KR19990062603A - 가요성, 접착력 및 박리 특성이 개선된 광영상화 조성물 - Google Patents

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사와다 아츠외
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Abstract

본 발명은 산 작용성 결합제, 광중합성 성분, 9-페닐 아크리딘 또는 이의 유사체를 함유하는 광개시제 화학계 및 디벤조에이트 가소제를 포함하는 포토레지스트로서 유용한 음각 작용성 광 영상화(photoimageable) 조성물에 관한 것이다.

Description

가요성, 접착력 및 박리 특성이 개선된 광 영상화 조성물
본 발명은 포토레지스트로서 사용되는 것과 같은 음각 작용성 광 영상화(photoimageable) 조성물에 관한 것이다. 상기 광 영상화 조성물은 광개시제로서 9-페닐 아크리딘 또는 이의 유사체를 사용하고, 상기 광 영상화 조성물은 디벤조에이트 가소제로 가소화된다.
본 발명은 알칼리 수용액에서 현상될 수 있는 음각 작용성 광 영상화 조성물에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 1차 광 영상화 레지스트 뿐 아니라, 납땜 마스크 등을 형성하도록 경화가능한 조성물의 성분에도 응용가능하다.
이와 같은 광 영상화 조성물의 다양한 예가 개시되어 있다. 본 발명과 관련된 유형의 조성물의 기본 성분은 A) 결합제 중합체, B) 광중합성 α,β-에틸렌형 불포화 화합물(들) 및 C) 광개시제 화학계이다. 상기 결합제 중합체 A)는 충분한 산 작용성, 일반적으로 카르복실산 작용성을 지녀서 알칼리 수용액에 가용성이며, 그로 인해서 광 영상화 조성물은 알칼리 수용액내에서 현상가능하게 된다. 광 영상화가능한 화합물(들) B)는 단량체들 및/또는 단쇄 올리고머들이고, 이들의 상당 부분은 다수의 α,β-에틸렌형 불포화 작용성을 지닌다. 본 명세서에서, 광개시제 C) 또는 광개시제 C)의 적어도 상당 부분은 9-페닐 아크리딘 또는 이의 유사체이다.
본 발명에 따른 음각 작용성 광 영상화 조성물은 A) 알칼리 수용액내에서 광 영상화 조성물을 현상시키기에 충분한 산 작용성을 갖는 유기 중합체 결합제, B) 자유 라디칼 개시된 사슬 연장 부가 중합 반응에 의해 중합체를 형성할 수 있는 부가 중합성의 비기체성 에틸렌형 불포화 화합물(들), C) 부가 중합성 재료의 사슬 연장 부가 중합 반응을 개시하도록 화학선에 의해 활성화될 수 있는 방사선에 민감한 유기의 자유 라디칼 생성계로서, 9-페닐 아크리딘 또는 이의 유사체를 함유하는 자유 라디칼 생성계, 및 D) 디벤조에이트 가소제를 포함한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는한, 모든 %는 중량%이다. 성분 A)(결합제 중합체), 성분 B)[광 영상화 화합물(들)] 및 성분 C)(광개시제 화학계)의 총량은 본 명세서에서 100 중량%에 해당하는 것으로 간주하고, 디벤조에이트 가소제를 비롯한 기타의 성분들은 A)+B)+C)의 100부를 기준으로 부로서 계산된다.
본 발명은 알칼리 수용액에서 현상될 수 있고 실질적으로 산 작용성을 갖는 광 영상화 조성물에 관한 것이다. 이러한 광 영상화 조성물은 통상적으로 산 작용성, 통상 산가가 약 80 이상, 바람직하게는 약 100 이상, 더욱 바람직하게는 약 150 이상, 최대 약 250인 결합제 중합체 A)를 포함한다. 산 작용성은 통상 카르복실산 작용성이지만, 예컨대 술폰산 작용성 또는 인산 작용성이 포함될 수도 있다. 광 영상화 조성물용 결합제 중합체들은 통상 중량 평균 분자량이 약 20,000 내지 약 200,000, 바람직하게는 약 80,000 이상이다.
