JP4872210B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、表示装置及び照明装置に関する。

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。

一方、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子および正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。

今後の実用化に向けた有機エレクトロルミネッセンス素子の開発としては、効率よく高輝度に発光し、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれている（例えば、特許文献１、２、３、４、５及び６参照。）。

また、近年、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの開発が盛んになり、素子の長寿命化を目指して当業界では開発が進められている。

従来、有機ＥＬ素子の陰極には、アルカリ金属やアルカリ土類金属等が陰極形成材料として用いられることが多く、このような素子においては、前記アルカリ金属イオンや前記アルカリ土類金属イオン等の拡散（イオンマイグレーションともいう）性が大きい為に、発光効率の低下、発光寿命の低減等が起こりやすいという問題点がある。

上記のアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンの拡散を防止するために、有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層として、少なくとも１層のアルカリ金属・アルカリ土類金属補足層を設ける技術が開示されている（例えば、特許文献７参照。）。

しかしながら、陰極の形成材料である、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のイオン拡散防止の効果は実用上の観点から十分ではなく、有機ＥＬ素子の長寿命化の達成を阻む大きな問題点として、現在においても当業界から解決が要望されている。
特開２００１−１８１６１６号公報 特開２００１−２４７８５９号公報 特開２００２−８３６８４号公報 特開２００２−１７５８８４号公報 特開２００２−３３８５８８号公報 特開２００３−７４６９号公報 特開２００３−２４９３６７号公報

本発明の目的は、外部取りだし量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧で起動できる有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、該素子を用いる表示装置及び照明装置を提供することである。

本発明の上記目的は下記の構成１〜１２により達成された。

１．陰極と陽極との間に、下記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該クラウンエーテル誘導体の少なくともひとつの環内が空孔であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

一般式（１）
ＣＥ−（Ｌ_ｍ１−Ａ_ｍ２）_ｎ
〔式中、ＣＥは、クラウンエーテル誘導体残基、Ａは、下記一般式（２）、（３）または（４）で表される基、または芳香族複素環基を表す。Ｌは、単結合または２価の連結基を表すが、該Ｌが複数の場合、前記Ｌは同一でも異なっていてもよい。ｎは、１〜１０の整数、ｍ１、ｍ２は、各々独立に、１〜ｎの整数を表す。〕

〔式中、Ａｒ₂、Ａｒ₃は、アリール基または芳香族複素環基を表し、Ａｒ₂とＡｒ₃は、互いに連結して環を形成していても良い。〕

〔式中、Ｑ₁、Ｑ₂は、各々独立に、５員または６員の芳香環を形成するのに必要な原子群を表す。〕

〔式中、Ａｒ_４、Ａｒ_５は、アリール基または芳香族複素環基を表し、Ａｒ_４とＡｒ_５は、直接または２価の連結基を介して連結し環を形成していても良い。〕
２．構成層として、前記陰極の隣接層を有し、該隣接層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．前記隣接層が、陰極バッファー層であることを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

４．前記陽極の隣接層を有し、該隣接層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

５．構成層として第一正孔輸送層を有し、該第一正孔輸送層に隣接する少なくとも一つの層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

６．構成層として発光層を有し、該発光層に隣接する少なくとも一つの層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

７．前記発光層が前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含有することを特徴とする前記６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

８．前記１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するに当たり、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を塗布法により成膜形成する事を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。

９．白色に発光することを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

１０．前記１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または前記９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。

１１．前記１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、前記９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または前記１０に記載の表示装置を備えたことを特徴とする照明装置。

１２．前記１１に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子と、を備えたことを特徴とする表示装置。

本発明により、外部取りだし量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧で起動できる有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法、該素子を用いる表示装置及び照明装置を提供することが出来た。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以後、有機ＥＬ素子ともいう）においては、請求項１〜７または請求項９のいずれか１項に記載の構成を有することにより、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧で起動できた。

また、塗布法による前記有機ＥＬ素子の作製方法を開発すると同時に、前記有機ＥＬ素子を用いて、高輝度の表示装置、照明装置を得ることにも併せて成功した。

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。

本発明者等は、上記の問題点を種々検討した結果、本発明に係る一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を有機ＥＬ素子の構成層に設けることにより、陰極の形成材料である、アルカリ金属イオン（例えば、ナトリウムイオン等）、アルカリ土類金属イオン等のイオン拡散防止の効果として実用上の観点から十分な効果が得られ、特に高温での保存条件では、金属イオンの拡散性向上による素子の性能低下が問題であったが、前記のような高温保存条件下においても、実用上、十分な金属イオントラップ効果があることを見出した。

