KR19990045683A - Mirror surface processing apparatus of semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 웨이퍼를 연마드럼의 축선방향으로 진동시킴으로써 정밀도가 높은 경면가공을 가능하게 하는 것이다.An object of the present invention is to vibrate the wafer in the axial direction of the polishing drum to enable mirror processing with high precision.
연마드럼(6) 및 그 연마드럼(6)을 회전구동하는 드럼구동원(7)으로 이루어지는 연마드럼구동수단(2)과, 상기한 연마드럼구동수단(2)의 근방에 설치된 하나 이상의 웨이퍼구동수단(3)과, 상기한 웨이퍼구동수단(3)에 설치되고 또한 진동수단(8)에 의해서 상기한 연마드럼(6)의 축선방향으로 진동이 자유로운 척구동수단(15)과, 상기한 척구동수단(15)에 설치되고 또한 상기한 연마드럼(6)의 외주면에서 모따기부분(20a)을 경면가공하는 웨이퍼(20)를 유지하는 척(17)과, 상기한 척(17)을 회전구동하는 척구동원(16)으로 이루어지는 구성으로 함으로써, 모따기부분(20a)의 정밀도가 높은 경면가공이 가능하게 된다.Polishing drum driving means (2) comprising a polishing drum (6) and a drum driving source (7) for rotating the polishing drum (6), and at least one wafer driving means provided in the vicinity of the polishing drum driving means (2). (3), the chuck driving means 15 provided in the wafer driving means 3 and free of vibration in the axial direction of the polishing drum 6 by the vibration means 8, and the chuck driving described above. The chuck 17 which is installed in the means 15 and holds the wafer 20 for mirror processing the chamfered portion 20a on the outer circumferential surface of the polishing drum 6 and the chuck 17 are rotated and driven. By setting it as the structure which consists of the chuck drive source 16, the mirror surface processing with high precision of the chamfer 20a is attained.
Description
본 발명은 주테두리부를 모따기가공한 반도체 웨이퍼를 경면가공하는 경면가공장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mirror processing apparatus for mirror processing a semiconductor wafer having a chamfered main border portion.
종래 집적회로등에 사용되는 반도체 웨이퍼는 실리콘 단결정으로 이루어진 잉곳(ingot)을 얇게 슬라이스(slice)함으로써 제작되고 있지만, 최근에는 에지(edge)부에 피칭(pitching)이 발생하는 것을 방지하기 위하여 에지부를 모따기(chamfering)가공하거나, 파티클의 방지와 강도상승을 도모하기 위하여 주테두리부를 경면가공하고 있다.Conventionally, semiconductor wafers used in integrated circuits and the like have been fabricated by slicing ingots made of silicon single crystals thinly, but recently, edges are chamfered to prevent pitching from occurring at the edges. To finish (chamfering) or to prevent particles and to increase strength, mirror cutting is done on the main rim.
또한, 반도체 웨이퍼의 모따기부분을 경면가공하는 방법으로서는 예를 들면, 특공평 7-61601호 공보에 기재된 것이 널리 알려져 있다.Moreover, as a method of mirror-processing the chamfer part of a semiconductor wafer, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 7-61601 is known widely, for example.
상기한 공보의 경면가공방법은, 외주부를 모따기가공한 원판형의 웨이퍼를 척테이블에 유지시키는 공정, 상기한 웨이퍼를 그 웨이퍼의 축선둘레에 회전시키는 공정, 직선적인 이동에 의해서 접함과 떨어짐이 자유롭게 되도록 지지된 연마(硏摩)드럼과 웨이퍼를, 연직으로 매단 웨이트의 더해진 힘으로 맞닿게 하여, 회전하는 연마드럼으로 웨이퍼의 모따기부분을 연마하는 공정, 상기한 연마드럼을 그 연마드럼의 축선방향으로 이동시킴으로써 웨이퍼와의 접함위치를 바꾸는 공정을 보유하는 것을 특징으로 한 것으로서, 모따기부분 전체면을 확실하게 또한 균일하게 경면연마하는 것이 가능해지는 효과를 보유하고 있다.In the mirror surface processing method of the above publication, a process of holding a disk-shaped wafer having a circumferential portion chamfered on a chuck table, a process of rotating the wafer around an axis line of the wafer, and free contact and dropping by linear movement Polishing the drum and the wafer so as to be brought into contact with the vertically added force of the weight, and polishing the chamfered portion of the wafer with the rotating drum, wherein the polishing drum is axially The process of changing the contact position with a wafer by moving to the surface of the wafer is carried out, and it has the effect of making it possible to reliably and uniformly polish the whole surface of a chamfer part.