상기 중합체는 통상 산 작용성 단량체와 비산(非酸) 작용성 단량체의 혼합물로부터 유도된다. 이러한 산 작용성 단량체로 적합한 몇몇의 특정예로는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 2-아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, 2-히드록시에틸 아크릴로일 포스페이트, 2-히드록시프로필 아크릴로일 포스페이트, 2-히드록시-α-아크릴로일 포스페이트 등이 있다. 이러한 1종 이상의 산 작용성 단량체는 결합제 중합체를 형성하는데 사용될 수 있다.
산 작용성 단량체는 비산 작용성 단량체와 공중합되어 소정의 산가를 제공할 수 있는데, 이러한 비산 작용성 단량체의 예로서는 아크릴산의 에스테르, 예컨대 메틸 아크릴레이트, 2-에틸 헥실 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트, n-헥실 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트, 히드록시 에틸 아크릴레이트, 부틸 메타크릴레이트, 옥틸 아크릴레이트, 2-에톡시 에틸 메타크릴레이트, t-부틸 아크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸 아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,3-프로판디올 디아크릴레이트, 데카메틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 데카메틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올 디아크릴레이트, 2,2-디메틸올 프로판 디아크릴레이트, 글리세롤 디아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 글리세롤 트리아크릴레이트, 2,2-디(p-히드록시페닐)프로판 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리옥시에틸-2,2-디(p-히드록시페닐)프로판 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 부틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,3-프로판디올 디메타크릴레이트, 1,2,4-부탄트리올 트리메타크릴레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리메타크릴레이트, 1-페닐에틸렌-1,2-디메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리메타크릴레이트, 1,5-펜탄디올 디메타크릴레이트 및 1,4-벤젠디올 디메타크릴레이트; 2-메틸 스티렌 및 비닐 톨루엔 등의 스티렌 및 치환된 스티렌과, 비닐 아크릴레이트 및 비닐 메타크릴레이트 등의 비닐 에스테르를 들 수 있다.
결합제 중합체 A)의 함량은 광범위하게 변할 수 있는데, 통상 A)+B)+C)의 총중량을 기준으로 약 30 내지 약 80 중량%의 양으로 포함된다.
이러한 중합체 및 이러한 중합체를 사용하는 광 영상화 조성물의 예로는 본 명세서에서 참고로 인용하는 미국 특허 제3,953,309호, 제4,003,877호, 제4,601,951호 및 제4,695,527호에 기재되어 있다.
광중합성 성분 B)는 통상 일작용성 화합물 및 α,β-에틸렌형 불포화 작용가가 2 보다 큰 화합물을 비롯한 에틸렌형 불포화, 특히, α,β-에틸렌형 불포화를 갖는 단량체, 이량체, 또는 단쇄 올리고머이다. 통상, 일작용성 단량체 및 다작용성 단량체의 혼합물이 사용된다. 적합한 광중합성 화합물의 예로는 결합제 중합체, 특히 비산 작용성 화합물을 형성시키는데 적합한 전술한 바와 같은 단량체를 들 수 있으나, 이들로 국한되는 것은 아니다. 광중합성 성분 B)의 함량은 통상 A)+B)+C)의 총중량을 기준으로 약 19 내지 약 69 중량%이다.
화학선에 노출되었을 때, 단량체가 중합 반응을 개시하기 위해서, 광 영상화 조성물은 광개시제 화학계를 포함한다. 본 발명에 따라, 광개시제는 하기 화학식 1로 표시되는 9-페닐 아크리딘 화합물을 상당한 분율로 포함한다.
상기 식에서, R1및 R2는 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 알킬, 치환된 알킬, 아실 및 치환된 아실로부터 선택되고; R3및 R4는 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 할로겐, 알킬, 치환된 알킬, 아실 및 치환된 아실로부터 선택되며; R5, R6및 R7은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 할로겐, 알킬, 치환된 알킬, 아실, 치환된 아실 및 하기 화학식 2로 표시되는 기로부터 선택된다.