また、一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体は、構造中に蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基を有しているが、これらの機能性基の導入によりもたらされる有機ＥＬ素子への効果としては、下記に記載の効果が挙げられる。

（ａ）駆動電圧の低下：蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基導入により、正孔輸送性または電子輸送性が向上することにより、正孔または電子の注入障壁の低減効果が得られる。

（ｂ）外部取り出し量子効率の向上：蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基導入により、正孔または電子の注入バランスが向上する。

（ｃ）界面の層相分離防止、クラウンエーテル誘導体同士の凝集防止：隣接層との極性差を少なくし、相溶性を向上させ、クラウンエーテル誘導体の層中での偏在を防止する。

《一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体》
本発明に係る一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体について説明する。

一般式（１）において、ＣＥは、クラウンエーテル誘導体残基を表す。ここで、クラウンエーテル誘導体残基とは下記で説明するクラウンエーテル誘導体を構成する原子の少なくともひとつを除いた部分構造を有する置換基である。

（クラウンエーテル誘導体）
ここで、クラウンエーテル誘導体とは、岩波理化学辞典第５版（１９９８年岩波書店発行、編集 長倉三郎 他）記載の「クラウンエーテル」の定義に規定されているように、環状エーテル＋空孔内に包接する機能を有するものの化合物の総称である。

本発明に係るクラウンエーテル誘導体は、複数の酸素原子、硫黄原子、窒素原子を持つ環状エーテル化合物もしくはその類縁体であり、また、酸素原子、硫黄原子、窒素原子が混在していても良く、（その総数は少なくとも４以上である）、環状エーテルの形成に係る、硫黄原子は硫黄原子単体でも、硫黄原子が酸化されたスルホキシドやスルホン状態でも構わない。同様に、窒素原子は、無置換もしくは置換アミノ基、またはアンモニウム陽イオンの状態を呈していても構わない。

また、酸素原子、硫黄原子、窒素原子を結ぶ結合はエチレン鎖の様な単結合でも、エチン鎖の様な多重結合を含んでも良く、多重結合は、芳香族炭素環や芳香族複素環（ヘテロ芳香環ともいう）の様に環を形成しても良い。また化合物中の水素原子は置換基で置換されていても良く、該置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。

これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。

《Ａで表される蛍光性化合物残基》
一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体において、Ａで表される蛍光性化合物残基は、下記に記載の蛍光性化合物から任意の位置に結合子を付与して生成した部分構造を有する基であることが好ましい。

《蛍光性化合物》
本発明に用いられる蛍光性化合物（蛍光発光を示す化合物ともいう）としては、蛍光量子収率が高い部分構造を有する、蛍光性有機分子が好ましく、例えば、従来公知のクマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンゾアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等などが挙げられるが、本発明で特に好ましく用いられるのは、上記一般式（２）、（３）または（４）で表される蛍光性化合物残基を有する化合物（誘導体ともいう）である。

また、前記蛍光性化合物を用いて高い蛍光量子収率を得るためには、発光層中の含有量が層全体の質量の１０質量％以上であることが好ましく、特に好ましくは３０％以上である。

ここで、上記の蛍光量子収率は、前記第４版実験化学講座７の分光IIの３６２頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定することができる。

《一般式（２）、（３）または（４）で表される蛍光性化合物残基》
上記の一般式（２）のＡｒ₂、Ａｒ₃、一般式（４）のＡｒ₄、Ａｒ₅で各々独立に表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

これらの基は、上記の一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体が有する置換基を有してもよい。

上記の一般式（２）のＡｒ₂、Ａｒ₃、一般式（４）のＡｒ₄、Ａｒ₅で各々独立に表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの基は、上記の一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体が有する置換基を有してもよい。

上記の一般式（３）のＱ₁、Ｑ₂により、各々独立に形成される、５員または６員の芳香環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。

上記の５員または６員の芳香環は、上記の一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体が有する置換基を有してもよい。

《Ａで表されるリン光性化合物残基》
一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体において、Ａで表されるリン光性化合物残基として好ましく用いられる基は、上記一般式（２）、（３）または（４）で表される蛍光性化合物残基と同義である。