그런데, 상기한 공보의 경면가공방법에서는 복수의 웨이퍼를 동일한 연마드럼에 접하게 하여 경면가공하는 경우, 각 웨이퍼마다 진동조건이 설정될 수 없기 때문에 가장 적합한 연마조건으로 각 웨이퍼를 경면가공할 수 없다고 하는 문제점이 있었다.However, in the mirror surface processing method of the above publication, when mirror processing is performed by bringing a plurality of wafers into contact with the same polishing drum, vibration conditions cannot be set for each wafer, so that mirror processing of each wafer cannot be performed under the most suitable polishing conditions. There was a problem.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 개선하기 위해 이루어진 것으로, 각 웨이퍼마다 가장 적합한 연마조건으로 경면가공이 가능한 반도체 웨이퍼의 경면가공장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to improve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a mirror surface factory value of a semiconductor wafer capable of mirror surface processing under the most suitable polishing conditions for each wafer.
상기한 목적을 달성하기 위해서 청구항 제1항에 기재된 발명은, 연마드럼 및 그 연마드럼을 회전구동하는 드럼구동원으로 이루어지는 연마드럼구동수단과, 상기한 연마드럼구동수단의 근방에 설치된 하나이상의 웨이퍼구동수단과, 상기한 웨이퍼구동수단에 설치되고 또한 진동수단에 의해 상기한 연마드럼의 축선방향으로 진동이 자유로운 척구동수단과, 상기한 척구동수단에 설치되고 또한 상기한 연마드럼의 외주면에서 모따기부분을 경면가공하는 웨이퍼를 유지하는 척과, 상기한 척을 회전구동하는 척구동원으로 구성된 것이다.In order to achieve the above object, the invention as set forth in claim 1 comprises: a polishing drum driving means comprising a polishing drum and a drum driving source for rotating the polishing drum; and at least one wafer driving provided near the polishing drum driving means. Means, chuck drive means provided in the wafer driving means and free of vibration in the axial direction of the polishing drum by vibrating means, and chamfering portions provided in the chuck drive means and on the outer circumferential surface of the polishing drum. It is composed of a chuck for holding the wafer to mirror the surface processing, and a chuck driving source for rotating the chuck.
상기한 구성에 의해서 웨이퍼를 연마드럼의 축선방향으로 진동시키면서, 연마드럼의 외주면에서 웨이퍼의 모따기부분이 경면가공되기 때문에, 모따기부분에 발생한 미소한 요철을 확실하게 제거하는 것이 가능함과 아울러, 모따기부분의 경면가공이 단시간에 효율이 좋게 수행된다.The chamfered portion of the wafer is mirror-finished on the outer circumferential surface of the polishing drum while vibrating the wafer in the axial direction of the polishing drum, thereby making it possible to reliably remove minute irregularities in the chamfered portion. Mirror processing is performed efficiently in a short time.
또한, 웨이퍼를 연마드럼의 축선방향으로 진동시킴으로서, 모따기부분과 연마드럼의 접함위치가 항상 어긋나기 때문에, 연마드럼의 크로스(cross)가 국부적으로 연마되지 않고, 이것에 의해서 크로스의 수명이 향상되기 때문에 경제적으로 되는 동시에, 크로스의 교환빈도가 절감되어 보수관리도 용이하게 된다.Also, by vibrating the wafer in the axial direction of the polishing drum, the contact position of the chamfer and the polishing drum always shifts, so that the cross of the polishing drum is not locally polished, thereby improving the life of the cross. As a result, it is economical, and the frequency of cross exchange is reduced, and maintenance is easy.
