 공지되어 있다[M.Stolka 등의 Pure and Appli. Chem., Vol. 67, No. 1, pp 175-182, 1995; H.Baessler 등의 Adv. Mater. 1995, 7, No.6, 551; K. Nagai 등의 Appl. Phys. Lett. 67 (16), 1995, 2281; EP-A 532 798].
유기 EL 장치는, 통상적으로, 하나 이상의 유기 전하-수송 화합물층을 함유한다. 연속적인 층들에 있어 기본 구조는 하기와 같다.
1. 캐리어, 기판
2. 베이스 전극
3. 정공-주입층
4. 정공-수송층
5. 발광층
6. 전자-수송층
7. 전자-주입층
8. 상부 전극
9. 접점
10. 봉지, 캡슐화
층 3 내지 7이 전자발광 소자를 구성한다.
이러한 구조는 가장 일반적인 경우를 나타내고, 개별적인 층을 생략하여 하나의 층이 여러가지 작용을 하게함으로써 간단하게할 수 있다. 가장 간단한 경우에 있어서, EL 장치는 두 개의 전극으로 이루어지고, 그 사이에 발광 기능을 포함하는 모든 기능을 수행하는 유기층이 위치한다. 폴리(p-페닐렌비닐렌)을 기재로 한 이러한 시스템은, 예를 들어, WO 90/13148에 기술되어 있다.
탕(Tang) 등은 전자발광 장치의 효율을 소량의 도판트가 혼합되어 있는 유기 매트릭스 재료로 이루어진 발광층을 사용하여 개선시킬 수 있다는 사실에 대하여 언급하고 있다(US-P 4 769 292). 바람직한 재료는 알루미늄 8-히드록시퀴놀린(Alq3)이다. 도판트는 다수의 다양한 고도로 형광성인 물질의 군으로부터 선택할 수 있다. 이들의 바람직한 예는 쿠마린 및 로다민이다.
무라야마(Murayama) 등은 도판트로서 불용성 퀴나크리돈 안료에 대하여 기술하고 있으며(US-P 5 227 252), 이는 모든 목적을 위하여 그 전체로서 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다. 또한, 치환되었으나 불용성인 퀴나크리돈 안료에 대하여도 기술하고 있으며, 이들 모두 증착 방법에 의하여 전자발광 성분(일반적으로 Alq3)과 함께 도포된다.(동시 증발)[EP 0 766 498 A2 및 Tang, Information Display 10/96, C.W.Tang, Information Display 10/96, 16 (1996), T.Wakimoto, S.Kawami, K.Nagayama, Y.Yonemoto, R.Murayama, J.Funaki, H.Sato, H.Nakada, K.Imai, International Symposium of Inorganic and Organic Electroluminescence 1994, Hamamatsu, Japan 1994, Conference Volume S.777, J/.Shi, C.W.Tang, Appl.Phys. Lett. 70(13), 1665 (1977, US-P 005616427 A]. 유기 발광층중에 도판트를 갖는 EL 장치는 증진된 효율에 부가하여 조작 동안에 개선된 장기 거동을 갖는다는 사실이 밝혀졌다.
다층 시스템은 층들이 가스상으로부터 연속적으로 도포되는 증착 방법에 의하여, 또는 캐스팅 방법에 의하여 형성될 수 있다. 보다 빠른 가공 속도로 인하여, 캐스팅 방법에 바람직하다. 그러나, 다음 층을 오버코팅하는 동안에 이미 도포되어 있는 층의 표면 용해 과정이 특정의 경우에 있어서는 난점이 될 수도 있다.
본 발명의 목적은 높은 발광 밀도 및 개선된 안정성을 갖는 전자발광 장치를 제공하는 것이고, 이는 도포될 도핑된 혼합물을 캐스팅 방법을 사용하여 도포하여 제조할 수 있다.
이러한 목적을 위하여, 캐스팅 공정에 사용되는 용매중에 충분한 용해도를 갖는 특별하게 치환된 퀴나크리돈 유도체를 합성하는 것이 필요하게 되었다. 캐스팅되고 도핑된 시스템은 도판트가 첨가되지 않은 시스템과 비교하여 개선된 장기 거동을 갖는다.
하기에 언급하는 블렌드 시스템을 함유하는 전자발광 장치가 이러한 요구를 충족시킨다는 사실이 밝혀졌다. 하기에서, "영역"은 "층"과 같은 의미로 사용된다.
따라서, 본 발명은 기판, 애노드, 전자발광 소자 및 캐쏘드를 함유하며, 두 개의 전극중 하나 이상이 가시 광선 범위내에서 투명하고, 전자발광 소자가 차례로 정공-주입 영역, 전공-수송 영역, 전자발광 영역, 전자-수송 영역 및(또는) 전자-주입 영역[정공-주입 및(또는) 정공-수송 영역이 임의로 치환된 트리스-1,3,5-(아미노페닐)벤젠 화합물 (A) 또는 이들의 혼합물이고, 전자발광 소자가 임의로는 정공-수송 물질, 발광성 물질 (B) 및 임의로는 전자-수송 물질로 이루어진 군으로부터의 추가의 관능화된 화합물을 함유하며, 정공-주입 및 정공-수송 영역은 성분 (A)에 부가하여 하나 이상의 정공-수송 화합물을 추가로 함유할 수 있고, 하나 이상의 영역이 존재하며, 개별적인 영역이 생략되어, 존재하는 영역(들)이 여러가지 기능을 수행할 수도 있고, 전자발광 요소는 하나 이상의 영역에서 도판트로서 치환된 퀴나크리돈 화합물 (C)를 함유함)을 함유할 수 있는 전자발광 장치에 관한 것이다.
하나의 영역이 여러가지 작용을 할 수 있고, 이는 하나의 영역이, 예를 들어, 정공-주입, 정공-수송, 전자발광, 전자-주입 및(또는) 전자-수송 물질 및 도판트를 함유할 수 있다는 것을 의미한다.
