KR19990058940A - 고체촬상소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
신호전하를 보다 완전하게 리드하며, 픽셀의 개구율을 높여 감도를 개선하기에 적당한 고체촬상소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 이와 같은 목적을 달성하기 위한 고체촬상소자는 매트릭스 형태의 포토다이오드를 구비하는 고체촬상소자에 있어서, 로우방향으로 배열된 포토다이오드사이에 차례로 형성된 제 1 층간절연막과 제 1 전달게이트, 상기 제 1 전달게이트의 중앙부위를 따라 형성된 블록(Block)절연막, 상기 제 1 전달게이트상에 형성된 제 2 층간절연막, 상기 블록절연 막상에서 격리되며 상기 제 1 전달게이트상에 완전히 올라가도록 형성된 제 2, 제 3 전달게이트, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상에 형성된 제 3 층간절연막, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상부에 완전히 올라가도록 상기 제 3 층간절연막상에 형성된 제 4 전달게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 고체촬상소자에 대한 것으로 특히, 신호전하를 보다 완전하게 리드하며, 픽셀의 개구율을 높여 감도를 개선하기에 적당한 고체촬상소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적인 고체촬상소자는 메트릭스 형태로 형성된 포토다이오드(Photo Diode : PD)가 있고, 포토다이오드(PD)에 축적된 전하들을 받아 수평전하전송소자(Horizontal Charge Coupled Device : HCCD)에 전달하는 수직전하전송소자(VCCD)가 포토다이오드(Photo Diode : PD)의 사이에 일렬로 형성되었다.
최근에는 1/4인치 33만 화소의 PS-CCD(Progressive Scan Charge Coupled Device)의 고체촬상소자의 수직전하전송영역에 3개의(Triple) 폴리실리콘층을 이용한 4상(4-Phase)의 수직전하전송소자(Vertical Charge Coupled Device : VCCD)가 사용된다.
이와 같은 Triple 폴리실리콘층으로 구성된 4상의 VCCD구조를 갖는 종래의 고체촬상소자 및 그의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 트리플 폴리실리콘으로 구성된 4상의 종래 고체촬상소자의 평면도를 나타낸 도면이고, 도 2a는 도 1의 I-I선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도이고, 도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도이고, 도 2c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도이다.
그리고 도 3은 종래 고체촬상소자의 리드아웃 클럭 다이아그램이고, 도 4a 내지 4d는 종래 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
종래 발명은 고체촬상소자중 포토다이오드에 축적된 전하를 수직전하전송소자를 구성하는 전달게이트를 통해 수평전하전송소자에 보내는 역할을 하는 전달게이트에 대한 것이다.
종래와 고체촬상소자는 도 1과 도 2a와 2b와 2c에 도시한 바와 같이 N형의 반도체 기판(1)에 P웰(2)이 소정깊로 형성되어 있고, 상기 P웰(2) 표면내에 수직전하전송소자(VCCD) 방향으로 메몰전하전송소자(Buried Charge Coupled Device : BCCD)(3)가 형성되어 있다.
또한 상기 메몰전하전송소자(BCCD)(3)상 및 로우방향의 포토다이오드(4) 사이에는 제 1 폴리실리콘층으로 헝성된 제 1 전달게이트(7)가 서로 일정간격으로 평행하게 형성되어 있다.
그리고 제 2, 제 3 전달게이트(10a, 10b)는 로우방향의 각 포토다이오드(4) 사이와 수직전하전송소자(VCCD)가 형성되는 영역에서 제 1 전달게이트(7)의 양측상부와 오버랩되어 있고, 각 포토다이오드(4)의 일측가장자리상에 나란하게 정렬되어 있다.
그리고 제 4 전달게이트(13a)는 포토다이오드(4)사이에서는 상기 제 1 전달 게이트(7) 상측에 형성되고, 수직전하전송소자(VCCL)가 형성되는 영역에서는 제 2 전달게이트(10a) 및 제 3 전달게이트(10b) 상부를 지나 메몰전하전송소자(BCCD)(3)상 및 이웃하는 또다른 제 2 전달게이트(10c)와 일부 오버랩되어 형성되어 있다.