상기한 목적을 달성하기 위하여 청구항 제2항에 기재된 발명은, 척구동수단을 연마드럼방향으로 밀어붙이는 힘가함수단과, 연마드럼으로부터 사이가 멀어지는 방향으로 퇴피시키는 퇴피수단을 설치한 것이다.In order to achieve the above object, the invention described in claim 2 is provided with a force applying means for pushing the chuck driving means in the polishing drum direction and a evacuation means for evacuating in a direction away from the polishing drum.
상기한 구성에 의해서 웨이퍼의 모따기부분을 항상 일정한 면압력으로 연마드럼의 외주면에 접하게 하는 것이 가능하기 때문에, 안정된 경면가공이 가능함과 아울러 모따기부분의 가공정밀도도 향상된다.With the above configuration, the chamfered portion of the wafer can be brought into contact with the outer circumferential surface of the polishing drum at a constant surface pressure at all times, so that stable mirror surface processing is possible and the processing precision of the chamfered portion is also improved.
상기한 목적을 달성하기 위하여 청구항 제3항에 기재된 발명은, 척구동수단에 설치된 척의 회전중심을, 임의의 각도로 경사시키는 각도가변수단을 설치한 것이다.In order to achieve the above object, the invention described in claim 3 is provided with an angle variable stage for tilting the rotation center of the chuck installed in the chuck driving means at an arbitrary angle.
상기한 구성에 의하여, 모따기부분의 모따기각도에 따라서 척의 회전중심을 경사시키는 것이 가능하기 때문에, 모따기각도가 다른 웨이퍼 전반에 적용할 수 있는 것과 동시에, 척의 회전중심을 연마드럼의 회전중심과 평행하게 함으로써 웨이퍼 외주면의 경면가공도 가능하게 된다.With the above configuration, it is possible to incline the center of rotation of the chuck according to the chamfer angle of the chamfer, so that the chamfer angle can be applied to the whole wafer, and the center of rotation of the chuck is parallel to the center of rotation of the polishing drum. As a result, mirror surface processing of the outer peripheral surface of the wafer is also possible.
상기한 목적을 달성하기 위해서 청구항 제4항에 기재된 발명은, 연마드럼구동수단의 근방에 복수개의 웨이퍼구동수단을 설치한 것이다.In order to achieve the above object, the invention according to claim 4 is provided with a plurality of wafer driving means in the vicinity of the polishing drum driving means.
상기한 구성에 의하여 각 웨이퍼구동수단의 진동수단을 별도로 제어함으로써, 경면가공하는 웨이퍼의 각 면의 연마조건에 맞춘 가장 적합한 연마조건으로 모따기부분의 경면가공이 가능해진다.By virtue of controlling the oscillating means of each wafer driving means separately by the above-described configuration, the mirror surface processing of the chamfer can be performed under the most suitable polishing conditions that match the polishing conditions of each surface of the wafer to be mirror-processed.
도 1은 본 발명의 실시형태인 반도체 웨이퍼의 경면가공장치를 표시한 정면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a front view which shows the mirror surface factory value of the semiconductor wafer which is embodiment of this invention.
도 2는 본 발명의 실시형태인 반도체 웨이퍼의 경면가공장치를 표시한 평면도이다.Fig. 2 is a plan view showing the mirror surface factory value of the semiconductor wafer according to the embodiment of the present invention.
도 3은 도1의 A화살표 방향에서 본 도면이다.3 is a view seen from the arrow A in FIG.
도 4는 도1의 B-B선에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG.
도 5는 경면가공하는 웨이퍼의 설명도이다.5 is an explanatory diagram of a wafer for mirror processing.