また、本発明においては、後述するリン光性化合物として用いられる化合物から、任意の位置に結合子を付与して生成した部分構造を有する基をリン光性化合物残基として用いることも出来る。

《Ｌで表される２価の連結基》
本発明に係る一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体において、Ｌで表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、３−ペンチニレン基等）、アリーレン基などの炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含む基（例えば、−Ｏ−、−Ｓ−等のカルコゲン原子を含む２価の基、−Ｎ（Ｒａ）−基、ここで、Ｒは、水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基は、一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体が有してもよい置換基として挙げられているアルキル基と同義である。

また、上記のアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基の各々においては、２価の連結基を構成する炭素原子の少なくとも一つが、カルコゲン原子（酸素、硫黄等）や前記−Ｎ（Ｒａ）−基等で置換されていても良い。

更に、Ｌで表される２価の連結基としては、例えば、２価の複素環基を有する基が用いられ、例えば、オキサゾールジイル基、ピリミジンジイル基、ピリダジンジイル基、ピランジイル基、ピロリンジイル基、イミダゾリンジイル基、イミダゾリジンジイル基、ピラゾリジンジイル基、ピラゾリンジイル基、ピペリジンジイル基、ピペラジンジイル基、モルホリンジイル基、キヌクリジンジイル基等が挙げられ、また、チオフェン−２，５−ジイル基や、ピラジン−２，３−ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物（ヘテロ芳香族化合物ともいう）に由来する２価の連結基であってもよい。

また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のようなヘテロ原子を会して連結する基であってもよい。更に、Ｌで表される２価の連結基は、単独、または複数個の組み合わせで使用しても良い。

以下、本発明に係るＬで表される２価の連結基の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

Ｌで表される２価の連結基の具体例において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃は、各々水素原子または置換基を表すが、該置換基は、一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体が有してもよい置換基と同義である。Ａｒ₁は、アリール基または芳香族複素環基を表すが、前記アリール基は、一般式（２）のＡｒ₂、Ａｒ₃で各々表されるアリール基と同義であり、前記芳香族複素環基は、一般式（２）のＡｒ₂、Ａｒ₃で各々表される芳香族複素環基と同義である。

次いで、以下、本発明に係る一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

上記具体例中、Ｒで表される置換基は、下記の通りである。

ＣＥ−２１：Ｒは、水素原子、２−エチルヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基またはｎ−オクチルオキシ基を表す。

ＣＥ−２８：Ｒは、水素原子またはエトキシエチルオキシ基を表す。

ＣＥ−４６：Ｒは、水素原子、フェニル基または２−エチルヘキシル基を表す。

ＣＥ−４７：Ｒは、水素原子、フェニル基または２−エチルヘキシル基を表す。

ＣＥ−５４：Ｒは、水素原子、フェニル基または２−エチルヘキシル基を表す。

ＣＥ−５５：Ｒは、水素原子、フェニル基または２−エチルヘキシル基を表す。

次に、本発明に係る一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の合成方法の一例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

《合成例１：ＣＥ−４５（ｎ＝２）の合成》
３．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）のジベンゾ１８クラウン６を１５ｍｌのクロロホルムに加え、１５分間撹拌した。この溶液に、３．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＮ−ブロモスクシンイミドを加え、さらに３時間撹拌を行った。反応終了後、沈殿物を濾取し、クロロホルム／２−メトキシエタノールから再結晶を行い、ジブロモ体５．０ｇ（９７％）を得た。

次に、ジブロモ体２．６ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−カルバゾリルフェニルボロン酸３．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ／純水（３／１）５０ｍｌに加えた。撹拌しながら、反応系内を十分に窒素置換した後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．６ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流を行った。シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）を用いて反応混合物を精製し、目的の包接化合物ＣＥ−４５（ｎ＝２）を収率６２％（２．６ｇ）で得た。包接化合物ＣＥ−４５（ｎ＝２）の構造は、¹Ｈ−ＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）と質量分析により同定した。

これら包接化合物の合成は、当業者にとって従来公知の合成手法を参照することにより合成可能であるが、例えば、「超分子科学：中嶋直敏編著；化学同人出版；２００４年３月発刊」及び、同書に参考文献として挙げられている文献記載の方法を参照することによっても合成可能である。

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層について説明する。

本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（VI）陽極／正孔輸送層／拡散防止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（VII）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／拡散防止層／陰極バッファー層／陰極
（VIII）陽極／正孔輸送層／拡散防止層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／拡散防止層／陰極バッファー層／陰極
《発光層》
本発明に係る発光層について説明する。