전자발광 소자는 하나 이상의 투명한 중합체 결합제 (D)를 추가로 함유할 수 있다.
임의로 치환된 트리스-1,3,5-(아미노페닐)벤젠 화합물 (A)는 화학식 (1)의 방향족 3 급 아미노 화합물을 나타낸다.
<화학식 I>
상기 식에서,
R2는 수소, 임의로 치환된 알킬 또는 할로겐이고, 치환체는 알콕시, 아릴, OH 또는 할로겐이고,
R3및 R4는 서로 독립적으로 수소, 임의로 치환된 C1-C10-알킬, 알콕시카르보닐-치환 C1-C10-알킬이거나, 아릴, 아르알킬 또는 시클로알킬로서, 이들 각각은 탄화수소, 할로겐 헤테로원자, 히드록시 또는 알콕시로 임의로 치환되고,
R3및 R4는 서로 독립적으로 바람직하게는, C1-C6-알킬, 특히, 메틸, 에틸, n- 또는 iso-프로필, n-, iso- , sec- 또는 t-부틸, C1-C4-알콕시카르보닐-C1-C6-알킬, 예를 들어, 메톡시-, 에톡시-, 프로폭시- 또는 부톡시카르보닐-C1-C4-알킬, 또는 페닐-C1-C4-알킬, 나프틸-C1-C4-알킬, 시클로펜틸, 시클로헥실, 페닐 또는 나프틸이고, 이들 각각은 C1-C4-알킬 또는 C1-C4-알콕시로 임의로 치환되고,
R3및 R4는 서로 독립적으로 특히 바람직하게는, 비치환된 페닐 또는 나프틸이거나, 각각이 메틸, 에틸, n- 또는 iso-프로필, 메톡시, 에톡시, n- 및(또는) iso-프로폭시로 일- 내지 삼치환된 페닐 또는 나프틸이고,
R2는 바람직하게는 수소, C1-C6-알킬, 예를 들어, 메틸, 에틸, n- 또는 iso-프로필, n-, iso- 또는 t-부틸 또는 염소이다.
전자 사진에 사용하기 위한, 이러한 화합물 및 그들의 제법은 US-P 4 923 774에 기술되어 있고, 이는 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다. 트리스-니트로페닐 화합물은, 예를 들어, 일반적으로 공지된 촉매 수소화[Raney Nickel의 Houben-Weyl 4/1C, 14-102, Ulmann (4), 13, 135-148]에 의하여 트리-아미노페닐 화합물로 전환시킬 수 있다. 아미노 화합물은 일반적으로 공지된 방식으로 치환된할로게노벤젠과 반응시킬 수 있다.
하기의 화합물을 예로서 언급할 수 있고, 페닐 고리상의 치환은 이민 질소에 대하여 오르토, 메타 및(또는) 파라 위치일 수 있다.
<화학식 A1>
<화학식 A2>
<화학식 A3>
<화학식 A4>
<화학식 A5>
<화학식 A6>
<화학식 A7>
<화학식 A8>
<화학식 A9>
<화학식 A10>
<화학식 A11>
<화학식 A12>
<화학식 A13>
<화학식 A14>
<화학식 A15>
<화학식 A16>
<화학식 A17>
<화학식 A18>
<화학식 A19>
<화학식 A20>
<화학식 A21>
<화학식 A22>
<화학식 A23>
<화학식 A24>
<화학식 A25>
<화학식 A26>
<화학식 A27>
<화학식 A28>
<화학식 A29>
<화학식 A30>
<화학식 A31>
<화학식 A32>
<화학식 A33>
<화학식 A34>
<화학식 A35>
<화학식 A36>
성분 (A)에 부가하여, 추가의 정공 전도체를, 예를 들어, 성분 (A)와의 혼합물 형태로 전자발광 소자를 제조하는 데 임의로 사용할 수 있다. 이들은, 한편으로는, 이성질체의 혼합물을 포함하는 하나 이상의 화학식 (1)의 화합물일 수 있고, 다른 한편으로는, 정공-수송 화합물과 상이한 구조를 갖는 화학식 (1)의 화합물 (A)의 혼합물일 수도 있다.
가능한 정공-주입 및 정공-전도 물질은 U.S. 5,281,489에 상응하는 EP-A 532 798에 나타나 있고, 이는 그 전체로서 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다.
성분 (A)의 혼합물의 경우에 있어서, 화합물은 0 내지 100 중량 %[혼합물 (A)를 기준으로함]중 임의의 목적하는 비율로 사용될 수 있다. 바람직한 태양에 있어서, 1 내지 99 중량 % 및 99 내지 1 중량 %, 특히 바람직하게는 약 5 내지 약 95 중량 % 및 약 95 중량 % 내지 약 5 중량 %가 사용된다. 추가로 바람직한 태양에 있어서, 약 30 내지 약 70 중량 % 및 약 70 중량 % 내지 약 30 중량 %가 사용된다.
하기의 화합물을 그 예로서 언급할 수 있다.
안트라센 화합물, 예를 들어, 2,6,9,10-테트라이소프로폭시안트라센; 옥시다졸 화합물, 예를 들어, 2,5-비스(4-디에틸아미노페닐)-1,3,4-옥시다졸, 트리페닐아민 화합물, 예를 들어, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)1,1'-비페닐-4,4'-디아민; 방향족 3 급 아민, 예를 들어, N-페닐카르바졸, N-이소프로필-카르바졸 및 일본 특허 출원 공보 제62-264-692호 기술된 바와 같은 정공-수송층중에 사용되는 화합물; 또한, 피라졸린 화합물, 예를 들어, 1-페닐-3-(p-디에틸아미노스티릴)-5-(p-디에틸아미노페닐)-2-피라졸린; 스티릴 화합물, 예를 들어, 9-(p-디에틸아미노스티릴)-안트라센; 히드라존 화합물, 예를 들어, 비스-(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)-페닐-메탄; 스틸벤 화합물, 예를 들어, (4-메톡시페닐)-4-N,N'-디페닐아미노-(4'-메톡시)스틸벤, 에나민 화합물, 예를 들어, 1,1'-(4,4'-디에톡시페닐)-N,N'-(4,4'-디메톡시페닐)에나민; 금속- 또는 비금속-프탈로시아닌 및 포르피린 화합물.