-도면의 주요부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on the main parts of the drawing
2 … 연마드럼구동수단 3 … 웨이퍼구동수단2 … Grinding drum driving means 3. Wafer driving means
6 … 연마드럼 7 … 드럼구동원6. Polishing drum 7.. Drum drive
8 … 진동(振動, oscillate)수단 14 … 각도가변수단8 … Oscillate means 14... Variable angle
15 … 척구동수단 16 … 척구동원15... Chuck driving means 16. Mobilization
17 … 척(chuck) 18 … 힘가함수단17. Chuck 18... Strength
19 … 퇴피수단 20 … 웨이퍼19. Evacuation means 20. wafer
20a … 모따기부분 O … 척회전중심20a... Chamfer O… Chuck rotation center
본 발명의 실시형태를 도면을 참조로 하여 상세하게 설명한다.Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도1은 경면가공장치의 정면도, 도2는 동일한 평면도, 도3은 도1의 A화살표방향에서 본 도면, 도4는 도1의 B-B선에 따른 단면도이다.1 is a front view of a mirror processing apparatus, FIG. 2 is the same plan view, FIG. 3 is a view seen from the direction of the arrow A of FIG. 1, and FIG. 4 is a sectional view taken along the line B-B of FIG.
이들 도면에 있어서, 도면부호(1)은 장치본체로서, 연마드럼구동수단(2)과 그 근방에 설치된 1개 또는 복수개의 웨이퍼구동수단(3)으로 이루어져 있다. 상기한 연마드럼구동수단(2)은 설치대(1a)위에 통형상 드럼수용실(4)을 보유하고 있고, 이 드럼수용실(4)의 중심부에 수직방향으로 회전축(5)이 지지되어 있고, 회전축(5)의 상단에는 드럼수용실(4)내에 수용된 연마드럼(6)이 착탈이 자유롭게 부착되어 있다.In these figures, reference numeral 1 denotes an apparatus body, which comprises a polishing drum driving means 2 and one or a plurality of wafer driving means 3 provided in the vicinity thereof. The grinding drum driving means 2 has a cylindrical drum housing chamber 4 on the mounting table 1a, and a rotating shaft 5 is supported in the vertical direction at the center of the drum housing chamber 4, At the upper end of the rotating shaft 5, the polishing drum 6 housed in the drum storage chamber 4 is detachably attached.
상기한 연마드럼(6)은 원통형상 드럼본체(6a)의 외주면에 크로스(6b)가 감겨져 있고, 이 크로스(6b)의 표면에서 후술하는 웨이퍼(20)의 모따기부분(20a)을 경면가공하는 것으로 되어 있다.The polishing drum 6 has a cross 6b wound around the outer circumferential surface of the cylindrical drum body 6a, and mirror-processes the chamfered portion 20a of the wafer 20 described later on the surface of the cross 6b. It is supposed to be.
상기한 회전축(5)의 하단은 설치대(1a)측에 고정된 모터의 드럼구동원(7)에 접속되어 있고, 이 드럼구동원(7)에 의해서 회전축(5)을 통하여 상기한 연마드럼(6)이 회전하도록 되어 있다.The lower end of the rotating shaft 5 is connected to the drum driving source 7 of the motor fixed to the mounting table 1a side, and the grinding drum 6 is driven through the rotating shaft 5 by the drum driving source 7. It is supposed to rotate.
한편, 상기한 웨이퍼구동수단(3)은 주위가 커버(3b)로 덮여진 상자형상의 바구니체(3a)를 보유하고 있고, 이 바구니체(3a) 상부에, 진동수단(8)에 의해서 상하방향으로 진동이 자유로운 승강테이블(10)이 설치되어 있다.On the other hand, the wafer driving means 3 has a box-shaped basket body 3a whose periphery is covered with a cover 3b, and the upper and lower parts of the wafer body 3a are mounted on the basket body 3a by vibrating means 8. The lifting table 10 is provided with a vibration free in the direction.
상기한 승강테이블(10)의 하면에는 수직방향으로 지지부재(10a)가 돌출설치되어 있고, 이 지지부재(10a)에 강하게 부착된 지지부(8a)가, 바구니체(3a)내에 수직으로 고정된 한쌍의 LM가이드(8b)에 상하 미끄럼이동이 자유롭게 지지되고 있다.On the lower surface of the elevating table 10, a supporting member 10a protrudes in the vertical direction, and a supporting portion 8a strongly attached to the supporting member 10a is vertically fixed in the basket 3a. Up and down sliding movement is freely supported by the pair of LM guides 8b.