本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

本発明に係る発光層には、本発明の複合体（上記の包接化合物に、上記のりん光発光を示す有機金属錯体（リン光性発光ドーパント）が包接されている）を用いることで、発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子を作製することができる。

リン光性化合物の発光は、原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こり、リン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができるが、リン光性化合物のリン光発光波長が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍにリン光発光の極大波長を有することが好ましい。

このようなリン光発光波長を有するものとしては、青色に発光する有機ＥＬ素子や白色に発光する有機ＥＬ素子が挙げられるが、これらの素子はより発光電圧を抑え、低消費電力で作動させることができる。

また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。

《ホスト化合物》
本発明に用いられるホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．０１未満の化合物である。

本発明に係る発光層においては、ホスト化合物として、公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種もちいることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等である。

また、発光層は、ホスト化合物としてさらに蛍光極大波長を有するホスト化合物を含有していてもよい。この場合、他のホスト化合物とリン光性化合物から蛍光性化合物へのエネルギー移動で、有機ＥＬ素子としての電界発光は蛍光極大波長を有する他のホスト化合物からの発光も得られる。蛍光極大波長を有するホスト化合物として好ましいのは、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収率は１０％以上、特に３０％以上が好ましい。具体的な蛍光極大波長を有するホスト化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素等が挙げられる。蛍光量子収率は、前記第４版実験化学講座７の分光IIの３６２頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定することができる。

本明細書の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が１種または２種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

《リン光性化合物》
本発明に用いられるリン光性化合物としては、下記のようなりん光発光を示す有機金属錯体（リン光性化合物ともいう）の中から適宜選択して用いることが好ましい。

例えば、特開２００１−２４７８５９号公報に記載のイリジウム錯体、国際公開第００／７０，６５５号パンフレット１６〜１８ページに挙げられるような式で表される、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム等やオスミウム錯体、あるいは２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金錯体のような白金錯体もドーパントとして挙げられる。ドーパントとしてこのようなリン光性化合物を用いることにより、内部量子効率の高い発光有機ＥＬ素子を実現できる。

本発明に用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素周期表の第８族、第９族または第１０族に属するいずれか１種の金属を含有する錯体系化合物が好ましいが、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体である。

本発明に用いられるりん光性化合物（リン光発光性化合物）は、励起三重項からの発光が観測されるが、更に、リン光量子収率が、２５℃において０．００１以上であることが好ましく、更に好ましくは、リン光量子収率が０．０１以上であり、特に好ましくは０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されれば良い。

以下に、リン光性化合物（リン光発光性化合物）の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

また、上記ＰＬ−１〜ＰＬ−３３の各有機金属錯体は、単独で用いてもよく、２種以上の化合物を併用して用いてもよい。尚、これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等を参照することにより合成可能である。

本発明のりん光性化合物（リン光発光性化合物）としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。

本発明に用いられるリン光性化合物は、例えばＯｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、ｐ２５７９〜２５８１（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７ページ（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１ページ（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６ページ（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１ページ（２００２年）、更に、これらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

このほかにも、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３巻４３０４〜４３１２頁（２００１年）、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、同第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−１１７９７８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−２０３６７８号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００２−３２４６７９号公報、同２００２−３３２２９１号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−３３８５８８号公報等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開２００２−８８６０号公報記載の式（IV）で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

正孔阻止層は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物により形成される。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、及び正孔を効率的に発光層内に閉じこめるために、発光層のイオン化ポテンシャルより大きいイオン化ポテンシャルの値を有するか、発光層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することが好ましい。正孔阻止材料としては、スチリル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ボロン誘導体の少なくとも１種を用いることも本発明の効果を得るうえで有効である。

その他の化合物例として、特開２００３−３１３６７号公報、同２００３−３１３６８号公報、特許第２７２１４４１号明細書等に記載の例示化合物が挙げられる。

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

この正孔阻止層、電子阻止層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。

本発明に係る正孔輸送層には、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等の従来公知の材料を用いてもよい。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

《電子輸送層》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。また、電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料を含有し、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。

この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。

更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

または、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、更には、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。