상기와 같이 구성되는 종래 고체촬상소자중 로우방향으로 정렬된 포토다이오드(4)사이에 형성되는 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 전달게이트(7, 10a, 10b, 13a)의 제조방법을 도면과 함께 설명하면 다음과 같다.
도 4a에 도시한 바와 같이 N형의 반도체 기판(1)에 P형 이온을 주입한 후 열확산공정으로 반도체 기판(1)에 일정깊이를 갖도록 P웰(2)을 형성한다. 그리고 P웰(2)상에 포토다이오드(PD)(4)를 형성하기 위한 패턴을 형성하여 P웰(2)의 표면내에 소정깊이를 갖도록 N형 불순물 이온을 주입하여 매트릭스 모양의 복수개의 포토다이오드(PD)(4)를 형성한다. 이후에 로우방향으로 이웃하는 포토다이오드(PD)의 일측과 접하도록 포토다이오드(PD) 사이의 P웰(2) 표면내에 P형의 채널스톱영역(5)을 형성한다. 이후에 전면에 얇게 제 1 층간산화막(6)을 증착하고 제 1 층간산화막(6)상에 제 1 폴리실리콘층을 증착한다. 그리고 로우방향으로 정렬된 포토다이오드(PD)(4) 사이의 채널스톱영역(5)상부 및 수직전하전송소자(VCCD)가 형성되는 영역상에 일자로 정렬되도록 제 1 폴리실리콘층을 이방성식각하여 제 1 전달게이트(7)를 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이 화학기상증착법으로 산화막을 증착한 후 제 1 전달게이트(7)의 중앙상부에 남도록 이방성 식각하여 블록산화막(8)을 형성한다. 그리고 제 1 전달게이트(7)상에 제 2 층간산화막(9)과 제 2 폴리실리콘층(10)을 증착한 후, 제 2 폴리실리콘층(10)상에 감광막(11)을 도포한 후 소정영역을 노광하고 현상하여 감광막(11)을 선택적으로 패터닝한다.
도 4c에 도시한 바와 같이 상기 패터닝된 감광막(11)을 마스크로 하여 제 2폴리실리콘층(10)을 이방성 식각하여 제 1 전달게이트(7) 양측 가장자리에서 각각 오버랩되고 또한 이웃하는 포토다이오드(4)상에 나란하게 정렬되도록 상기 소정영역에 제 2, 제 3 전달게이트(10a, 10b)을 형성한다. 그리고 상기 제 2, 제 3 전달게이트(10a, 10b)상에 제 3 층간산화막(12)을 증착하고, 제 3 층간산화막(12)상에 제 3 폴리실리콘층(13)을 증착한다. 이후에 제 3 폴리실리콘층(13)상에 감광막(14)을 도포한 후 노광 및 현상공정으로 선택적으로 감광막(14)을 패터닝한다.
도 4d에 도시한 바와 같이 상기 감광막(14)을 마스크로 하여 제 3 폴리실리콘층(13)과 제 3 층간산화막(12)을 이방성 식각하여 로우방향으로 정렬된 포토다이오드(4) 사이의 제 1 전달게이트(7) 상측에 완전히 올라가도록 제 4 전달게이트(13a)를 형성한다. 그리고 상기 수직전하전송소자(VCCD)가 형성되는 영역에서는 제 1 전달게이트(7)의 상부와 제 2 전달게이트(10a)의 상부를 지나 이웃하는 포토다이오드의 제 2 전달게이트(10c)와 오버랩되는 영역에 제 4 전달게이트(13a)를 형성한다.