상기한 지지부재(10a)의 근방에는, 상기한 LM가이드(8b)와 평행하도록 볼(ball)나사(8c)가 회전이 자유롭게 지지되어 있고, 그 볼나사(8c)에 지지부재(10a)에 강하게 부착된 볼너트(8d)가 나사체결되는 것과 동시에, 볼나사(8c)의 하단은 기어(8e)를 통해서 모터로 이루어지는 진동구동원(9)에 접속되어 있고, 이 진동구동원(9)에 의해서 볼나사(8c)를 정(正)회전과 역(逆)회전시킴으로서, 가이드 기둥(8b)에 따라서 승강테이블(10)이 승강할 수 있도록 되어 있다.In the vicinity of the support member 10a, the ball screw 8c is rotatably supported so as to be parallel to the LM guide 8b, and the ball screw 8c is supported by the support member 10a. At the same time that the strongly attached ball nut 8d is screwed in, the lower end of the ball screw 8c is connected to the vibration drive source 9 made of a motor through the gear 8e, and by this vibration drive source 9 By rotating the ball screw 8c forward and reverse, the lifting table 10 can move up and down along the guide pillar 8b.
상기한 승강테이블(10)의 상면에는 연마드럼구동수단(2)방향에 수평으로 되도록 한쌍의 가이드레일(12)이 깔려져 있고, 이 가이드레일(12)에 슬라이드 테이블(13)이 연마드럼(6)의 접하거나 떨어지는 방향으로 이동이 자유롭게 지지되어 있다.A pair of guide rails 12 are laid on the upper surface of the elevating table 10 so as to be horizontal in the direction of the polishing drum driving means 2, and the slide table 13 is placed on the guide rails 12 by a polishing drum ( 6) the movement is freely supported in the contacting or falling direction.
상기한 슬라이드 테이블(13)위에는 각도가변수단(14)에 의해서 임의의 각도로 경사가 자유로운 척구동수단(15)이 설치되어 있다.On the slide table 13, the chuck driving means 15 which is freely inclined at an arbitrary angle is provided by the variable angle stage 14.
상기한 각도가변수단(14)은 도3에 표시하듯이 슬라이드 테이블(13)위에 고정된 지지틀(14a)의 상부에 가동부재(14b)를 보유하고 있다.The angle variable stage 14 has a movable member 14b on top of the support frame 14a fixed on the slide table 13 as shown in FIG.
상기한 가동부재(14b)는, 슬라이드 테이블(13)의 이동방향과 직교하는 방향으로 설치된 수평축(14c)을 통하여 상기한 지지틀(14a)의 상부에 회전이 자유롭게 지지되고 있고, 유압실린더 등의 액츄에이터(14d)에 의해 수평축(14c)을 중심으로 임의의 각도경사할 수 있도록 되어 있다.The movable member 14b is rotatably supported on the upper portion of the support frame 14a through a horizontal shaft 14c provided in a direction orthogonal to the moving direction of the slide table 13, such as a hydraulic cylinder. The actuator 14d can tilt any angle about the horizontal axis 14c.
그리고, 상기한 가동부재(14b)에 척구동수단(15)의 척구동원(16)이 부착되어 있다.The chuck drive source 16 of the chuck drive means 15 is attached to the movable member 14b.
상기한 척구동원(16)은, 예를 들면 모터로 구성되어 있고, 연마드럼(6)에 기댄 위치로 지지하는 회전축(16a)에 기어(16b)를 통해서 접속되어 있고, 회전축(16a)의 선단에 척(17)이 강하게 부착되어 있다.Said chuck drive source 16 is comprised by the motor, for example, is connected via the gear 16b to the rotating shaft 16a supported by the position which leaned on the grinding drum 6, and the front end of the rotating shaft 16a is carried out. The chuck 17 is strongly attached thereto.