（電子輸送層の膜厚）
電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

《拡散防止層》
本発明に係る拡散防止層とは、広くはＥＬ素子の発光効率の低下または発光寿命の低減を引き起こす原因となるＥＬ素子を構成する有機・無機材料自身、または前記有機・無機材料中の混入物が（隣接層から）発光層内へ拡散すること、または発光層内での拡散を防止する役割を有するものを指す。この様な役割を有していれば、陽極バッファー層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等、他の層と兼用しても構わない。本発明の効果を最大限得るためには、該拡散防止層（他層との兼ねている場合も含む）が発光層と陽極あるいは陰極との間の層に位置することが好ましく、さらには正孔輸送層と発光層の間にあり、正孔輸送層に隣接する位置、陰極または陰極バッファー層と発光層の間にあり、陰極または陰極バッファー層に隣接する位置に有することがより好ましい。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。

《バッファ層》：陽極バッファ層、陰極バッファ層
注入層は必要に応じて設け、陰極バッファ層（電子注入層）と陽極バッファ層（正孔注入層）があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。

バッファ層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファ層と陰極バッファ層とがある。

陽極バッファ層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ層、アモルファスカーボンバッファ層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ層等が挙げられる。

陰極バッファ層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》
本発明の有機ＥＬ素子は基体上に形成されているのが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等を有するフィルム等が挙げられる。また、樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルタ等の色相改良フィルタ等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルタを併用してもよい。色変換フィルタを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機ＥＬ素子材料である陽極バッファ層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファ層の有機化合物薄膜を形成させる。

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０℃〜４５０℃、真空度１０^-6Ｐａ〜１０^-2Ｐａ、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０℃〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。

本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等で膜を形成できる。

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。

また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファ層、電子輸送層、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。

本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。

また、本発明に係る有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。

このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。

《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような１種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を３種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルタを用いてＢＧＲにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ＥＬの発光色を色変換フィルタを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機ＥＬ発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子を構成として有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。

図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。

ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。

制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。

図２は、表示部Ａの模式図を表す。

表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。図２においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。

配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、各々導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。

画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。

次に、画素の発光プロセスを説明する。

図３は、画素の模式図を表す。

画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。

図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。

画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。

制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。

すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。

ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。

また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。

図４は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。

順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。

本発明の有機ＥＬ素子材料は、また、照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用可能である。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでも良いし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでも良い。

また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光を発光する材料（発光ドーパント）を、複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光を発光する発光材料と、該発光材料からの光を励起光として発光する色素材料とを組み合わせたもののいずれでも良いが、本発明に係わる白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせる方式が好ましい。

複数の発光色を得るための有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成としては、複数の発光ドーパントを、一つの発光層中に複数存在させる方法、複数の発光層を有し、各発光層中に発光波長の異なるドーパントをそれぞれ存在させる方法、異なる波長に発光する微小画素をマトリックス状に形成する方法等が挙げられる。

本発明に係わる白色有機エレクトロルミネッセンス素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもいいし、電極と発光層をパターニングしてもいいし、素子全層をパターニングしてもいい。

発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係わる白金錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すれば良い。

このように、本発明の白色発光有機ＥＬ素子は、前記表示デバイス、ディスプレーに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、露光光源のような一種のランプとして、また、液晶表示装置のバックライト等の表示装置にも有用に用いられる。

その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。

以下に実施例を挙げて、本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、本発明の実施例に用いられる化合物の一覧を下記に示す。

実施例１
《有機ＥＬ素子１−５の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。

この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。この第一正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層の形成材料としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＰＬ−１４を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＢａｌｑを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＣＥ−３０（ｎ＝３）を１００ｍｇ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートに ＣＥ−１（ｎ＝３）を１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。

次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、ＣＥ−３０の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で、第一正孔輸送層上に蒸着して第一拡散防止層（膜厚１０ｎｍ）を設けた。

次に、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、第一拡散防止層上に蒸着して第二正孔輸送層（膜厚４０ｎｍ）を設けた。さらに、ＣＢＰとＰＬ−１４の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。

さらに、Ｂａｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。更に、ＣＥ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で電子輸送層上に蒸着して第三拡散防止層（膜厚１０ｎｍ）を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−５を作製した。

《有機ＥＬ素子１−４の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。

この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。この第一正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層の形成材料としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＰＬ−１４を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＢａｌｑを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ₃を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。