상기와 같은 종래 고체좔상소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시한 바와 같이 포토다이오드에 축적된 전하를 수직전하전송소자(VCCD)로 이동시키는 동작을 할 때 로우방향의 포토다이오드(4) 사이에 형성된 제 3 폴리실리콘층(13)으로 형성된 제 4 전달게이트(13a)를 클로킹하므로써 즉, 싱글리드-아웃(single read-out)하므로써 포토다이오드(4)에 축적된 전하를 수직전하전송소자(VCCD)로 리드-아웃한다. 다음에 수직전하전송소자(VCCD)로 이동된 전하를 제 1, 제 2, 제 3, 제 4, 전달게이트(TG1, TG2, TG3, TG4)의 클럭타이밍도에 따라서 수평전하전송소자(HCCD)로 이동한다. 포토다이오드(PD)(4)에서 수직전하전송소자(VCCD)로 전하를 이동할 때 단지 제 4 전달게이트(13a)만을 클로킹하여 전달하는것은 제 2, 제 3 전달게이트(10a, 10b)는 양측 포토다이오드(4)와 접하고 있으므로 하나의 포토다이오드(PD)(4)에 저장된 전하를 온전하게 수직전하전송소자(VCCD)로 전달하기가 어렵기 때문이다.
이와 같은 종래 고체촬상소자 및 그의 제조방법은 다음과 같은 문제가 있다.
첫째, 로우방향으로 배열된 포토다이오드 사이의 제 2, 제 3 전달게이트가 제 1 전달게이트의 일측과 오비랩되는 동시에 P웰의 포토다이오드상에도 형성되므로 폴리실리콘층간의 캐패시턴스도 커지고 또한 폴리실리콘층의 폭도 커지므로 소자의 소형화가 어렵다.
둘째, 신호전하를 리드-아웃할 때 제 3 폴리실리콘층으로 형성된 제 4 전달 게이트만이 트리-레벨 클로킹을 하므로 픽셀의 크기가 점점 작아지게 되면 3-디멘젼 효과(3-Dimensional Efflect)가 증가하게 되어 완전한 리드-아웃을 하기가 어려워진다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 픽셀의 개구율을 높여 감도를 증가시키고 작은 전극전압으로 쉽고 완전하게 신호전하를 리드-아웃하기에 적당한 고체촬상소자 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 트리플 폴리실리콘으로 구성된 4상의 종래 고체촬상소자의 평면도를 나타낸 도면
도 2a는 도 1의 I-I 선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도
도 2b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도
도 2c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ선상의 종래 고체촬상소자의 구조단면도
도 3은 종래 고체촬상소자의 리드아웃 클럭 다이아그램
도 4a 내지 4d는 종래 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 5는 트리플 폴리실리콘으로 구성된 4상의 본 발명 고체촬상소자의 평면도를 나타낸 도면
도 6a는 도 5의 I-I 선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도
도 6b는 도 5의 Ⅱ-Ⅱ선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도
도 6c는 도 5의 Ⅲ-Ⅲ선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도
도 7은 본 발명 고체촬상소자의 리드아웃 클럭 다이아그램
도 8a 내지 8d는 본 발명 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 반도체 기판 22 : P웰
23 : 포토다이오드 24 : 채널스톱영역
25 : 제 1 층간산화막 26 : 제 1 전달게이트
27 : 블록산화막 28 : 제 2 층간산화막
29 : 제 2 폴리실리콘층 29a, 29c : 제 2 전달게이트
29c : 제 3 전달게이트 30, 33 : 감광막
31 : 제 3 층간산화막 32 : 제 3 폴리실리콘층
32a, 34 : 메몰전하전송소자
