KR19990062998A - 디스크형상의 가공물을 연마하는 방법 및 그 방법을 실행하는 장치 - Google Patents

디스크형상의 가공물을 연마하는 방법 및 그 방법을 실행하는 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스크형상의 가공물, 특히 캐리어판에 고정된 반도체웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이며, 이때에 캐리어판은 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판에 대해 연마헤드에 의해 프레스되며, 그리고 연마헤드는 연마판-상부구조물에 수용되어 있다. 여기서 연마작업후에 캐리어판들은 연마헤드에 있는 리프팅장치에 의해 동시에 올려지며, 그리고 연마판-상부구조물은 캐리어판과 함께 연마길위에 있는 선형가이드에 따라 이동된다. 또한, 본 발명은 상기 방법을 실행하기에 적합한 장치에 관한 것이다.

Description

디스크형상의 가공물을 연마하는 방법 및 그 방법을 실행하는 장치
본 발명은 디스크형상의 가공물, 특히 반도체웨이퍼의 단일면을 연마하는 방법에 관한 것이며, 또한, 본 발명은 상기 방법을 실행하기에 적합한 장치에 관한 것이다.
반도체웨이퍼의 단일면 연마시 반도체웨이퍼의 후면은 캐리어판에 고정된다. 복수의 캐리어판이 연마기계의 연마헤드에 의하여 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판에 대해 프레스되는 동안에 반도체웨이퍼의 전면이 연마된다.
통상적으로 연마작업이 일어나기전에 머니퓰레이터는 고정된 반도체웨이퍼로 덮인 캐리어판을 연마헤드에 이송하고, 연마작업종료후에 다시 그 캐리어판을 받아 들인다. 캐리어판은 연속적으로 이송되며, 캐리어판들은 연마판-상부구조물에 함께 들어오게 되며, 그리고 연마판과 연마판-상부구조물은 공통기계프레임에 지지된다.
상기한 방법 및 상기한 연마기계의 사용으로 매끄럽고 평탄한 전면을 가진 반도체웨이퍼를 획득할 수 있는 목표를 어느 정도까지는 달성케 한다.
그러므로 본 발명은 변경된 연마방법 및 공지의 연마방법과 연마기계에 관련된 단점을 피할 수 있는 본 방법을 실행할 수 있는 장치를 제안한다.
본 발명은 디스크형상의 가공물, 특히 캐리어판에 고정된 반도체웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것이며, 이때에 캐리어판은 연마헤드에 의하여 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판에 대해서 프레스되며, 그리고 연마헤드는 연마판-상부구조물에 수용되어 있다. 여기서 연마작업후 캐리어판들은 연마헤드에 있는 리프팅장치에 의하여 연마판으로부터 동시에 들어올려지며, 또한, 연마판-상부구조물은 연마길위에 있는 선형가이드를 따라 캐리어판과 함께 이동된다.
본 방법은 가공물이 캐리어판의 동시조작으로 완전히 균일하게 처리되는 것을 특징으로 하며, 그 결과로서 예컨데 반도체웨이퍼의 연마면의 평탄성이 덜 흩어진다.
또한, 본 발명은 상기 방법을 실행하는 장치에 관한 것이며, 여기서 캐리어판들을 연마판으로부터 동시에 올리는 리프팅장치는 연마헤드에 구비되며, 그리고 연마판-상부구조물은 연마길위에 있는 선형가이드를 따라 캐리어판과 함께 이동된다.
도 1은 본 발명에 의한 장치의 바람직한 실시예의 사시도,
도 2는 연마헤드의 바람직한 실시예의 단면도.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 선형가이드(linear guide)
2, 2a, 2b : 포털(portal)(연마판-상부구조물)
3 : 연마길(polishing line)
4, 4a, 4b, 4c : 리시빙스테이숀(receiving station)
5, 5a, 5b, 5c : 연마판(polishing plate)
6 : 캐리어판(carrier plate)
7 : 연마헤드
8 : 리프팅장치
본 발명을 이후 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다.