트리페닐아민 화합물 및(또는) 방향족 3 급 아민이 바람직하고, 예로서 언급한 화합물이 특히 바람직하다.
정공-전도성을 갖고 성분 A와의 혼합에 사용될 수 있는 물질은, 예를 들어
이다.
이들 및 추가의 예는 문헌[J.Phys.Chem. 1993, 97, 6240-6248 및 Appl.Phys.Lett, Vol.66, No.20, 2679-2681]에 기술되어 있다.
성분 (B)는 화학식 (II)의 화합물을 나타낸다.
<화학식 II>
상기 식에서,
Me는 금속이고,
m은 1 내지 3의 수이고,
Z는 2 개의 형태에서 독립적으로, 2 개 이상의 융합된 고리로 이루어진 핵을 완성하는 원자이다.
일반적으로, 킬레이트를 형성한다고 알려진 1 가, 2 가 또는 3 가 금속을 사용할 수 있다.
금속은 1 가 , 2 가 또는 3 가 금속일 수 있고, 바람직하게는, 주기율표의 1 족, 2 족 및 3 족 원소 및 2 아족 원소, 예를 들어, 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 칼슘, 붕소, 알루미늄, 인듐, 갈륨, 아연 및 베릴륨일 수 있다.
Z는 2 개 이상의 융합된 고리로 이루어진 헤테로시클릭 분자 잔기를 완성하고, 융합된 고리 중 하나는 아졸 또는 아진 고리이며, 추가의 지방족 또는 방향족 고리가 2 개의 융합된 고리에 결합될 수 있다.
성분 (B)의 적절한 예는 Al3+, Mg2+, In3+, Ga3+, Zn2+, Be3+, Li+, Ca2+, Na+의 옥신 착물(8-히드록시퀴놀린 착물) 또는 알루미늄트리스(5-메티록신) 및 갈륨트리스(5-클로로-퀴놀린)이다. 희토류 금속과의 착물 또한 사용할 수 있다.
성분 (B)의 예는 Alq3, Inq3, Gaq3, Beq3, Mgq3, 또는 Al(qa)3, In(qa)3, Zn(qa)3, Be(qa)3, Mg(qa)3이다.(여기서,q는이고, (qa)는임).
1 종 이상의 성분 (B)의 화합물을 사용할 수 있다.
성분 (B)에 따른 화합물 또는 옥신 착물은 일반적으로 공지되어 있거나, 공지된 방법(예를 들어, US-P 4 769 292 참조)으로 제조할 수 있고, 이는 모든 목적을 위하여 그 전체로서 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다.
치환된 퀴나크리돈 화합물 (C)는 하기의 화학식 (IIIa) 및 (IIIb)를 갖는다.
<화학식 IIIa>
상기 식에서,
R11, R12, R13및 R14는 서로 독립적으로 수소, 할로겐 및 임의로 할로겐-치환된 C1-C15-알킬, C1-C16-알콕시, C1-C20-알킬티오, 시클로알킬, 임의로 치환된 아릴 또는 아릴알킬이고, 외부 페닐 고리당 2 개 이상의 라디칼은 동시에 수소를 나타내지 않으며, 치환체는 알콕시, 할로겐 또는 알킬이고, 두 개의 질소 원자 모두에서 추가로 알킬화가 일어날 수 있고,
R15는 수소 또는 임의로 치환된 C1-C18-알킬 또는 임의로 치환된 시크로알킬이고,
R11, R12, R13및 R14는 서로 독립적으로 바람직하게는 C1-C6-알킬, 특히, 메틸, t-부틸, C1-C12-알콕시, 특히, 메톡시, 도데실옥시, 및 C4-C10-알킬티오, 특히, 옥틸티오, 할로게노-C1-C4-알킬, 특히, 트리플루오로메틸이고,
R15는, 바람직하게는, 수소, C1-C8-알킬, 특히, 메틸, 옥틸, t-부틸 또는 시클로헥실이다.
할로겐은, 바람직하게는 불소, 염소, 브롬이다.
하기 화학식의 화합물을 이러한 화합물의 예로서 언급할 수 있다.
<화학식 C1>
<화학식 C2>
<화학식 C3>
<화학식 C4>
<화학식 C5>
<화학식 C6>
<화학식 C7>
<화학식 C8>
<화학식 C9>
<화학식 C10>
<화학식 C11>
<화학식 C12>
<화학식 C13>
<화학식 C14>
<화학식 C15>
<화학식 C16>
<화학식 C17>
<화학식 C18>
<화학식 C19>
<화학식 C20>
<화학식 C21>
<화학식 C28>
또한, 치환된 퀴나크리돈 화합물 (C)은 하기의 화학식 (IIIb)(입체이성질체)를 가질 수 있다.
<화학식 IIIb1>
<화학식 IIIb2>
<화학식 IIIb3>
<화학식 IIIb4>
<화학식 IIIb5>
상기 식에서,
Z는 2 개의 고리에서 독립적으로 고리, 바람직하게는 O, S, P 또는 N(그러나 이에 제한되지는 않음) 중 하나 이상의 헤테로 원자, 특히, 2 내지 5 개의 산소 원자에 의하여 단속될 수 있는 3 내지 12 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 고리를 완성하는 원자를 나타내고,
R1은 수소, C1-C12-알킬, 바람직하게는 C1-C10-알킬, 특히, 메틸, 옥틸, t-부틸, 또는 시클로헥실이다.