상기한 척(17)은 경면가공하는 웨이퍼(20)의 외경보다 작은 지름으로 되어 있어서, 상면에 상기한 웨이퍼(20)가 착탈이 자유롭게 흡착될 수 있도록 되어 있다.The chuck 17 has a diameter smaller than the outer diameter of the wafer 20 to be mirror-processed, so that the wafer 20 can be freely attached to and detached from the upper surface thereof.
한편, 상기한 슬라이드 테이블(13)의 하면으로부터는 바구니체(3a)내에 브래킷(13a)이 돌출설치되어 있고, 그 브래킷(13a)의 선단에 힘가함수단(18)의 케이블(18a)의 일단이 연결되어 부착되어 있다.On the other hand, the bracket 13a protrudes from the lower surface of the slide table 13 in the basket body 3a, and one end of the cable 18a of the clamping means 18 is applied to the tip of the bracket 13a. This is connected and attached.
상기한 힘가함수단(18)은 무거운 추(18b)의 중량을 이용하여 척(17)에 부착된 웨이퍼(20)를 연마드럼(6)의 외주면에 눌러서 맞닿게 함으로서, 승강테이블(10)의 하면에 강하게 부착된 지지부재(10c)에 예를 들면, 3개의 가이드풀리(18c, 18d, 18e)가 회전이 자유롭게 지지되고 있다.The force imparting means 18 presses and abuts the wafer 20 attached to the chuck 17 against the outer circumferential surface of the polishing drum 6 by using the weight of the heavy weight 18b, thereby allowing the lifting table 10 to be contacted. For example, three guide pulleys 18c, 18d, and 18e are rotatably supported by the support member 10c strongly attached to the lower surface.
그리고, 이들 가이드풀리(18c~18e)에서 우회된 케이블(18a)의 타단에 상기한 무거운 추(18b)가 결합되어 부착되어 있는 것과 동시에, 지지부재(10c)에는 퇴피수단(19)이 대략 수평하게 부착되어 있다.The heavy weight 18b described above is coupled to and attached to the other end of the cable 18a bypassed by these guide pulleys 18c to 18e, and the evacuation means 19 is substantially horizontal to the support member 10c. Is attached.
상기한 퇴피수단(19)은 예를 들면, 유압실린더나 공기압실린더로 구성되어 있고, 실린더(19a)에서 연마드럼(6)의 반대방향으로 돌출설치된 피스톤기둥(19b)선단에, 한쌍의 가이드기둥(19c)의 일단면에 강하게 부착된 연결기둥(19d)이 강하게 부착되어 있다.The evacuation means 19 is composed of, for example, a hydraulic cylinder or a pneumatic cylinder, and has a pair of guide pillars at the tip of the piston column 19b protruding from the cylinder 19a in the opposite direction to the polishing drum 6. The connecting column 19d strongly attached to one end surface of 19c is strongly attached.
각 가이드기둥(19c)의 타단측은 상기한 브래킷(13a)에 형성된 절결(13b)에 느슨하게 끼워통해지는 것과 동시에, 각 가이드기둥(19c)의 타단에 돌출설치된 연결기둥(19d)은 상기한 절결(13b)보다 큰지름으로 형성되어 있고, 이 연결기둥(19d)을 브래킷(13a)에 걸어맞춤함으로써, 힘가함수단(18)의 가해진 힘에 저항하여 척구동수단(14)을 연마드럼(6)에서 멀어지는 방향으로 퇴피할 수 있도록 되어 있다.The other end side of each guide column 19c is loosely fitted into the notch 13b formed in the bracket 13a, and the connecting column 19d protruding from the other end of each guide column 19c is the above notch ( 13b), the connecting column 19d is engaged with the bracket 13a, thereby resisting the applied force of the force applying means 18 so that the chuck driving means 14 is polished. You can retreat in the direction away from.
그리고, 도면 중 부호(15e)는 각도가변수단(14) 및 척구동수단(15)을 덮는 커버를 표시하고 있다.In the figure, reference numeral 15e denotes a cover covering the angle variable step 14 and the chuck driving means 15.