次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、ＣＥ−３０の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で、第一正孔輸送層上に蒸着して第一拡散防止層（膜厚１０ｎｍ）を設けた。次に、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、第一拡散防止層上に蒸着して第二正孔輸送層（膜厚４０ｎｍ）を設けた。さらに、ＣＢＰとＰＬ−１４の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０１２ｎｍ／秒で第二正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。真空槽を純度９９．９９９％以上の高純度窒素下で大気圧に戻し、基板を同窒素下にあるグローブボックス内に移動した。

前記発光層上に、ＣＥ−４６（ｎ＝３、Ｒ＝フェニル）１０ｍｇをトルエン３ｍｌに溶解し、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートを行った。その後、６０度で１時間真空乾燥し、第二拡散防止層（膜厚１５ｎｍ）を設けた。

この第二拡散防止層を設けた透明支持基板を再び基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した後、Ｂａｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ₃の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。更に、ＣＥ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．０５ｎｍ／秒で電子輸送層上に蒸着して第三拡散防止層（膜厚１０ｎｍ）を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。

引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−４を作製した。

《有機ＥＬ素子１−１〜１−３、１−６及び１−７の作製》
有機ＥＬ素子１−５の作製において、表１に記載のような層構成、また、各層の形成材料を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−１〜１−３、１−６及び１−７を各々作製した。

《有機ＥＬ素子１−１〜１−７の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−７を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５、図６に示すような照明装置を形成して評価した。

図５は、照明装置の概略図を示し、有機ＥＬ素子１０１は、ガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った）。図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。

《外部取りだし量子効率》
作製した有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ²定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。尚、測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。

《発光寿命》
２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ²の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。尚、測定には同様に、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。

《駆動電圧》
温度２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で発光開始の電圧を測定した。なお、発光開始の電圧は、輝度５０ｃｄ／ｍ²以上となったときの電圧値を測定した。輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）を用いた。

有機ＥＬ素子１−１〜１−７の外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧の測定結果は、有機ＥＬ素子１−１を１００とした時の相対値で表２に示した。

得られた結果を下記の表２に示す。

表２から、比較の素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取りだし量子効率が高く（高発光効率である）、発光寿命が長く、且つ、素子の駆動電圧が低減していることが明らかである。

実施例２
《有機ＥＬ素子２−４の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。

この第一正孔輸送層上に、ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、第一拡散防止層（膜厚１５ｎｍ）を設けた。

次いで、第一拡散防止層上に、ポリビニルアルコール（ＰＶＫ）３０ｍｇと１．５ｍｇのＰＬ−１４とをジクロロベンゼン３ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜し、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１００ｎｍの発光層とした。

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−４を作製した。

《有機ＥＬ素子２−１〜２−３、２−５、２−６及び２−９の作製》
有機ＥＬ素子２−４の作製において、表３に記載の層構成に調整し、且つ、前記層形成用材料を用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−１〜２−３、２−５、２−６及び２−９を各々作製した。

《有機ＥＬ素子２−７の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。

次いで、第一正孔輸送層上にポリビニルアルコール（ＰＶＫ）３０ｍｇとＰＬ−１４を１．５ｍｇとをジクロロベンゼン３ｍｌに溶解し、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１００ｎｍの発光層を形成した。

次に、発光層上に、ＣＥ−６９（ｎ＝１）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１０ｎｍの第二拡散防止層を設けた。

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−７を作製した。

《有機ＥＬ素子２−８の作製》
有機ＥＬ素子２−８の作製において、第二拡散防止層の形成材料をＣＥ−６９から、ＣＥ−７７（ｎ＝１）に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−８を作製した。

《有機ＥＬ素子２−１０の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第１正孔輸送層を設けた。

この第１正孔輸送層上に、ＣＥ−８８前駆体（ｎ＝２）１０ｍｇとＶＴＰＤ５．０ｍｇをジクロロベンゼン５ｍｌに溶解し、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートした後、真空下、１５０℃で２時間加熱し、重合及び架橋反応を行わせ、溶媒に難溶の膜厚１５ｎｍの第一拡散防止層を設けた。

次いで、第一拡散防止層上にポリビニルアルコール（ＰＶＫ）３０ｍｇとＰＬ−１４を１．５ｍｇとをジクロロベンゼン３ｍｌに溶解し、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１００ｎｍの発光層とした。

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１０を作製した。

《有機ＥＬ素子２−１１の作製》
有機ＥＬ素子２−４の作製において、第一拡散防止層の形成時に用いた、ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）の塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液を１２Ｃ６Ｅ水溶液（５質量％）に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−１１を作製した。