상기 식에서, R1및 R2는 앞에서 정의한 바와 같다.
이들 화합물은 예컨대 본 명세서에서 참고로 인용하는 미국 특허 제5,217,845호에 기재되어 있다. 이용 가능성의 견지에서, 미치환된 9-페닐 아크리딘은 통용되는 바람직한 광개시제이다. 이들 중에서, 9-페닐 아크리딘은 실제적인 측면에서 통용되는 바람직한 개시제이다. A)+B)+C)의 총중량을 기준으로 광 영상화 조성물 약 0.05 중량% 내지 약 2 중량%, 바람직하게는 약 0.1 내지 약 0.5 중량%는 전술한 화학식 1로 표시되는 9-페닐 아크리딘 또는 유사체이다.
이러한 광개시제는 이들이 높은 가교 밀도를 생성시키는 경향이 있기 때문에 본 발명에 사용된다. 그러나, 가교 밀도가 높기 때문에, 현상시 광 영상화 조성물은 약해지게 된다. 포토레지스트는 인쇄 회로 기판에 있는 관통 구멍을 더 크게 텐트시킬 필요가 있고, 그 결과 취성은 크게 손상된다.
따라서, 본 발명에 따른 광 영상화 조성물은 가소화되어 가요성이 향상되고, 본 발명자들은 전술한 광개시제와 함께 디벤조에이트 가소제를 사용함으로써 가요성, 미세 라인 접착력 및 박리(stripping) 특성이 개선된 광 영상화 조성물이 얻어질 수 있음을 발견하였다. 본 발명에 의한 디벤조에이트 가소제는 하기 화학식 3으로 표시되는 구조를 갖는다.
C6H5-COO-[R]n-R'-C6H5
상기 식에서, R은 -CH2-CH2-O- 및/또는 -CH(CH3)-CH2-O-이며, n은 1 내지 10이고, R'은 -CHX-CHX-OOC-이며, 이때 X 둘다는 H이거나 또는 X 중 하나는 H이고, 다른 하나는 CH3또는 -OC-이다.
적합한 디벤조에이트의 특정예로는 디프로필렌글리콜 디벤조에이트, 디에틸렌 글리콜 디벤조에이트, 폴리프로필렌글리콜 디벤조에이트 및 폴리에틸렌 글리콜 디벤조에이트 등이 있으나, 이들로 국한되는 것은 아니다. 디벤조에이트 가소제 D)가 사용되는 경우에, 상기 D)는 A)+B)+C)의 총 중량을 기준으로 하여 약 1 내지 약 8 중량%, 통상 약 2 내지 약 6 중량%의 함량으로 사용된다.
또한, 광 영상화 조성물은 부가의 중합체, 예를 들면 납땜 마스크, 염료, 안정화제, 가요성화제, 충전제 등의 최종 경질 경화를 실시하는데 사용될 수 있는 것을 비롯한 당업계에 공지된 바와 같은 다양한 추가의 성분을 포함할 수 있다.
광 영상화 조성물의 가공은 통상의 방법으로 실시할 수 있다. 통상의 방법에 있어서, 액체 조성물로부터 형성되거나 또는 건조 필름으로부터의 층으로서 전달되는 광 영상화 조성물 층을 구리 도금된 기판의 구리 표면에 도포한다. 광 영상화 조성물 층을 적절한 도판을 통해 화학선에 노출시킨다. 화학선에 노출시키는 것은 광 노출된 부위의 단량체를 중합시켜 현상제에 대해 내성을 갖는 가교 구조를 생성하게 만든다. 그 다음, 조성물을 묽은 알칼리성 수용액, 예를 들면 1%의 탄산나트륨 용액내에서 현상시킨다. 알칼리 용액은 결합제 중합체의 카르복실기와 함께 염을 형성하게 되어 이들은 가용성이면서 제거가능하게 된다. 현상후, 부식제를 사용하여 레지스트가 제거된 부위로부터 구리를 제거하여 인쇄 회로를 형성할 수 있다. 적합한 박리제를 사용하여 레지스트를 제거한다.