또한, 상기한 실시형태에서는 연마드럼구동수단(2)의 근방에 1개의 웨이퍼구동수단(3)이 설치되어 있는 경우에 대해서 설명하였지만, 실제로 실시할 때에는 동일양상 구조의 웨이퍼구동수단(3)이 복수개 설치되어 있어서 이들 웨이퍼구동수단(3)을 독립적으로 제어할 수 있도록 되어 있다.In addition, in the above embodiment, the case where one wafer driving means 3 is provided in the vicinity of the polishing drum driving means 2 has been described. However, in practice, the wafer driving means 3 having the same shape structure is implemented. Plural numbers are provided so that these wafer drive means 3 can be controlled independently.
다음에, 상기 구성된 경면가공장치의 작용을 설명한다.Next, the operation of the configured mirror processing device will be described.
경면가공하는 웨이퍼(20)는 미리 외주 테두리의 각(角)부분이 도5에 표시하듯이 모따기가공되어 있고, 최근에는 모따기가공된 웨이퍼(20)의 표면에 백(bag) 밀봉용의 표면산화막(20b)을 생성하는 것이 있고, 경면가공 공정에서 외주 테두리의 산화피막을 완전하게 제거하지 않으면, 후공정의 열처리공정에서 모따기부분(20a)에 입자형상의 폴리실리콘으로 이루어진 노줄(20c)이 발생한다.The wafer 20 to be mirror-processed is chamfered in advance as shown in Fig. 5 in the outer periphery, and recently, a surface oxide film for sealing a bag on the surface of the wafer 20 to be chamfered. (20b) is produced, and if the oxide film of the outer rim is not completely removed in the mirror processing process, a row line 20c made of granular polysilicon is generated in the chamfered portion 20a in the heat treatment step of the subsequent process. do.
이 노줄(20c)을 제거하지 않으면, 열처리공정중에 벗겨져 떨어져서 파티클의 발생원인으로 되기 때문에, 모따기부분(20a)을 경면가공할 때 표면산화막(20b)이 발생된 웨이퍼(20)에 대해서는 표면산화피막(20b)도 동시에 제거하고 있다.If the row line 20c is not removed, it will peel off during the heat treatment process and cause particles to be generated. Therefore, the surface oxide film is used for the wafer 20 where the surface oxide film 20b is generated when the chamfered portion 20a is mirror-finished. 20b is also removed at the same time.
우선, 척(17)이 수평으로 되는 위치에서 척구동수단(15)을 정지시키고, 도면에 표시하지 않은 반송수단에 의해 경면가공할 웨이퍼(20)를 척(17)의 상면에 반입하여 척(17)의 상면에 흡착유지시킨다.First, the chuck driving means 15 is stopped at a position where the chuck 17 is horizontal, and the wafer 20 to be mirror-processed is carried on the upper surface of the chuck 17 by a conveying means not shown in the drawing, and the chuck ( Adsorption is maintained on the upper surface of 17).
다음에, 그 상태에서 웨이퍼(20)의 모따기부분(20a)의 모따기각도(θ)에 맞추고, 각도가변수단(14)에 의해 수평축(14c)을 중심으로 척(17)의 회전중심(O)을 경사시킨다.Next, in this state, the chamfering angle θ of the chamfered portion 20a of the wafer 20 is adjusted, and the center of rotation O of the chuck 17 is centered on the horizontal axis 14c by the angle variable step 14. Tilt
그리고, 드럼구동원(7)에 의해 연마드럼(6)을, 또한 척구동원(16)에 의해 척(17)을 회전시키면서, 퇴피수단(19)을 수축하고, 척구동수단(15)을 연마드럼(6)방향으로 이동시키고, 척(17)에 유지된 웨이퍼(20)의 모따기부분(20a)을 도1의 가상선으로 표시하듯이 연마드럼(6)의 외주면에 맞닿게 하고, 동시에 진동수단(8)에 의해 승강테이블(10)을 연마드럼(6)의 회전중심(O')과 평행한 방향으로 상하이동(진동)시키고, 모따기부분(20a)의 경면가공을 개시한다.Then, the retracting means 19 is contracted and the chuck driving means 15 is polished while the polishing drum 6 is rotated by the drum driving source 7 and the chuck 17 is rotated by the chuck driving source 16. Move in the (6) direction, and bring the chamfered portion 20a of the wafer 20 held on the chuck 17 into contact with the outer circumferential surface of the polishing drum 6 as indicated by the imaginary line in FIG. The lifting table 10 is moved (vibrated) in a direction parallel to the rotational center O 'of the polishing drum 6 by the mirror table 8, and mirror processing of the chamfered portion 20a is started.