하기의 화합물을 이러한 화합물의 예로서 언급할 수 있다.
<화학식 C22>
<화학식 C23>
<화학식 C24>
<화학식 C25>
<화학식 C26>
<화학식 C27>
또한, 성분 (C)는 화학식 (IIIa) 및 (IIIb)의 가능한 입체이성질체의 혼합물일 수 있다.
화학식 (III)의 퀴나크리돈 유도체는 공지되어 있거나, 공지된 방법, 예를 들어, 하기의 반응식으로 제조될 수 있다.
<반응식 A>
<반응식 B>
R 및 R'는 하나 이상의 라디칼 R11, R12, R13, R14를 나타내고, 상기에서 언급한 의미를 갖는다.
출발 물질은 공지되어 있거나 상업적으로 시판되는 것이거나, 일반적으로 공지된 유기 화학의 방법으로 제조할 수 있다.
결합제 (D)는 중합체 및(또는) 공중합체, 예를 들어, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르 카르보네이트, 스티렌 공중합체(예를 들어, 스티렌-아크릴로니트릴("SAN") 또는 스티렌 아크릴레이트), 폴리술폰, 비닐기를 함유하는 단량체를 기재로 한 중합체(예를 들어, 폴리(메트)아크릴레이트, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐카르바졸), 비닐 아세테이트 및 비닐 알콜 중합체 및 공중합체, 폴리올레핀, 시클릭 올레핀 공중합체, 페녹시 수지 등이다. 상이한 중합체의 혼합물 또한 사용할 수 있다. 중합체 결합제 (C)는 10,000 내지 200,000 g/mol의 분자량을 갖고, 가용성이며 막-형성성이고, 가시광선 범위에서 투명하다. 이들은, 예를 들어, 문헌(Encyclopedia Polymer Science and Engineering, 2nd Ed., Wiley Interscience publication)에 기술되어 있다. 이들은 통상적으로, (A) 및 (B)의 총 중량을 기준으로하여 약 95 중량 % 이하, 바람직하게는 약 80 중량 % 이하의 양으로 사용된다.
본 발명에 따른 전자발광 장치는 성분 (A), (B) 및 (C), 임의로는 투명한 결합제 (D)의 혼합물을 함유하는 발광층을 갖는다는 것을 특징으로 한다. (A), (B) 및 (C)의 상호간 중량비는 다양할 수 있다.
중합체 결합제중 (A) 및 (B)의 중량의 합은 약 0.2 내지 약 98 중량 %, 바람직하게는, 약 2 내지 약 95 중량 %, 특히 바람직하게는, 약 10 내지 약 90 중량 %, 매우 특히 바람직하게는, 약 10 내지 약 85 중량 %이다.
성분 (A) 및 (B)의 중량비 A:B는 약 0.05 내지 약 20, 바람직하게는, 약 0.2 내지 약 10, 특히 바람직하게는, 약 0.3 내지 약 8, 특히, 약 0.3 내지 약 7 이다. 성분 (A) 및 (B)는 하나의 성분 또는 임의의 목적하는 조성을 갖는 성분들의 혼합물로 이루어질 수 있다.
퀴나크리돈 화합물 (C)는 전자발광 소자중에 제공되고, 이는 임의의 목적하는 층중에 저농도의 도판트로서 함유될 수 있다. 또한, EL 요소의 여러 층중에 각각의 경우 상이한 농도로서 동시에 함유될 수도 있다.
바람직하게는, 도판트는 정공-수송층 및(또는) 발광층 및(또는) 전자-수송층에 가해지고, 매우 특히 바람직하게는, 발광층 또는 광-수송층에 가해진다.
각각의 게스트 매트릭스중의 (C)의 농도는 서로 독립적으로 약 0.01 내지 약 40 중량 %, 바람직하게는 약 0.4 내지 약 10 중량 %[성분 (A) 및 (B)의 100 중량 %를 기준으로]이다.
층을 제조하는데 있어서, 성분 (A), (B), (C) 및 임의로 (D)는 적절한 용매중에 용해되고 캐스팅, 나이프-코팅 또는 스핀-코팅에 의하여 적절한 기판에 도포된다. 상기의 기판은, 예를 들어, 투명한 전극이 제공된 유리 또는 플라스틱 물질일 수 있다. 예를 들어, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르(예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸 테레프탈레이트, 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트), 폴리술폰 또는 폴리아미드의 막을 플라스틱 물질로서 사용할 수 있다.
투명한 전극으로서 적절한 것은
(a) 금속 산화물, 예를 들어, 산화 인듐 주석(ITO), 산화 주석(NESA), 산화 아연, 도핑된 산화 주석, 도핑된 산화 아연 등,
(b) 반투명 금속 막, 예를 들어, Au, Pt, Ag, Cu 등,
(c) 전도성 중합체 막, 예를 들어, 폴리아닐린, 폴리티오펜 등이다.
금속 산화물 전극 및 반투명 금속 막 전극은 증착, 스퍼터링, 백금 도금 등과 같은 기술에 의하여 박층에 도포된다. 전도성 중합체 막은 스핀 코팅, 캐스팅, 나이프 코팅 등과 같은 기술에 의하여 용액으로부터 도포된다.
투명한 전극의 두께는 3 nm 내지 약 수 ㎛ 이거나, 바람직하게는, 약 10 nm 내지 500 nm이다.
전자발광층은 박막으로서 투명한 전극 또는 임의로 제공된 전하-수송층에 직접 도포된다. 막의 두께는 약 10 내지 약 500 nm, 바람직하게는, 약 20 내지 약 400 nm, 특히 바람직하게는, 약 50 내지 약 200 nm이다.
추가의 전하-수송층은 카운터-전극이 도포되기 전에 전자발광층에 가할 수 있다.