도 1에 의한 장치는 선형가이드(1)로서 형성된 프레임으로 구성되고, 이후 포털(portal)로 불려질 연마판-상부구조물(2)은 선형가이드를 따라 이동된다. 포털은 선형가이드에 의해 지지되고, 캐리어판(6)을 위한 적어도 1개의 리시빙스테이숀(4)(receiving station) 및 적어도 1개의 연마판(5)에 의해 형성된 연마길(3)위에 위치하고 있다. 특히 바람직한 것은 연마판과 포털이 열적으로, 그리고 진동메카니슴적으로 서로 감결합되는 것이며, 연마판과 포털간의 기계적 접속이 없는 것이다. 그리고 이것은 도시된 장치의 경우에는 선형가이드(1)는 다만 포털(2)을 지지하고 연마판(5)을 지지하지 않는 것으로 되어있다. 이 구성의 이점은 반도체웨이퍼의 연마결과에 역효과를 가져올 포털에 의해 발생된 열과 진동이 거의 연마판에 전달안되는 것이다.
또한, 선형가이드는 복수의 포털을 지니고 있으며, 마찬가지로 연마길은 복수의 연마판과 캐리어판을 위한 복수의 리시빙스테이숀을 가지고 있으며, 이 경우 이들 구성부품은 또다른 기능을 위해 설치되었다. 예컨데 연마판은 거기에서 실행된 연마방식에 따라 그리고 거기에 사용된 연마포 및 연마제에 따라 다르다. 리시빙스테이숀은 캐리어판을 위한 저장소를 제공하도록 구성되며, 또한, 리시빙스테이숀은 반도체웨이퍼를 액체와 접촉하는 취급소와 같은 그것 이외의 기능을 가지고 있다. 이 경우 액체로 채울 수 있는 탱크로서 구성하는 것이 편리하며, 이 액체로서는 물 또는 청결한 액체 또는 예컨데 반도체웨이퍼와 캐리어판간의 접속을 끊을 수 있는 물질 또는 예컨데 표면친수성을 부여하기 위해 반도체웨이퍼의 표면을 에칭 또는 화학적으로 변성하는 물질 등의 화학적인 활성물질을 함유한 액체로 될 수 있다.
특별한 노력없이 선형가이드 및 연마길을 길게할 수 있는 것이 특히 바람직하며, 또 필요한 경우에는 포털, 연마판 및 리시빙스테이숀을 부가할 수가 있다.계속적인 개발을 통하여 속히 대체할 수 있는 현재의 연마판 및 리시빙스테이숀의 결합가능성을 가진 그러한 모듈의 확장성 및 연마길에의 용이한 접근성은 장치에 특유한 유연성과 미래 안전성을 제공한다.
도 1에 도시된 실시예의 리시빙스테이숀(4a)은 준비된 캐리어판(6)이 올려지는 로딩스테이숀으로서의 역할을 하며, 필요할 경우에는 맨 먼저 포털(2a)이 리시빙스테이숀(4a)위의 위치로 이동되어야 한다. 그 다음 포털의 연마헤드에 있는 리프팅장치는 준비된 캐리어판을 리시빙스테이숀으로부터 동시에 상승시키며, 또 그 위에 고정된 반도체웨이퍼를 연마작업장으로 이동시킨다. 연마작업을 위하여 제1의 연마판(5a)이 연마길에 제공되며, 그 연마판위에서 거치른 연마가 달성된다. 그러므로 포털(2a)은 연마판(5a)위의 위치에 도달될 때까지 선형가이드를 따라 캐리어판과 함께 이동된다. 그 다음 반도체웨이퍼는 캐리어판이 연마헤드에 의해 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판의 표면에 대해서 프레스될 때 통상적 방법으로 연마된다.