본 발명은 구리 표면에 더 잘 접착되는 미세 라인(75 미크론 미만)의 레지스트 측벽을 제공한다. 디벤조에이트 가소제를 첨가하므로써 광 영상화 조성물의 유리 전이 온도(Tg)는 낮아지는 것으로 알려져 있다. Tg가 낮으면 낮을수록 적층시에 유동이 더 좋아지고, 구리 표면에 대한 순응성(conformation)이 더 우수해진다. 이러한 특성은 흠 또는 긁힘이 있는 구리 표면상에서 특히 중요하다. 디벤조에이트 가소제를 갖는 조성물이 표면에 대해 더 잘 순응되기 때문에, 포토레지스트의 더 넓은 표면적이 상기 표면과 접촉하게 된다. 이로 인해서 구리 표면에 대한 화학 결합 가능성은 더 커지고, 따라서, 접착 특성은 개선된다. 디벤조에이트 가소제는 노출된 아크릴 단량체계의 주쇄에 혼입될 수 없기 때문에, 디벤조에이트 가소제를 포함하는 것은 조성물을 덜 수축시키게 된다. 이러한 수축의 감소는 아마도 구리/포토레지스트 계면상에서의 응력을 적게 만들어 접착력을 개선시키는데 기여하게 된다. 9-페닐 아크리딘을 개시제로서 사용하는 경우에 가교 밀도는 높아지기 때문에 수축을 최소화 하는 것이 특히 중요하다.
가장 놀라운 발견은 박리 특성이 개선된다는 것이다. 디벤조에이트 가소제는 보다 우수한 접착력을 제공하기 때문에, 구리 표면으로부터 레지스트의 박리는 더욱 곤란해질 것으로 예상되었다. 예를 들면, 디벤조에이트 가소제를 함유하는 포토레지스트의 측벽은 알칼리계 현상액에 덜 공격받는 것으로 나타났다. 그러나, 알칼리계 박리 용액에서, 디벤조에이트 주성분 계는 최대 20% 더 빠르게 박리된다. 이는 주쇄에 존재하는 에스테르 작용성과 관련하여 포토레지스트 조성물의 중합 매트릭를 배향시키는 것과 관련이 있는 것으로 보인다.
본 발명은 특정 실시예에 의거하여 더욱 상세하게 설명하고자 한다.
실시예 1 내지 8(1 및 6 내지 8은 비교예)
기본 제제를 하기 표 1에 기재된 바와 같은 성분으로 제조하였다.
디벤조에이트 특허 예(가소제가 없는 마스터 배취 )
성분 중량 화학적 유형
아크릴 중합체(메타크릴산 23%, 메틸메타크릴레이트 66%, 부틸 아크릴레이트 11%) 40.0 g 중합체 주쇄
에톡실화 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 24.0 g 단량체
페녹시 폴리에톡시 모노아크릴레이트 10.0 g 단량체
9-페닐아크리딘 0.2 g 개시제
벤조트리아졸 0.05 g 정착제
카르복시벤조트리아졸 0.05 g 정착제
질산화 아조 염료 (Furon Navy) 0.075 g 바탕 염료
메틸 히드로퀴논 0.015 g 산화방지제
트리페닐 메탄 염료(Flexoblue 680) 0.045 g 바탕 염료
상기 표 1의 기본 제제에 하기 표 2에 나타낸 부가의 성분들을 첨가하였다.
모든 조성물은 2-부타논:2-프로판올 7:1로 약 50%의 고형분으로 제조하였다. 이 용액을 이축 배향된 80 게이지 폴리에스테르 필름에 피복시키고, 용매를 약 1% 이하로 보유되도록 건조시켰다. 피복된 혼합물을 고온 롤 적층기를 사용하여 110℃의 온도에서 2 m/분 및 3 bar의 압력에서 기계적으로 마모시킨 1 온스/FR-4/1 온스 도금(clad) 구리 복합체에 적층시켰다.