정공- 및(또는) 전자-전도 물질을 포함할 수 있고, 중합체 또는 저분자량 형태, 임의로는 블렌드로서 제공될 수 있는, 적절한 전하-수송 매개층의 목록은 U.S, 5,281,489에 상응하는 EP-A 532 798에 기술되어 있고, 이는 그 전체로서 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다. 특히 적절한 것은 정공-수송 성질을 갖는 특정 치환된 폴리티오펜이다. 이들은, 예를 들어, U.S. 5,766,515에 상응하는 EP-A 686 662에 기술되어 있고, 이는 모든 유용한 목적을 위하여 그 전체로서 본 명세서에 참고 문헌으로 포함되어 있다. 언급한 문헌들은 본 명세서에 명백하게 참고 문헌으로 포함되어 있다.
중합체 결합제중의 저분자량 정공-전도체의 함량은 약 2 내지 약 97 %로 다양할 수 있고, 바람직하게는 약 5 내지 약 95 중량 %, 특히 바람직하게는 약 10 내지 약 90 중량 %이다. 정공-주입 또는 정공-전도 영역은 다양한 방법에 의하여 침착될 수 있다.
또한, 막-형성 정공 전도체는 순수한 형태(100 % 강도)로 사용될 수 있다. 임의로는, 정공-주입 또는 정공-전도 영역은 발광층 물질의 일정 부분을 함유할 수도 있다.
단지 저분자량 화합물만으로 이루어진 블렌드는 증착에 의하여 도포될 수 있고, 저분자량 화합물 및 도판트에 부가하여 결합제 (D)를 함유할 수도 있는(필수적이지는 않음) 가용성 및 막-형성 블렌드는, 예를 들어, 스핀 코팅, 캐스팅 또는 나이프 코팅에 의하여 용액으로부터 침착될 수 있다.
또한, 개별적인 층중에서 방출 및(또는) 전자-전도 물질을 성분 (A)를 갖는 정공-전도층에 도포할 수도 있다. 성분 (C)에 따른 방출성 물질 또한 도판트로서 성분 (A)를 함유하는 층에 가해질 수 있고, 전자-전도 물질 또한 도포될 수 있다. 또한, 전자발광 물질을 전자-주입 또는 전자-전도층에 가할 수도 있다.
중합체 결합제중의 저분자량 전자 전도체의 함량은 약 2 내지 약 95 중량 %로 다양할 수 있고, 바람직하게는, 약 5 내지 약 90 중량 %이고, 특히 바람직하게는 약 10 내지 약 85 중량 % 이다. 또한, 막-형성 전자 전도체를 순수한 형태(100 % 강도)로서 사용할 수 있다.
카운터-전극은 투명할 수 있는 전도성 물질로 이루어진다. 적절한 금속은 바람직하게는, 예를 들어, Al, Au, Ag, Mg, In 등 또는 이들의 합금 및 산화물이고, 이는 증착, 스퍼터링 또는 백금 도금과 같은 기술에 의하여 도포될 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 2 개의 전기 도선(예를 들어, 금속 전선)에 의하여 2 개의 전극과 접촉하게 된다.
약 0.1 내지 약 100 볼트의 DC 전압을 가할 때, 장치는 약 200 내지 약 2,000 nm 파장의 빛이 방출된다. 이들은 약 200 내지 약 2,000 nm의 광자 발광을 나타낸다.
본 발명에 따른 장치는 조명용 및 정보 표시 장치용 유니트의 생산에 적절하다.
<실시예>
(A) 합성 I :
치환된 퀴나크리돈의 합성을 하기의 반응식에 따라 디에틸 2,5-디히드록시-1,4-시클로헥사디엔-1,4-디카르복실레이트(숙시닐로숙신산의 디에스테르) 및 상응하는 아닐린 화합물로 부터 3-단계 합성 방법으로 수행하였다.
개별적인 합성 단계에 대해서는 문헌[R.H.Altiparmakian, H.Boheler, B.L.Kaul, F.Kehrer, Hervetica Chimica Acta Vol. 55, 85-100 (1972); K.Kitahara, H.Yanagimoto, N.Nakajima, H.Nishi, J.Heterocyclic Chem. 29, 167-169 (1992); V.Keller, K.Mueller, S.De Feyter, F.C.De Schryver, Adv. Master. 8, No.6, 490-493 (1996)]에 보다 상세히 기술되어 있다.
<실시예 1>
화합물 (C1)의 합성
<화학식 C1>
(a) 1 단계
2,4-다메틸아닐린 4.85 g(40 mmol) 및 디에틸 2,5-디히드록시-1,4-시클로헥사디엔-1,4-디-카르복실레이트 5.13 g(20 mmol)을 아르곤하에서 7 시간 동안 에탄올 1,000 mL와 아세트산 400 mL의 혼합물중에서 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 분리된 엷은 적색 침전물을 분리 제거하고, 따듯한 에탄올로 세척하였다. 이를 건조한 후, 분홍색 고체 2.54 g(이론치의 27.5 %)을 수득하고, 이를 추가의 정제없이 제2 반응 단계에서 사용할 수 있었다.
(b) 2 단계
1-클로로나프탈렌 70 mL를 실시예 (1a)에서 수득한 화합물 2.5 g(5.5 mmol)에 가하고, 오일 펌프로 생성된 진공중에서 아르곤을 사용한 반복되는 배출 및 플러슁에 의하여 산소를 완전히 제거하였다. 혼합물을 금속 조상에서 260 ℃에서 1 시간 동안 환류시켰다. 이를 냉각시킨 후, 용매를 감압하에서 분리 제거하였다. 부산물을 제거하기 위하여 수득한 고체 잔사를 아세톤중에서 수 차례 비등시키고 고온으로 여과하였다. 이를 건조시킨 후, 분홍색 고체 1.57 g(이론치의 78 %)를 수득하였다.