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 고체촬상소자는 매트릭스 형태의 포토다이오드를 구비하는 고체촬상소자에 있어서, 로우방향으로 배열된 포토다이오드사이에 차례로 형성된 제 1 층간절연막과 제 1 전달게이트, 상기 제 1 전달게이트의 중앙부위를 따라 형성된 블록(Block)절연막, 상기 제 1 전달게이트상에 형성된 제 2 층간절연막, 상기 블록절연막상에서 격리되며 상기 제 1 전달게이트상에 완전히 올라가도록 형성된 제 2, 제 3 전달게이트, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상에 형성된 제 3 층간절연막, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상부에 완전히 올라가도록 상기 제 3 층간절연막상에 형성된 제 4 전달게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성된 본 발명 고체촬상소자의 제조방법은 매트릭스형태의 포토다이오드를 구비한 고체촬상소자에 있어서, 로우방향으로 배열된 포토다이오드 사이에 제 1 층간절연막과 제 1 전달게이트를 형성하는 공정과, 상기 제 1 전달게이트의 중앙상부에 블록절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전달게이트의 상부에 제 2 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 블록절연막의 측면과 오버렙되고 상기 블록 절연막의 중앙상부에서 격리되며 상기 제 1 전달게이트 상측에 완전히 올라가도록 제 2 전달게이트와 제 3 전달게이트를 형성하는 공정과, 상기 제 2, 제 3 전달게이트상에 제 3 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 2, 제 3 전달게이트상에 완전히 올라가도록 제 4 전달게이트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 1/4인치 33만 화소의 고체촬상소자에 적용되고 있는 트리플 폴리실리콘(Triple Polysilicon)를 이용한 4-페이즈(Phase)의 수직전하전송소자의 구조를 개선하여 감도를 증가시키기 위한 것에 대한 것으로 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5는 트리플 폴리실리콘으로 구성된 4상의 본 발명 고체촬상소자의 평면도를 나타낸 도면이고, 도 6a는 도 5의 I-I선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도이고, 도 6b는 도 5의 Ⅱ-Ⅱ선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도이며, 도 6c는 도 5의 Ⅲ-Ⅲ선상의 본 발명 고체촬상소자의 구조단면도이다.
그리고 도 7은 본 발명 고체촬상소자의 리드아웃 클럭 다이아그램이고, 도 8a 내지 8d는 본 발명 고체촬상소자의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다.
본 발명 고체촬상소자는 도 5와 도 6a와 도 6b와 도 6c에 도시된 바와 같이 N형의 반도체 기판(21)에 P웰(22)이 소정깊이로 형성되었다. 그리고 상기 수직전하전송소자(VCCD)를 따라 메몰전하전송소자(BCCD)(34)가 상기 P웰(22)의 표면내에 형성되었다. 제 1 층간산화막(25)과 제 1 폴리실리콘층으로 형성된 제 1 전달게이트(26)가 수직전하전송소자(VCCD)에서 로우방향의 각 포토다이오드(23)사이에 일방향으로 형성되어 있다. 그리고 제 1 전달게이트(26)상에 제 2 층간산화막(28)이 있고, 제 1 전달게이트(28)가 형성된 방향으로 제 1 전달게이트(26)의 중앙상부에 소정높이를 갖는 블록산화막(27)이 형성되어 있다. 그리고 상기 블록산화막(27)에 일정간격 격리되도록 각 블록산화막(27)의 일측에 오버랩되는 제 2 폴리실리콘층(29)으로 형성된 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)가 있다. 이때 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)는 로우방향의 포토다이오드(23) 사이에서는 상기 제 1 전달게이트(26)의 상부에 완전히 올려지도록 헝성되었고, 수직전하전자소자(VCCD)영역에서는 제 1 전달게이트(26) 중앙을 따라 일정간격 격리되어 대칭되게 형성된다. 그리고 상기 블록산화막(27)의 높이를 조절하여 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)의 폭을 줄일 수 있어서 픽셀을 소형화시킬 수 있다. 그리고 상기 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)의 상에 제 3 층간산화막(31)이 형성되었다. 