연마작업후 캐리어판은 동시에 연마헤드에 있는 리프팅장치에 의해 연마판으로부터 올려진다. 이것은 그 결과로서 반도체웨이퍼가 균일하게 처리되며, 또 반도체웨이퍼상에서 시간차이있게 연마제의 작용됨을 방지할 수 있으므로 장점이 된다. 그렇지 않으면 연마결과에 의한 품질은 상당히 손상된다.
도 1에 따른 연마길은 처리소로서 작용하도록 구성된 캐리어판을 위한 추가된 리시빙스테이숀(4b)을 구비하며, 그 안에 수용된 캐리어판은 액체, 예컨데 청결제 또는 연마제잔류물 또는 반도체웨이퍼의 마모물질 또는 반도체웨이퍼에 화학적 작용을 발휘하는 에칭제 등과 접촉된다.
포털(2a)은 캐리어판과 함께 선형가이드를 따라 연마판(5a)위의 위치로부터 리시빙스테이숀(4b)위의 위치로 이동된다. 그후 캐리어판은 동시에 다시 리시빙스테이숀에 수용된다.
또한, 연마길(3)은 2개의 추가 연마판(5b 및 5c)과 캐리어판을 위한 추가 리시빙스테이숀(4c)을 구비하고 있으며, 연마판(5b 및 5c)에는 반도체웨이퍼의 중간연마와 최종연마가 제공되며, 캐리어판은 추가 포털(2b)에 의해 운반된다. 포털(2b)에 수용된 연마헤드의 리프팅장치에 의해 캐리어판은 맨 먼저 동시에 리시빙스테이숀(4b)으로부터 올려지고, 다음 포털(2b)은 캐리어판과 함께 연마판위의 위치로 이동된다. 반도체웨이퍼의 계속되는 중간연마후에 캐리어판(6)은 다시 연마판(5b)으로부터 올려지고 연마판(5c)위의 위치에 이동된다. 그 다음의 미세한 연마후에 캐리어판(6)은 동시에 연마판(5c)으로부터 올려지고, 그리고 포털(2b)은 캐리어판과 함께 리시빙스테이숀(4c)위의 장소에 이동된다. 그 다음 캐리어판은 리시빙스테이숀에 내려놓아진다.
리시빙스테이숀(4c)은 예컨데 반도체웨이퍼가 액체로 청결케 되어 캐리어판이 더 이동될 때까지 저장되는 언로딩스테이숀으로서 편리하게 구성되며, 또한 물론, 다수의 사용가능한 연마판-상부구조물이 연마길위로 동시에 이동되도록 장치를 운전할 수 있다.
도 2는 연마헤드의 바람직한 실시예를 나타내고 있다.
연마헤드의 가장 중요한 특징의 기능이 문서번호 P 19651761.3을 지닌 독일특허출원에 상세히 기술되어 있으며, 본 발명과 관련하여 연마헤드(7)가 추가 연마헤드와 함께 포털(2)에 수용되고, 리프팅장치(8)를 구비하고 있다. 리프팅장치는 진공(V)을 응용하여 캐리어판(6)을 흡인하는 진공공구로서 구성되어 있다. 본 발명에 의하면, 연마작업후 복수의 캐리어판은 동시에 올려지며, 또 포털은 캐리어판과 함께 선형가이드를 따라 이동된다.
본 발명에 있어서, 캐리어판에 고정된 가공물, 특히 반도체웨이퍼는 캐리어판들의 동시조작으로 완전히 균일하게 처리되며, 그 결과로서 반도체웨이퍼의 연마면의 평면성이 덜 흩어지게 되는 특징을 가지고 있다.