또한, 경면가공중에는 힘가함수단(18)의 무거운 추(18b)의 중량을 이용하여, 일정한 면압력으로 모따기부분(20a)을 연마드럼(6)의 외주면에 눌러서 접하게 한다.In addition, during mirror processing, by using the weight of the heavy weight 18b of the force application means 18, the chamfer 20a is pressed against the outer peripheral surface of the grinding drum 6 by a constant surface pressure.
그리고, 복수개의 웨이퍼구동수단(3)이 설치되어 있는 경우는, 경면가공하는 웨이퍼(20)의 연마조건에 따라서, 각 웨이퍼구동수단(3)에 설치된 진동수단(8)의 진동속도나 스트로크등을 개별적으로 제어함으로써, 각 웨이퍼(20)마다 가장 적합한 연마조건으로 모따기부분(20a)의 경면가공이 가능하게 된다.In the case where a plurality of wafer driving means 3 is provided, vibration speeds, strokes, and the like of the vibration means 8 provided in the respective wafer driving means 3 depend on the polishing conditions of the wafer 20 for mirror processing. By individually controlling these, mirror processing of the chamfered part 20a is attained with the most suitable grinding | polishing condition for each wafer 20. FIG.
이상과 같이, 한쪽의 모따기부분(20a)의 경면가공이 완료하면, 퇴피수단(19)에 의해 척구동수단(15)을 연마드럼(6)에서 멀어지는 방향으로 퇴피시키면서, 척(17)을 수평위치로 되돌리고, 그 상태에서 조각면의 경면가공이 완료된 웨이퍼(20)를 상하 반전하여 다시 척(17)에 흡착시키고, 다시 상기한 조작을 반복하여 남아있는 모따기부분(20a)의 경면가공을 실시하며, 웨이퍼구동수단(3)이 복수개 설치된 경우는 조각면의 경면가공이 완료된 웨이퍼(20)를 반전하면서 다음 웨이퍼구동수단(3)으로 반입하고, 남아있는 모따기부분(20a)의 경면가공을 실시하여도 좋다.As described above, when the mirror surface processing of one of the chamfered portions 20a is completed, the chuck 17 is horizontally retracted by the evacuation means 19 while retracting the chuck driving means 15 in a direction away from the polishing drum 6. It returns to the position, and in that state, the wafer 20 in which mirror surface processing of the engraving surface is completed is inverted up and down, and it adsorb | sucks again to the chuck 17, and repeats the above-mentioned operation, and performs mirror surface processing of the remaining chamfering part 20a. In the case where a plurality of wafer driving means 3 are provided, the wafer 20 having the mirror surface processing completed on the engraving surface is inverted into the next wafer driving means 3, and the remaining chamfered portion 20a is subjected to mirror processing. You may also do it.
또한, 척(17)을 수평하게 유지한 상태에서 척구동수단(15)을 연마드럼(6)측으로 이동시키고, 웨이퍼(20)의 외주면을 연마드럼(6)의 외주면에 접하게 함으로써, 웨이퍼(20)의 외주면의 경면가공도 가능하게 된다.In addition, the chuck driving means 15 is moved toward the polishing drum 6 in a state where the chuck 17 is kept horizontal, and the outer peripheral surface of the wafer 20 is brought into contact with the outer peripheral surface of the polishing drum 6 to thereby provide a wafer 20. It is also possible to mirror-process the outer circumferential surface of).
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