(c) 3 단계
실시예 (1b)에서 수득한 화합물 1.5 g(4.1 mmol) 및 KOH 1.25 g을 약 80 ℃에서 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 75 mL중에 용해시켰다. 니트로벤젠 2.5 mL를 수득한 용액에 한꺼번에 가하고, 75 ℃에서 교반하면서 4.5 시간 동안 비등시켰다. 이어서, 아세트산 10 mL를 반응 조에 가하고, 실온에서 10 분 동안 교반을 지속하였다. 에탄올 60 mL로 희석한 후, 수득한 진한 적색 고체를 분리하고, 따듯한 에탄올과 일반 에탄올로 수 차례 세척하였다. 고온 테트라히드로푸란(THF)을 사용하여 추가로 정제하였다. 승화에 의하여 최종적으로 정제하였다.
<실시예 2>
화합물 (C6)의 합성
<화학식 C6>
(a) 1 단계
2,5-디-t-부틸아닐린 30 g(146.1 mmol) 및 디에틸 2.5-디-히드록시-1,4-시클로헥사디엔-1,4-카르복실레이트 18.7 g(73.05 mmol)을 아르곤하에서 26 시간 동안 에탄올 1,000 mL와 아세트산 400 mL의 혼합물중에서 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 분리된 엷은 적색 침전물을 분리 제거하고, 따듯한 에탄올로 세척하였다. 이를 건조한 후, 엷은 적색 고체 33.2 g(이론치의 72 %)을 수득하고, 이를 추가의 정제없이 제2 반응 단계에서 사용할 수 있었다.
(b) 2 단계
1-클로로나프탈렌 280 mL를 실시예 (2a)에서 수득한 화합물 15 g(23.8 mmol)에 가하고, 오일 펌프로 생성된 진공중에서 아르곤을 사용한 반복되는 배출 및 플러슁에 의하여 산소를 완전히 제거하였다. 혼합물을 금속 조상에서 260 ℃에서 3 시간 동안 환류시켰다. 이를 냉각시킨 후, 용매를 감압하에서 분리 제거하였다. 부산물을 제거하기 위하여 수득한 고체 잔사를 아세톤중에서 수 차례 비등시키고 고온으로 여과하였다. 이를 건조시킨 후, 분홍색 고체 5 g(이론치의 39 %)를 수득하였다.
(c) 3 단계
실시예 (2b)에서 수득한 화합물 5 g(9.3 mmol) 및 KOH 3.7 g을 약 80 ℃에서 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 200 mL중에 용해시켰다. 니트로벤젠 7.5 mL를 수득한 용액에 일부분으로 가한 후, 75 ℃에서 교반하면서 4.5 시간 동안 비등시켰다. 이어서, 아세트산 10 mL를 반응 조에 가하고, 실온에서 10 분 동안 교반을 지속하였다. 에탄올 100 mL로 희석한 후, 수득된 진한 적색 고체를 분리하고, 따듯한 에탄올과 일반 에탄올로 수 차례 세척하였다. 고온 THF를 사용하여 추가로 정제하였다. 이를 건조한 후, 적색 고체 0.66 g(이론치의 13.2 %)를 수득하였다. 승화에 의하여 최종적으로 정제하였다.
<실시예 3>
화합물 (C28)의 합성
<화학식 C28>
(a) 1 단계
3,4,5-트리메톡시아닐린 14.3 g(78.04 mmol) 및 디에틸 2.5-디-히드록시-1,4-시클로헥사디엔-1,4-카르복실레이트 10 g(39.02 mmol)을 아르곤하에서 26 시간 동안 에탄올 500 mL와 아세트산 200 mL의 혼합물중에서 환류시켰다. 실온까지 냉각시킨 후, 분리된 엷은 적색 침전물을 분리하고, 따듯한 에탄올로 세척하였다. 이를 건조한 후, 엷은 적색 고체 18.25 g(이론치의 79.7 %)을 수득하고, 이를 추가의 정제없이 제2 반응 단계에서 사용할 수 있었다.
(b) 2 단계
1-클로로나프탈렌 85 mL를 실시예 (3a)에서 수득한 화합물 5 g(8.52 mmol)에 가하고, 오일 펌프로 생성된 진공중에서 아르곤을 사용한 반복되는 배출 및 플러슁에 의하여 산소를 완전히 제거하였다. 혼합물을 금속 조상에서 260 ℃에서 3 시간 동안 환류시켰다. 이를 냉각시킨 후, 용매를 감압하에서 분리 제거하였다. 부산물을 제거하기 위하여 수득한 고체 잔사를 아세톤중에서 수 차례 비등시키고 고온으로 여과하였다. 이를 건조시킨 후, 분홍색 고체 32.6 g(이론치의 77.3 %)를 수득하였다.
(c) 3 단계
실시예 (3b)에서 수득한 화합물 3 g(6.06 mmol) 및 KOH 3.5 g을 약 80 ℃에서 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 200 mL중에 용해시켰다. 니트로벤젠 7.0 mL를 수득한 용액에 한꺼번에 가한 후, 75 ℃에서 교반하면서 4 시간 동안 비등시켰다. 이어서, 아세트산 10 mL를 반응 조에 가하고, 실온에서 10 분 동안 교반을 지속하였다. 에탄올 100 mL로 희석한 후, 수득된 진한 적색 고체를 분리하고, 따듯한 에탄올과 일반 에탄올로 수 차례 세척하였다. 고온 THF를 사용하여 추가로 정제하였다. 이를 건조한 후, 적색 고체 0.66 g(이론치의 13.2 %)를 수득하였다. 승화에 의하여 최종적으로 정제하였다.
합성 II :
(B) EL 장치
하기의 2 개의 실시예로 EL 장치를 예시한다.
<실시예 1>
10 nm 석정 전지중의 500 nm에서의 발광도 E가 0.04가 되도록 물질 C6을 메탄올중에 용해시켰다. 이 용액의 형광 광선 및 여기 광선을 도 1의 형광 분광계(Edinburgh, FS 900)상에 기록하였다. 최대 여기 스펙트럼은 505 nm 에서 나타났고, 최대 방출은 540 nm에서 나타났다.ex=505 nm에서 여기에 대한 메탄올중에서의 물질의 양자 효율은 0=0.33이었다.