《有機ＥＬ素子２−１〜２−１１の評価》
得られた有機ＥＬ素子２−１〜１１の評価は、実施例１と同様に、素子を用いた照明装置を作製して評価した。

得られた結果を下記の表４に示す。表４において、外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧の測定結果は、有機ＥＬ素子２−１を１００とした時の相対値で示した

表４から、比較に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率、発光寿命、電圧（駆動電圧）共に、優れた性能を示していることが明らかである。

実施例３
《有機ＥＬ素子３−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。

この第一正孔輸送層上に、ＣＢＰ３０ｍｇとＰＬ−１４を１．５ｍｇとをジクロロエタン３ｍｌに溶解し、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜し、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚約６０ｎｍの発光層とした。

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。

《有機ＥＬ素子３−２の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、発光層の構成成分として、ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）１０ｍｇを加えて、発光層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−２を作製した。

《有機ＥＬ素子３−３の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、第１正孔輸送層と発光層との間に、第１拡散防止層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−３を作製した。

（第１拡散防止層の形成）
ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、第一正孔輸送層上にスピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、第一拡散防止層（膜厚約１５ｎｍ）を設けた。

《有機ＥＬ素子３−４の作製》
有機ＥＬ素子３−３の作製において、発光層と陰極との間に、第二拡散防止層を形成した以外は、同様にして、有機ＥＬ素子３−４を作製した。

（第二拡散防止層の形成）
ＣＥ−６９（ｎ＝１）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、発光層上にスピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１０ｎｍの第二拡散防止層を設けた。

得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−４の層構成、各層の形成材料を表５に示す。

《有機ＥＬ素子３−１〜３−４の評価》
得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−４の各々について実施例１と同様に評価した。尚、有機ＥＬ素子３−１〜３−４の外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧の測定結果は、有機ＥＬ素子３−１を１００とした時の相対値で表６に示した。

表６から、比較の素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取りだし量子効率が高く（高発光効率である）、発光寿命が長く、且つ、素子の駆動電圧が低減していることが明らかである。

実施例４
《有機ＥＬ素子４−１の作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ−４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。

この透明支持基板上にポリビニルアルコール（ＰＶＫ）３０ｍｇとＰＬ−１４を１．５ｍｇとをジクロロベンゼン３ｍｌに溶解し、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、発光層（膜厚）１００ｎｍ）とした。

これを真空蒸着装置に取付け、次いで、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子４−１を作製した。

《有機ＥＬ素子４−２の作製》
有機ＥＬ素子４−１の作製において、発光層の構成成分として、ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）１０ｍｇを加えて、発光層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−２を作製した。

《有機ＥＬ素子４−３の作製》
有機ＥＬ素子４−３の作製において、陽極と発光層との間に、第１拡散防止層を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−３を作製した。

（第１拡散防止層の形成）
ＣＥ−２１（ｎ＝２、Ｒ＝２−エチルヘキシルオキシ）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下で、陽極上にスピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、第一拡散防止層（膜厚１５ｎｍ）を設けた。

《有機ＥＬ素子４−４の作製》
有機ＥＬ素子４−３の作製において、発光層と陰極との間に、第二拡散防止層を形成した以外は、同様にして、有機ＥＬ素子４−４を作製した。

（第二拡散防止層の形成）
ＣＥ−６９（ｎ＝１）１０ｍｇを塩化メチレン／ヘキサフルオロイソプロパノール（１／１）溶液２ｍｌに溶解し、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、発光層上にスピンコートし、６０度で１時間真空乾燥し、膜厚１０ｎｍの第二拡散防止層を設けた。

得られた有機ＥＬ素子４−１〜４−４の層構成、各層の形成材料を表７に示す。

《有機ＥＬ素子４−１〜４−４の評価》
得られた有機ＥＬ素子４−１〜４−４について実施例１と同様に評価した。尚、有機ＥＬ素子４−１〜４−４の外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧の測定結果は、有機ＥＬ素子４−１を１００とした時の相対値で表８に示した。

表８から、比較の素子に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取りだし量子効率が高く（高発光効率である）、発光寿命が長く、且つ、素子の駆動電圧が低減していることが明らかである。

実施例５
実施例３で作製した、有機ＥＬ素子３−１〜３−４の各々を８５℃で４８時間保存した後、保存前後における２．５ｍＡ／ｃｍ²の定電流駆動での各輝度を測定し、各輝度比を下式に従って求め、これを保存性の尺度とした。