그리고 로우방향의 포토다이오드(23)사이에 형성된 상기 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)상에 제 4 전달게이트(34)가 형성되었다. 이때 제 4 전달게이트(34)는 상기 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)의 상부에 완전하게 올라가도록 형성된다. 그리고 수직전하전송소자(VCCD)에 형성되는 제 4 전달게이트(34)는 상기 제 2 전달게이트(29a)에 오버랩되고 상기 제 3 전달게이트(29b)를 지나 맞은편의 또다른 제 2 전달게이트(29c)에 오버랩되도록 확장되어 형성되었다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명 고체촬상소자의 로우 방향으로 배열된 포토다이오드 사이의 제조방법은 도 8a에 도시한 바와 같이 N형의 반도체 기판(21)에 P형 이온을 주입한 후 열확산공정으로 반도체 기판(21)에 일정깊이를 갖도록 P웰(22)을 형성한다. 고리고 P웰(22)상에 포토다이오드(PD)를 형성하기 위한 패턴을 형성하여 P웰(22)의 표면내에 소정깊이를 갖도록 N형 불순물 이온을 주입하여 매트릭스 모양의 복수개의 포토다이오드(PD)를 형성한다. 이후에 로우방향으로 이웃하는 포토다이오드(PD)의 일측과 접하도록 포토다이오드(PD) 사이의 P웰(22)의 표면내에 P형의 채널스톱영역(24)을 형성한다. 이후에 전면에 얇게 제 1 층간산화막(25)을 증착하고 제 1 층간산화막(25)상에 제 1 폴리실리콘층을 증착한다. 그리고 로우방향으로 정렬된 포토다이오드(PD) 사이의 채널스톱영역(24)상부 및 수직전하전송소자(VCCD)가 형성되는 영역 상에 일자로 정렬되도록 제 1 폴리실리콘층을 이방성식각하여 제 1 전달게이트(26)를 형성한다.
도 8b에 도시한 바와 같이 상기 반도체 기판(21) 전면에 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)으로 산화막을 증착한다. 이후에 제 1 전달게이트(26)중앙상부를 따라서 상기 산화막이 남도록 이방성 식각하여 블록산화막(27)을 형성한다. 그리고 상기 제 1 전달게이트(26)의 상부에 제 2 층간산화막(28)을 형성한다. 그리고 반도체 기판(21)의 전면에 제 2 폴리실리콘층(29)을 증착하고, 제 2 폴리실리콘층(29)상에 감광막(30)을 도포하고 노광 및 현상공정으로 상기 블록산화막(27)의 중앙부분 및 제 1 전달게이트(26) 양측의 제 2 폴리실리콘층(29)이 노출되도록 감광막(30)을 선택적으로 패터닝한다.
도 8c에 도시한 바와 같이 상기 페터닝된 감광막(30)을 마스크로 상기 제 2 폴리실리콘층(29)을 이방성 식각하여 일정간격 격리되고 블록산화막(27)의 양측에 오버랩되도록 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)를 형성한다. 상기 블록산화막(27)의 높이를 조절하여 수직의 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)의 단면적을 조절할 수 있다. 이때 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)는 제 1 전달게이트(26)의 상부에 완전하게 올라가도록 형성한다. 이후에 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b) 및 블록산화막(27)상에 제 3 층간산화막(31)을 형성한다. 이후에 반도체 기판(21)에 제 3 폴리실리콘층(32)을 증착하고, 제 3 폴리실리콘층(32)상에 감광막(33)을 도포한 후 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)상에 남도록 노광 및 현상공정으로 감광막(33)을 선택적으로 패터닝한다.
도 8d에 도시한 바와 같이 상기 패터닝된 감광막(33)을 마스크로 제 3 폴리실리콘층(32)을 이방성식각하여 제 4 전달게이트(32a)를 형성한다. 상기 제 4 전달게이트(32a)는 로우방향의 포토다이오드(23)사이에서는 일정간격 격리된 상기 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)의 사이에 형성되고, 수직전하전송영역(VCCD)에서는 제 3 전달게이트(29b)를 지나 또다른 제 2 전달게이트(29c)의 일측과 일부 오비랩되도록 형성된다. 그리고 제 4 전달게이트(32a)상에 열산화공정으로 제 4 층간산화막(34)을 형성한다.
이와 같은 본 발명 고체촬상소자의 동작을 설명하면 다음과 같다.