<실시예 2>
본 발명에 따른 물질 C6을 유기 발광 다이오드(OLED)의 제조에 사용하였다. OLED의 제조에 있어서, 하기의 공정을 사용하였다;
1. ITO 기판의 세척
ITO-코팅 유리(Merck Balzers AG, Germany, FL, Part No. 253 674 XO)를 50 nm×50 nm 조각(기판)로 재단하였다. 이어서, 기판을 울트라사운드(Ultrasound) 조중에서 15 분 동안 3 % 강도 수성 무카솔(Mukasol) 용액으로 세정하였다. 이어서, 기판을 증류수로 세정하고, 원심분리기중에서 회전 건조시켰다. 이 세척 및 건조 공정을 10 회 반복하였다.
2. ITO에 바이트론(Baytron) P층의 도포
1.3 % 강도 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리술폰산 용액(Bayer AG, Leverkusen, Germany, Baytron P) 약 10 mL를 여과하였다. 이어서 기판을 스핀 도포기상에 놓고 여과된 용액을 기판의 ITO-코팅된 측면상에 분포시켰다. 이어서, 상청액을 3 분에 걸쳐 테이블을 500 rpm으로 회전시켜 제거하였다. 이어서, 이러한 방식으로 코팅된 기판을 5 분 동안 110 ℃ 고온 플레이트상에서 건조시켰다. 층의 두께는 60 nm였다(Tencor, Alphastep 200).
3. 발광층의 도포
폴리비닐카르바졸(BASF AG, Ludwigshafen, Germany, Luvican) 1 중량부, 페닐아민 1 중량부, C60.2 중량부를 포함하는 0.5 % 강도 디클로로에탄 용액 5 mL를 여과하고(Millipore HV, 0.45 ㎛) 건조된 바이트론-P층상에 분포시켰다. 이어서, 30 초 동안 테이블을 500 rpm으로 회전시켜 상청액을 제거하였다. 이어서, 이러한 방식으로 코팅된 기판을 5 분 동안 110 ℃ 고온 플래이트상에서 건조시켰다. 층의 두께는 150 nm였다.
4. 증착에 의한 금속 캐쏘드의 도포
금속 전극을 증착에 의하여 유기층 시스템에 도포하였다. 이러한 목적을 위하여, 유기층 시스템을 아래로 향하게 하여 기판을 천공된 마스크(정공 직경 5 mm)상에 놓았다. 원소 Mg 및 Ag를 2 개의 증착 보우트로부터 10-3Pa의 압력으로 동시에 증발시켰다. 증착 속도는 Mg에 대해서는 28 Å/초였고, Ag에 대해서는 2 Å/초였다. 증착에 의하여 도포된 금속 접촉면의 두께는 500 nm였다.
유기 LED의 2 개의 전극을 전기 도선을 통하여 전압 공급원에 연결하였다. 양극 막대는 ITO에 연결하고, 음극 막대는 Mg/Ag 전극에 연결하였다.
단지 2.5 볼트의 전압으로, 포토다이오드(EG&G C30809E)를 사용하여 전자발광을 감지할 수 있었다. 3 볼트의 전압에서, 단위 면적 당 전류 1 mA/cm2가 흐르고, 전자발광은 명확하게 가시적이었다. 전자발광의 색은 녹황색이었다.
본 발명에서 용매중에서의 캐스팅 처리를 위한 충분한 용해도를 갖는 치환된 퀴나크리돈 유도체를 합성하고, 캐스팅 방법을 사용하여 도핑된 혼합물을 도포함으로써 높은 발광 밀도 및 개선된 안정성을 갖는 전자발광 장치를 제공하였다.

Claims (20)

  1. 기판, 애노드, 전자발광 소자 및 캐쏘드로 이루어지며, 상기 애노드 또는 상기 캐쏘드는 가시 광선 범위에서 투명하고, 상기 전자발광 소자는
    (1) 정공-주입 영역,
    (2) 정공-수송 영역,
    (3) 전자발광 영역,
    (4) 전자-수송 영역 및
    (5) 전자-주입 영역
    으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 영역을 포함하며, 1 종 이상의 퀴나크리돈이 상기 영역중 하나 이상에 존재하고, 단 둘 이상의 영역이 존재하는 경우, 그러한 영역들은 퀴나크리돈 함유 영역의 존재하에 상기 (1) 내지 (5)의 순서를 따르는 전자발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 퀴나크리돈이 화학식 (IIIa)의 화합물인 전자발광 장치.
    <화학식 IIIa>
    상기 식에서,
    R11, R12, R13및 R14는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 치환된 C1-C15-알킬 , 비치환된 C1-C15-알킬, C1-C16-알콕시, C1-C16-알킬티오, C4-C8-시클로알킬, 치환된 아릴, 비치환된 아릴 또는 아릴알킬이고, 치환체들은 C1-C15-알킬, C1-C15-알콕시, 할로겐, OH 및 C6-C15-아릴로 이루어진 군으로부터 선택되며, 외측 페닐 고리에서 2 개 이상의 라디칼이 동시에 수소를 나타내지 않으며, 또한 질소 원자에서 알킬화가 일어날 수 있고,
    R11, R12, R13및 R14중 하나 이상의 인접한 쌍은 그 사이의 원자들과 함께 결합하여 고리를 형성하고,
    R15는 수소, 비치환된 C1-C16-알킬, 치환된 C1-C16-알킬, 비치환된 C4-C8-시클로알킬 또는 치환된 C4-C8-시클로알킬이고, 치환체들은 C1-C15-알킬, C1-C15-알콕시, 할로겐, OH 및 C6-C15-아릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  3. 제2항에 있어서, 퀴나크리돈이 화학식 (IIIb)의 화합물인 전자발광 장치.