保存性（％）＝保存後の輝度／保存前の輝度）×１００
また、保存後の素子を発光させて、その発光面を拡大鏡を用いた目視観察によりダークスポットの生成度合いを４段階で判定した。

大 ：ダークスポットの総面積が発光面の面積の５０％を超える時、大と判断する。

中 ：ダークスポットの総面積が発光面の面積の１０％を超える時、中と判断する。

小 ：ダークスポットが１ｃｍ²に５個以下で、且つ、ダークスポットの総面積が、発光面の面積の１０％以下の場合を小と判断する。

なし：ダークスポットが全く認められない。

得られた結果を表９に示す。

表９から、比較に比べて、本発明の有機ＥＬ素子は、保存性が高く、且つ、ダークスポットの発生が低減していることが判る。

実施例６
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光有機ＥＬ素子）
実施例２で作製した有機ＥＬ素子２−６の作製において、ＰＬ−１４をＰＬ−３３に変更した以外は同様にして、青色発光有機ＥＬ素子２−６Ｂを作製した。

（緑色発光有機ＥＬ素子）
緑色発光有機ＥＬ素子として、実施例２で作製した有機ＥＬ素子２−６を用いた。

（赤色発光有機ＥＬ素子）
実施例２で作製した有機ＥＬ素子２−６の作製において、ＰＬ−１４をＰＬ−２３に変更した以外は同様にして、赤色発光有機ＥＬ素子２−６Ｒを作製した。

上記の赤色、緑色及び青色発光有機ＥＬ素子を、同一基板上に並置し、図１に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。

該フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。

実施例７
実施例２で作製した有機ＥＬ素子２−６の作製において、ＰＬ−１４をＰＬ−１４、ＰＬ−３３、ＰＬ−２３に変更した以外は同様して、白色発光有機ＥＬ素子２−６Ｗを作製した。得られた有機ＥＬ素子２−６Ｗを実施例１、２と同様に、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 画素の模式図である。 パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の断面図である。

符号の説明

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサ
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０７ 透明電極付きガラス基板
１０６ 有機ＥＬ層
１０５ 陰極
１０２ ガラスカバー
１０８ 窒素ガス
１０９ 捕水剤

Claims (12)

1. 陰極と陽極との間に、下記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
   該クラウンエーテル誘導体の少なくともひとつの環内が空孔であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   一般式（１）
   ＣＥ−（Ｌ_ｍ１−Ａ_ｍ２）_ｎ
   〔式中、ＣＥは、クラウンエーテル誘導体残基、Ａは、下記一般式（２）、（３）または（４）で表される基、または芳香族複素環基を表す。Ｌは、単結合または２価の連結基を表すが、該Ｌが複数の場合、前記Ｌは同一でも異なっていてもよい。ｎは、１〜１０の整数、ｍ１、ｍ２は、各々独立に、１〜ｎの整数を表す。〕
   

   

   〔式中、Ａｒ _２ 、Ａｒ _３ は、アリール基または芳香族複素環基を表し、Ａｒ _２ とＡｒ _３ は、互いに連結して環を形成していても良い。〕
   

   

   〔式中、Ｑ _１ 、Ｑ _２ は、各々独立に、５員または６員の芳香環を形成するのに必要な原子群を表す。〕
   

   

   〔式中、Ａｒ _４ 、Ａｒ _５ は、アリール基または芳香族複素環基を表し、Ａｒ _４ とＡｒ _５ は、直接または２価の連結基を介して連結し環を形成していても良い。〕
2. 構成層として、前記陰極の隣接層を有し、該隣接層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記隣接層が、陰極バッファー層であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記陽極の隣接層を有し、該隣接層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 構成層として第一正孔輸送層を有し、該第一正孔輸送層に隣接する少なくとも一つの層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. 構成層として発光層を有し、該発光層に隣接する少なくとも一つの層が、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
7. 前記発光層が前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体の少なくともひとつを含有することを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するに当たり、前記一般式（１）で表されるクラウンエーテル誘導体を含有する層を塗布法により成膜形成する事を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の作製方法。
9. 白色に発光することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
11. 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または請求項１０に記載の表示装置を備えたことを特徴とする照明装置。
12. 請求項１１に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子と、を備えたことを特徴とする表示装置。

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