적층된 재료를 등록상표 Stouffer 21 단계 웨지(약 20 mJ/㎠)를 사용하여 측정한 바와 같은 구리 단계 7을 얻도록 노출을 조절하여 적합한 광학 기기로 UV 프린터상에서 상을 형성시켰다. 파단점은 챔버 길이의 40∼50%(특정예에서 특별한 언급이 없는한)에서 발생하도록 조절시킨 체류 시간으로 약 26 psi에서 콘베이어벨트가 설치된 분무 현상기를 사용하여 29℃에서 1 %의 탄산나트륨 일수화물 용액에 노출된 패널을 현상시킨 다음, 수도물과 탈이온수를 사용하여 수회 분무하여 헹구었다.
다수개의 분무 노즐이 부착되어 있고 콘베이어벨트가 설치된 부식기 내에서 48℃의 2N 염화제2구리/염산 용액을 사용하여 부식 공정을 수행하였다. 다수개의 분무 노즐이 부착되어 있고 콘베이어벨트가 설치된 스트리핑 장치에서 54℃의 3 %의 수산화나트륨 용액내에서 상이 형성되고, 현상 및 부식 처리된 포토레지스트를 상기 부식된 기판에서 박리시켰다. 그 후 수도물로 분무하여 헹구었다.
실시예에서의 처리 반응은 전술한 절차를 통한 다수의 시점에서 인용되어 있으며, 그 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
가소제의 효과
성분 미세 라인 접착력1 측벽 접착력2 크로스 해치 접착력3 텐트 강도4 박리 시간5
1.무첨가 80 μ 심한 공격 10% 원형 350g 52초
2.디프로필렌 글리콜 디벤조에이트 50 μ 공격 없음 100% 원형 500g 34초
3.디에틸렌 글리콜 디벤조에이트 60 μ 매우 약한 공격 100% 원형 510g 37초
4.프로필렌 글리콜 디벤조에이트 55 μ 공격 없음 100% 원형 550g 33초
5.에틸렌 글리콜 디벤조에이트 55 μ 공격 없음 100% 원형 550g 30초
6.디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 벤조에이트 70 μ 약한 공격 100% 원형 450g 46초
7.디아세톤 아크릴아미드 70 μ 약한 공격 내지 중간 정도의 공격 50% 원형 380g 65초
8.파라 톨루엔 술폰아미드 70 μ 약한 공격 65% 원형 440g 60초
주: 표 1에 수록된 성분들에 상기 가소제를 각각 4 g 첨가함
실시예 11 및 비교예 9, 10 및 12
디벤조에이트 특허 예(개시제 또는 가소제가 없는 마스터 배취 )
성분 중량 화학적 유형
아크릴 중합체(메타크릴산 23%, 메틸메타크릴레이트 66%, 부틸 아크릴레이트 11%) 40.0 g 중합체 주쇄
에톡실화 트리메틸올 프로판 트리아크릴레이트 24.0 g 단량체
페녹시 폴리에톡시 모노아크릴레이트 10.0 g 단량체
벤조트리아졸 0.05 g 정착제
카르복시벤조트리아졸 0.05 g 정착제
질산화 아조 염료 (Furon Navy) 0.075 g 바탕 염료
메틸 히드로퀴논 0.015 g 산화방지제
트리페닐 메탄 염료(Flexoblue 680) 0.045 g 바탕 염료
상기 표 3의 마스터 배취에 하기 표 4a 및 표 4b의 두 번째 항목에 수록한 성분을 첨가하였다. 절차는 실시예 1 내지 8과 동일하다. 결과는 하기 표 4a 및 표 4b의 아래에 나타내었다.