    <화학식 IIIb1>
    <화학식 IIIb2>
    <화학식 IIIb3>
    <화학식 IIIb4>
    <화학식 IIIb5>
    상기 식에서,
    Z는 2 개의 고리에서 독립적으로 고리를 완성하는 원자이고,
    R1은 수소, C1-C12-알킬 또는 C4-C8-시클로알킬이다.
  4. 제1항에 있어서, 전자발광 소자가 투명한 중합체 결합제를 추가로 함유하는 전자발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 전자발광 소자가 화학식 (I)의 방향족 3 급 아미노 화합물을 추가로 함유하는 전자발광 장치.
    <화학식 I>
    상기 식에서,
    R2는 수소, 할로겐, 비치환된 알킬, 또는 알콕시, 히드록시 또는 할로겐으로 치환된 알킬이고,
    R3및 R4는 서로 독립적으로 임의로 치환된 C1-C10-알킬, 알콕시카르보닐-치환된 C1-C10-알킬 또는 임의로 치환된 아릴, 임의로 치환된 아르아킬 또는 임의로 치환된 시클로알킬이고, 치환체는 알킬, 알콕시, 히드록시, 아릴 또는 할로겐이다.
  6. 제5항에 있어서, R2가 수소 또는 C1-C6-알킬이고, R3및 R4가 서로 독립적으로 C1-C6-알킬, C1-C4-알콕시카르보닐-C1-C6-알킬, 페닐, 나프틸, 페닐-C1-C4-알킬, 나프틸-C1-C4-알킬, 시클로펜틸 또는 시클로헥실이고, 이들 각각이 하나 이상의 C1-C4-알킬 또는 C1-C4-알콕시로 임의로 치환되는 것인 전자발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 하기 화학식의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 3 급 아민을 추가로 포함하는 전자발광 장치.
  8. 제1항에 있어서, 화학식 (II)의 발광성 화합물을 추가로 포함하는 전자발광 장치.
    <화학식 II>
    상기 식에서,
    Me는 금속이고,
    m은 1 내지 3의 수이고,
    n은 1 내지 3의 수이고,
    Z는 2 개의 형태에서 독립적으로 2 개 이상의 융합된 고리로 이루어진 핵을 완성하는 원자를 나타낸다.
  9. 제7항에 있어서, 화학식 (II)의 발광성 화합물을 추가로 포함하며, 전자발광 소자가 투명한 중합체 결합제를 추가로 함유하는 전자발광 장치.
    <화학식 II>
    상기 식에서,
    Me는 금속이고,
    m은 1 내지 3의 수이고,
    n은 1 내지 3의 수이고,
    Z는 2 개의 형태에서 독립적으로 2 개 이상의 융합된 고리로 이루어진 핵을 완성하는 원자를 나타낸다.
  10. 제1항에 있어서, 퀴나크리돈 화합물이 하기 화학식의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 전자발광 장치.
    <화학식 C1>
    <화학식 C2>
    <화학식 C3>
    <화학식 C4>
    <화학식 C5>
    <화학식 C6>
    <화학식 C7>
    <화학식 C8>
    <화학식 C9>
    <화학식 C10>
    <화학식 C11>
    <화학식 C12>
    <화학식 C13>
    <화학식 C14>
    <화학식 C15>
    <화학식 C16>
    <화학식 C17>
    <화학식 C18>
    <화학식 C19>
    <화학식 C20>
    <화학식 C21>
    <화학식 C22>
    <화학식 C23>
    <화학식 C24>
    <화학식 C25>
    <화학식 C26>
    <화학식 C27>
  11. 제9항에 있어서, Me가 킬레이트를 형성하는 1 가, 2 가 또는 3 가 금속인 전자발광 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 발광성 화합물이 Al3+, Mg2+, In3+, Ga3+, Na+의 옥신 착물(8-히드록시퀴놀린 착물) 또는 알루미늄트리스(5-메틸옥신) 또는 갈륨-트리스(5-클로로퀴놀린) 또는 희토류 금속 착물인 전자발광 장치.
  13. 제3항에 있어서, 투명한 결합제가 폴리카르보네이트, 폴리에스테르 카르보네이트, 스티렌 공중합체, 폴리술폰, 비닐기를 함유하는 단량체를 기재로한 중합체, 폴리올레핀, 시클릭 올레핀 공중합체, 페녹시 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 전자발광 장치.
  14. 제3항에 있어서, 투명한 결합제가 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체 또는 스티렌 아크릴레이트인 전자발광 장치.
  15. 제1항에 있어서, 중합체 결합제중의 트리스아미노페닐 벤젠 화합물과 발광성 물질의 중량의 합이 약 0.2 내지 약 98 중량 %(트리스아미노페닐 벤젠 화합물, 퀴나크리돈 및 발광성 물질을 100 중량 % 기준으로 함)이고, 발광성 물질에 대한 트리스아미노페닐 벤젠 화합물의 중량비가 약 0.05 내지 약 20인 전자발광 장치.
  16. 제1항에 있어서, 전자발광 소자가 정공-전도 물질 및 전자-전도 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 전하-수송 물질을 추가로 함유하는 전자발광 장치.
  17. 제1항에 있어서, 전자발광 소자가 일층 시스템으로 이루어진 전자발광 장치.
  18. 제1항에 있어서, 전자발광 소자가 임의로 치환된 트리스-1,3,5-(아미노페닐)벤젠 화합물, 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄염(알루미늄 옥시네이트) 및 폴리비닐카르바졸을 함유하는 영역으로 이루어진 전자발광 장치.
  19. 제1항의 전자발광 장치를 포함하는 물품.
  20. 제19항에 있어서, 상기 물품이 조명/역광 표시 장치, 정보 표시 장치, 세그멘트 표시 장치 및 매트릭스 표시 장치로 이루어진 군으로부터 선택되는 물품.
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