포토다이오드 사이에 제 2 폴리실리콘층(29)으로 구성된 제 2, 제 3 진달게이트(29a, 29b)가 완전하게 제 1 전달게이트(26)상에 올라가고, 제 4 전달게이트(32a)는 제 2, 제 3 전달게이트(29a, 29b)상에 올라가도록 구성되었으므로 포토다이오드(PD)에 수광된 전하를 수직전하전송소자(VCCD)로 리드할 때 도 7에 도시한 바와 같이 제 2, 제 3, 제 4 전달게이트(TG2, TG3, TG4)를 동시에 클록킹하므로써 즉, 트리플 리드-아웃하므로써 포토다이오드(PD)아 축적된 전하를 쉽고 완전하게 수직전하전송소자(VCCD)로 리드-아웃한다. 이와 같이 수직전하전송소자(VCCD)로 이동된 전하는 제 1 전달게이트(TG1)와 제 2 전달게이트(TG2)와 제 4 전달게이트(TG4)와 제 3 전달게이트(TG3)의 클럭타이밍도에 따라서 수평전하전송소자(HCCD)로 이동한다.
상기와 같은 본 발명 고체촬상소자 및 그의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 블록산화막을 이용하여 제 2 폴리실리콘층의 수직 길이를 늘려서 전체 제 2 폴리실리콘층의 폭을 감소시킬 수 있고 이에따라서 트리플 리드아웃을 하기 위한 제 2, 제 3, 제 4 전달게이트의 전체 배선폭을 줄일 수 있으므로 제 1, 제 2, 제 3 폴리실리콘간의 오버랩 캐패시턴스를 줄일 수 있다.
둘째, 포토다이오드에 축적된 신호전하를 리드아웃할 때 제 2, 제 3, 제 4 전달게이트를 턴온시켜서 신호전하를 쉽고 완전하게 수직전하전송소자(VCCD)로 이동시킬 수 있다.
셋째, 블록산화막의 높이를 조절하여 제 2, 제 3 전달게이트의 배선폭을 줄여서 포토다이오드간의 전달게이트의 폭을 줄일 수 있으므로 픽셀을 소형화시킬 수 있다.
넷째, 픽셀의 유효개구율(Fill Factor)을 증대시키므로써 감도를 개선시킬 수 있다.
다섯째, 포토다이오드에 축적된 전하를 수직전하전송소자로 전달하기 위하여 3개의 전달게이트로 동시에 리드-아웃을 할 수 있으므로 리드아웃을 하기 위한 구동전압을 기존보다 낮출 수있다.
Claims (5)
- 매트릭스 형태의 포토다이오드를 구비하는 고체촬상소자에 있어서, 로우방향으로 배열된 포토다이오드사이에 차례로 형성된 제 1 층간절연막과 제 1전달게이트, 상기 제 1 전달게이트의 중앙부위를 따라 형성된 블록(Block)절연막, 상기 제 1 전달게이트상에 형성된 제 2 층간절연막, 상기 블록절연막상에서 격리되며 상기 제 1 전달게이트상에 완전히 올라가도록 형성된 제 2, 제 3 전달게이트, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상에 형성된 제 3 층간절연막, 상기 제 2, 제 3 전달게이트 상부에 완전히 울라가도록 상기 제 3 층간절연막상에 형성된 제 4 전달게이트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 블록산화막은 상기 제 l 전달게이트의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 블록산화막의 높이는 블록산화막의 폭이하로 형성됨을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 메트릭스형태의 포토다이오드를 구비한 고체좔상소자에 있어서, 로우방향으로 배열된 포토다이오드사이에 제 1 층간절연막과 제 1 전달게이트를 형성하는 공정과, 상기 제 1 전달게이트의 중앙상부에 블록절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전달게이트의 상부에 제 2 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전달게이트상측에 완전히 올라가고 상기 블록절연막과 오비랩되며 중앙상부에서 격리되도록 제 2 전달게이트와 제 3 전달게이트를 형성하는 공정과, 상기 제 2, 제 3 전달게이트상에 제 3 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 제 2, 제 3 전달게이트상에 완전히 올라가도록 제 4 전달게이트를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 블록절연막은 화학기상증착법으로 증착한 후 폭보다 높지않은 높이를 갖도록 이방성식각하여 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
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