페닐 아크리딘과의 배합물(주: 하기의 모든 성분을 상기 표 3의 성분에 첨가하였다)
개시제 종류 가소제 종류 미세 라인 접착력1 측벽 접착력2 크로스 해치 접착력3 텐트 강도4 박리 시간5
9. 이소프로필티옥산톤 0.5 g과디메틸아미노 벤조 에이트 1.5 g 디프로필렌 글리콜 디벤조에이트4.0 g 70 μ 중간 정도의 공격 100% 원형 500g 51초
10. 이소프로필티옥산톤 0.5 g과디메틸아미노벤조에이트 1.5 g 디아세톤 아크릴아미드 4.0 g 80 μ 중간 내지 심한 공격 100% 원형 440g 50초
페닐 아크리딘과의 배합물(주: 하기의 모든 성분을 상기 표 3의 성분에 첨가하였다)
개시제 종류 가소제 종류 미세 라인 접착력1 측벽 접착력2 크로스 해치 접착력3 텐트 강도4 박리 시간5
11. 페닐 아크리딘 0.2 g 디프로필렌 글리콜 디벤조에이트4.0 g 50 μ 공격 없음 100% 원형 500g 34초
12. 페닐 아크리딘 0.2 g 디아세톤 아크릴아미드 4.0 g 70 μ 약한 공격 100% 원형 380g 65초
1: 미세 라인 접착력을 현상후 측정함. 이는 400 미크론 공간으로 접착된 가장 작은 라인임. 25%의 현상 챔버 내에서의 파단점에서 Stouffer 21 구리 단계 7로 노출시킴. 현상 용액은 30℃에서 1% Na2CO3임.
2: 레지스트의 공격 정도를 30℃에서 1% Na2CO3에서 포토레지스트를 현상시킨 후에 관찰하였다. 25%의 현상 챔버내의 파단점에서의 Stouffer 21 구리 단계 7로 노출시킴.
3: 면도날형 기기를 사용하여 현상된 포토레지스트를 이전 절단에 대해 90°가 아닌 한 방향으로 수회 절단함. 결과는 모든 면도날 절단 이후 손상되지 않은채 남아 있는 레지스트의 원형%로서 기록함(100%가 최대임). 25%의 현상 챔버내의 파단점에서 Stouffer 21 구리 단계 7로 노출시킴. 현상액은 30℃의 1% Na2CO3임.
4: 포토레지스트를 사용하여 양면상에 0.25 인치 구멍을 적층시킴. 그후 레지스트를 노출시키고, 현상함(25%의 현상 챔버내의 파단점에서 Stouffer 21 구리 단계 7로 노출시킴). 텐트 처리한 구멍에 대한 레지스트의 가요성은 둥근 탐침으로 레지스트를 가압시켜 힘의 게이지로 측정함. 텐트를 파단시키는데 필요한 힘을 g으로 기록함.
5: 30℃에서 1% Na2CO3현상 용액으로 25%의 현상 챔버내의 파단점에서의 Stouffer 21 구리 단계 7로 레지스트를 노출시킴. 그후 레지스트를 130℉의 염화제2구리내에서 부식시킴. 부식후, 포토레지스트를 130℉의 3% NaOH내에서 스트리핑 처리하고, 시간을 초로 기록함.
본 발명의 광 영상화 조성물은 접착력, 가요성 및 박리 특성이 개선된 가요성의 인쇄 회로 기판을 생성하기에 적합하다.

Claims (3)

  1. 하기 A)+B)+C)의 총중량을 기준으로 하여,
    A) 알칼리 수용액에서 광 영상화 조성물을 현상시키기에 충분한 산 작용성을 갖는 중합체 결합제 약 30 내지 약 80 중량%;
    B) 자유 라디칼 개시된 사슬 연장 부가 중합 반응에의해 고분자의 중합체를 형성할 수 있는 부가 중합성의 비기체성 에틸렌형 불포화 화합물(들) 약 19 내지 약 69 중량%;
    C) 9-페닐 아크리딘 또는 이의 유사체를 약 0.05 내지 약 2 중량% 함유하는 광개시제 화학계, 및
    D) 디벤조에이트 가소제 약 1 내지 약 8 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 음각 작용성 광 영상화 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 9-페닐 아크리딘 또는 유사체는 약 0.1 내지 약 0.5 중량%의 양으로 존재하는 것인 광 영상화 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 디벤조에이트 가소제는 약 2 내지 약 6 중량%의 양으로 존재하는 것인 광 영상화 조성물.
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