Claims (11)

  1. 연마판-상부구조물에 수용된 연마헤드에 의하여 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판에 대해서 프레스되는 캐리어판에 고정된 디스크형상의 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법에 있어서, 연마작업후 캐리어판들은 연마헤드에 있는 리프팅장치에 의하여 연마판으로부터 동시에 올려지며, 또 연마판-상부구조물은 캐리어판들과 함께 연마길위에 있는 선형가이드를 따라 이동되는 것을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    연마판-상부구조물은 디스크형상가공물이 연마되는 또다른 연마판위에 놓일 때까지 캐리어판과 함께 이동되는 것을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    연마판-상부구조물은 캐리어판들이 동시에 내려놓여지는 리시빙스테이숀위에 위치될 때까지 캐리어판과 함께 이동되는 것을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    디스크형상가공물은 리시빙스테이숀에서 액체로 처리됨을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    캐리어판들은 연마헤드에 있는 리프팅장치에 의하여 리시빙스테이숀으로부터 동시에 올려짐을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    연마길위에 연속적으로 이동되며 또는 캐리어판들과 함께 동시에 이동되는 적어도 2개의 연마판-상부구조물이 사용되게 되는 것을 특징으로 하는 가공물, 특히 반도체웨이퍼를 연마하는 방법.
  7. 연마판위에 배치된 연마판-상부구조물에 수용된 연마헤드에 의하여 연마포가 팽팽히 펼쳐 있는 연마판에 대해서 프레스된 캐리어판에 고정된 디스크형상가공물을 연마하는 장치에 있어서, 캐리어판들을 동시에 연마판으로부터 위로 올리는 리프팅장치가 연마헤드에 제공되며, 연마판-상부구조물이 연마길위에 있는 선형가이드를 따라 캐리어판과 함께 이동되는 것을 특징으로 하는 디스크형상가공물을 연마하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    연마판과 연마판-상부구조물은 열적으로, 그리고 진동메카니슴적으로 서로 감결합된 것을 특징으로 하는 디스크형상가공물을 연마하는 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    연마길은 연마판을 구비하고, 필요할 경우에는 추가 연마판을 구비하며, 또 캐리어판을 위해 적어도 1개의 리시빙스테이숀을 구비한 것을 특징으로 하는 디스크형상가공물을 연마하는 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    선형가이드 및 연마길은 모듈식으로 연장될 수 있는 것을 특징으로 하는 디스크형상가공물을 연마하는 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    선형가이드를 따라서 이동될 수 있는 적어도 2개의 연마판-상부구조물이 제공되는 것을 특징으로 하는 디스크형상가공물을 연마하는 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100775261B1 (ko) * 2001-11-26 2007-11-12 주식회사 포스코 강판의 유기피복용 코터롤의 표면 융착수지층 제거장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10062926A1 (de) * 2000-10-14 2002-05-02 Diskus Werke Schleiftechnik Gm Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks
JP4663133B2 (ja) * 2001-01-09 2011-03-30 不二越機械工業株式会社 ウェーハの貼付方法及びその装置
DE102007022392A1 (de) * 2007-05-10 2009-05-20 HÖPP, Hardy Poliermaschine
CN101990702B (zh) * 2008-04-09 2013-06-19 应用材料公司 具有轨道的抛光系统
JP5466963B2 (ja) * 2010-02-08 2014-04-09 株式会社ディスコ 研削装置
CN107443174B (zh) * 2016-05-31 2019-06-07 无锡华润上华科技有限公司 利用研磨机台研磨异常晶圆片的方法
CN110576351A (zh) * 2019-09-24 2019-12-17 成都零柒叁科技有限公司 磨刀机刀具进出组件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3550325A (en) * 1968-03-22 1970-12-29 Ibm Apparatus for providing a finished surface on workpieces
US3863394A (en) * 1974-02-04 1975-02-04 Speedfam Corp Apparatus for machining work pieces
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JPH0663862A (ja) * 1992-08-22 1994-03-08 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
DE19651761A1 (de) * 1996-12-12 1998-06-18 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben
DE29709755U1 (de) * 1997-05-07 1997-09-04 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100775261B1 (ko) * 2001-11-26 2007-11-12 주식회사 포스코 강판의 유기피복용 코터롤의 표면 융착수지층 제거장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE19756536A1 (de) 1999-07-01
JPH11239966A (ja) 1999-09-07
KR100319313B1 (ko) 2002-10-11
US6346033B1 (en) 2002-02-12
JP2982125B2 (ja) 1999-11-22

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